JP2714035B2 - エッチングの終点検出方法及び装置 - Google Patents

エッチングの終点検出方法及び装置

Info

Publication number
JP2714035B2
JP2714035B2 JP23504788A JP23504788A JP2714035B2 JP 2714035 B2 JP2714035 B2 JP 2714035B2 JP 23504788 A JP23504788 A JP 23504788A JP 23504788 A JP23504788 A JP 23504788A JP 2714035 B2 JP2714035 B2 JP 2714035B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
end point
microwave
etching
sample
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP23504788A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0285379A (ja
Inventor
仁昭 佐藤
幸太郎 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23504788A priority Critical patent/JP2714035B2/ja
Publication of JPH0285379A publication Critical patent/JPH0285379A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2714035B2 publication Critical patent/JP2714035B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エッチングの終点検出方法及び装置に係
り、特にマイクロ波プラズマを利用してエッチングされ
る試料の終点を検出するのに好適なエッチングの終点検
出方法及び装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のエッチングの終点検出技術としては、例えば、
特開昭58−43521号公報に記載のように発光強度の変化
により終点を検出するようにしたものが知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、残存発光などにより明確な終点を検
出する点について配慮がされていなかった。
本発明の目的は、正確な終点検出を行うことができる
エッチングの終点検出方法及び装置を提供することにあ
る。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、エッチング中のマイクロ波の反射パワー
を検知し、該検知された反射波パワーの変化により試料
のエッチングの終点を検出することにより、達成され
る。
〔作用〕
マイクロ波パワーモニタは、プラズマ放電中のマイク
ロ波入射電力，反射電力をモニタする。つまり、マイク
ロ波反射波は、真空室で吸収（プラズマ化）されなかっ
たマイクロ波が、マイクロ波導波管４に戻ってくる。こ
の戻ってくる反射波パワーであるマイクロ波パワー量を
モニタリングするものである。
試料加工中の反射電力と、試料加工後（終点後）の反
射電力値は、処理室内インピーダンスおよび処理室表面
状態が変化することにより異なった値を示す。その変化
点を終点として検出するので正確なエッチングの終点検
出ができる。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を第１図，第２図により説明
する。
第１図で、真空室１内には試料であるウェハ10を載置
する試料台３が設けられており、試料台３に対向して真
空室１上部に石英ベルジャ２が取り付けてある。真空室
１には、図示しない処理ガス供給源につながり真空室１
内に処理ガスを供給する処理ガス導入管７と、図示しな
い真空ポンプにつながり真空室１内を所定圧力に減圧排
気するための排気口９が設けてある。
石英ベルジャ２を囲んで導波管４が取り付けてあり、
導波管４の端部にマグネトロン５、およびマイクロ波検
出器11が取り付けてある。石英ベルジャ２の回りに、導
波管４を介して磁界発生手段であるコイル６が設けてあ
る。
試料台３には高周波電波８がつながる。
上記構成の装置により、マグネトロン５により印加量
400〜1200Wのマイクロ波を発生させ、石英ベルジャ２内
に導入し、コイル６によって石英ベルジャ２内に800〜1
00ガウスの磁場を作用させる。これにより、石英ベルジ
ャ２内でマイクロ波によりマイクロ波放電した処理ガス
に磁場が作用し、プラズマ中で電子が円運動するととも
に、磁場勾配によって発散方向にあるウェハ10側に向っ
て加速され、プラズマが発生する。
第２図にウェハ10を処理中のプラズマ発光強度12とマ
イクロ波反射波パワー13を示す。このマイクロ波反射波
パワー13は、真空室で吸収（プラズマ化）されなかった
マイクロ波が、マイクロ波導波管４に戻ってくる。この
戻ってくる反射波パワーであるマイクロ波パワー量をモ
ニタリングしたものである。
発光強度12では強度の低下を始める処から、低下した
ところまで時を要しているが、マイクロ波反射パワー13
では、パワーが即座に変化することから正確な終点検出
ができる。
なお、上記一実施例は、いわゆる有磁場タイプのもの
であるが、磁場を使用しない無磁場タイプのものでも同
様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、試料のエッチング終了に伴って即座
に変化するマイクロ波反射パワーにより試料のエッチン
グ終点を検出できるので、試料のエッチングの終点を正
確に検出できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波プラズマエッチ
ング装置の縦断面図、第２図は第１図の実施例の装置で
ウェハを加工した時のマイクロ波反射波のモニタ値の模
式図である。 １……真空室、２……ベルジャー、３……試料台、４…
…導波管、５……マグネトロン、６……コイル、７……
ガス導入口、８……高周波電源、９……排気口、10……
ウェハ、11……マイクロ波検出器、12……発光強度、13
……マイクロ波反射パワー

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】マイクロ波プラズマを利用して試料をエッ
    チングする工程と、前記試料のエッチング中にマイクロ
    波の反射波パワーを検知する工程と、 該検知されたマイクロ波の反射波パワーの変化により前
    記試料のエッチング終点を検出する工程とを有すること
    を特徴とするエッチングの終点検出方法。
  2. 【請求項２】前記検知されたマイクロ波の反射波パワー
    の減少時点で前記試料のエッチング終点を検出する第１
    請求項に記載のエッチングの終点検出方法。
  3. 【請求項３】マイクロ波プラズマを利用しての試料のエ
    ッチング中にマイクロ波の反射波パワーを検知する手段
    と、 該検知されたマイクロ波の反射波パワーの変化点で前記
    試料のエッチング終点を検出する手段とを具備したこと
    を特徴とするエッチングの終点検出装置。
JP23504788A 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置 Expired - Lifetime JP2714035B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23504788A JP2714035B2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23504788A JP2714035B2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0285379A JPH0285379A (ja) 1990-03-26
JP2714035B2 true JP2714035B2 (ja) 1998-02-16

Family

ID=16980298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23504788A Expired - Lifetime JP2714035B2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2714035B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007034602A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Hitachi Omron Terminal Solutions Corp 紙葉類識別装置
DE102011110138A1 (de) 2011-08-15 2013-02-21 Meas Deutschland Gmbh Messvorrichtung zum Messen magnetischer Eigenschaften der Umgebung der Messvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0285379A (ja) 1990-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970003557A (ko) 재료 처리용 이중 주파수의 용량성 결합 플라즈마 리액터
JPH04196529A (ja) プラズマ処理装置
JPH0992491A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2714035B2 (ja) エッチングの終点検出方法及び装置
JP2951797B2 (ja) プラズマ発生装置
JPS55118637A (en) Plasma etching apparatus
JPH01236629A (ja) プラズマ処理装置
JPH0211781A (ja) ドライエッチング装置
JPS59103340A (ja) プラズマ処理装置
JPH0314229A (ja) 終点検出装置
JPH02297929A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0821573B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH0722389A (ja) プラズマ処理装置
JPH0582289A (ja) マイクロ波プラズマ処理方法および装置
JPH0734253A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05234955A (ja) プラズマエッチングの制御方法
JPS6258630A (ja) プラズマ処理制御方法及び装置
JPS61133387A (ja) エツチング装置
JPS6369228A (ja) マイクロ波プラズマエツチング装置のエツチング方法
JPH03147318A (ja) エッチング終点判定装置
JP2721856B2 (ja) プラズマ生成装置
JPS5776188A (en) Gas plasma etching device
JPH10261496A (ja) マイクロ波プラズマ処理方法および装置
JPH0382779A (ja) プラズマ処理装置
JPS63232334A (ja) ドライエツチング方法