JPH038429U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH038429U JPH038429U JP6858589U JP6858589U JPH038429U JP H038429 U JPH038429 U JP H038429U JP 6858589 U JP6858589 U JP 6858589U JP 6858589 U JP6858589 U JP 6858589U JP H038429 U JPH038429 U JP H038429U
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- JP
- Japan
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- plasma
- plasma processing
- microwave
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- magnetic field
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例のプラズマ処理装置
の構成図であり、第２図は第１図に示す多孔容器
の斜視外観図である。 １０……放電管、２０……多孔容器、３０……
マグネトロン、４０，４１……導波管、５０，５
１……空芯コイル、７０……試料台、８０……高
周波電源、９０……真空排気装置、１００……処
理ガス導入管、１３０……試料。
の構成図であり、第２図は第１図に示す多孔容器
の斜視外観図である。 １０……放電管、２０……多孔容器、３０……
マグネトロン、４０，４１……導波管、５０，５
１……空芯コイル、７０……試料台、８０……高
周波電源、９０……真空排気装置、１００……処
理ガス導入管、１３０……試料。
Claims (1)
- 空芯磁場コイル内の真空容器へマイクロ波を導
入し、マイクロ波電場と前記空芯コイルによる磁
場により電子のサイクロトロン運動を起こし、該
運動により処理ガスをプラズマ化して、支持電極
上の試料表面をプラズマ処理するマイクロ波プロ
ズマ処理装置において、前記電子のサイクロトロ
ン運動により処理ガスをプラズマ化するプラズマ
発生部と、前記支持電極上の試料表面をプラズマ
処理するプラズマ処理部との間に多孔板を設け、
プラズマ発生部とプラズマ処理部との真空圧力差
を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6858589U JPH038429U (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6858589U JPH038429U (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038429U true JPH038429U (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=31603150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6858589U Pending JPH038429U (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038429U (ja) |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP6858589U patent/JPH038429U/ja active Pending
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