JPH09161993A - ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法Info
- Publication number
- JPH09161993A JPH09161993A JP7322723A JP32272395A JPH09161993A JP H09161993 A JPH09161993 A JP H09161993A JP 7322723 A JP7322723 A JP 7322723A JP 32272395 A JP32272395 A JP 32272395A JP H09161993 A JPH09161993 A JP H09161993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- magnetic field
- coils
- plasma
- distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁場プロファイル（すなわち、磁力線分布、等
磁場強度面分布等）の広範囲の制御性について配慮され
ていなかった。多段コイルの各々のコイルは、一重のコ
イルで構成されていたため、磁場プロファイルを広範囲
に制御することができず、高密度プラズマの生成および
高均一のプラズマの生成が容易でないという課題があっ
た。 【解決手段】磁場を利用したプラズマ処理装置におい
て、磁場発生用の多段コイルの各段のコイルのうち、少
なくとも１段のコイルに、２重コイルを使用するように
構成した。
磁場強度面分布等）の広範囲の制御性について配慮され
ていなかった。多段コイルの各々のコイルは、一重のコ
イルで構成されていたため、磁場プロファイルを広範囲
に制御することができず、高密度プラズマの生成および
高均一のプラズマの生成が容易でないという課題があっ
た。 【解決手段】磁場を利用したプラズマ処理装置におい
て、磁場発生用の多段コイルの各段のコイルのうち、少
なくとも１段のコイルに、２重コイルを使用するように
構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁場を利用したプ
ラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基板等の試料を
プラズマを利用してエッチング処理、成膜処理等するの
に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
ラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基板等の試料を
プラズマを利用してエッチング処理、成膜処理等するの
に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁場を用いた装置は、例えば、特
開平７−２３５３９４号公報に記載のように、多段コイ
ルの各々のコイルは、一重のコイル（すなわち、一つの
電源に接続され、一つの電流値で磁場強度を制御する）
で構成されていた。
開平７−２３５３９４号公報に記載のように、多段コイ
ルの各々のコイルは、一重のコイル（すなわち、一つの
電源に接続され、一つの電流値で磁場強度を制御する）
で構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、磁場
プロファイル（すなわち、磁力線分布、等磁場強度面分
布等）の広範囲の制御性について配慮されていなかっ
た。多段コイルの各々のコイルは、一重のコイルで構成
されていたため、磁場プロファイルを広範囲に制御する
ことができず、高密度プラズマの生成および高均一のプ
ラズマの生成が容易でないという課題があった。本発明
は、プラズマをより均一に、またより高密度に生成する
ことが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的と
する。
プロファイル（すなわち、磁力線分布、等磁場強度面分
布等）の広範囲の制御性について配慮されていなかっ
た。多段コイルの各々のコイルは、一重のコイルで構成
されていたため、磁場プロファイルを広範囲に制御する
ことができず、高密度プラズマの生成および高均一のプ
ラズマの生成が容易でないという課題があった。本発明
は、プラズマをより均一に、またより高密度に生成する
ことが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、磁場発生用の多段コイルの各々のコイルのうち、少
なくとも１つのコイルに、２重コイルを設けたプラズマ
処理装置に特徴がある。また、磁場を利用してプラズマ
を発生させ、被処理物を有する処理室を減圧にし、該処
理室にガスを供給するプラズマ処理方法において、少な
くとも１つの２重コイルを用いた多段コイルを該被処理
物の周りに設けて磁力線分布を制御するプラズマ処理方
法に特徴がある。
に、磁場発生用の多段コイルの各々のコイルのうち、少
なくとも１つのコイルに、２重コイルを設けたプラズマ
処理装置に特徴がある。また、磁場を利用してプラズマ
を発生させ、被処理物を有する処理室を減圧にし、該処
理室にガスを供給するプラズマ処理方法において、少な
くとも１つの２重コイルを用いた多段コイルを該被処理
物の周りに設けて磁力線分布を制御するプラズマ処理方
法に特徴がある。
【０００５】上記２重コイルは、１つのコイルの外周部
にもう１つのコイルを設け、各々のコイルに独立した２
つの電源を接続し、２つの電流値で磁場強度を制御する
ようにしたものである。多段コイルのうち、少なくとも
１つのコイルに２重コイルを使用し、コイル電流値を適
当に設定することにより、磁力線分布、等磁場面分布等
の磁場プロファイルを広範囲に制御することができる。
磁場プロファイルを最適化することにより、プラズマを
より均一に、またより高密度に生成することが可能であ
る。
にもう１つのコイルを設け、各々のコイルに独立した２
つの電源を接続し、２つの電流値で磁場強度を制御する
ようにしたものである。多段コイルのうち、少なくとも
１つのコイルに２重コイルを使用し、コイル電流値を適
当に設定することにより、磁力線分布、等磁場面分布等
の磁場プロファイルを広範囲に制御することができる。
磁場プロファイルを最適化することにより、プラズマを
より均一に、またより高密度に生成することが可能であ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
より説明する。図１は、本発明の一実施例である有磁場
マイクロ波ドライエッチング装置を示す。容器１ａ、放
電管１ｂ及び石英窓２で区画された処理室１の内部を真
空排気装置（図示省略）により減圧した後、ガス供給装
置（図示省略）によりエッチングガスを処理室１内に導
入し、所望の圧力に調整する。また処理室１は、コイル
３により生成される磁場領域内にある。マグネトロン４
より発した、この場合、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
は、導波管５ａ、５ｂ内を伝播し、共振器６内に導入さ
れる。共振器６の底面にはスロットアンテナ７が設けら
れている。スロットアンテナ７より放射されたマイクロ
波は、石英窓２を透過して処理室１内に入射される。こ
のマイクロ波によって生成されたプラズマにより、試料
台９に載置された被処理物１０がエッチング処理され
る。また被処理物１０のエッチング形状を制御するた
め、試料台９には、整合器１１を介して高周波電源１２
が接続され、高周波電圧が印加されている。
より説明する。図１は、本発明の一実施例である有磁場
マイクロ波ドライエッチング装置を示す。容器１ａ、放
電管１ｂ及び石英窓２で区画された処理室１の内部を真
空排気装置（図示省略）により減圧した後、ガス供給装
置（図示省略）によりエッチングガスを処理室１内に導
入し、所望の圧力に調整する。また処理室１は、コイル
３により生成される磁場領域内にある。マグネトロン４
より発した、この場合、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
は、導波管５ａ、５ｂ内を伝播し、共振器６内に導入さ
れる。共振器６の底面にはスロットアンテナ７が設けら
れている。スロットアンテナ７より放射されたマイクロ
波は、石英窓２を透過して処理室１内に入射される。こ
のマイクロ波によって生成されたプラズマにより、試料
台９に載置された被処理物１０がエッチング処理され
る。また被処理物１０のエッチング形状を制御するた
め、試料台９には、整合器１１を介して高周波電源１２
が接続され、高周波電圧が印加されている。
【０００７】本実施例の場合、コイル３は２段で構成さ
れている。上段コイルは、２重コイルで構成されてい
る。つまり、内側のコイル３ａの外周部に外側のコイル
３ｂが設けられ、各々のコイルには独立した電源が接続
され、各々のコイルに流す電流値を調整できるように構
成されている。上段のコイル３ａの内径は、下段コイル
３ｃの内径よりも小さく構成している。また上段の２重
コイル３ａ、３ｂのと下段コイル３ｃとの間には空間を
設けるよう構成している。このように構成することによ
り、上段コイルの内側に収束した磁力線を、上段コイル
と下段コイルの空間部で拡大し、再度下段コイルの部分
で収束させることができる。つまり上段コイルの内側に
収束した磁力線を、下段コイルの部分で垂直となるよう
に拡大することができる。プラズマ中の電子、イオン等
の荷電粒子は磁力線に束縛されて移動するため、上記の
ように磁力線を拡大することにより、大口径で均一なプ
ラズマを生成し、輸送することができるという効果があ
る。また上段コイルおよび下段コイルの外周部に磁性
体、たとえば鉄で構成されたヨークを設けることによ
り、磁力線をコイル内に閉じこめることができる。この
ことにより、コイル内部の磁場強度を大きくすることが
でき、またコイル外部への磁場の影響を軽減できるとい
う効果がある。
れている。上段コイルは、２重コイルで構成されてい
る。つまり、内側のコイル３ａの外周部に外側のコイル
３ｂが設けられ、各々のコイルには独立した電源が接続
され、各々のコイルに流す電流値を調整できるように構
成されている。上段のコイル３ａの内径は、下段コイル
３ｃの内径よりも小さく構成している。また上段の２重
コイル３ａ、３ｂのと下段コイル３ｃとの間には空間を
設けるよう構成している。このように構成することによ
り、上段コイルの内側に収束した磁力線を、上段コイル
と下段コイルの空間部で拡大し、再度下段コイルの部分
で収束させることができる。つまり上段コイルの内側に
収束した磁力線を、下段コイルの部分で垂直となるよう
に拡大することができる。プラズマ中の電子、イオン等
の荷電粒子は磁力線に束縛されて移動するため、上記の
ように磁力線を拡大することにより、大口径で均一なプ
ラズマを生成し、輸送することができるという効果があ
る。また上段コイルおよび下段コイルの外周部に磁性
体、たとえば鉄で構成されたヨークを設けることによ
り、磁力線をコイル内に閉じこめることができる。この
ことにより、コイル内部の磁場強度を大きくすることが
でき、またコイル外部への磁場の影響を軽減できるとい
う効果がある。
【０００８】以下、図１に示すコイル配置において、各
コイル電流値を変更することにより生成できる代表的な
６組の磁力線分布、等磁場面分布、中心軸上の磁場強度
分布を図２〜図１３に示す。
コイル電流値を変更することにより生成できる代表的な
６組の磁力線分布、等磁場面分布、中心軸上の磁場強度
分布を図２〜図１３に示す。
【０００９】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａの
電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分布を図２に、
中心軸上の磁場強度分布を図３に示す。このコイル電流
の組合せの場合、上段コイルから出た磁力線が、上段コ
イルと下段コイルの間の空間で拡大され、再び下段コイ
ルで収束されており、垂直に近い磁力線分布となってい
る。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々３０Ａ、３０Ａ、０
Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分布を図４
に、中心軸上の磁場強度分布を図５に示す。このコイル
電流の組合せの場合には、発散型の磁力線分布が得られ
ている。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々３０Ａ、０Ａ、
３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分布を
図６に、中心軸上の磁場強度分布を図７に示す。このコ
イル電流の組合せの場合には、小さな磁場勾配の分布を
得ることができる。２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用
した場合８７５Ｇａｕｓｓの磁場強度のところで電子サ
イクロトロン共鳴が生じ、電子がマイクロ波電界により
連続的に加速されるため、効率的にガス分子が電離し、
プラズマが生成される。したがって、８７５Ｇａｕｓｓ
近傍で磁場勾配を小さくすると電子サイクロトロン共鳴
を生じる領域が大きくなるため、高密度プラズマを生成
することが容易になる。このコイル構成で、適当な電流
値を設定し、８７５Ｇａｕｓｓ近傍で磁場勾配を小さく
することは容易にできる。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各
々０Ａ、３０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布
と等磁場面分布を図８に、中心軸上の磁場強度分布を図
９に示す。このコイル電流の組合せの場合には、中心軸
上で一定の磁場勾配を有する磁場分布を得ることが容易
にできる。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々−２０Ａ、３
０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面
分布を図１０に、中心軸上の磁場強度分布を図１１に示
す。このコイル電流の組合せの場合には、外周部に近い
ほど、磁場強度が大きくなるような磁場分布を得ること
ができる。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々３０Ａ、−２
０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面
分布を図１２に、中心軸上の磁場強度分布を図１３に示
す。このコイル電流の組合せの場合には、急峻な磁場勾
配を生成し、被処理物１０を設置する試料台９の位置で
は磁場強度を小さくすることができる。上述のように、
各々のコイル電流値を種々の組合せにすることにより、
広範囲に磁場プロファイルを変更することができる。プ
ラズマの生成とその輸送は、磁場プロファイルに大きく
依存しているため、広範囲に磁場プロファイルを変更す
ることにより、エッチングプロセスに最適なプラズマ条
件を見い出すことができるという効果がある。
電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分布を図２に、
中心軸上の磁場強度分布を図３に示す。このコイル電流
の組合せの場合、上段コイルから出た磁力線が、上段コ
イルと下段コイルの間の空間で拡大され、再び下段コイ
ルで収束されており、垂直に近い磁力線分布となってい
る。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々３０Ａ、３０Ａ、０
Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分布を図４
に、中心軸上の磁場強度分布を図５に示す。このコイル
電流の組合せの場合には、発散型の磁力線分布が得られ
ている。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々３０Ａ、０Ａ、
３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分布を
図６に、中心軸上の磁場強度分布を図７に示す。このコ
イル電流の組合せの場合には、小さな磁場勾配の分布を
得ることができる。２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用
した場合８７５Ｇａｕｓｓの磁場強度のところで電子サ
イクロトロン共鳴が生じ、電子がマイクロ波電界により
連続的に加速されるため、効率的にガス分子が電離し、
プラズマが生成される。したがって、８７５Ｇａｕｓｓ
近傍で磁場勾配を小さくすると電子サイクロトロン共鳴
を生じる領域が大きくなるため、高密度プラズマを生成
することが容易になる。このコイル構成で、適当な電流
値を設定し、８７５Ｇａｕｓｓ近傍で磁場勾配を小さく
することは容易にできる。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各
々０Ａ、３０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布
と等磁場面分布を図８に、中心軸上の磁場強度分布を図
９に示す。このコイル電流の組合せの場合には、中心軸
上で一定の磁場勾配を有する磁場分布を得ることが容易
にできる。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々−２０Ａ、３
０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面
分布を図１０に、中心軸上の磁場強度分布を図１１に示
す。このコイル電流の組合せの場合には、外周部に近い
ほど、磁場強度が大きくなるような磁場分布を得ること
ができる。コイル３ａ、３ｂ、３ｃに各々３０Ａ、−２
０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面
分布を図１２に、中心軸上の磁場強度分布を図１３に示
す。このコイル電流の組合せの場合には、急峻な磁場勾
配を生成し、被処理物１０を設置する試料台９の位置で
は磁場強度を小さくすることができる。上述のように、
各々のコイル電流値を種々の組合せにすることにより、
広範囲に磁場プロファイルを変更することができる。プ
ラズマの生成とその輸送は、磁場プロファイルに大きく
依存しているため、広範囲に磁場プロファイルを変更す
ることにより、エッチングプロセスに最適なプラズマ条
件を見い出すことができるという効果がある。
【００１０】また上記各実施例では、有磁場マイクロ波
ドライエッチング装置について述べたが、その他の磁場
を利用したドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装
置、アッシング装置等のプラズマ処理装置についても、
同様の作用効果が得られる。
ドライエッチング装置について述べたが、その他の磁場
を利用したドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装
置、アッシング装置等のプラズマ処理装置についても、
同様の作用効果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、磁場発生用の多段コイ
ルの各々のコイルのうち、少なくとも１段のコイルに２
重コイルを使用することにより、広範囲に磁場プロファ
イル（磁力線分布、等磁場面分布等）を変更できるの
で、エッチングプロセスに好適なプラズマ生成条件を見
い出すことができるという効果がある。
ルの各々のコイルのうち、少なくとも１段のコイルに２
重コイルを使用することにより、広範囲に磁場プロファ
イル（磁力線分布、等磁場面分布等）を変更できるの
で、エッチングプロセスに好適なプラズマ生成条件を見
い出すことができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の有磁場マイクロ波ドラ
イエッチング装置の処理室部の縦断面図。
イエッチング装置の処理室部の縦断面図。
【図２】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、３０
Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分
布を示す図。
Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場面分
布を示す図。
【図３】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、３０
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布
を示す図。
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布
を示す図。
【図４】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、３０
Ａ、０Ａの電流を流した時の中磁力線分布と等磁場面分
布を示す図。
Ａ、０Ａの電流を流した時の中磁力線分布と等磁場面分
布を示す図。
【図５】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、３０
Ａ、０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布を
示す図。
Ａ、０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布を
示す図。
【図６】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、０
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中磁力線分布と等磁場面
分布を示す図。
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中磁力線分布と等磁場面
分布を示す図。
【図７】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、０
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布
を示す図。
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布
を示す図。
【図８】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に０Ａ、３０
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中磁力線分布と等磁場面
分布を示す図。
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中磁力線分布と等磁場面
分布を示す図。
【図９】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に０Ａ、３０
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布
を示す図。
Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度分布
を示す図。
【図１０】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に−２０Ａ、
３０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場
面分布を示す図。
３０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場
面分布を示す図。
【図１１】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に−２０Ａ、
３０Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度
分布を示す図。
３０Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度
分布を示す図。
【図１２】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、−
２０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場
面分布を示す図。
２０Ａ、３０Ａの電流を流した時の磁力線分布と等磁場
面分布を示す図。
【図１３】コイル３ａ、３ｂ、３ｃの各々に３０Ａ、−
２０Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度
分布を示す図。
２０Ａ、３０Ａの電流を流した時の中心軸上の磁場強度
分布を示す図。
１…処理室、１ａ…容器、１ｂ…放電管、２…石英窓、
３…コイル、３ａ，３ｂ，３ｃ…コイル、３ｄ…ヨー
ク、４…マグネトロン、５ａ，５ｂ…導波管、６…共振
器、７…スロットアンテナ、８…導波管、９…試料台、
１０…被処理物、１１…整合器、１２…高周波電源。
３…コイル、３ａ，３ｂ，３ｃ…コイル、３ｄ…ヨー
ク、４…マグネトロン、５ａ，５ｂ…導波管、６…共振
器、７…スロットアンテナ、８…導波管、９…試料台、
１０…被処理物、１１…整合器、１２…高周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】磁場を利用したプラズマ発生装置と減圧可
能な処理室とガス供給装置と真空排気装置より成るプラ
ズマ処理装置において、少なくとも１つの２重コイルを
用いた多段コイルを有することを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項２】請求項１記載の多段コイルにおいて、２重
コイルの内径が他のコイルの内径よりも小さいことを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】請求項２記載の多段コイルにおいて、２重
コイルと他のコイルとの間に、磁力線を拡大させる空間
を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項３記載の多段コイルにおいて、コイ
ルの外周部にヨークを設けたことを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 【請求項５】磁場を利用してプラズマを発生させ、被処
理物を有する処理室を減圧にし、該処理室にガスを供給
するプラズマ処理方法において、少なくとも１つの２重
コイルを用いた多段コイルを該被処理物の周りに設けて
磁力線分布を制御することを特徴とするプラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7322723A JPH09161993A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7322723A JPH09161993A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161993A true JPH09161993A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18146909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7322723A Pending JPH09161993A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09161993A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525519A (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高密度プラズマ源内での電気的に制御可能なプラズマ均一性 |
| JP2012023098A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| CN112585726A (zh) * | 2019-07-29 | 2021-03-30 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
| CN113133175A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法 |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP7322723A patent/JPH09161993A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525519A (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高密度プラズマ源内での電気的に制御可能なプラズマ均一性 |
| JP2012023098A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| CN112585726A (zh) * | 2019-07-29 | 2021-03-30 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
| CN113133175A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法 |
| CN113133175B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-02-09 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Asmussen | Electron cyclotron resonance microwave discharges for etching and thin‐film deposition | |
| US4948458A (en) | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma | |
| US5401351A (en) | Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus | |
| US4727293A (en) | Plasma generating apparatus using magnets and method | |
| US5198725A (en) | Method of producing flat ecr layer in microwave plasma device and apparatus therefor | |
| JP2822103B2 (ja) | 改良された共鳴無線周波数波結合器装置 | |
| US6396024B1 (en) | Permanent magnet ECR plasma source with integrated multipolar magnetic confinement | |
| JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH09161993A (ja) | ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法 | |
| JP3294839B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2595128B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH07263188A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10177994A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| JPH0687440B2 (ja) | マイクロ波プラズマ発生方法 | |
| JP3205542B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JP2920852B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
| JPH0963792A (ja) | 磁気中性線放電プラズマ源 | |
| JP3010059B2 (ja) | イオン源 | |
| JPH0294628A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH0653173A (ja) | プラズマ加熱機構を有するプラズマ処理装置 | |
| JPH0578849A (ja) | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH05251390A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH05258894A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH11251299A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JPH1098025A (ja) | プラズマエッチング装置 |