JPH0582289A - マイクロ波プラズマ処理方法および装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理方法および装置Info
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- JPH0582289A JPH0582289A JP3240905A JP24090591A JPH0582289A JP H0582289 A JPH0582289 A JP H0582289A JP 3240905 A JP3240905 A JP 3240905A JP 24090591 A JP24090591 A JP 24090591A JP H0582289 A JPH0582289 A JP H0582289A
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- microwave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】マイクロ波によって生成されるプラズマを高密
度、高均一なプラズマとし、被処理物を高速で高均一処
理する。 【構成】マイクロ波を真空容器内に導入して真空容器内
の処理ガスをプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、真空容器内の
プラズマ密度分布を測定する測定手段と、プラズマ密度
分布の測定値によってマイクロ波出力，処理圧力，処理
ガス流量のいずれかまたは全てを制御する制御手段と、
マイクロ波の出力整合を行なう整合手段とを具備する。
度、高均一なプラズマとし、被処理物を高速で高均一処
理する。 【構成】マイクロ波を真空容器内に導入して真空容器内
の処理ガスをプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、真空容器内の
プラズマ密度分布を測定する測定手段と、プラズマ密度
分布の測定値によってマイクロ波出力，処理圧力，処理
ガス流量のいずれかまたは全てを制御する制御手段と、
マイクロ波の出力整合を行なう整合手段とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
方法および装置に係り、特にマイクロ波を用いて高密度
かつ均一なプラズマを生成するのに好適なマイクロ波プ
ラズマ処理方法および装置に関するものである。
方法および装置に係り、特にマイクロ波を用いて高密度
かつ均一なプラズマを生成するのに好適なマイクロ波プ
ラズマ処理方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマに入力されるマイクロ波出力を
制御する従来の技術としては、例えば、特開昭６１−２
４１９２２号公報記載のようにプラズマ反応処理部内の
プラズマ反応強度を計測する計測部と、その計測結果に
応じ、マイクロ波出力を制御する制御部を設けることに
より、マイクロ波エネルギー量を最適な値に制御しなが
ら、効率的で精度良いプラズマ反応処理を行う処理装置
が示されている。また、特開昭６１−１１０１号公報に
はスタブチューナー方式を有する導波管において出力検
出器の検出データによって自動的に複数のスタブを操作
する駆動系と制御系とを設けることによりマイクロ波を
効率良く、かつ安定に出力させることによりプラズマ処
理工程の信頼性を高めるマイクロ波処理装置が示されて
いる。
制御する従来の技術としては、例えば、特開昭６１−２
４１９２２号公報記載のようにプラズマ反応処理部内の
プラズマ反応強度を計測する計測部と、その計測結果に
応じ、マイクロ波出力を制御する制御部を設けることに
より、マイクロ波エネルギー量を最適な値に制御しなが
ら、効率的で精度良いプラズマ反応処理を行う処理装置
が示されている。また、特開昭６１−１１０１号公報に
はスタブチューナー方式を有する導波管において出力検
出器の検出データによって自動的に複数のスタブを操作
する駆動系と制御系とを設けることによりマイクロ波を
効率良く、かつ安定に出力させることによりプラズマ処
理工程の信頼性を高めるマイクロ波処理装置が示されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、マ
イクロ波出力の効率向上や精度向上に有効な技術が示さ
れている。一方、近年の半導体素子は以前にも増して微
細化され、高均一プラズマによる、より高精度なプラズ
マ処理が要求されるとともに生産性向上のため高速処理
が合わせて要求されている。従来技術では、マイクロ波
出力は高効率、高精度に制御可能であっても、例えば、
プラズマ処理時の被処理物の状態変化によるプラズマイ
ンピーダンスの変化に伴なって局所的にプラズマ密度の
異なる不均一プラズマが生成される場合があった。この
ため、従来技術ではプラズマ状態の監視が充分でない場
合、被処理物は不均一プラズマの発生により高精度に処
理ができないという問題があった。
イクロ波出力の効率向上や精度向上に有効な技術が示さ
れている。一方、近年の半導体素子は以前にも増して微
細化され、高均一プラズマによる、より高精度なプラズ
マ処理が要求されるとともに生産性向上のため高速処理
が合わせて要求されている。従来技術では、マイクロ波
出力は高効率、高精度に制御可能であっても、例えば、
プラズマ処理時の被処理物の状態変化によるプラズマイ
ンピーダンスの変化に伴なって局所的にプラズマ密度の
異なる不均一プラズマが生成される場合があった。この
ため、従来技術ではプラズマ状態の監視が充分でない場
合、被処理物は不均一プラズマの発生により高精度に処
理ができないという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、マイクロ波によって生成
されるプラズマを高密度、高均一なプラズマとし、被処
理物を高速で高均一処理することができるマイクロ波プ
ラズマ処理方法および装置を提供することにある。
されるプラズマを高密度、高均一なプラズマとし、被処
理物を高速で高均一処理することができるマイクロ波プ
ラズマ処理方法および装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、マイクロ波を真空容器内に導入して前記真空容器内
の処理ガスをプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、真空容器内の
プラズマ密度分布を測定する測定手段と、プラズマ密度
分布の測定値によってマイクロ波出力，処理圧力，処理
ガス流量のいずれかまたは全てを制御する制御手段と、
マイクロ波の出力整合を行なう整合手段とを具備した装
置とし、マイクロ波プラズマ処理方法において、真空容
器内に生成したプラズマの密度分布を計測し、該計測し
た結果に基づいてプラズマ操作因子を制御するようにし
たものである。
に、マイクロ波を真空容器内に導入して前記真空容器内
の処理ガスをプラズマ化し、被処理物をプラズマ処理す
るマイクロ波プラズマ処理装置において、真空容器内の
プラズマ密度分布を測定する測定手段と、プラズマ密度
分布の測定値によってマイクロ波出力，処理圧力，処理
ガス流量のいずれかまたは全てを制御する制御手段と、
マイクロ波の出力整合を行なう整合手段とを具備した装
置とし、マイクロ波プラズマ処理方法において、真空容
器内に生成したプラズマの密度分布を計測し、該計測し
た結果に基づいてプラズマ操作因子を制御するようにし
たものである。
【０００６】
【作用】測定手段によって真空容器内に生成されたプラ
ズマの密度分布を測定し、その測定結果に基づいて制御
手段によってマイクロ波出力，処理圧力，処理ガス流量
等のプラズマ操作因子を制御して、プラズマ密度分布の
均一化を図り、また、整合手段によってマイクロ波の整
合をとり真空容器内のプラズマを乱さない範囲でより効
率よくマイクロ波をプラズマに入射させる。これによ
り、高密度，高均一分布プラズマを生成することがで
き、被処理物を高速、高均一にプラズマ処理することが
できる。
ズマの密度分布を測定し、その測定結果に基づいて制御
手段によってマイクロ波出力，処理圧力，処理ガス流量
等のプラズマ操作因子を制御して、プラズマ密度分布の
均一化を図り、また、整合手段によってマイクロ波の整
合をとり真空容器内のプラズマを乱さない範囲でより効
率よくマイクロ波をプラズマに入射させる。これによ
り、高密度，高均一分布プラズマを生成することがで
き、被処理物を高速、高均一にプラズマ処理することが
できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明一実施例を図１ないし図３によ
り説明する。図１は、マイクロ波プラズマ処理装置を示
す。プラズマ発生室４０と処理室６０は真空に保たれて
おり、アルミニウム製の多孔板５０によって仕切られて
いる。処理ガス供給手段は、図示を省略したガス供給源
から流量制御弁４６及びガス供給源４４を介してプラズ
マ発生室４０につながる。排気手段は処理室６０の排気
口７０につながれ、圧力制御弁８０及び図示しない真空
ポンプから成る。処理室６０には被処理物９０が搬入さ
れ、試料台１００上に載置される。プラズマ発生室４０
に導入した処理ガスをプラズマ化する手段は、マイクロ
波を用いて行ない、この場合、プラズマ発生室４０に開
口部を設け、該開口部に石英製の窓３０を取付け、マイ
マロ波導波管２０の端部に設けたマイクロ波発振器１５
からマイクロ波を発振して導波管２０によってマイクロ
波を導き、窓３０を介してプラズマ発生室４０に導入し
て行なう。
り説明する。図１は、マイクロ波プラズマ処理装置を示
す。プラズマ発生室４０と処理室６０は真空に保たれて
おり、アルミニウム製の多孔板５０によって仕切られて
いる。処理ガス供給手段は、図示を省略したガス供給源
から流量制御弁４６及びガス供給源４４を介してプラズ
マ発生室４０につながる。排気手段は処理室６０の排気
口７０につながれ、圧力制御弁８０及び図示しない真空
ポンプから成る。処理室６０には被処理物９０が搬入さ
れ、試料台１００上に載置される。プラズマ発生室４０
に導入した処理ガスをプラズマ化する手段は、マイクロ
波を用いて行ない、この場合、プラズマ発生室４０に開
口部を設け、該開口部に石英製の窓３０を取付け、マイ
マロ波導波管２０の端部に設けたマイクロ波発振器１５
からマイクロ波を発振して導波管２０によってマイクロ
波を導き、窓３０を介してプラズマ発生室４０に導入し
て行なう。
【０００８】プラズマの制御機構は、図１ないし図３に
示すようにプラズマ密度分布を測定する測定手段２００
と、制御手段３００とマイクロ波の出力の整合をとる整
合手段４００とから構成される。測定手段２００は、図
２に示すように集光レンズ２０２，干渉フィルター２０
３，ＣＣＤカメラ２０４から構成される受光素子系２０
１と、内部にコンピュータを内蔵し画像イメージ処理が
可能な発光強度比画像処理系２０５とにより構成され
る。
示すようにプラズマ密度分布を測定する測定手段２００
と、制御手段３００とマイクロ波の出力の整合をとる整
合手段４００とから構成される。測定手段２００は、図
２に示すように集光レンズ２０２，干渉フィルター２０
３，ＣＣＤカメラ２０４から構成される受光素子系２０
１と、内部にコンピュータを内蔵し画像イメージ処理が
可能な発光強度比画像処理系２０５とにより構成され
る。
【０００９】制御手段３００は、測定手段２００の処理
結果に基づいて、マイクロ波発振器１５の操作用電流１
６，流量制御弁４６，圧力制御弁８０の調整が可能であ
る。
結果に基づいて、マイクロ波発振器１５の操作用電流１
６，流量制御弁４６，圧力制御弁８０の調整が可能であ
る。
【００１０】整合手段４００は、図３に示すように電流
検出器４０１，差分検出器４０２，マイクロ波出力制御
器４０３，整合器４０４とにより構成される。
検出器４０１，差分検出器４０２，マイクロ波出力制御
器４０３，整合器４０４とにより構成される。
【００１１】上記のように構成した装置により、マイク
ロ波発振器１５より発生した周波数、例えば、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波は、マイクロ波導波管２０内を進行
し窓３０を介してプラズマ発生室４０内に導かれる。プ
ラズマ発生室４０に導入された処理ガスにマイクロ波が
印加され、プラズマ発生室４０内にプラズマが発生す
る。プラズマ発生室４０と処理室６０の間にはアルミニ
ウム製の多孔板５０が設けてあり、マイクロ波が処理室
６０に進行するのを防止し、主にラジカル成分が処理室
６０に導かれるようにしてある。
ロ波発振器１５より発生した周波数、例えば、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波は、マイクロ波導波管２０内を進行
し窓３０を介してプラズマ発生室４０内に導かれる。プ
ラズマ発生室４０に導入された処理ガスにマイクロ波が
印加され、プラズマ発生室４０内にプラズマが発生す
る。プラズマ発生室４０と処理室６０の間にはアルミニ
ウム製の多孔板５０が設けてあり、マイクロ波が処理室
６０に進行するのを防止し、主にラジカル成分が処理室
６０に導かれるようにしてある。
【００１２】この場合、処理ガスに酸素ガスを用いたレ
ジストアッシング処理の場合について詳細に説明する。
プラズマ発生室４０に発生した酸素プラズマ光は、図２
に示した集光レンズ２０２、酸素ラジカル用の干渉フィ
ルター（波長７７７ｍｍ）２０３、ＣＣＤカメラ２０４
で構成される受光素子系２０１を通り、プラズマ面内の
分光強度比は電気信号に変換され、内部にコンピュータ
を内蔵する発光強度比画像処理系２０５によって酸素プ
ラズマ中における酸素ラジカル分布が測定される。
ジストアッシング処理の場合について詳細に説明する。
プラズマ発生室４０に発生した酸素プラズマ光は、図２
に示した集光レンズ２０２、酸素ラジカル用の干渉フィ
ルター（波長７７７ｍｍ）２０３、ＣＣＤカメラ２０４
で構成される受光素子系２０１を通り、プラズマ面内の
分光強度比は電気信号に変換され、内部にコンピュータ
を内蔵する発光強度比画像処理系２０５によって酸素プ
ラズマ中における酸素ラジカル分布が測定される。
【００１３】被処理物の均一化処理のためには被処理物
上に供給される酸素ラジカルが均一になることが重要と
なるため、測定されたラジカル分布測定結果をあらかじ
め許容されうる不均一なラジカル分布データと比較し
て、許容値以下となるように制御手段３００にてマイク
ロ波出力、処理圧力、処理ガス流量等を制御する。これ
により、充分均一なプラズマが生成される。その後、電
流検出器４０１によりマイクロ波の入反射電流が検出さ
れ、差分検出器４０２に入反射電流差が検出される。マ
イクロ波出力制御器４０３はこの差分検出器での検出量
を最小にすべく整合器のコントロールを行う。これによ
り、マイクロ波をプラズマに効率良く投入することがで
きるので、高密度プラズマが生成でき、処理の高速化が
できる。
上に供給される酸素ラジカルが均一になることが重要と
なるため、測定されたラジカル分布測定結果をあらかじ
め許容されうる不均一なラジカル分布データと比較し
て、許容値以下となるように制御手段３００にてマイク
ロ波出力、処理圧力、処理ガス流量等を制御する。これ
により、充分均一なプラズマが生成される。その後、電
流検出器４０１によりマイクロ波の入反射電流が検出さ
れ、差分検出器４０２に入反射電流差が検出される。マ
イクロ波出力制御器４０３はこの差分検出器での検出量
を最小にすべく整合器のコントロールを行う。これによ
り、マイクロ波をプラズマに効率良く投入することがで
きるので、高密度プラズマが生成でき、処理の高速化が
できる。
【００１４】以上、実施例によれば、高速、高均一プラ
ズマ処理を達成することが可能となる。
ズマ処理を達成することが可能となる。
【００１５】次に、本発明の第２の実施例を図４により
説明する。本図において図１と同符号は同一部材を示
し、説明を省略する。本図が図１と異なるところは、図
４に示す制御手段が、マイクロ波出力の整合手段を制御
できるように構成してあり、マイクロ波出力の整合を行
ないつつプラズマ操作因子を制御しプラズマの均一化を
行なえるようにしたものである。これにより、前記一実
施例と同様の効果があるとともに、前記一実施例よりも
効率的なマイクロ波出力下でのプラズマ処理が可能とな
るので、生成されるプラズマはさらに高密度となり被処
理物の処理が高速化できるという効果がある。
説明する。本図において図１と同符号は同一部材を示
し、説明を省略する。本図が図１と異なるところは、図
４に示す制御手段が、マイクロ波出力の整合手段を制御
できるように構成してあり、マイクロ波出力の整合を行
ないつつプラズマ操作因子を制御しプラズマの均一化を
行なえるようにしたものである。これにより、前記一実
施例と同様の効果があるとともに、前記一実施例よりも
効率的なマイクロ波出力下でのプラズマ処理が可能とな
るので、生成されるプラズマはさらに高密度となり被処
理物の処理が高速化できるという効果がある。
【００１６】次に、本発明の第３の実施例を図５により
説明する。本図において図１と同符号は同一部材を示
し、説明を省略する。図５に示す装置では、マイクロ波
の導波管が矩形導波管２０，円矩形導波管２２，円形導
波管２４で構成され、マイクロ波出力の整合手段を構成
する整合器を円形導波管２４に設けたものである。整合
器を円形導波管２４に設置することにより、整合器によ
ってマイクロ波出力の整合を行なうことはもとより被処
理物面上への電界分布も併せて制御することが可能とな
る。電界分布の制御についてはマイクロ波出力，処理圧
力，処理ガス流量を変えても制御が可能であるが、この
場合は被処理物の処理特性、例えば、処理速度などが変
化してしまう恐れがあるが、本実施例によればこれら因
子を変えることなく電界分布を制御することができるの
で被処理物の処理特性の安定化を図ることができるとい
う効果がある。
説明する。本図において図１と同符号は同一部材を示
し、説明を省略する。図５に示す装置では、マイクロ波
の導波管が矩形導波管２０，円矩形導波管２２，円形導
波管２４で構成され、マイクロ波出力の整合手段を構成
する整合器を円形導波管２４に設けたものである。整合
器を円形導波管２４に設置することにより、整合器によ
ってマイクロ波出力の整合を行なうことはもとより被処
理物面上への電界分布も併せて制御することが可能とな
る。電界分布の制御についてはマイクロ波出力，処理圧
力，処理ガス流量を変えても制御が可能であるが、この
場合は被処理物の処理特性、例えば、処理速度などが変
化してしまう恐れがあるが、本実施例によればこれら因
子を変えることなく電界分布を制御することができるの
で被処理物の処理特性の安定化を図ることができるとい
う効果がある。
【００１７】次に、本発明の第４の実施例を図６により
説明する。本図において図１と同符号は同一部材を示
し、説明を省略する。図６は磁界を発生しうるソレノイ
ドコイル１１０と被処理物に対してプラズマ処理時に高
周波電界によるイオン作用を付加する目的で高周波電源
を付加したマイクロ波プラズマ処理装置となっている。
この場合、制御手段３００ではソレノイドコイル１１０
へのコイル電流値も併せて制御できるようにしてあり、
プラズマ制御は始めにあらかじめ設定された範囲内でコ
イル電流値を制御し、その後マイクロ波出力，処理圧
力，処理ガス流量の因子を適切に制御するようにしてあ
る。本実施例によればコイル磁界とマイクロ波電界を併
用することにより、装置を大型化した場合においても高
密度でかつ高均一なプラズマが得られ大口径の被処理物
でも高速かつ高均一な処理ができるという効果がある。
なお、第４の実施例における磁場を用いたマイクロ波プ
ラズマ処理装置においても、前述した第２、第３の実施
例の構成を適切に組み合わせてよいことはいうまでもな
い。
説明する。本図において図１と同符号は同一部材を示
し、説明を省略する。図６は磁界を発生しうるソレノイ
ドコイル１１０と被処理物に対してプラズマ処理時に高
周波電界によるイオン作用を付加する目的で高周波電源
を付加したマイクロ波プラズマ処理装置となっている。
この場合、制御手段３００ではソレノイドコイル１１０
へのコイル電流値も併せて制御できるようにしてあり、
プラズマ制御は始めにあらかじめ設定された範囲内でコ
イル電流値を制御し、その後マイクロ波出力，処理圧
力，処理ガス流量の因子を適切に制御するようにしてあ
る。本実施例によればコイル磁界とマイクロ波電界を併
用することにより、装置を大型化した場合においても高
密度でかつ高均一なプラズマが得られ大口径の被処理物
でも高速かつ高均一な処理ができるという効果がある。
なお、第４の実施例における磁場を用いたマイクロ波プ
ラズマ処理装置においても、前述した第２、第３の実施
例の構成を適切に組み合わせてよいことはいうまでもな
い。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波によって生
成されるプラズマを高密度、高均一なプラズマにでき、
被処理物を高速で高均一に処理することができるという
効果がある。
成されるプラズマを高密度、高均一なプラズマにでき、
被処理物を高速で高均一に処理することができるという
効果がある。
【図１】図１は本発明の一実施例であるマイクロ波プラ
ズマ処理装置を示す構成図である。
ズマ処理装置を示す構成図である。
【図２】図２はプラズマ密度分布の測定手段部を示す構
成図である。
成図である。
【図３】図３は図１のマイクロ波出力の整合手段部を示
す構成図である。
す構成図である。
【図４】図４は第２の実施例であるマイクロ波プラズマ
処理装置を示す構成図である。
処理装置を示す構成図である。
【図５】図５は第３の実施例であるマイクロ波プラズマ
処理装置を示す構成図である。
処理装置を示す構成図である。
【図６】図６は第４の実施例であるマイクロ波プラズマ
処理装置を示す構成図である。
処理装置を示す構成図である。
１５……マイクロ波発振器、２０……マイマロ波導波
管、４０……プラズマ発生室、６０……処理室、９０…
…被処理物、２００……測定手段、３００……制御手
段、４００……整合手段。
管、４０……プラズマ発生室、６０……処理室、９０…
…被処理物、２００……測定手段、３００……制御手
段、４００……整合手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ // Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 8518−4Ｍ (72)発明者 川崎 義直 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 野尻 一男 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 半 導体設計開発センタ内 (72)発明者 石丸 公行 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内
Claims (7)
- 【請求項１】マイクロ波を真空容器内に導入して前記真
空容器内の処理ガスをプラズマ化し、被処理物をプラズ
マ処理するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記
真空容器内に生成したプラズマの密度分布を計測し、該
計測した結果に基づいてプラズマ操作因子を制御するこ
とを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法。 - 【請求項２】前記プラズマ密度分布の計測は、前記プラ
ズマの発光強度分布を計測して行なう請求項１記載のマ
イクロ波プラズマ処理方法。 - 【請求項３】前記発光強度分布の計測は、特定波長の発
光強度を計測して行なう請求項２記載のマイクロ波プラ
ズマ処理方法。 - 【請求項４】マイクロ波を真空容器内に導入して前記真
空容器内の処理ガスをプラズマ化し、被処理物をプラズ
マ処理するマイクロ波プラズマ処理装置において、前記
真空容器内のプラズマ密度分布を測定する測定手段と、
前記プラズマ密度分布の測定値によってマイクロ波出
力，処理圧力，処理ガス流量のいずれかまたは全てを制
御する制御手段と、前記マイクロ波の出力整合を行なう
整合手段とを具備したことを特徴とするマイクロ波プラ
ズマ処理装置。 - 【請求項５】前記測定手段はプラズマの発光強度を測定
してなる請求項４記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項６】前記測定手段は特定波長を選択するフィル
ターを有する請求項５記載のマイクロ波プラズマ処理装
置。 - 【請求項７】請求項４記載のマイクロ波プラズマ処理装
置において、ＥＣＲプラズマを発生させるソレノイドコ
イルを設け、前記制御手段によって前記ソレノイドコイ
ルへの電流を制御するマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240905A JPH0582289A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | マイクロ波プラズマ処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240905A JPH0582289A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | マイクロ波プラズマ処理方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582289A true JPH0582289A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17066422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240905A Pending JPH0582289A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | マイクロ波プラズマ処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582289A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024235A1 (fr) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Tokyo Electron Limited | Procede permettant de mesurer les ions negatifs dans un plasma, et procede et dispositif permettant de traiter un plasma |
| JP2006274420A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ成膜方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| JP2013171847A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマのモニタリング方法 |
| CN104566454A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 广东新优威印刷装备科技有限公司 | 一种锅炉点火方法 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240905A patent/JPH0582289A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024235A1 (fr) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Tokyo Electron Limited | Procede permettant de mesurer les ions negatifs dans un plasma, et procede et dispositif permettant de traiter un plasma |
| US6452400B1 (en) | 1998-10-20 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Method of measuring negative ion density of plasma and plasma processing method and apparatus for carrying out the same |
| JP2006274420A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ成膜方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| JP2013171847A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマのモニタリング方法 |
| CN104566454A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 广东新优威印刷装备科技有限公司 | 一种锅炉点火方法 |
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