JP2004158272A - 高周波誘導結合プラズマ源および高周波誘導結合プラズマ装置 - Google Patents
高周波誘導結合プラズマ源および高周波誘導結合プラズマ装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】プラズマ生成チャンバ2の端面に、プラズマ生成チャンバ2内に突出する突出部3を設ける。突出部3に形成された凹部には、交流磁場を形成する励起コイル4が納められる。突出部3は絶縁体で形成されているため、プラズマP1は突出部3の内側領域に侵入することはできず、突出部3とプラズマ生成チャンバ2との間にリング状のプラズマ領域が形成される。そのため、励起コイル4の外径よりも大きなプラズマ領域を有するプラズマ1を形成することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波誘導結合プラズマ源、および、それを用いてエッチング、成膜、スパッタリング等の処理を行う高周波誘導結合プラズマ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
高周波誘導結合プラズマ装置は、高周波誘導結合によりプラズマを生成し、そのプラズマ中からイオンを分離して、シリコンウェハやガラス基板などの加工対象物に対してイオンビームエッチング、イオンビームスパッタ蒸着、イオンビームCVD等を行うものである。この装置のプラズマを生成する部分は高周波誘導結合プラズマ源と呼ばれ、プラズマ生成室内に高周波磁場を生成する励起コイルが設けられている。励起コイルで生成された高周波磁場はプラズマ生成室内に高周波誘導電場を誘起し、この誘導電場によってプラズマ生成室内のガスをイオン化することによってプラズマが生成される。
【0003】
励起コイルはプラズマ生成室内に配置される場合もあるが、励起コイルによる汚染への影響を避けるために励起コイルはプラズマ生成室の外部に配置するのが好ましい。その場合、励起コイルはプラズマ生成室近傍に配置されるが、誘導結合を妨げることがないように、プラズマ生成室を構成している容器の全部または一部はガラスやセラミックス等の絶縁体で形成される。
【0004】
従来の高周波誘導プラズマ源では、例えば、ガラスで形成した筒状プラズマ生成室の外周にソレノイド型励起コイルを設けている。このような構成のプラズマ源の場合、励起コイルの中心軸がプラズマ生成室内に配置され、中心軸に平行な高周波磁場がプラズマ生成室内に強く分布することになる。
【0005】
また、筒状プラズマ生成室の端面を絶縁体平板で形成し、その端面近傍に平面型励起コイルを配置する構成の装置も知られている(例えば、特許文献1参照。)。この絶縁体平板は、高周波エネルギーをプラズマ生成室内に導入する通路として機能するので高周波導入窓と呼ばれることがある。励起コイルにより形成された高周波磁場は高周波導入窓からプラズマ生成室内に入り、この高周波導入窓に近接した空間領域にプラズマが生成される。
【0006】
ところで、他の半導体プロセスと同様に高周波誘電結合プラズマ装置の場合も、基板の大型化に伴ってより大きな空間領域にプラズマを励起することが要求されている。上述したいずれの励起コイルを用いるプラズマ装置の場合であっても、コイルのスケーリングを考慮することによりプラズマ領域を大きくすることができる。すなわち、コイル径を大きくするとともに、それに伴って十分な磁束密度を確保するためにコイル巻き数を多くする方法である。
【0007】
【特許文献1】
特開平10−125496号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、コイル形状の拡大は、インダクタンスの増加と巻き線の長さの増加による損失の増大を伴う。インダクタンスが増大した場合には、インピーダンス整合のために励振周波数を下げる必要がある。これは、プラズマの性質を保つというスケーリングの原則から外れてしまうことになる。
【0009】
また、いずれの装置の場合にも、励起されたプラズマはコイル中心位置に対応するプラズマ生成室中央部を中心として分布する。そのため、プラズマ領域の外径を大きくしようとした場合、上述したようにコイル形状の拡大とともにプラズマ生成室自身も大きくする必要があり、装置が大型化するとともに、プラズマ生成室を真空排気する排気装置も大型化するという欠点があった。
【0010】
本発明は、隔壁を介して励起コイルをプラズマ生成室内に突出させた高周波誘導結合プラズマ源、および、その高周波誘導結合プラズマ源を用いた高周波誘導結合プラズマ装置を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、励起コイルにより形成した交流磁場をプラズマ生成室内に導入し、そのプラズマ生成室内にプラズマを生成するプラズマ源に適用される。そして、プラズマ生成室内に突出し、プラズマ生成室内部と外部とを隔てる電気絶縁性隔壁を設け、プラズマ生成室内に突出した電気絶縁性隔壁を囲むリング状プラズマが形成されるように、電気絶縁性隔壁の外側凹部に励起コイルを配設たことを特徴とする。
さらに、静磁場をプラズマ生成室内に形成する磁場形成装置を設けたり、軟磁性体から成る透磁コアを励起コイルに設けたりしても良い。
本発明による高周波誘導結合プラズマ装置は、請求項1〜3のいずれかに記載の高周波誘導結合プラズマ源を備え、プラズマ源で形成されたプラズマ内のイオンを利用して試料に加工処理を施すことを特徴とする。。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は本発明による高周波誘導結合プラズマ装置の一実施の形態を示す概略構成図である。図1に示すプラズマ装置はイオンビームエッチング装置を例に示したものであり、プロセスチャンバPC内には試料Sが装着されるステージ20が設けられている。プロセスチャンバPCのステージ20に対向する位置には、高周波誘導結合プラズマ源1が設けられている。エッチング処理時にプロセスチャンバPC内が真空ポンプVPに真空排気されると、高周波誘導結合プラズマ源1のプラズマ生成チャンバ2内も真空排気されて減圧状態となる。
【0013】
プラズマ生成チャンバ2の中央部分には、プラズマ生成チャンバ2内に突出する突出部3が設けられている。突出部3の外側に形成される凹部内には、プラズマ生成チャンバ2内に交流磁場5を形成する励起コイル4が収納されている。突出部3はガラスやセラミックス等の絶縁体で形成されており、励起コイル4で形成された交流磁場をプラズマ生成チャンバ2内に導入するための高周波導入窓としても機能している。励起コイル4はソレノイド型のコイルであり、整合器6を介してRF電源7が接続されている。なお、本実施の形態では、励起コイル4はソレノイド型コイルとしたが、例えば、1ターンの平面型コイルとしても良い。
【0014】
RF電源7の周波数としては、経済性を考慮して1MHz〜100MHz程度が用いられるが、本実施の形態では13.56MHzの高周波電源が使用される。整合器6にはインピーダンス整合用のキャパシタが設けられており、このキャパシタのキャパシタンスを調整することにより整合条件の調整を行うことができる。プラズマを生成する際には、ガス供給源8からアルゴンガス等がプラズマ生成チャンバ2内に導入される。
【0015】
プラズマ生成チャンバ2の外周囲には、プラズマ生成チャンバ2内に静磁場を形成するためのリング状マグネット9a,9bが設けられている。図1に示す例ではマグネット9a,9bを電磁石で構成したが、永久磁石により構成しても良い。図2はマグネット9a,9bにより形成される磁場の様子を示す図である。マグネット9a,9bはマグネットリングの厚さ方向に磁化され、マグネット9a,9bの同極同士が対向するように励磁電流が与えられる。図2に示す例では、N極同士が対向している。
【0016】
各マグネット9a,9bにより形成される磁場は、磁力線91,92で示すようなカスプ磁場を形成している。励起コイル4に上述したような高周波電圧を印加すると誘導結合によりアルゴンガスが励起され、プラズマ生成チャンバ2と突出部3との間のリング状空間にアルゴンイオンを含むプラズマP1が生成される。プラズマP1中の電子はカスプ磁場によりトラップされ、それによりプラズマの生成が促進されプラズマP1を効率良く形成することができる。
【0017】
プラズマ生成チャンバ2の開口部には、生成されたプラズマP1からアルゴンイオンを引き出すためのグリッドG1,G2およびG3が設けられている。各グリッドG1〜G3には、グリッド電源10によりグリッド電圧がそれぞれ印加されている。例えば、グリッドG1には800V、グリッドG2には−400Vの電圧がそれぞれ印加され、グリッドG3はアースされて電位=0Vとなっている。このような電圧を各グリッドG1〜G3に印加することにより、プラズマ源1からアルゴンイオンのイオンビーム11が図示下方に引き出され、基板S上にイオンビーム11が照射される。
【0018】
図1に示したプラズマ源1では、図1に示すようにプラズマ生成チャンバ2内に絶縁体の突出部3が突出しているので、突出部3が占有する領域にはプラズマP1は侵入することができない。その結果、プラズマP1は突出部3を避けるように、突出部3とプラズマ生成チャンバ2との間にリング状に分布することになる。
【0019】
図3(a)はプラズマ生成チャンバ2内におけるプラズマ強度分布A1を示す図である。図3(a)において、横軸はプラズマ生成チャンバ2の径方向位置を表しており、縦軸のプラズマ強度は任意単位(A.U.)とした。図3(a)に示すように、プラズマ強度分布A1は突出部3の外径D1とプラズマ生成チャンバ2の内径D2との間にピークを有しており、突出部3の下側(図1参照)にも若干分布しているが強度は小さい。
【0020】
一般的に、イオンビームは数度程度の発散角を持っている。そのため、図3(a)に示すようなリング状に分布したプラズマP1からイオンビームを引き出すと、基板S上においては、図3(b)に示すような均一なイオンビーム電流密度分布A2を有するイオンビーム11が得られる。
【0021】
図4は本発明の高周波誘導結合プラズマ源と対比する高周波誘導結合プラズマ源の一例を示したものである。なお、図4において図1と同一部分には同一の符号を付した。図4の高周波誘導結合プラズマ源100ではプラズマ生成チャンバ102は円筒形状を成しており、上面部102aは絶縁体で形成された高周波導入窓となっている。励起コイル104には平面型のコイルが用いられる。プラズマ生成チャンバ102内には、励起コイル104の中心軸Jを中心として分布するプラズマP2が形成される。
【0022】
図3(a),(b)に示した分布B1,B2は、従来のプラズマ源100を用いた場合のプラズマ強度分布およびイオンビーム電流密度分布を示したものである。イオンビーム電流密度分布B2は軸Jの位置においてピークを有する分布であるため、イオンビーム111では基板Sを均一にエッチングするのが難しかった。
【0023】
一方、本実施の形態のプラズマ源1では、上述したように突出部3が占有する領域にはプラズマP1は侵入することができないので、プラズマP1は突出部3の外側に押し広げられるように分布することになる。そのため、図3(a)に示す分布A1と分布B1とを比較すると分かるように、プラズマ生成チャンバ2の内径D2が等しくてもプラズマP1の外径を従来のプラズマP2の外径よりも大きくすることができる。その結果、より大きな口径を有するイオンビームを得ることができる。
【0024】
さらに、励起コイル4をプラズマ生成チャンバ2内に突出するような形態で配設しているため、交流磁場を効果的にプラズマ生成チャンバ2内に導入することができるとともに、より小さな径の励起コイル4で大きな径を有するプラズマP1を形成することができる。また、励起コイル4の径を従来より小さくできるため、絶縁体から成る高周波導入窓の大きさを小さくすることができ、高周波導入窓の機械的強度の面での向上を図ることができる。
【0025】
さらにまた、励起コイル4をプラズマ生成チャンバ2の中心位置に配設することにより、カスプ磁場形成用マグネット9a,9bを、プラズマ生成チャンバ2の外周部に容易に設けることができる。なお、突出部3の外径および突出寸法を調整することにより、図3(a)の分布A1の分布形状を調整することができる。
【0026】
図5はプラズマ源1の変形例を示す図であり、励起コイル4の内側に軟磁性体から成る透磁コア30を設けた。この透磁コア30を設けることにより、プラズマ生成チャンバ2内に導入される交流磁場5の強度を大きくすることができ、より大きなプラズマ強度を有するプラズマP1を形成することができる。
【0027】
図6は、略矩形のイオンビームを得ることができる高周波誘導結合プラズマ源50を示す図であり、(a)は図1の場合と同様の縦断面図、(b)は(a)のE−E断面図である。なお、図6(a),(b)では、プラズマ生成チャンバ52、突出部53、励起コイル54、マグネット59a,59bのみを示し、その他の構成は省略した。プラズマP3はプラズマ生成チャンバ52と突出部53との間に形成され、その形状は図示左右方向に細長いリング状となる。この場合も、プラズマP3の形状はリング状であるが、基板上のイオンビーム電流密度分布に関しては中央部分も均一な略矩形状の分布となる。
【0028】
なお、上述した実施の形態では、プラズマ生成チャンバ2,52の壁面の一部を絶縁体隔壁で形成し、その隔壁をプラズマ生成チャンバ2,52に突出させるようにしたが、図7に示すような突出部63としても良い。図7に示す高周波誘導結合プラズマ源60では、円筒状のプラズマ生成チャンバ62の端面内側に突出部63を設け、突出部63の内側空間に励起コイル4を収容するようにした。励起コイル4が収容されている空間は、突出部63の隔壁によってプラズマ生成チャンバ空間から遮断されているので、プラズマ生成チャンバ2内が汚染されることはない。
【0029】
以上説明した実施の形態の高周波誘導結合プラズマ装置においては、イオンビームエッチング装置を例に説明したが、例えば、イオンビームスパッタ蒸着、イオンビームCVD等のようにプラズマ源で生成されたプラズマを利用して加工処理を行うプラズマ装置であれば、本発明を適用することができる。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ生成室内に電気絶縁性隔壁を突出させてその外側凹部に励起コイルを配設したので、隔壁がプラズマ生成室内に突出することによりプラズマ分布領域が外側に広げられ、励起コイルの径よりも大きな外径を有するプラズマを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による高周波誘導結合プラズマ装置の一実施の形態を示す図である。
【図2】マグネット9a,9bにより形成される磁場の様子を示す図である。
【図3】(a)はプラズマ生成チャンバ2内におけるプラズマ強度分布A1を示す図、(b)は基板S上におけるイオンビーム11のイオンビーム電流密度分布A2を示す図である。
【図4】本発明の高周波誘導結合プラズマ源と対比する高周波誘導結合プラズマ源100を示す図である。
【図5】高周波誘導結合プラズマ源1の変形例を示す図である。
【図6】高周波誘導結合プラズマ源50を示す図であり、(a)は縦断面図、(b)は(a)のE−E断面図である。
【図7】高周波誘導結合プラズマ源60を示す図である。
【符号の説明】
1,50,60,100 高周波誘導結合プラズマ源
2,52,62,102 プラズマ生成チャンバ
3,53,63 突出部
4,54 励起コイル
6 整合器
7 RF電源
9a,9b マグネット
10 グリッド電源
11,111 イオンビーム
20 ステージ
30 透磁コア
G1〜G3 グリッド
P1〜P3 プラズマ
PC プロセスチャンバ
S 基板
Claims (4)
- 励起コイルにより形成した交流磁場をプラズマ生成室内に導入し、そのプラズマ生成室内にプラズマを生成するプラズマ源において、
前記プラズマ生成室内に突出し、前記プラズマ生成室内部と外部とを隔てる電気絶縁性隔壁を設け、
前記プラズマ生成室内に突出した前記電気絶縁性隔壁を囲むリング状プラズマが形成されるように、前記電気絶縁性隔壁の外側凹部に前記励起コイルを配設たことを特徴とする高周波誘導結合プラズマ源。 - 請求項1に記載の高周波誘導結合プラズマ源において、
静磁場を前記プラズマ生成室内に形成する磁場形成装置を設けたことを特徴とする高周波誘導結合プラズマ源。 - 請求項1または2に記載の高周波誘導結合プラズマ源において、
前記励起コイルに軟磁性体から成る透磁コアを設けたことを特徴とする高周波誘導結合プラズマ源。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の高周波誘導結合プラズマ源を備え、
前記プラズマ源で形成されたプラズマ内のイオンを利用して試料に加工処理を施すことを特徴とする高周波誘導結合プラズマ装置。
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