JPH0745959Y2 - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0745959Y2 JPH0745959Y2 JP1987171326U JP17132687U JPH0745959Y2 JP H0745959 Y2 JPH0745959 Y2 JP H0745959Y2 JP 1987171326 U JP1987171326 U JP 1987171326U JP 17132687 U JP17132687 U JP 17132687U JP H0745959 Y2 JPH0745959 Y2 JP H0745959Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- microwave
- magnetic flux
- vacuum container
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、マイクロ波プラズマ処理装置に関するもので
ある。
ある。
マイクロ波プラズマ処理装置としては、磁場とマイクロ
波との共鳴効果を利用して、効率よくガスを電離させ、
プラズマを得るために、真空容器外周部にソレノイドコ
イルを設けたものが知られている。
波との共鳴効果を利用して、効率よくガスを電離させ、
プラズマを得るために、真空容器外周部にソレノイドコ
イルを設けたものが知られている。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭61-204936号等が挙げられる。
特開昭61-204936号等が挙げられる。
上記従来技術は、マイクロ波と磁場との共鳴効果を利用
するために真空容器外周部にソレノイドコイルを設けて
いるが、磁場発生手段としてのソレノイドコイルは、真
空容器外周部において設置位置を自由に変更できる構造
となっていない。
するために真空容器外周部にソレノイドコイルを設けて
いるが、磁場発生手段としてのソレノイドコイルは、真
空容器外周部において設置位置を自由に変更できる構造
となっていない。
そのため、従来技術では、マイクロ波と磁場との共鳴効
果によりプラズマを発生させることは可能であるが、該
条件を満足する点と、基板との距離を任意に変更するこ
とができなかった。従って、基板上に達するプラズマ中
のイオンやラジカル等の量を制御できなかった。
果によりプラズマを発生させることは可能であるが、該
条件を満足する点と、基板との距離を任意に変更するこ
とができなかった。従って、基板上に達するプラズマ中
のイオンやラジカル等の量を制御できなかった。
仮に、従来技術でECR点と試料との距離を変更する場合
は、試料台を移動させるわ、または、設置された複数の
ソレノイドコイルに流す電流を変更することによって可
能であるが、前者の場合は、試料台と試料台近傍のアー
ス電位部との距離が変わるため基板表面でのプラズマ状
態が変化する。また、後者の場合は、ECR点が移動する
だけでなく真空容器内の磁場分布、特にマイクロ波の注
入方向に垂直な磁場分布が変化するため、真空容器内の
プラズマ状態が大きく変化する等（放電が不安定となる
等）の問題があった。
は、試料台を移動させるわ、または、設置された複数の
ソレノイドコイルに流す電流を変更することによって可
能であるが、前者の場合は、試料台と試料台近傍のアー
ス電位部との距離が変わるため基板表面でのプラズマ状
態が変化する。また、後者の場合は、ECR点が移動する
だけでなく真空容器内の磁場分布、特にマイクロ波の注
入方向に垂直な磁場分布が変化するため、真空容器内の
プラズマ状態が大きく変化する等（放電が不安定となる
等）の問題があった。
本考案の目的は、真空容器内のマイクロ波の注入方向に
垂直な磁場分布を変えず、かつ、試料台と試料台周辺の
アース部との距離を変えずに、ECR点と試料との距離を
可変し、試料上に達するイオンやラジカル等の量を制御
することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供す
ることにある。
垂直な磁場分布を変えず、かつ、試料台と試料台周辺の
アース部との距離を変えずに、ECR点と試料との距離を
可変し、試料上に達するイオンやラジカル等の量を制御
することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供す
ることにある。
上記目的は、試料を保持する試料台を真空容器内のプラ
ズマ発生領域部に設置すると共に、磁力線束発生手段
を、磁力線束の中心軸方向にECR点と試料との距離を調
節できるように移動可能に設置したことにより、達成さ
れる。
ズマ発生領域部に設置すると共に、磁力線束発生手段
を、磁力線束の中心軸方向にECR点と試料との距離を調
節できるように移動可能に設置したことにより、達成さ
れる。
有磁場マイクロ波プラズマ処理装置において、真空容器
内の一部でECR条件が成立した場合、真空容器内のプラ
ズマ中のイオンやラジカル等の量は、磁力線束の中心軸
方向の磁場分布によって異なる。
内の一部でECR条件が成立した場合、真空容器内のプラ
ズマ中のイオンやラジカル等の量は、磁力線束の中心軸
方向の磁場分布によって異なる。
したがって、試料を所望のイオン又はラジカルにより処
理する（例えば、エッチングの場合は被エッチング材質
により、イオンとラジカルのエッチングに関する寄与率
が異なる）ためには、ECR点と試料の距離を制御する必
要がある。
理する（例えば、エッチングの場合は被エッチング材質
により、イオンとラジカルのエッチングに関する寄与率
が異なる）ためには、ECR点と試料の距離を制御する必
要がある。
本考案によれば、磁力線発生手段を磁力線束の中心軸方
向に移動させることによって、ECR点と試料との距離を
変更できるようになるため、試料を所望のイオン又はラ
ジカル等で処理できる。
向に移動させることによって、ECR点と試料との距離を
変更できるようになるため、試料を所望のイオン又はラ
ジカル等で処理できる。
以下、本考案の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、ベルジャー２とチャンバー３と真空排気系４
から成る真空容器内に、導波管１を通して注入されたマ
イクロ波（2.45GHz）とガイド11に支持され、かつ、そ
の磁力線束の中心軸がマイクロ波の注入方向と同一なソ
レノイドコイル8,9,10により発生された磁場によって、
ベルジャー２内部の一部分にECR共鳴条件を満足する点
（ECR点）を中心に、ガス導入口７から導入されたプロ
セスガスが、プラズマ化し、イオンやラジカルとなり試
料台５に置かれた試料６に薄膜を生成または、エッチン
グ処理を行う。
から成る真空容器内に、導波管１を通して注入されたマ
イクロ波（2.45GHz）とガイド11に支持され、かつ、そ
の磁力線束の中心軸がマイクロ波の注入方向と同一なソ
レノイドコイル8,9,10により発生された磁場によって、
ベルジャー２内部の一部分にECR共鳴条件を満足する点
（ECR点）を中心に、ガス導入口７から導入されたプロ
セスガスが、プラズマ化し、イオンやラジカルとなり試
料台５に置かれた試料６に薄膜を生成または、エッチン
グ処理を行う。
本実施例によれば、ガイド11に支持されたソレノイドコ
イル8,9,10をその磁力線束の中心軸方向に移動させるこ
とにより、ECR点と試料６との距離を制御して、試料６
表面に達するイオンやラジカルの量を制御し、試料６に
良好な膜質の薄膜を生成、または、良好なエッチング特
性を得ることができる。
イル8,9,10をその磁力線束の中心軸方向に移動させるこ
とにより、ECR点と試料６との距離を制御して、試料６
表面に達するイオンやラジカルの量を制御し、試料６に
良好な膜質の薄膜を生成、または、良好なエッチング特
性を得ることができる。
本考案によれば、試料を保持する試料台を真空容器内の
プラズマ発生領域部に設置し、磁力線束発生手段を、磁
力線束の中心軸方向にECR点と試料との距離を調節でき
るように移動可能に設置したことで、試料に達するイオ
ンやラジカル量を制御でき良好な薄膜生成またはエッチ
ングを行うことができるといった効果がある。
プラズマ発生領域部に設置し、磁力線束発生手段を、磁
力線束の中心軸方向にECR点と試料との距離を調節でき
るように移動可能に設置したことで、試料に達するイオ
ンやラジカル量を制御でき良好な薄膜生成またはエッチ
ングを行うことができるといった効果がある。
第１図は本考案の一実施例のマイクロ波プラズマ処理装
置の要部縦断面図である。 １……導波管、２……ベルジャー、３……チャンバー、
４……真空排気系、５……試料台、６……基板、７……
ガス導入口、８ないし10……ソレノイドコイル、11……
ガイド
置の要部縦断面図である。 １……導波管、２……ベルジャー、３……チャンバー、
４……真空排気系、５……試料台、６……基板、７……
ガス導入口、８ないし10……ソレノイドコイル、11……
ガイド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 佐藤 仁昭 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭61−267324（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−77120（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波を発生する手段と、 該マイクロ波を伝達する手段と、 前記マイクロ波の伝達がなされ、かつガス源に接続され
た真空容器と、 前記マイクロ波の注入方向と磁力線束の中心軸とが同一
となるような磁力線束を発生する手段とを備え、 前記真空容器内で試料を保持して試料に薄膜を生成し、 または試料にエッチングを施すマイクロ波プラズマ処理
装置において、 前記試料を保持する試料台を前記真空容器内のプラズマ
発生領域部に設置すると共に、 前記磁力線束発生手段を、前記磁力線束の中心軸方向に
ECR点と試料との距離を調節できるように移動可能に設
置したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171326U JPH0745959Y2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171326U JPH0745959Y2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0176032U JPH0176032U (ja) | 1989-05-23 |
| JPH0745959Y2 true JPH0745959Y2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=31463060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987171326U Expired - Lifetime JPH0745959Y2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745959Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2595640B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1997-04-02 | 株式会社島津製作所 | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP1987171326U patent/JPH0745959Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0176032U (ja) | 1989-05-23 |
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