JPH0267632U - - Google Patents
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- JPH0267632U JPH0267632U JP14662688U JP14662688U JPH0267632U JP H0267632 U JPH0267632 U JP H0267632U JP 14662688 U JP14662688 U JP 14662688U JP 14662688 U JP14662688 U JP 14662688U JP H0267632 U JPH0267632 U JP H0267632U
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- microwave
- electrode
- substrate
- magnetic field
- substrate electrode
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- Pending
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案によるマイクロ波プラズマ処理
装置の一実施例を示す縦断面図、第２図は第１図
の装置での基板の電位分布図である。 １……真空室、２……石英ベルジヤ、３……試
料台、４……導波管、５……マグネトロン、６…
…コイル、７……試料、８……真空ポンプ、９…
…高周波電源、１０……アース板、１１……ガス
導入口、１２……排気口、１３……アース板駆動
装置。
装置の一実施例を示す縦断面図、第２図は第１図
の装置での基板の電位分布図である。 １……真空室、２……石英ベルジヤ、３……試
料台、４……導波管、５……マグネトロン、６…
…コイル、７……試料、８……真空ポンプ、９…
…高周波電源、１０……アース板、１１……ガス
導入口、１２……排気口、１３……アース板駆動
装置。
Claims (1)
- マイクロ波発生装置と、該装置とマイクロ波伝
達手段を介して連結された導波管と、該導波の内
側に配置された放電管と、磁場発生手段とを有し
、該磁場発生手段による磁場と前記マイクロ波発
生装置によるマイクロ波とが印加される前記放電
管内で放電ガスをプラズマ化すると共に基板電極
に高周波バイアスを印加して該電極に載置保持さ
れた基板を処理する装置において、アース電極板
高さを、前記基板電極の支持方向に、かつ、基板
電極と電気的に絶縁して可変に設けたことを特徴
とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14662688U JPH0267632U (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14662688U JPH0267632U (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267632U true JPH0267632U (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=31416291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14662688U Pending JPH0267632U (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267632U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04354867A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP14662688U patent/JPH0267632U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04354867A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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