JPH0817801A - ダイヤモンド薄膜のｅｃｒプラズマエッチング方法 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜のｅｃｒプラズマエッチング方法Info
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- JPH0817801A JPH0817801A JP6147947A JP14794794A JPH0817801A JP H0817801 A JPH0817801 A JP H0817801A JP 6147947 A JP6147947 A JP 6147947A JP 14794794 A JP14794794 A JP 14794794A JP H0817801 A JPH0817801 A JP H0817801A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起
を生じることなく平滑にエッチングすることができると
ともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良
いＥＣＲプラズマエッチング処理を行えるようにするこ
と。 【構成】 真空容器内に印加する磁場としてミラー磁場
を形成し、試料基板にバイアス電圧を印加するとともに
冷却を施し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスと
の混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が 2〜20vol ％であ
る混合ガスを用い、反応ガス圧力が10mTorr 以下、マイ
クロ波パワー面密度が2.0W/cm2以下にて試料基板上のダ
イヤモンド薄膜をエッチング処理する、もしくは、反応
ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴン
ガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が20vol ％超
えである混合ガスを用い、反応ガス圧力が10〜50mTorr
、マイクロ波パワー面密度が5.0W/cm2以下にて前記ダ
イヤ薄膜をエッチング処理する。前記磁場として発散磁
場を用いるようにしてもよい。
を生じることなく平滑にエッチングすることができると
ともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良
いＥＣＲプラズマエッチング処理を行えるようにするこ
と。 【構成】 真空容器内に印加する磁場としてミラー磁場
を形成し、試料基板にバイアス電圧を印加するとともに
冷却を施し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスと
の混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が 2〜20vol ％であ
る混合ガスを用い、反応ガス圧力が10mTorr 以下、マイ
クロ波パワー面密度が2.0W/cm2以下にて試料基板上のダ
イヤモンド薄膜をエッチング処理する、もしくは、反応
ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴン
ガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が20vol ％超
えである混合ガスを用い、反応ガス圧力が10〜50mTorr
、マイクロ波パワー面密度が5.0W/cm2以下にて前記ダ
イヤ薄膜をエッチング処理する。前記磁場として発散磁
場を用いるようにしてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、ダイヤモン
ド薄膜を用いた電界効果トランジスタ等の半導体ダイヤ
モンド電子デバイスの作製工程においてダイヤモンド薄
膜をエッチングするのに適用されるエッチング方法に関
するものであり、磁場とマイクロ波により発生する電場
とによって起こる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：El
ectronCyclotron Resonance）現象を利用して反応ガス
をプラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真空
容器内に配置された試料基板に照射してその試料基板上
のダイヤモンド薄膜をエッチング処理するダイヤモンド
薄膜のＥＣＲプラズマエッチング方法に関するものであ
る。
ド薄膜を用いた電界効果トランジスタ等の半導体ダイヤ
モンド電子デバイスの作製工程においてダイヤモンド薄
膜をエッチングするのに適用されるエッチング方法に関
するものであり、磁場とマイクロ波により発生する電場
とによって起こる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：El
ectronCyclotron Resonance）現象を利用して反応ガス
をプラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真空
容器内に配置された試料基板に照射してその試料基板上
のダイヤモンド薄膜をエッチング処理するダイヤモンド
薄膜のＥＣＲプラズマエッチング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、その硬度が高く、耐熱
性、耐薬品性、耐放射線性等に優れており、電気的には
優れた絶縁体でありながら、半導体化することが可能で
あり、そのバンドギャップが約５．４ｅＶと大きいこと
から高温半導体としての応用が期待されている。また、
紫外から可視、赤外線の広い領域にわたって光学的に透
明であり、光学窓等への応用が検討されている。
性、耐薬品性、耐放射線性等に優れており、電気的には
優れた絶縁体でありながら、半導体化することが可能で
あり、そのバンドギャップが約５．４ｅＶと大きいこと
から高温半導体としての応用が期待されている。また、
紫外から可視、赤外線の広い領域にわたって光学的に透
明であり、光学窓等への応用が検討されている。
【０００３】このような優れた特性を持つダイヤモンド
の薄膜をプラズマ反応を利用して比較的容易に気相合成
できる方法が、１９８０年代前半に確立された。また、
バルクダイヤモンドと同様に、ホウ素（Ｂ）などの不純
物のドーピングにより、ダイヤモンド薄膜を半導体化で
きることが報告されている。そして、前述したような高
い機能性材料としてのダイヤモンド薄膜が持つポテンシ
ャルに鑑みて、ダイヤモンド薄膜をコーティングした超
硬工具、スピーカ振動板へのコーティング、半導体デバ
イス用のヒートシンク、ダイオードやトランジスタ等の
電子デバイスの開発が進められている。特に電子材料分
野において、半導体ダイヤモンド電子デバイスを作製す
るための微細加工要素技術の一つとして、ダイヤモンド
薄膜のエッチング技術が重要になってきている。
の薄膜をプラズマ反応を利用して比較的容易に気相合成
できる方法が、１９８０年代前半に確立された。また、
バルクダイヤモンドと同様に、ホウ素（Ｂ）などの不純
物のドーピングにより、ダイヤモンド薄膜を半導体化で
きることが報告されている。そして、前述したような高
い機能性材料としてのダイヤモンド薄膜が持つポテンシ
ャルに鑑みて、ダイヤモンド薄膜をコーティングした超
硬工具、スピーカ振動板へのコーティング、半導体デバ
イス用のヒートシンク、ダイオードやトランジスタ等の
電子デバイスの開発が進められている。特に電子材料分
野において、半導体ダイヤモンド電子デバイスを作製す
るための微細加工要素技術の一つとして、ダイヤモンド
薄膜のエッチング技術が重要になってきている。
【０００４】前記したようにＥＣＲプラズマエッチング
方法は、磁場とマイクロ波により発生する電場とによっ
て起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して反応ガ
スをプラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真
空容器内に配置された試料基板に照射してその試料基板
をエッチング処理するようにしたものである。周知のよ
うに、低ガス圧状態でガスを導入し、磁場を印加しマイ
クロ波パワーを供給してプラズマを生成すると、プラズ
マ中の電子は、磁場によるローレンツ力によって磁力線
に沿ってその磁力線に巻きつくように円運動する。その
円運動の周波数とマイクロ波の周波数とを一致させるよ
うに磁場強さを調整すると、共鳴吸収により、マイクロ
波のエネルギーが電子の運動エネルギーに効率よく変換
される。これが電子サイクロトロン共鳴であり、電子は
ガス分子に衝突して電離させ、次々とイオンと電子を発
生させ、プラズマ密度を増加させる。このような共鳴状
態にプラズマを保つと、電子衝突の促進により、１０-4
Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒ＝約１３３Ｐａ）の低圧でも放電
が可能になる。このような低圧プラズマを用いると、イ
オンの平均自由行程が長くなるため、異方性の強いエッ
チングが可能となり、１μｍ以下の微細なパターンもエ
ッチングすることが可能となっている。マイクロ波とし
ては、通常、工業周波数である２．４５ＧＨｚのものが
よく使用されるので、真空容器内の適当な領域でＥＣＲ
条件を満たす磁場８７５Ｇｓが発生するように磁場が印
加されるようになっている。
方法は、磁場とマイクロ波により発生する電場とによっ
て起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して反応ガ
スをプラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真
空容器内に配置された試料基板に照射してその試料基板
をエッチング処理するようにしたものである。周知のよ
うに、低ガス圧状態でガスを導入し、磁場を印加しマイ
クロ波パワーを供給してプラズマを生成すると、プラズ
マ中の電子は、磁場によるローレンツ力によって磁力線
に沿ってその磁力線に巻きつくように円運動する。その
円運動の周波数とマイクロ波の周波数とを一致させるよ
うに磁場強さを調整すると、共鳴吸収により、マイクロ
波のエネルギーが電子の運動エネルギーに効率よく変換
される。これが電子サイクロトロン共鳴であり、電子は
ガス分子に衝突して電離させ、次々とイオンと電子を発
生させ、プラズマ密度を増加させる。このような共鳴状
態にプラズマを保つと、電子衝突の促進により、１０-4
Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒ＝約１３３Ｐａ）の低圧でも放電
が可能になる。このような低圧プラズマを用いると、イ
オンの平均自由行程が長くなるため、異方性の強いエッ
チングが可能となり、１μｍ以下の微細なパターンもエ
ッチングすることが可能となっている。マイクロ波とし
ては、通常、工業周波数である２．４５ＧＨｚのものが
よく使用されるので、真空容器内の適当な領域でＥＣＲ
条件を満たす磁場８７５Ｇｓが発生するように磁場が印
加されるようになっている。
【０００５】さて、技術文献「S.A.Grot el al,Appl.Ph
ys.Lett.,Vol.61,No.19(1992),p.2326. 」では、磁場と
して発散磁場を用いたＥＣＲプラズマエッチングにより
単結晶ダイヤモンド薄膜をエッチングするようにした方
法が開示されている（従来技術１）。
ys.Lett.,Vol.61,No.19(1992),p.2326. 」では、磁場と
して発散磁場を用いたＥＣＲプラズマエッチングにより
単結晶ダイヤモンド薄膜をエッチングするようにした方
法が開示されている（従来技術１）。
【０００６】図５は前記従来技術１の方法の実施に用い
られたＥＣＲプラズマエッチング装置の構成を示す図で
ある。図５に示すように、このＥＣＲプラズマエッチン
グ装置は、真空容器５１の外周まわりに一対をなす磁気
コイル５２ａ，５２ｂを比較的長い距離隔てて同軸状に
配置したものである。そして、真空容器５１内において
試料基板Ｓを、マイクロ波導入側とは反対側に位置する
図における右側の磁気コイル５２ｂより外側位置（図に
おける右側位置）に配置し、マイクロ波導入側から前記
試料基板Ｓ方向に徐々に磁場強度が減少する発散磁場に
よりプラズマ流として電子とともにイオンを試料基板Ｓ
へ輸送し、その発散するイオン流により試料基板Ｓ上の
単結晶ダイヤモンド薄膜をエッチングするようにしてい
る。
られたＥＣＲプラズマエッチング装置の構成を示す図で
ある。図５に示すように、このＥＣＲプラズマエッチン
グ装置は、真空容器５１の外周まわりに一対をなす磁気
コイル５２ａ，５２ｂを比較的長い距離隔てて同軸状に
配置したものである。そして、真空容器５１内において
試料基板Ｓを、マイクロ波導入側とは反対側に位置する
図における右側の磁気コイル５２ｂより外側位置（図に
おける右側位置）に配置し、マイクロ波導入側から前記
試料基板Ｓ方向に徐々に磁場強度が減少する発散磁場に
よりプラズマ流として電子とともにイオンを試料基板Ｓ
へ輸送し、その発散するイオン流により試料基板Ｓ上の
単結晶ダイヤモンド薄膜をエッチングするようにしてい
る。
【０００７】この従来技術１では、反応ガスとして酸素
ガスを用いた場合にはエッチング速度が２００〜１７０
０Å／ｍｉｎ（２０〜１７０ｎｍ／ｍｉｎ）の範囲にば
らつくため、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスと
の混合ガス（酸素ガス濃度：１２．９ｖｏｌ％）を用
い、反応ガス圧力が３．１ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワ
ーが１０００Ｗにて単結晶ダイヤモンド薄膜のエッチン
グを行い、これによりエッチング速度が約８６Å／ｍｉ
ｎでそのばらつきが約±２０％以下になるようにしてエ
ッチング速度の再現性を向上させるようにしている。
ガスを用いた場合にはエッチング速度が２００〜１７０
０Å／ｍｉｎ（２０〜１７０ｎｍ／ｍｉｎ）の範囲にば
らつくため、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスと
の混合ガス（酸素ガス濃度：１２．９ｖｏｌ％）を用
い、反応ガス圧力が３．１ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワ
ーが１０００Ｗにて単結晶ダイヤモンド薄膜のエッチン
グを行い、これによりエッチング速度が約８６Å／ｍｉ
ｎでそのばらつきが約±２０％以下になるようにしてエ
ッチング速度の再現性を向上させるようにしている。
【０００８】技術文献「S.J.Pearton et al.,Electroni
cs letters 23rd April 1992,Vol.28,No.9,p.822. 」で
は、反応ガスとして酸素ガスのみを用いたＥＣＲプラズ
マエッチングにより多結晶ダイヤモンド薄膜をエッチン
グするようにした方法が開示されている（従来技術
２）。
cs letters 23rd April 1992,Vol.28,No.9,p.822. 」で
は、反応ガスとして酸素ガスのみを用いたＥＣＲプラズ
マエッチングにより多結晶ダイヤモンド薄膜をエッチン
グするようにした方法が開示されている（従来技術
２）。
【０００９】この従来技術２では、反応ガスとして酸素
ガスのみを用い、試料基板を載置する基板ホルダー（試
料台）に直流バイアス電圧を０〜−３００Ｖの範囲で印
加することにより、エッチング速度の向上とその制御が
可能なことが示されている。そしてまた、酸素ガス圧力
を３０ｍＴｏｒｒまで高めることにより、約４０００Å
／ｍｉｎという高いエッチング速度が得られている。
ガスのみを用い、試料基板を載置する基板ホルダー（試
料台）に直流バイアス電圧を０〜−３００Ｖの範囲で印
加することにより、エッチング速度の向上とその制御が
可能なことが示されている。そしてまた、酸素ガス圧力
を３０ｍＴｏｒｒまで高めることにより、約４０００Å
／ｍｉｎという高いエッチング速度が得られている。
【００１０】技術文献「S.Shikata et al.,2nd Interna
tional conference on the Application of diamond fi
lms and Related Materials,p.377,(1993)」では、反応
ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用い
た反応性イオンエッチング法によりダイヤモンド薄膜を
エッチングするようにした方法が開示されている（従来
技術３）。
tional conference on the Application of diamond fi
lms and Related Materials,p.377,(1993)」では、反応
ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用い
た反応性イオンエッチング法によりダイヤモンド薄膜を
エッチングするようにした方法が開示されている（従来
技術３）。
【００１１】この従来技術３では、前記混合ガスの酸素
ガス濃度が５ｖｏｌ％以上の場合には、ダイヤモンド薄
膜のエッチング面の表面粗さが増大すること、突起のな
い平滑なエッチング面が得られる酸素ガス濃度が１ｖｏ
ｌ％以下の条件では、エッチング速度が１５０Å／ｍｉ
ｎ以下となったことが示されている。
ガス濃度が５ｖｏｌ％以上の場合には、ダイヤモンド薄
膜のエッチング面の表面粗さが増大すること、突起のな
い平滑なエッチング面が得られる酸素ガス濃度が１ｖｏ
ｌ％以下の条件では、エッチング速度が１５０Å／ｍｉ
ｎ以下となったことが示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術１で
は、ダイヤモンド薄膜をＥＣＲプラズマエッチングする
に際し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混
合ガス（酸素ガス濃度：１２．９ｖｏｌ％）を用いるこ
とでエッチング速度の再現性を向上させるようになされ
ているが、これはエッチング速度が約８６Å／ｍｉｎ程
度と小さい領域でのことであり、また、試料基板の冷却
が考慮されておらずエッチング中に基板温度が２５０℃
程度まで上昇するため、エッチング速度に約±２０％程
度のばらつきが生じ、エッチング速度の再現性が十分で
はない。なお、図５に示す装置によると、一対をなす磁
気コイルを比較的長い距離隔てて配置し、その一対をな
す磁気コイルによる発散磁場を用いるようにしているの
で、磁場の発散によるプラズマ流の広がり十分でなく、
試料基板面におけるエッチング速度の面内均一性（エッ
チング処理の均一性）が悪いという不具合もある。
は、ダイヤモンド薄膜をＥＣＲプラズマエッチングする
に際し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混
合ガス（酸素ガス濃度：１２．９ｖｏｌ％）を用いるこ
とでエッチング速度の再現性を向上させるようになされ
ているが、これはエッチング速度が約８６Å／ｍｉｎ程
度と小さい領域でのことであり、また、試料基板の冷却
が考慮されておらずエッチング中に基板温度が２５０℃
程度まで上昇するため、エッチング速度に約±２０％程
度のばらつきが生じ、エッチング速度の再現性が十分で
はない。なお、図５に示す装置によると、一対をなす磁
気コイルを比較的長い距離隔てて配置し、その一対をな
す磁気コイルによる発散磁場を用いるようにしているの
で、磁場の発散によるプラズマ流の広がり十分でなく、
試料基板面におけるエッチング速度の面内均一性（エッ
チング処理の均一性）が悪いという不具合もある。
【００１３】従来技術２では、ダイヤモンド薄膜をＥＣ
Ｒプラズマエッチングするに際し、エッチング速度が、
バイアス電圧を例えば３００Ｖ程度の範囲で変化させた
ときにそのバイアス電圧に対して直線的に増大せず、負
の約１００Ｖまでの低バイアス電圧領域においてバイア
ス電圧の増加に対して急激に増大するため、エッチング
速度を精密に制御することが困難であった。
Ｒプラズマエッチングするに際し、エッチング速度が、
バイアス電圧を例えば３００Ｖ程度の範囲で変化させた
ときにそのバイアス電圧に対して直線的に増大せず、負
の約１００Ｖまでの低バイアス電圧領域においてバイア
ス電圧の増加に対して急激に増大するため、エッチング
速度を精密に制御することが困難であった。
【００１４】従来技術３では、反応ガスとして酸素ガス
とアルゴンガスとの混合ガスを用いた反応性イオンエッ
チング法によりダイヤモンド薄膜をエッチングするに際
し、前記混合ガスの酸素ガス濃度が１ｖｏｌ％以下では
突起が生じない平滑なエッチング面が得られているが、
そのときのエッチング速度は１５０Å／ｍｉｎ程度以下
であり、低エッチング速度領域の一部においてダイヤモ
ンド薄膜をそのエッチング面が表面荒れによる突起を生
じることなく平滑にエッチング処理し得るエッチング条
件しか見出されていない。
とアルゴンガスとの混合ガスを用いた反応性イオンエッ
チング法によりダイヤモンド薄膜をエッチングするに際
し、前記混合ガスの酸素ガス濃度が１ｖｏｌ％以下では
突起が生じない平滑なエッチング面が得られているが、
そのときのエッチング速度は１５０Å／ｍｉｎ程度以下
であり、低エッチング速度領域の一部においてダイヤモ
ンド薄膜をそのエッチング面が表面荒れによる突起を生
じることなく平滑にエッチング処理し得るエッチング条
件しか見出されていない。
【００１５】一方、従来、真空容器内に印加する磁場と
してミラー磁場（mirror磁場）を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させて、ポリシリコンのＥＣＲプラズマエッチン
グを行う方法が提案されている（特開平５−２６６９９
２号公報）。周知のように、ミラー磁場は、一対をなす
磁気コイルを所定距離隔てて同軸状に配置して同一方向
に直流励磁電流を流したときに形成される磁場であっ
て、その磁場分布（磁界強度分布）が両端の磁気コイル
付近では強く、両磁気コイルの中心軸線方向における中
央部では弱くなるというものである。磁場としてこのよ
うなミラー磁場を形成し、このミラー磁場の中央部付近
に試料基板を配置してＥＣＲプラズマエッチングを行う
ことにより、イオンが試料基板面全体にわたって垂直入
射し、試料基板面全体にわたって垂直エッチングできる
ことが知られている。そこで、このような利点を有する
ミラー磁場を用いたＥＣＲプラズマエッチングによりダ
イヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じること
なく平滑にエッチング処理し得るようにすることも要請
されている。エッチング面が突起を生じて平滑でない
と、作製された半導体ダイヤモンド電子デバイスの性能
が悪くなるという不具合がある。
してミラー磁場（mirror磁場）を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させて、ポリシリコンのＥＣＲプラズマエッチン
グを行う方法が提案されている（特開平５−２６６９９
２号公報）。周知のように、ミラー磁場は、一対をなす
磁気コイルを所定距離隔てて同軸状に配置して同一方向
に直流励磁電流を流したときに形成される磁場であっ
て、その磁場分布（磁界強度分布）が両端の磁気コイル
付近では強く、両磁気コイルの中心軸線方向における中
央部では弱くなるというものである。磁場としてこのよ
うなミラー磁場を形成し、このミラー磁場の中央部付近
に試料基板を配置してＥＣＲプラズマエッチングを行う
ことにより、イオンが試料基板面全体にわたって垂直入
射し、試料基板面全体にわたって垂直エッチングできる
ことが知られている。そこで、このような利点を有する
ミラー磁場を用いたＥＣＲプラズマエッチングによりダ
イヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じること
なく平滑にエッチング処理し得るようにすることも要請
されている。エッチング面が突起を生じて平滑でない
と、作製された半導体ダイヤモンド電子デバイスの性能
が悪くなるという不具合がある。
【００１６】そこでこの発明の目的は、磁場とマイクロ
波により発生する電場とによって起こる電子サイクロト
ロン共鳴現象を利用して反応ガスをプラズマ化し、生成
されたプラズマ中のイオンを試料基板に照射してその試
料基板上のダイヤモンド薄膜をエッチング処理するに際
し、真空容器内に印加する磁場としてミラー磁場又は発
散磁場を用いた場合において、ダイヤモンド薄膜をその
エッチング面が表面荒れによる突起を生じることなく平
滑にエッチング処理することができるとともに、エッチ
ング速度に関しその再現性や制御性が良いエッチング処
理を行うことができるダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズ
マエッチング方法を提供することである。
波により発生する電場とによって起こる電子サイクロト
ロン共鳴現象を利用して反応ガスをプラズマ化し、生成
されたプラズマ中のイオンを試料基板に照射してその試
料基板上のダイヤモンド薄膜をエッチング処理するに際
し、真空容器内に印加する磁場としてミラー磁場又は発
散磁場を用いた場合において、ダイヤモンド薄膜をその
エッチング面が表面荒れによる突起を生じることなく平
滑にエッチング処理することができるとともに、エッチ
ング速度に関しその再現性や制御性が良いエッチング処
理を行うことができるダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズ
マエッチング方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、磁場
を印加した真空容器内に反応ガスを導入するとともにマ
イクロ波導入窓からマイクロ波を導入し、前記磁場とマ
イクロ波により発生する電場とによって起こる電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を利用して反応ガスをプ
ラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真空容器
内に配置された試料基板に照射してその試料基板上のダ
イヤモンド薄膜をエッチング処理するダイヤモンド薄膜
のＥＣＲプラズマエッチング方法において、前記真空容
器内に印加する前記磁場としてミラー磁場を形成し、こ
のミラー磁場の中央部付近に前記試料基板を配置し、そ
の試料基板にバイアス電圧を印加するとともに冷却を施
し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガ
スでその酸素ガス濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％である混
合ガスを用い、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マ
イクロ波パワー面密度が２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記
ダイヤモンド薄膜をエッチング処理すること、もしく
は、反応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスと
アルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２
０ｖｏｌ％超えである混合ガスを用い、反応ガス圧力が
１０〜５０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度が５．
０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜をエッチン
グ処理することを特徴とするものである。
を印加した真空容器内に反応ガスを導入するとともにマ
イクロ波導入窓からマイクロ波を導入し、前記磁場とマ
イクロ波により発生する電場とによって起こる電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を利用して反応ガスをプ
ラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真空容器
内に配置された試料基板に照射してその試料基板上のダ
イヤモンド薄膜をエッチング処理するダイヤモンド薄膜
のＥＣＲプラズマエッチング方法において、前記真空容
器内に印加する前記磁場としてミラー磁場を形成し、こ
のミラー磁場の中央部付近に前記試料基板を配置し、そ
の試料基板にバイアス電圧を印加するとともに冷却を施
し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガ
スでその酸素ガス濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％である混
合ガスを用い、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マ
イクロ波パワー面密度が２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記
ダイヤモンド薄膜をエッチング処理すること、もしく
は、反応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスと
アルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２
０ｖｏｌ％超えである混合ガスを用い、反応ガス圧力が
１０〜５０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度が５．
０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜をエッチン
グ処理することを特徴とするものである。
【００１８】請求項２の発明は、磁場を印加した真空容
器内に反応ガスを導入するとともにマイクロ波導入窓か
らマイクロ波を導入し、前記磁場とマイクロ波により発
生する電場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）現象を利用して反応ガスをプラズマ化し、生
成されたプラズマ中のイオンを真空容器内に配置された
試料基板に照射してその試料基板上のダイヤモンド薄膜
をエッチング処理するダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズ
マエッチング方法において、前記真空容器内に印加する
前記磁場として発散磁場を形成し、前記試料基板にバイ
アス電圧を印加するとともに冷却を施し、反応ガスとし
て酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス
濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガスを用い、反
応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波パワー面
密度が２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜
をエッチング処理すること、もしくは、反応ガスとして
酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴンガスとの混
合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２０ｖｏｌ％超えであ
る混合ガスを用い、反応ガス圧力が１０〜５０ｍＴｏｒ
ｒ、マイクロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 以下に
て前記ダイヤモンド薄膜をエッチング処理することを特
徴とするものである。
器内に反応ガスを導入するとともにマイクロ波導入窓か
らマイクロ波を導入し、前記磁場とマイクロ波により発
生する電場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）現象を利用して反応ガスをプラズマ化し、生
成されたプラズマ中のイオンを真空容器内に配置された
試料基板に照射してその試料基板上のダイヤモンド薄膜
をエッチング処理するダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズ
マエッチング方法において、前記真空容器内に印加する
前記磁場として発散磁場を形成し、前記試料基板にバイ
アス電圧を印加するとともに冷却を施し、反応ガスとし
て酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス
濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガスを用い、反
応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波パワー面
密度が２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜
をエッチング処理すること、もしくは、反応ガスとして
酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴンガスとの混
合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２０ｖｏｌ％超えであ
る混合ガスを用い、反応ガス圧力が１０〜５０ｍＴｏｒ
ｒ、マイクロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 以下に
て前記ダイヤモンド薄膜をエッチング処理することを特
徴とするものである。
【００１９】請求項３の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、前記試料基板に印加する前記基板バイ
アスは、高周波バイアスの場合には、その出力が１０〜
５００Ｗ、周波数が１００〜７００ｋＨｚであり、直流
電圧バイアスの場合には、その電圧が−１０〜−５００
Ｖであり、前記試料基板は、前記冷却が施されることに
より、その基板温度が１００℃以下に保持されることを
特徴とするダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズマエッチン
グ方法である。
の発明において、前記試料基板に印加する前記基板バイ
アスは、高周波バイアスの場合には、その出力が１０〜
５００Ｗ、周波数が１００〜７００ｋＨｚであり、直流
電圧バイアスの場合には、その電圧が−１０〜−５００
Ｖであり、前記試料基板は、前記冷却が施されることに
より、その基板温度が１００℃以下に保持されることを
特徴とするダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズマエッチン
グ方法である。
【００２０】
【作用】本発明に係るダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズ
マエッチング方法では、反応ガスとしては、アルゴンガ
スのみではダイヤモンド薄膜がほとんどエッチングされ
ないので、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガス、又は
酸素ガス単体を用いており、真空容器内に形成する磁場
がミラー磁場、発散磁場のいずれの場合においても、前
記混合ガスの酸素ガス濃度、反応ガス圧力及びマイクロ
波パワー面密度の条件は共通である。なお、エッチング
速度は、一般的に、酸素ガス濃度値に比例して増大す
る。さて、反応ガスとして酸素ガスのみを用いてＥＣＲ
プラズマエッチングを行った場合、低ガス圧力領域では
プラズマが不安定化し、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ
を下回ると、ダイヤモンド薄膜のエッチング面にはその
表面がぎざぎざの鋸歯状となって突起が生じた。
マエッチング方法では、反応ガスとしては、アルゴンガ
スのみではダイヤモンド薄膜がほとんどエッチングされ
ないので、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガス、又は
酸素ガス単体を用いており、真空容器内に形成する磁場
がミラー磁場、発散磁場のいずれの場合においても、前
記混合ガスの酸素ガス濃度、反応ガス圧力及びマイクロ
波パワー面密度の条件は共通である。なお、エッチング
速度は、一般的に、酸素ガス濃度値に比例して増大す
る。さて、反応ガスとして酸素ガスのみを用いてＥＣＲ
プラズマエッチングを行った場合、低ガス圧力領域では
プラズマが不安定化し、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ
を下回ると、ダイヤモンド薄膜のエッチング面にはその
表面がぎざぎざの鋸歯状となって突起が生じた。
【００２１】そこで反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ以下
において、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの
混合ガスを用い、その混合ガスの酸素ガス濃度とマイク
ロ波パワー面密度とを変化させて実験した。その結果、
反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスで
その酸素ガス濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガ
スを用い、反応ガス圧力を１０ｍＴｏｒｒ以下にし、マ
イクロ波パワー面密度を２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にするこ
とにより、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起
を生じることなく平滑にエッチングすることができた。
なお、前記マイクロ波パワー面密度は、マイクロ波導入
窓から投入したマイクロ波パワー値をマイクロ波導入窓
面積で除した値を表すものである。
において、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの
混合ガスを用い、その混合ガスの酸素ガス濃度とマイク
ロ波パワー面密度とを変化させて実験した。その結果、
反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスで
その酸素ガス濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガ
スを用い、反応ガス圧力を１０ｍＴｏｒｒ以下にし、マ
イクロ波パワー面密度を２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にするこ
とにより、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起
を生じることなく平滑にエッチングすることができた。
なお、前記マイクロ波パワー面密度は、マイクロ波導入
窓から投入したマイクロ波パワー値をマイクロ波導入窓
面積で除した値を表すものである。
【００２２】前記の場合、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒ
ｒ以下において、プラズマのエネルギーであるマイクロ
波パワー面密度は、その値が２．０Ｗ／ｃｍ2 を超える
と、イオンダメージのためにダイヤモンド薄膜のエッチ
ング面に突起が生じることから、２．０Ｗ／ｃｍ2 以下
にする必要がある。そして、反応ガス圧力が１０ｍＴｏ
ｒｒ以下、かつ、マイクロ波パワー面密度が２．０Ｗ／
ｃｍ2 以下において、反応ガスである前記混合ガスの酸
素ガス濃度範囲が２ｖｏｌ％より低いと、ダイヤモンド
薄膜及びマスク材に対するダメージが顕著になるととも
に選択比も悪くなり、またエッチング面にも突起が生じ
るため、酸素ガス濃度の下限は２ｖｏｌ％とする必要が
ある。また、反応ガスである前記混合ガスの酸素ガス濃
度範囲が２０ｖｏｌ％を超えると、アルゴンイオンによ
るダイヤモンド薄膜表面を平滑にする作用が低下してエ
ッチング面に突起が生じるので、酸素ガス濃度の上限は
２０ｖｏｌ％とする必要がある。なお、反応ガス圧力を
１０ｍＴｏｒｒ以下にすると、イオンシース幅に比べイ
オンの平均自由行程が長くなるため、試料基板面に対し
イオン入射角度を垂直にすることができ、垂直エッチン
グがより行いやすくなるという利点がある。
ｒ以下において、プラズマのエネルギーであるマイクロ
波パワー面密度は、その値が２．０Ｗ／ｃｍ2 を超える
と、イオンダメージのためにダイヤモンド薄膜のエッチ
ング面に突起が生じることから、２．０Ｗ／ｃｍ2 以下
にする必要がある。そして、反応ガス圧力が１０ｍＴｏ
ｒｒ以下、かつ、マイクロ波パワー面密度が２．０Ｗ／
ｃｍ2 以下において、反応ガスである前記混合ガスの酸
素ガス濃度範囲が２ｖｏｌ％より低いと、ダイヤモンド
薄膜及びマスク材に対するダメージが顕著になるととも
に選択比も悪くなり、またエッチング面にも突起が生じ
るため、酸素ガス濃度の下限は２ｖｏｌ％とする必要が
ある。また、反応ガスである前記混合ガスの酸素ガス濃
度範囲が２０ｖｏｌ％を超えると、アルゴンイオンによ
るダイヤモンド薄膜表面を平滑にする作用が低下してエ
ッチング面に突起が生じるので、酸素ガス濃度の上限は
２０ｖｏｌ％とする必要がある。なお、反応ガス圧力を
１０ｍＴｏｒｒ以下にすると、イオンシース幅に比べイ
オンの平均自由行程が長くなるため、試料基板面に対し
イオン入射角度を垂直にすることができ、垂直エッチン
グがより行いやすくなるという利点がある。
【００２３】次にプラズマのエネルギーを高めてマイク
ロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ 2 以下において、反
応ガスとして、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガス、
及び酸素ガス単体を用い、その混合ガスの酸素ガス濃度
と反応ガス圧力とを変化させて実験した。その結果、反
応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴ
ンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２０ｖｏ
ｌ％超えである混合ガスを用い、反応ガス圧力を１０〜
５０ｍＴｏｒｒにし、マイクロ波パワー面密度が５．０
Ｗ／ｃｍ2 以下にすることにより、前述した酸素ガス濃
度範囲が２〜２０ｖｏｌ％であるエッチング条件の場合
より高エッチング速度が得られる条件範囲にて、ダイヤ
モンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じることなく
平滑にエッチングすることができた。
ロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ 2 以下において、反
応ガスとして、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガス、
及び酸素ガス単体を用い、その混合ガスの酸素ガス濃度
と反応ガス圧力とを変化させて実験した。その結果、反
応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴ
ンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２０ｖｏ
ｌ％超えである混合ガスを用い、反応ガス圧力を１０〜
５０ｍＴｏｒｒにし、マイクロ波パワー面密度が５．０
Ｗ／ｃｍ2 以下にすることにより、前述した酸素ガス濃
度範囲が２〜２０ｖｏｌ％であるエッチング条件の場合
より高エッチング速度が得られる条件範囲にて、ダイヤ
モンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じることなく
平滑にエッチングすることができた。
【００２４】この場合、マイクロ波パワー面密度が５．
０Ｗ／ｃｍ2 以下において、反応ガス圧力の範囲は、１
０〜５０ｍＴｏｒｒである必要がある。この範囲より低
圧力では、イオンダメージのためにダイヤモンド薄膜の
エッチング面に突起が生じ、また、上限反応ガス圧力
（５０ｍＴｏｒｒ）を超えるとプラズマを発生させるこ
とができなかったためである。そして、マイクロ波パワ
ー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 以下、かつ、反応ガス圧力
が１０〜５０ｍＴｏｒｒにおいて、反応ガスである前記
混合ガスの酸素ガス濃度範囲は、２０ｖｏｌ％以下で
は、アルゴンイオンによるイオンダメージのためにダイ
ヤモンド薄膜のエッチング面に突起が生じることから、
２０ｖｏｌ％超えにする必要がある。なお、マイクロ波
パワー面密度を５．０Ｗ／ｃｍ2 より高めると、ダイヤ
モンド薄膜のエッチング面に突起が生じた。
０Ｗ／ｃｍ2 以下において、反応ガス圧力の範囲は、１
０〜５０ｍＴｏｒｒである必要がある。この範囲より低
圧力では、イオンダメージのためにダイヤモンド薄膜の
エッチング面に突起が生じ、また、上限反応ガス圧力
（５０ｍＴｏｒｒ）を超えるとプラズマを発生させるこ
とができなかったためである。そして、マイクロ波パワ
ー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 以下、かつ、反応ガス圧力
が１０〜５０ｍＴｏｒｒにおいて、反応ガスである前記
混合ガスの酸素ガス濃度範囲は、２０ｖｏｌ％以下で
は、アルゴンイオンによるイオンダメージのためにダイ
ヤモンド薄膜のエッチング面に突起が生じることから、
２０ｖｏｌ％超えにする必要がある。なお、マイクロ波
パワー面密度を５．０Ｗ／ｃｍ2 より高めると、ダイヤ
モンド薄膜のエッチング面に突起が生じた。
【００２５】本発明に係るダイヤモンド薄膜のＥＣＲプ
ラズマエッチング方法では、前記エッチング条件に加
え、試料基板にバイアス電圧を印加するとともに冷却を
施すようになされている。試料基板にバイアス電圧を印
加することにより、試料基板へのイオン入射エネルギー
を制御して、プラズマ密度とは独立にエッチング速度を
制御することができ、また、特に発散磁場の場合には垂
直エッチング性を高めることができる。そして、試料基
板にバイアス電圧を印加する場合には、試料基板にプラ
ズマ中でも安定してバイアス電圧を印加できるととも
に、エッチング速度をバイアス電圧に比例して直線的に
増減変化し得るようにすることがよい。
ラズマエッチング方法では、前記エッチング条件に加
え、試料基板にバイアス電圧を印加するとともに冷却を
施すようになされている。試料基板にバイアス電圧を印
加することにより、試料基板へのイオン入射エネルギー
を制御して、プラズマ密度とは独立にエッチング速度を
制御することができ、また、特に発散磁場の場合には垂
直エッチング性を高めることができる。そして、試料基
板にバイアス電圧を印加する場合には、試料基板にプラ
ズマ中でも安定してバイアス電圧を印加できるととも
に、エッチング速度をバイアス電圧に比例して直線的に
増減変化し得るようにすることがよい。
【００２６】そのため、高周波バイアスの場合には、そ
の出力を１０〜５００Ｗ、周波数を１００〜７００ｋＨ
ｚの範囲に設定し、直流電圧バイアスの場合には、その
値を−１０〜−５００Ｖの範囲に設定することが望まし
い。高周波バイアスの出力または直流バイアス電圧がそ
の各前記下限より小さいときには、試料基板にプラズマ
中でも安定してバイアス電圧を印加しにくく、また、バ
イアス電圧に対してエッチング速度を直線的に増減変化
させにくくエッチング速度の制御性が低下し、一方、高
周波バイアスの出力または直流バイアス電圧がその各前
記上限より大きいときには、ダイヤモンド薄膜へのダメ
ージが大きくなるためである。また、高周波バイアスの
場合における周波数範囲が前記範囲をはずれると、イン
ピーダンスマッチングが悪くなるためである。
の出力を１０〜５００Ｗ、周波数を１００〜７００ｋＨ
ｚの範囲に設定し、直流電圧バイアスの場合には、その
値を−１０〜−５００Ｖの範囲に設定することが望まし
い。高周波バイアスの出力または直流バイアス電圧がそ
の各前記下限より小さいときには、試料基板にプラズマ
中でも安定してバイアス電圧を印加しにくく、また、バ
イアス電圧に対してエッチング速度を直線的に増減変化
させにくくエッチング速度の制御性が低下し、一方、高
周波バイアスの出力または直流バイアス電圧がその各前
記上限より大きいときには、ダイヤモンド薄膜へのダメ
ージが大きくなるためである。また、高周波バイアスの
場合における周波数範囲が前記範囲をはずれると、イン
ピーダンスマッチングが悪くなるためである。
【００２７】そして、エッチング速度は基板温度によっ
ても変動するため、プラズマの影響による基板温度の上
昇を防いでエッチング速度の再現性の低下をなくすこと
が望ましい。そのため、冷却を施して基板温度が１００
℃以下に保持されるようにすることがよい。
ても変動するため、プラズマの影響による基板温度の上
昇を防いでエッチング速度の再現性の低下をなくすこと
が望ましい。そのため、冷却を施して基板温度が１００
℃以下に保持されるようにすることがよい。
【００２８】以上のことから、磁場としてミラー磁場を
用いた本発明によるＥＣＲプラズマエッチング方法によ
ると、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生
じることなく平滑にエッチング処理することができると
ともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良
いエッチング処理を行うことができ、またミラー磁場を
用いることで試料基板面全体にわたってダイヤモンド薄
膜の垂直エッチングを行うことができる。
用いた本発明によるＥＣＲプラズマエッチング方法によ
ると、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生
じることなく平滑にエッチング処理することができると
ともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良
いエッチング処理を行うことができ、またミラー磁場を
用いることで試料基板面全体にわたってダイヤモンド薄
膜の垂直エッチングを行うことができる。
【００２９】また、磁場として発散磁場を用いた本発明
によるＥＣＲプラズマエッチング方法によると、同様に
して、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生
じることなく平滑にエッチング処理することができると
ともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良
いエッチング処理を行うことができる。そして、一対を
なす磁気コイルは、より近接させて配置することがよ
く、これによって試料基板面上おいてプラズマがよく広
がりそのプラズマ密度が均一化されて、発散磁場を用い
ることでエッチング速度の面内均一性に優れたダイヤモ
ンド薄膜のエッチングを行うことができる。
によるＥＣＲプラズマエッチング方法によると、同様に
して、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生
じることなく平滑にエッチング処理することができると
ともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良
いエッチング処理を行うことができる。そして、一対を
なす磁気コイルは、より近接させて配置することがよ
く、これによって試料基板面上おいてプラズマがよく広
がりそのプラズマ密度が均一化されて、発散磁場を用い
ることでエッチング速度の面内均一性に優れたダイヤモ
ンド薄膜のエッチングを行うことができる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。ま
ず、ＥＣＲプラズマエッチング装置について説明する。
図１は本発明に係るＥＣＲプラズマエッチング方法の実
施に使用されるミラー磁場型ＥＣＲプラズマエッチング
装置の構成を示す図、図２は本発明に係るＥＣＲプラズ
マエッチング方法の実施に使用される発散磁場型ＥＣＲ
プラズマエッチング装置の構成を示す図である。
ず、ＥＣＲプラズマエッチング装置について説明する。
図１は本発明に係るＥＣＲプラズマエッチング方法の実
施に使用されるミラー磁場型ＥＣＲプラズマエッチング
装置の構成を示す図、図２は本発明に係るＥＣＲプラズ
マエッチング方法の実施に使用される発散磁場型ＥＣＲ
プラズマエッチング装置の構成を示す図である。
【００３１】先にミラー磁場型ＥＣＲプラズマエッチン
グ装置について説明すると、図１において、１は真空容
器であり、この真空容器１は、その上部に石英ガラス板
よりなるマイクロ波導入窓１ａを備えるとともにプラズ
マ化すべき反応ガスを内部に導入するための図示しない
反応ガス供給管を備え、下部に真空引き装置（図示省
略）に連なる排気ポート１ｂが開口されている。排気ポ
ート１ｂから真空排気されて所定真空度に保持される真
空容器１のマイクロ波導入窓１ａの部位には、マグネト
ロン２からの周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を真空
容器１内に導入するための導波管３が接続されている。
グ装置について説明すると、図１において、１は真空容
器であり、この真空容器１は、その上部に石英ガラス板
よりなるマイクロ波導入窓１ａを備えるとともにプラズ
マ化すべき反応ガスを内部に導入するための図示しない
反応ガス供給管を備え、下部に真空引き装置（図示省
略）に連なる排気ポート１ｂが開口されている。排気ポ
ート１ｂから真空排気されて所定真空度に保持される真
空容器１のマイクロ波導入窓１ａの部位には、マグネト
ロン２からの周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を真空
容器１内に導入するための導波管３が接続されている。
【００３２】４ａ，４ｂは、同一巻き数及び径寸法を持
つ一対をなす磁気コイルである。この一対をなす磁気コ
イル４ａ，４ｂは、真空容器１内にミラー磁場を印加す
るためのものであって、真空容器１の外周まわりに所定
距離隔てて同軸状に配置されている。すなわち、一方の
磁気コイル４ａを、マイクロ波導入窓１ａの部位におけ
る真空容器１の外周まわりに真空容器１の中心軸線を中
心として真空容器１と同心的に配置してある。また、他
方の磁気コイル４ｂを、前記一方の磁気コイル４ａより
所定距離隔てて真空容器１の外周まわりに真空容器１の
中心軸線を中心として真空容器１と同心的に配置してあ
る。このように配置された磁気コイル４ａ，４ｂに同一
方向に同一の直流励磁電流を流すことにより、真空容器
１内にミラー磁場を印加するようにしている。ＥＣＲ条
件を満たす磁場強度は８７５Ｇｓである。
つ一対をなす磁気コイルである。この一対をなす磁気コ
イル４ａ，４ｂは、真空容器１内にミラー磁場を印加す
るためのものであって、真空容器１の外周まわりに所定
距離隔てて同軸状に配置されている。すなわち、一方の
磁気コイル４ａを、マイクロ波導入窓１ａの部位におけ
る真空容器１の外周まわりに真空容器１の中心軸線を中
心として真空容器１と同心的に配置してある。また、他
方の磁気コイル４ｂを、前記一方の磁気コイル４ａより
所定距離隔てて真空容器１の外周まわりに真空容器１の
中心軸線を中心として真空容器１と同心的に配置してあ
る。このように配置された磁気コイル４ａ，４ｂに同一
方向に同一の直流励磁電流を流すことにより、真空容器
１内にミラー磁場を印加するようにしている。ＥＣＲ条
件を満たす磁場強度は８７５Ｇｓである。
【００３３】真空容器１内には図における上下方向へ移
動可能な試料台（試料基板支持台）５が配設されてお
り、この試料台５上には図示しない静電チャックにて試
料基板Ｓが着脱可能に載置されている。ダイヤモンド薄
膜が形成された試料基板Ｓは、試料台５を上下方向に移
動調整して、前記一対をなす磁気コイル４ａ，４ｂの中
間位置付近（一対をなす磁気コイル４ａ，４ｂの中心軸
線上の中点位置付近）、つまりミラー磁場の中央部付近
に位置させてある。そして、試料台５は、その内部に図
示しない水冷用配管路が設けられ、試料基板Ｓを所定温
度以下に保つために冷却水で冷却されるようになってい
る。
動可能な試料台（試料基板支持台）５が配設されてお
り、この試料台５上には図示しない静電チャックにて試
料基板Ｓが着脱可能に載置されている。ダイヤモンド薄
膜が形成された試料基板Ｓは、試料台５を上下方向に移
動調整して、前記一対をなす磁気コイル４ａ，４ｂの中
間位置付近（一対をなす磁気コイル４ａ，４ｂの中心軸
線上の中点位置付近）、つまりミラー磁場の中央部付近
に位置させてある。そして、試料台５は、その内部に図
示しない水冷用配管路が設けられ、試料基板Ｓを所定温
度以下に保つために冷却水で冷却されるようになってい
る。
【００３４】試料台５には、コンデンサ６を介してＲＦ
発振器７により高周波電力が供給されて、これによって
試料基板Ｓに高周波の基板バイアスが印加できるように
なっている。ＲＦ発振器７は、その出力が１０〜５００
Ｗ、周波数が１００〜７００ｋＨｚである。また、試料
台５には、負極性の直流バイアス電源８による電圧が印
加されて、これによって試料基板Ｓに−１０〜−５００
Ｖの電圧範囲にて直流バイアス電圧が印加できるように
なっている。なお、高周波バイアスと直流バイアスとの
選択は、スイッチ９ａ，９ｂの切り換え操作にてできる
ようになっている。
発振器７により高周波電力が供給されて、これによって
試料基板Ｓに高周波の基板バイアスが印加できるように
なっている。ＲＦ発振器７は、その出力が１０〜５００
Ｗ、周波数が１００〜７００ｋＨｚである。また、試料
台５には、負極性の直流バイアス電源８による電圧が印
加されて、これによって試料基板Ｓに−１０〜−５００
Ｖの電圧範囲にて直流バイアス電圧が印加できるように
なっている。なお、高周波バイアスと直流バイアスとの
選択は、スイッチ９ａ，９ｂの切り換え操作にてできる
ようになっている。
【００３５】次に、図２に基づき発散磁場型ＥＣＲプラ
ズマエッチング装置について説明する。なおここでは、
磁場をミラー磁場に代えて発散磁場にする点以外は、前
記図１に示す装置構成と同一なので、共通する部分には
同一の符号を付して説明を省略し、異なる点についての
み説明する。
ズマエッチング装置について説明する。なおここでは、
磁場をミラー磁場に代えて発散磁場にする点以外は、前
記図１に示す装置構成と同一なので、共通する部分には
同一の符号を付して説明を省略し、異なる点についての
み説明する。
【００３６】図２に示すように、この実施例ではマイク
ロ波導入窓１ａを間にして、一対をなす磁気コイル１４
ａ，１４ｂを近接させて配置し、この磁気コイル１４
ａ，１４ｂにより真空容器１内に発散磁場を印加するよ
うにしている。
ロ波導入窓１ａを間にして、一対をなす磁気コイル１４
ａ，１４ｂを近接させて配置し、この磁気コイル１４
ａ，１４ｂにより真空容器１内に発散磁場を印加するよ
うにしている。
【００３７】実施例１
【００３８】図１に示すミラー磁場型ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置を使用し、ミラー磁場を用いたＥＣＲプラ
ズマを生成させて、ダイヤモンド薄膜のエッチングを行
った。基板上に熱フィラメントＣＶＤ法により多結晶の
ダイヤモンド薄膜を形成し、そのダイヤモンド薄膜上に
ＳｉＯ2 薄膜のパターンでマスキングを行ったものを試
料基板Ｓとし、そのエッチング深さよりエッチング速度
を求めた。
ッチング装置を使用し、ミラー磁場を用いたＥＣＲプラ
ズマを生成させて、ダイヤモンド薄膜のエッチングを行
った。基板上に熱フィラメントＣＶＤ法により多結晶の
ダイヤモンド薄膜を形成し、そのダイヤモンド薄膜上に
ＳｉＯ2 薄膜のパターンでマスキングを行ったものを試
料基板Ｓとし、そのエッチング深さよりエッチング速度
を求めた。
【００３９】反応ガスとして酸素ガスを用い、反応ガス
圧力は１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度は３．
３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：１０００Ｗ）、試料
基板への直流バイアス電圧は、−３００Ｖとした。な
お、試料基板Ｓが温度１００℃以下に保持されるよう
に、試料台５には冷却水による冷却を施した。その結
果、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じ
ることなく平滑にエッチングすることができた。また、
ダイヤモンド薄膜の垂直エッチングを行うことができ
た。エッチング速度は、５４００Å／ｍｉｎであった。
なお、試料台５に冷却を施さない場合には、基板温度が
２００℃まで上昇し、エッチング速度は、５０００〜５
９００Å／ｍｉｎの範囲にばらついたが、試料台５に冷
却を施して試料基板Ｓが温度１００℃以下に保持される
ようすることで、エッチング速度のばらつきを、±５０
Å／ｍｉｎ以内にすることができた。
圧力は１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度は３．
３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：１０００Ｗ）、試料
基板への直流バイアス電圧は、−３００Ｖとした。な
お、試料基板Ｓが温度１００℃以下に保持されるよう
に、試料台５には冷却水による冷却を施した。その結
果、ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じ
ることなく平滑にエッチングすることができた。また、
ダイヤモンド薄膜の垂直エッチングを行うことができ
た。エッチング速度は、５４００Å／ｍｉｎであった。
なお、試料台５に冷却を施さない場合には、基板温度が
２００℃まで上昇し、エッチング速度は、５０００〜５
９００Å／ｍｉｎの範囲にばらついたが、試料台５に冷
却を施して試料基板Ｓが温度１００℃以下に保持される
ようすることで、エッチング速度のばらつきを、±５０
Å／ｍｉｎ以内にすることができた。
【００４０】実施例２
【００４１】図１に示すミラー磁場型ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置を使用し、ミラー磁場を用いたＥＣＲプラ
ズマを生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行
い、エッチング面の表面形状を観察するとともに、エッ
チング速度を測定した。エッチングは、比較例をも含め
て、表１に示すように、反応ガスとして酸素ガスとアル
ゴンガスとの混合ガス、及び酸素ガス単体を用い、その
混合ガスの酸素ガス濃度とマイクロ波パワー面密度とを
パラメータとして変化させて行った。なお、反応ガス圧
力は１ｍＴｏｒｒ、試料基板への直流バイアス電圧は−
３００Ｖとし、試料台５には冷却水による冷却を施し
た。結果を表１に示す。なお表１において太線で囲まれ
た例が本発明例である。
ッチング装置を使用し、ミラー磁場を用いたＥＣＲプラ
ズマを生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行
い、エッチング面の表面形状を観察するとともに、エッ
チング速度を測定した。エッチングは、比較例をも含め
て、表１に示すように、反応ガスとして酸素ガスとアル
ゴンガスとの混合ガス、及び酸素ガス単体を用い、その
混合ガスの酸素ガス濃度とマイクロ波パワー面密度とを
パラメータとして変化させて行った。なお、反応ガス圧
力は１ｍＴｏｒｒ、試料基板への直流バイアス電圧は−
３００Ｖとし、試料台５には冷却水による冷却を施し
た。結果を表１に示す。なお表１において太線で囲まれ
た例が本発明例である。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１に示すように、反応ガスとして酸素ガ
スとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲
が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガスを用い、反応ガス圧
力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波パワー面密度が
２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて、ダイヤモンド薄膜をそのエ
ッチング面が突起を生じることなく平滑にエッチングす
ることができた。また、ダイヤモンド薄膜の垂直エッチ
ングを行うことができた。なお、反応ガス圧力が１０ｍ
Ｔｏｒｒを超えると、エッチング面に突起が生じた。
スとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲
が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガスを用い、反応ガス圧
力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波パワー面密度が
２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて、ダイヤモンド薄膜をそのエ
ッチング面が突起を生じることなく平滑にエッチングす
ることができた。また、ダイヤモンド薄膜の垂直エッチ
ングを行うことができた。なお、反応ガス圧力が１０ｍ
Ｔｏｒｒを超えると、エッチング面に突起が生じた。
【００４４】実施例３
【００４５】図２に示す発散磁場型ＥＣＲプラズマエッ
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行い、エ
ッチング面の表面形状を観察するとともに、エッチング
速度を測定した。エッチングは、比較例をも含めて、表
２に示すように、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガ
スとの混合ガス、及び酸素ガス単体を用い、その混合ガ
スの酸素ガス濃度とマイクロ波パワー面密度とをパラメ
ータとして変化させて行った。なお、反応ガス圧力は１
ｍＴｏｒｒ、試料基板への直流バイアス電圧は−３００
Ｖとし、試料台５には冷却水による冷却を施した。結果
を表２に示す。なお表２において太線で囲まれた例が本
発明例である。
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行い、エ
ッチング面の表面形状を観察するとともに、エッチング
速度を測定した。エッチングは、比較例をも含めて、表
２に示すように、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガ
スとの混合ガス、及び酸素ガス単体を用い、その混合ガ
スの酸素ガス濃度とマイクロ波パワー面密度とをパラメ
ータとして変化させて行った。なお、反応ガス圧力は１
ｍＴｏｒｒ、試料基板への直流バイアス電圧は−３００
Ｖとし、試料台５には冷却水による冷却を施した。結果
を表２に示す。なお表２において太線で囲まれた例が本
発明例である。
【００４６】
【表２】
【００４７】表２に示すように、反応ガスとして酸素ガ
スとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲
が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガスを用い、反応ガス圧
力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波パワー面密度が
２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて、ダイヤモンド薄膜をそのエ
ッチング面が突起を生じることなく平滑にエッチングす
ることができた。なお、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ
を超えると、エッチング面に突起が生じた。
スとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲
が２〜２０ｖｏｌ％である混合ガスを用い、反応ガス圧
力が１０ｍＴｏｒｒ以下、マイクロ波パワー面密度が
２．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて、ダイヤモンド薄膜をそのエ
ッチング面が突起を生じることなく平滑にエッチングす
ることができた。なお、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ
を超えると、エッチング面に突起が生じた。
【００４８】実施例４
【００４９】図２に示す発散磁場型ＥＣＲプラズマエッ
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行い、エ
ッチング面の表面形状を観察するとともに、エッチング
速度を測定した。エッチングは、比較例をも含めて、表
３に示すように、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガ
スとの混合ガス、及び酸素ガス単体を用い、その混合ガ
スの酸素ガス濃度と反応ガス圧力とをパラメータとして
変化させて行った。なお、マイクロ波パワー面密度は
３．３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：１０００Ｗ）、
試料基板への直流バイアス電圧は−３００Ｖとし、試料
台５には冷却水による冷却を施した。結果を表３に示
す。なお表３において太線で囲まれた例が本発明例であ
る。
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行い、エ
ッチング面の表面形状を観察するとともに、エッチング
速度を測定した。エッチングは、比較例をも含めて、表
３に示すように、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガ
スとの混合ガス、及び酸素ガス単体を用い、その混合ガ
スの酸素ガス濃度と反応ガス圧力とをパラメータとして
変化させて行った。なお、マイクロ波パワー面密度は
３．３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：１０００Ｗ）、
試料基板への直流バイアス電圧は−３００Ｖとし、試料
台５には冷却水による冷却を施した。結果を表３に示
す。なお表３において太線で囲まれた例が本発明例であ
る。
【００５０】
【表３】
【００５１】表３に示すように、反応ガスとして酸素ガ
ス単体、あるいは酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガス
でその酸素ガス濃度範囲が２０ｖｏｌ％超えである混合
ガスを用い、反応ガス圧力が１０〜５０ｍＴｏｒｒ、マ
イクロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波
パワー：１５００Ｗ）以下にて、エッチング速度が表２
の本発明例でのそれに比較して大きい領域において、ダ
イヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じること
なく平滑にエッチングすることができた。なお、マイク
ロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 を超えると、エッ
チング面に突起が生じた。
ス単体、あるいは酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガス
でその酸素ガス濃度範囲が２０ｖｏｌ％超えである混合
ガスを用い、反応ガス圧力が１０〜５０ｍＴｏｒｒ、マ
イクロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波
パワー：１５００Ｗ）以下にて、エッチング速度が表２
の本発明例でのそれに比較して大きい領域において、ダ
イヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じること
なく平滑にエッチングすることができた。なお、マイク
ロ波パワー面密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 を超えると、エッ
チング面に突起が生じた。
【００５２】実施例５
【００５３】図２に示す発散磁場型ＥＣＲプラズマエッ
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行い、エ
ッチング速度の面内均一性を調査した。エッチング速度
の面内均一性を調べるため、この実施例では、試料台の
基板支持面の中央位置、及び、中央位置より周辺部方向
（半径方向）に５ｃｍ離れた位置までの１ｃｍごとの位
置に、寸法１ｃｍ×１ｃｍのダイヤモンド薄膜試料基板
をセットして、そのエッチングを行った。反応ガスは酸
素ガス、反応ガス圧力は１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パ
ワー面密度は３．３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：１
０００Ｗ）、試料基板への直流バイアス電圧は−１５０
Ｖとし、試料台５には冷却水による冷却を施した。な
お、比較のため、同一エッチング条件にて、ミラー磁場
を用いたＥＣＲプラズマによるダイヤモンド薄膜のエッ
チングを行い、そのエッチング速度の面内均一性を調査
した。結果を図３に示す。
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させてダイヤモンド薄膜のエッチングを行い、エ
ッチング速度の面内均一性を調査した。エッチング速度
の面内均一性を調べるため、この実施例では、試料台の
基板支持面の中央位置、及び、中央位置より周辺部方向
（半径方向）に５ｃｍ離れた位置までの１ｃｍごとの位
置に、寸法１ｃｍ×１ｃｍのダイヤモンド薄膜試料基板
をセットして、そのエッチングを行った。反応ガスは酸
素ガス、反応ガス圧力は１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パ
ワー面密度は３．３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：１
０００Ｗ）、試料基板への直流バイアス電圧は−１５０
Ｖとし、試料台５には冷却水による冷却を施した。な
お、比較のため、同一エッチング条件にて、ミラー磁場
を用いたＥＣＲプラズマによるダイヤモンド薄膜のエッ
チングを行い、そのエッチング速度の面内均一性を調査
した。結果を図３に示す。
【００５４】発散磁場を用いたＥＣＲプラズマによりダ
イヤモンド薄膜をエッチングした場合、前記中央位置と
これより５ｃｍ離れた位置とでのエッチング速度のばら
つきは、約２％以内であった。これに対して、ミラー磁
場を用いた場合、エッチング速度のばらつきは約５％で
あった。このように、発散磁場を用いることでエッチン
グ速度の面内均一性に優れたダイヤモンド薄膜のエッチ
ングを行うことができる。なお、発散磁場を用いた場
合、プラズマ密度の低下のためエッチング速度がミラー
磁場を用いた場合のそれに比較して低下することが認め
られた。
イヤモンド薄膜をエッチングした場合、前記中央位置と
これより５ｃｍ離れた位置とでのエッチング速度のばら
つきは、約２％以内であった。これに対して、ミラー磁
場を用いた場合、エッチング速度のばらつきは約５％で
あった。このように、発散磁場を用いることでエッチン
グ速度の面内均一性に優れたダイヤモンド薄膜のエッチ
ングを行うことができる。なお、発散磁場を用いた場
合、プラズマ密度の低下のためエッチング速度がミラー
磁場を用いた場合のそれに比較して低下することが認め
られた。
【００５５】実施例６
【００５６】図２に示す発散磁場型ＥＣＲプラズマエッ
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させ、試料基板に印加する直流バイアス電圧をゼ
ロから約−３５０Ｖの範囲で変化させてダイヤモンド薄
膜のエッチングを行い、基板バイアスによるエッチング
速度の制御性を調査した。反応ガスは酸素ガス、反応ガ
ス圧力は１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度は
２．３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：７００Ｗ）と
し、試料台５には冷却水による冷却を施した。結果を図
４に示す。図４に示すように、エッチング速度をバイア
ス電圧に比例して直線的に増減させることができた。な
おこのとき、エッチング速度のばらつきは５％以内であ
った。
チング装置を使用し、発散磁場を用いたＥＣＲプラズマ
を生成させ、試料基板に印加する直流バイアス電圧をゼ
ロから約−３５０Ｖの範囲で変化させてダイヤモンド薄
膜のエッチングを行い、基板バイアスによるエッチング
速度の制御性を調査した。反応ガスは酸素ガス、反応ガ
ス圧力は１０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度は
２．３Ｗ／ｃｍ2 （マイクロ波パワー：７００Ｗ）と
し、試料台５には冷却水による冷却を施した。結果を図
４に示す。図４に示すように、エッチング速度をバイア
ス電圧に比例して直線的に増減させることができた。な
おこのとき、エッチング速度のばらつきは５％以内であ
った。
【００５７】
【発明の効果】請求項１の発明によるダイヤモンド薄膜
のＥＣＲプラズマエッチング方法によると、ダイヤモン
ド薄膜を、そのエッチング面がぎざぎざの鋸歯状となっ
て例えば半導体ダイヤモンド電子デバイスの性能低下を
招くような突起を生じることなく平滑にエッチング処理
することができるとともに、エッチング速度に関しその
再現性や制御性が良いエッチング処理を行うことがで
き、またミラー磁場を用いたＥＣＲプラズマを利用して
いるので、試料基板面全体にわたってダイヤモンド薄膜
の垂直エッチングを行うことができる。
のＥＣＲプラズマエッチング方法によると、ダイヤモン
ド薄膜を、そのエッチング面がぎざぎざの鋸歯状となっ
て例えば半導体ダイヤモンド電子デバイスの性能低下を
招くような突起を生じることなく平滑にエッチング処理
することができるとともに、エッチング速度に関しその
再現性や制御性が良いエッチング処理を行うことがで
き、またミラー磁場を用いたＥＣＲプラズマを利用して
いるので、試料基板面全体にわたってダイヤモンド薄膜
の垂直エッチングを行うことができる。
【００５８】請求項２の発明によるダイヤモンド薄膜の
ＥＣＲプラズマエッチング方法によると、ダイヤモンド
薄膜を、そのエッチング面がぎざぎざの鋸歯状となって
例えば半導体ダイヤモンド電子デバイスの性能低下を招
くような突起を生じることなく平滑にエッチング処理す
ることができるとともに、エッチング速度に関しその再
現性や制御性が良いエッチング処理を行うことができ、
また発散磁場を用いたＥＣＲプラズマを利用しているの
で、エッチング速度の面内均一性に優れたダイヤモンド
薄膜のエッチングを行うことができる。
ＥＣＲプラズマエッチング方法によると、ダイヤモンド
薄膜を、そのエッチング面がぎざぎざの鋸歯状となって
例えば半導体ダイヤモンド電子デバイスの性能低下を招
くような突起を生じることなく平滑にエッチング処理す
ることができるとともに、エッチング速度に関しその再
現性や制御性が良いエッチング処理を行うことができ、
また発散磁場を用いたＥＣＲプラズマを利用しているの
で、エッチング速度の面内均一性に優れたダイヤモンド
薄膜のエッチングを行うことができる。
【図１】本発明に係るＥＣＲプラズマエッチング方法の
実施に使用されるミラー磁場型ＥＣＲプラズマエッチン
グ装置の構成を示す図である。
実施に使用されるミラー磁場型ＥＣＲプラズマエッチン
グ装置の構成を示す図である。
【図２】本発明に係るＥＣＲプラズマエッチング方法の
実施に使用される発散磁場型ＥＣＲプラズマエッチング
装置の構成を示す図である。
実施に使用される発散磁場型ＥＣＲプラズマエッチング
装置の構成を示す図である。
【図３】本発明に係る図であって、試料基板中央からの
位置とエッチング速度との関係を示すグラフである。
位置とエッチング速度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明に係る図であって、試料基板に印加する
直流バイアス電圧とエッチング速度との関係を示すグラ
フである。
直流バイアス電圧とエッチング速度との関係を示すグラ
フである。
【図５】従来技術１の方法の実施に用いられたＥＣＲプ
ラズマエッチング装置の構成を示す図である。
ラズマエッチング装置の構成を示す図である。
１…真空容器 １ａ…マイクロ波導入窓 １ｂ…排気ポ
ート ２…マグネトロン ３…導波管 ４ａ，４ｂ…磁
気コイル ５…試料台 ６…コンデンサ ７…ＲＦ発振
器 ８…直流バイアス電源 ９ａ，９ｂ…スイッチ １
４ａ，１４ｂ…磁気コイル Ｓ…試料基板
ート ２…マグネトロン ３…導波管 ４ａ，４ｂ…磁
気コイル ５…試料台 ６…コンデンサ ７…ＲＦ発振
器 ８…直流バイアス電源 ９ａ，９ｂ…スイッチ １
４ａ，１４ｂ…磁気コイル Ｓ…試料基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｎ 24/14 Ｂ (72)発明者 野沢 俊久 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 磁場を印加した真空容器内に反応ガスを
導入するとともにマイクロ波導入窓からマイクロ波を導
入し、前記磁場とマイクロ波により発生する電場とによ
って起こる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を利
用して反応ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマ中
のイオンを真空容器内に配置された試料基板に照射して
その試料基板上のダイヤモンド薄膜をエッチング処理す
るダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズマエッチング方法に
おいて、 前記真空容器内に印加する前記磁場としてミラー磁場を
形成し、このミラー磁場の中央部付近に前記試料基板を
配置し、その試料基板にバイアス電圧を印加するととも
に冷却を施し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガス
との混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ
％である混合ガスを用い、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒ
ｒ以下、マイクロ波パワー面密度が２．０Ｗ／ｃｍ2 以
下にて前記ダイヤモンド薄膜をエッチング処理するこ
と、もしくは、反応ガスとして酸素ガス単体、あるいは
酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃
度範囲が２０ｖｏｌ％超えである混合ガスを用い、反応
ガス圧力が１０〜５０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面
密度が５．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜
をエッチング処理することを特徴とするダイヤモンド薄
膜のＥＣＲプラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 磁場を印加した真空容器内に反応ガスを
導入するとともにマイクロ波導入窓からマイクロ波を導
入し、前記磁場とマイクロ波により発生する電場とによ
って起こる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を利
用して反応ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマ中
のイオンを真空容器内に配置された試料基板に照射して
その試料基板上のダイヤモンド薄膜をエッチング処理す
るダイヤモンド薄膜のＥＣＲプラズマエッチング方法に
おいて、 前記真空容器内に印加する前記磁場として発散磁場を形
成し、前記試料基板にバイアス電圧を印加するとともに
冷却を施し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスと
の混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が２〜２０ｖｏｌ％
である混合ガスを用い、反応ガス圧力が１０ｍＴｏｒｒ
以下、マイクロ波パワー面密度が２．０Ｗ／ｃｍ2 以下
にて前記ダイヤモンド薄膜をエッチング処理すること、
もしくは、反応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素
ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範
囲が２０ｖｏｌ％超えである混合ガスを用い、反応ガス
圧力が１０〜５０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー面密度
が５．０Ｗ／ｃｍ2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜をエ
ッチング処理することを特徴とするダイヤモンド薄膜の
ＥＣＲプラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 前記試料基板に印加する前記基板バイア
スは、高周波バイアスの場合には、その出力が１０〜５
００Ｗ、周波数が１００〜７００ｋＨｚであり、直流電
圧バイアスの場合には、その電圧が−１０〜−５００Ｖ
であり、前記試料基板は、前記冷却が施されることによ
り、その基板温度が１００℃以下に保持されることを特
徴とする請求項１又は請求項２記載のダイヤモンド薄膜
のＥＣＲプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14794794A JP3445657B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | ダイヤモンド薄膜のｅｃｒプラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14794794A JP3445657B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | ダイヤモンド薄膜のｅｃｒプラズマエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817801A true JPH0817801A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3445657B2 JP3445657B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=15441671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14794794A Expired - Fee Related JP3445657B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | ダイヤモンド薄膜のｅｃｒプラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445657B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075197A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-11 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for large-scale diamond polishing |
| JP2016105490A (ja) * | 2015-12-24 | 2016-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法 |
| US10032611B2 (en) | 2011-03-31 | 2018-07-24 | Tokyo Electron Limited | Connection control method |
| WO2023286288A1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 新明和工業株式会社 | ダイヤモンド被覆工具の先鋭化方法、プラズマ表面処理装置、およびダイヤモンド被覆工具 |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP14794794A patent/JP3445657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075197A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-11 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for large-scale diamond polishing |
| US6652763B1 (en) | 2000-04-03 | 2003-11-25 | Hrl Laboratories, Llc | Method and apparatus for large-scale diamond polishing |
| US10032611B2 (en) | 2011-03-31 | 2018-07-24 | Tokyo Electron Limited | Connection control method |
| JP2016105490A (ja) * | 2015-12-24 | 2016-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法 |
| WO2023286288A1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 新明和工業株式会社 | ダイヤモンド被覆工具の先鋭化方法、プラズマ表面処理装置、およびダイヤモンド被覆工具 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3445657B2 (ja) | 2003-09-08 |
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