JPS5924846A - ホトレジストの乾式現像法 - Google Patents
ホトレジストの乾式現像法Info
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- JPS5924846A JPS5924846A JP12356383A JP12356383A JPS5924846A JP S5924846 A JPS5924846 A JP S5924846A JP 12356383 A JP12356383 A JP 12356383A JP 12356383 A JP12356383 A JP 12356383A JP S5924846 A JPS5924846 A JP S5924846A
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- Japan
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- photoresist
- gas
- plasma
- maintained
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
集積回路ネ゛ノ造の１つの重要工程はシリコンウェハー
４二に形成したホトレノスト層の現像である。このよう
な現ｒ象
４二に形成したホトレノスト層の現像である。このよう
な現ｒ象
【二よりホトレノストは、そのマスクを介して
光源に対しあらかじめ露光することによってホトレジス
ト層に形成されたノミターンに応じてウェハから除去さ
れる。周知のように現像工８はウェハの各チップサイズ
面積に回路を完全に形成するまひに数回必要である。 １つの現像法によれば適当な手段によって現像終了まで
ホトレ・シストと反応させる現像液の使用が必要である
。この方法は時間を要し、液体を作用１させるための高
価な装置および薬品排液処理のため複雑な装置を必要と
する。 ホトレノストの湿式化学的現像に伴う問題を考慮して、
乾式薬品を使用する現像法が業界↑研兜されている。こ
の方法によればプラズマエツチング系に使用されるもの
と同様の技術が使用される。この方法の場合プラズマ発
生装置内に発生した反応性粒子（５ｐｅｃｉｅＳ ）
Ｐ、ｒホトレジストと化学的に反応して現像が行われる
。 乾式現像の１つの公知法によれば多数のウェハをプラズ
マの活性粒子が導入される円筒内に配置するバレルプラ
ズマ反応器技術が１吏用される。この方法により湿式化
学的現像に伴う多くの問題が解決されるけれど、なお欠
点が残る。 たとえばこの方法はパッチ法であり、すなわち多くのウ
ェハを同時に現像するので、現像の均一性がウェハごと
に変化する。それは各ウェハが異なり、たとえばホトレ
ジスト被覆の量および分布がウェハごとに異なり、活性
粒子の分布も不均一であることによる。さらにこのよう
なバレル系のプラズマ励起が不均一なためウエノ・ごと
の不均一性が生ずる。 別法としてパッチ式平面的反応器を使用するこさができ
る。しかしこの場合ウエノ・は高エネルギーイオン衝撃
にさらされ、露光部と未露光部の間の選択的現像が制限
される。 １時点１個の平面的反応器を使用するこ吉もできるけれ
ど、か々りのイオン衝撃がそのイ」加的生成物とともに
発生する。 本発明の方法によりイオン衝撃のない下流化学酌交１．
ｔ：器内の１時点１個のウエノ・現像によって前記欠点
が避けられる。各ウニ・・は個々に処理されるので、現
像の均一性が優れている。さらにウェハの熱吸いこみは
１時点で１個のウェハが現像室を占めている限り容易に
達成される。この現像室はただ１つのウエノ・を収容す
るために十分な大きさに形成することだけが必要である
。本発明によればウエノ・の処理は前記パッチ処理法よ
り高速である。 本発明はホトレジストの乾式現像法に関する。本発明の
方法を実施する場合プラズマは遠い位置に発生し、ガス
は現像すべきウェハへ送られ、活性粒子を現像児了１で
ウェハ上のホトレジストと化学的に１叉応させる。本発
明の方法はプラズマが実際の反応位置から離れた位置に
発生する下流エツチングの概念を使用するすべての代表
的プラズマエツチング系で実施することができる。この
方法によればプラズマ発生領域〒生ずるイオン衝撃のな
い純乾式化学反応である現像が可能である。イオン衝撃
（は露光および未露光ホトレ、）ストをほぼ同速度で除
去するので、本発明の方法により現像速度比が改善され
る。 詳細（二は本発明の方法は下流系のプラズマ発生領域を
介して特定速変で混合ガスを流し、プラズマ発生のため
系を適邑な出力および周波数に維持し、プラズマの活性
粒子をホトレ、シスト現像のためホトレジストと反応す
る現像領域へ輸送する過程からなる。各過程の・ξラメ
ータはこの方法を実施するために使用する系のそれぞれ
のタイプにより異なる。 次に図面により本発明の方法を実施しうる誘導結合系を
説明する。 図面には管構造ｌＯが示される。管構造１０は石英もし
くは同様の非伝導性ガラス、セラミックまたは耐熱性プ
ラスチック材料から製造することができる。賀構造はガ
ス人口１１およびガス出口１２を備える。 ガス人口１１は通常現像ガス源（図示せず）に接続され
、ガス出口１２はポンプまたは真空源に接続される。他
の装置（図示せず）により通常ガスの流入速度および排
ガスの流出速度が制御され、管構造内の圧力が所望の値
に維持される。このような流速および圧力制御装置は本
出願人によるＭｏ１ａｒ Ｇａｓ −Ｆｌｏｗ Ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｒ”の名称による米国特願第２２３１７５
号に記載される。 慣構造ＩＯは４つの脚１３，１４．１５および１６を有
し、これらの脚により孔１７を包囲する連続的閉鎖通路
が形成される。管構造はトロイｒ形である。主要特徴は
ガス放雷電流通路が１次および２次磁束を結合する中心
孔を包囲する完全なループ〒あることにある。 フェライトまたは同様の透磁性材料からなるトランスコ
ア１８は管構造の孔１７を貫通し、脚１５を包囲するよ
うに配置される。 １つまたは多数の巻回からなる１次コイル１９はコア１
８を中心にループを形成する。コア１８を中心に管構造
１ｏによって形成される連続的通路は２次コイルとして
作用し、それによってトランス２ｏが完成される。 １次コイル１９はスイッチ２１ａを介して交流電源２１
に接続するので、スイッチ２１ａを閉じると、２次電流
は脚１３，１４．１５および１６からなる連続的ループ
を流れる。この電流によりループ内にガスからプラズマ
が発生シ、たとえばシリコンウェハ上の膜のエツチング
を実施することが１きる。 以上は電源がプラズマ発生装置に誘導結合する系の説明
である。 容量結合したＲＦ放電またはマイクロ波励起放電のよう
な他の発生法も可能である。 図面の一実施例は主として発生したプラズマの反応性粒
子がプラズマ室から下流の離れたエツチングまたはスト
リッピング室へ輸送される下流エツチング捷たは現像用
に設定されている。 本発明の要旨は現像を完全にイオン衝撃なしに実施する
ことにある。イオン衝撃はレノストの惇光部および未霧
光部の間の化学的選択性を著しく低下する物理的ス・ξ
ツタリングを発生する。それゆえこの２つの部分の間の
大きい選択性を達成することができる。 図示の実施例によれば室２２の内部空間２３は出口１２
を介して管構造１０のプラズマ室２７と連絡する。室２
２の内部空間２３は通路２６を介してガスを排出するた
め通路２４を介してポンプ２５に接続され、空間２３お
よびプラズマ室２７内の圧力は現像に適する値に維持さ
れる。ポンプ２５はホトレジスト現像を実施する空間２
３へ空間２７内に発生した活性粒子を輸送するためにも
役立つ。室２２内にはホトレジストを現像するウェハ２
９を支持する支持台２８が配置される。支持台２８はウ
ェハ２９の熱吸いこみを形成するアルミニウムのような
熱伝導材料から製造することができる。これは現像速度
が湿質に依存するので重要である。それゆえウェハの均
−温変が望ましい。 前記装置は本出願人による米国特願５Ｎ２９８４１６号
に記載される。前記装置は本発明の方法を実施するため
にもつとも適するけれど、他の下流系も使用される。た
とえばプラズマ発生のためヘリカル共振器を使用する下
流エツチング系を１−１用することもできる。このよう
な系は本出願人による米国特願５Ｎ２９０２７０号に記
載される。 本発明の方法は特定のネガチブホトレノストたとえばＷ
ｉｌｍｉｎｇｔｏｎ、 ＋）ｅｌａｗａｒｅのＨｅｒｃ
ｕｌｅｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手されるＭＥＲ
−Ｄ−４７およびＭＥＦｔ −Ｄ −５０形ホトレクス
トの現像法として研究された。 図示の誘導系の場合４７ツ化炭素ＣＦ４と酸素０゜の混
合物が１次コイル１９へＲＦル源を接続することによっ
てプラズマが発生するプラズマ室２７へ入口】ｌを介し
て導入される。ガスの反応性粒子はポンプ２５の作用に
より室２３へ送られ、通路２６を介して排出される。宰
２３内の圧力な室２３へ入るガスの量と室から去るガス
の量によって制御される。 ホトレジスト現像の代表的作業・ξラメータの例によれ
ば系を１市る０２ およびＣＦ４の流速はそれぞれ１
５５および３３ ｃｍ” ／ 馴である。室２３内の作
業圧は４００ ｋＨｚにおける誘導放電への入力３００
ワツトで０．３５ ）ルに維持される。 このような例により４００／ｈｒ 以１−．のウエノ
・を１ウニ・・当り３０秒の平均現像時間ｆ現像するこ
とが〒きる。 前記にはＣＦ４をホトレジスト現像に使用するガスの１
つとして示したけれど、フッ素を発生するＣ、ＡＦｙグ
ループの任意のガスを使用しうることが指摘される。た
とえばＣ２Ｆ６をＣＦ２Ｏ）［（りに使用することがで
きる。 前記例では代表的作業パラメータを示したけれど、系は
・Ｐラメータが次の範囲にある場合洩好な結果を与える
。ガスの流れ（ｄｏ２ Ｉｏｎ〜１０００ ｃｍ３／調
、 ＣＦ、 Ｉ Ｏ〜５００ ＣＦ３７ ｍｉｎの範囲
が効果的である。現像室内の圧力・ｄ（１，１〜１トル
の範囲内である。ＲＦＱ生］１、力はＲＦの周波数ｌＯ
〜２７ｋＨ２で１ｏＯ〜１ｏｏｏワツトにわたる。ＣＦ
４：０２ の神々の比を使用することができる。この実
施例の場合０．、 ： ＣＦ４の比４．５〜１がとくに
有効なことが明らかになった。 前記米国特願５Ｎ２９０２７０に記載のヘリカル共振器
系の場合、ホトレジスト現像の代表的作業・♀ラメータ
１ｄＣＦ および０２ の流速それぞれ１５および
１５５ ＣＦ３７ ｗｉｎである。系内の作業圧は１３
．５６ ＭＨｚにおける共振器放電への入力３００ワツ
トで０．３５ ）ルに維持される。 下流法の独特の特徴は現像の間ビームさホトレジストの
反応により光を放出することである。 現像過程の終了は除去すべきホトレ、レストと反応する
ガスの活性粒子の副生成物として生ずる光線放出の停止
により決定される。光線放出が停止したとき、活性粒子
が反応するホトレノストが除去されたので、現像完了子
ある。ホトレジスト現像の間に放出される光のスぽクト
ルに感する光検知器を、現像過程終了を検出するため適
当なフィルタとともに使用することができる。光検知器
は、方法の終了を指示し、系から使用したガスを排出さ
せ、現像したウエノ・を新たな未現像ウエノ・と置替え
た後方法を開始させる他の装置と関連して使用するとさ
ができる。 本発明の油の変化は前記説明を参照すれば可能であり、
前記説明は特許請求の範囲を超えて本発明を制限するも
のではない。
光源に対しあらかじめ露光することによってホトレジス
ト層に形成されたノミターンに応じてウェハから除去さ
れる。周知のように現像工８はウェハの各チップサイズ
面積に回路を完全に形成するまひに数回必要である。 １つの現像法によれば適当な手段によって現像終了まで
ホトレ・シストと反応させる現像液の使用が必要である
。この方法は時間を要し、液体を作用１させるための高
価な装置および薬品排液処理のため複雑な装置を必要と
する。 ホトレノストの湿式化学的現像に伴う問題を考慮して、
乾式薬品を使用する現像法が業界↑研兜されている。こ
の方法によればプラズマエツチング系に使用されるもの
と同様の技術が使用される。この方法の場合プラズマ発
生装置内に発生した反応性粒子（５ｐｅｃｉｅＳ ）
Ｐ、ｒホトレジストと化学的に反応して現像が行われる
。 乾式現像の１つの公知法によれば多数のウェハをプラズ
マの活性粒子が導入される円筒内に配置するバレルプラ
ズマ反応器技術が１吏用される。この方法により湿式化
学的現像に伴う多くの問題が解決されるけれど、なお欠
点が残る。 たとえばこの方法はパッチ法であり、すなわち多くのウ
ェハを同時に現像するので、現像の均一性がウェハごと
に変化する。それは各ウェハが異なり、たとえばホトレ
ジスト被覆の量および分布がウェハごとに異なり、活性
粒子の分布も不均一であることによる。さらにこのよう
なバレル系のプラズマ励起が不均一なためウエノ・ごと
の不均一性が生ずる。 別法としてパッチ式平面的反応器を使用するこさができ
る。しかしこの場合ウエノ・は高エネルギーイオン衝撃
にさらされ、露光部と未露光部の間の選択的現像が制限
される。 １時点１個の平面的反応器を使用するこ吉もできるけれ
ど、か々りのイオン衝撃がそのイ」加的生成物とともに
発生する。 本発明の方法によりイオン衝撃のない下流化学酌交１．
ｔ：器内の１時点１個のウエノ・現像によって前記欠点
が避けられる。各ウニ・・は個々に処理されるので、現
像の均一性が優れている。さらにウェハの熱吸いこみは
１時点で１個のウェハが現像室を占めている限り容易に
達成される。この現像室はただ１つのウエノ・を収容す
るために十分な大きさに形成することだけが必要である
。本発明によればウエノ・の処理は前記パッチ処理法よ
り高速である。 本発明はホトレジストの乾式現像法に関する。本発明の
方法を実施する場合プラズマは遠い位置に発生し、ガス
は現像すべきウェハへ送られ、活性粒子を現像児了１で
ウェハ上のホトレジストと化学的に１叉応させる。本発
明の方法はプラズマが実際の反応位置から離れた位置に
発生する下流エツチングの概念を使用するすべての代表
的プラズマエツチング系で実施することができる。この
方法によればプラズマ発生領域〒生ずるイオン衝撃のな
い純乾式化学反応である現像が可能である。イオン衝撃
（は露光および未露光ホトレ、）ストをほぼ同速度で除
去するので、本発明の方法により現像速度比が改善され
る。 詳細（二は本発明の方法は下流系のプラズマ発生領域を
介して特定速変で混合ガスを流し、プラズマ発生のため
系を適邑な出力および周波数に維持し、プラズマの活性
粒子をホトレ、シスト現像のためホトレジストと反応す
る現像領域へ輸送する過程からなる。各過程の・ξラメ
ータはこの方法を実施するために使用する系のそれぞれ
のタイプにより異なる。 次に図面により本発明の方法を実施しうる誘導結合系を
説明する。 図面には管構造ｌＯが示される。管構造１０は石英もし
くは同様の非伝導性ガラス、セラミックまたは耐熱性プ
ラスチック材料から製造することができる。賀構造はガ
ス人口１１およびガス出口１２を備える。 ガス人口１１は通常現像ガス源（図示せず）に接続され
、ガス出口１２はポンプまたは真空源に接続される。他
の装置（図示せず）により通常ガスの流入速度および排
ガスの流出速度が制御され、管構造内の圧力が所望の値
に維持される。このような流速および圧力制御装置は本
出願人によるＭｏ１ａｒ Ｇａｓ −Ｆｌｏｗ Ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｒ”の名称による米国特願第２２３１７５
号に記載される。 慣構造ＩＯは４つの脚１３，１４．１５および１６を有
し、これらの脚により孔１７を包囲する連続的閉鎖通路
が形成される。管構造はトロイｒ形である。主要特徴は
ガス放雷電流通路が１次および２次磁束を結合する中心
孔を包囲する完全なループ〒あることにある。 フェライトまたは同様の透磁性材料からなるトランスコ
ア１８は管構造の孔１７を貫通し、脚１５を包囲するよ
うに配置される。 １つまたは多数の巻回からなる１次コイル１９はコア１
８を中心にループを形成する。コア１８を中心に管構造
１ｏによって形成される連続的通路は２次コイルとして
作用し、それによってトランス２ｏが完成される。 １次コイル１９はスイッチ２１ａを介して交流電源２１
に接続するので、スイッチ２１ａを閉じると、２次電流
は脚１３，１４．１５および１６からなる連続的ループ
を流れる。この電流によりループ内にガスからプラズマ
が発生シ、たとえばシリコンウェハ上の膜のエツチング
を実施することが１きる。 以上は電源がプラズマ発生装置に誘導結合する系の説明
である。 容量結合したＲＦ放電またはマイクロ波励起放電のよう
な他の発生法も可能である。 図面の一実施例は主として発生したプラズマの反応性粒
子がプラズマ室から下流の離れたエツチングまたはスト
リッピング室へ輸送される下流エツチング捷たは現像用
に設定されている。 本発明の要旨は現像を完全にイオン衝撃なしに実施する
ことにある。イオン衝撃はレノストの惇光部および未霧
光部の間の化学的選択性を著しく低下する物理的ス・ξ
ツタリングを発生する。それゆえこの２つの部分の間の
大きい選択性を達成することができる。 図示の実施例によれば室２２の内部空間２３は出口１２
を介して管構造１０のプラズマ室２７と連絡する。室２
２の内部空間２３は通路２６を介してガスを排出するた
め通路２４を介してポンプ２５に接続され、空間２３お
よびプラズマ室２７内の圧力は現像に適する値に維持さ
れる。ポンプ２５はホトレジスト現像を実施する空間２
３へ空間２７内に発生した活性粒子を輸送するためにも
役立つ。室２２内にはホトレジストを現像するウェハ２
９を支持する支持台２８が配置される。支持台２８はウ
ェハ２９の熱吸いこみを形成するアルミニウムのような
熱伝導材料から製造することができる。これは現像速度
が湿質に依存するので重要である。それゆえウェハの均
−温変が望ましい。 前記装置は本出願人による米国特願５Ｎ２９８４１６号
に記載される。前記装置は本発明の方法を実施するため
にもつとも適するけれど、他の下流系も使用される。た
とえばプラズマ発生のためヘリカル共振器を使用する下
流エツチング系を１−１用することもできる。このよう
な系は本出願人による米国特願５Ｎ２９０２７０号に記
載される。 本発明の方法は特定のネガチブホトレノストたとえばＷ
ｉｌｍｉｎｇｔｏｎ、 ＋）ｅｌａｗａｒｅのＨｅｒｃ
ｕｌｅｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手されるＭＥＲ
−Ｄ−４７およびＭＥＦｔ −Ｄ −５０形ホトレクス
トの現像法として研究された。 図示の誘導系の場合４７ツ化炭素ＣＦ４と酸素０゜の混
合物が１次コイル１９へＲＦル源を接続することによっ
てプラズマが発生するプラズマ室２７へ入口】ｌを介し
て導入される。ガスの反応性粒子はポンプ２５の作用に
より室２３へ送られ、通路２６を介して排出される。宰
２３内の圧力な室２３へ入るガスの量と室から去るガス
の量によって制御される。 ホトレジスト現像の代表的作業・ξラメータの例によれ
ば系を１市る０２ およびＣＦ４の流速はそれぞれ１
５５および３３ ｃｍ” ／ 馴である。室２３内の作
業圧は４００ ｋＨｚにおける誘導放電への入力３００
ワツトで０．３５ ）ルに維持される。 このような例により４００／ｈｒ 以１−．のウエノ
・を１ウニ・・当り３０秒の平均現像時間ｆ現像するこ
とが〒きる。 前記にはＣＦ４をホトレジスト現像に使用するガスの１
つとして示したけれど、フッ素を発生するＣ、ＡＦｙグ
ループの任意のガスを使用しうることが指摘される。た
とえばＣ２Ｆ６をＣＦ２Ｏ）［（りに使用することがで
きる。 前記例では代表的作業パラメータを示したけれど、系は
・Ｐラメータが次の範囲にある場合洩好な結果を与える
。ガスの流れ（ｄｏ２ Ｉｏｎ〜１０００ ｃｍ３／調
、 ＣＦ、 Ｉ Ｏ〜５００ ＣＦ３７ ｍｉｎの範囲
が効果的である。現像室内の圧力・ｄ（１，１〜１トル
の範囲内である。ＲＦＱ生］１、力はＲＦの周波数ｌＯ
〜２７ｋＨ２で１ｏＯ〜１ｏｏｏワツトにわたる。ＣＦ
４：０２ の神々の比を使用することができる。この実
施例の場合０．、 ： ＣＦ４の比４．５〜１がとくに
有効なことが明らかになった。 前記米国特願５Ｎ２９０２７０に記載のヘリカル共振器
系の場合、ホトレジスト現像の代表的作業・♀ラメータ
１ｄＣＦ および０２ の流速それぞれ１５および
１５５ ＣＦ３７ ｗｉｎである。系内の作業圧は１３
．５６ ＭＨｚにおける共振器放電への入力３００ワツ
トで０．３５ ）ルに維持される。 下流法の独特の特徴は現像の間ビームさホトレジストの
反応により光を放出することである。 現像過程の終了は除去すべきホトレ、レストと反応する
ガスの活性粒子の副生成物として生ずる光線放出の停止
により決定される。光線放出が停止したとき、活性粒子
が反応するホトレノストが除去されたので、現像完了子
ある。ホトレジスト現像の間に放出される光のスぽクト
ルに感する光検知器を、現像過程終了を検出するため適
当なフィルタとともに使用することができる。光検知器
は、方法の終了を指示し、系から使用したガスを排出さ
せ、現像したウエノ・を新たな未現像ウエノ・と置替え
た後方法を開始させる他の装置と関連して使用するとさ
ができる。 本発明の油の変化は前記説明を参照すれば可能であり、
前記説明は特許請求の範囲を超えて本発明を制限するも
のではない。
図面は本発明の方法を実施する装置の略示図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フッ素発生ガスおよび酸素または酸素含有ガスをプ
ラズマ発生領域に導入し、 このプラズマ発生領域内にガスのプラズマを発生させ、 このガスをプラズマ発生領域から離れたホトレジスト現
像領域へ輸送し、 ホトレジスト被覆したウエノ・をホトレジスト現像領域
に配置し、ここでガスがこのウェハからホトレジストの
選択した部分を化学的（二除去し、 ホトレノストに対するガスの化学反応の終了を検知し、 現像領域内の１モカを所定範囲内に維持することを特徴
とするホトレノストの乾式現像法。 ２、 ＲＦ軍源をプラズマ発生領域へ誘導結合する特
許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、 誘導結合するＲＦ主電源周波数がｌ Ｏｋ）（ｚ
〜Ｉ ＭＨｚである特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４、 プラズマ発生領域へ適用する電力が１００〜１０
００ワツトである特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５ フッ素発生ガスが４７ツ化炭素である特許請求の範
囲第１項記載の方法。 ６４７ツ化炭素の流速がｌ Ｏ〜５００ ｒｒｙｒ３／
ｍｌｎ、１峻素の流速が１００〜１０００ｒ１ｎ３／罷
で、ｂるギｒ許請求の範囲第５項記載の方法。 ７ 酸素と４フツ化炭素の流量比が４．５である特許請
求の範囲第６項記載の方法。 ８、 現像領域の圧力を０．３５ ）ルに維持し、ＲＦ
大入力周波数を４θＱ ｋＨｚに維持し、プラズマ発生
領域に適用する入力を３００ワツトに維持し７、酸素お
よび４フツ化炭素の流速をそれぞれ１５５ ｃｍ３／
ｍｔｎおよび３３ ｔｙｎ３／ ｍ＝ （二維持する特
許請求の範囲第２項記載の方法。 ９、ＲＦ’眠源をプラズマ発生領域へヘリカル共振器に
よって結合する特許請求の範囲第１項記載の方法。 １０ 現像領域の圧力をｏ、３５トルに維持し、ＲＦ
大入力周波数を１３．５６ ＭＨｚに維持し、プラズマ
発＋４＝領域へ適用する入力を３００７ツトζ二維持し
、 ４フツ化炭素および酸素の流速をｌ ５ｃｒｎ”％＃お
よび１５５ ｒｍ／ ｍａｎに維持する特許請求の範囲
第９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40324282A | 1982-07-26 | 1982-07-26 | |
| US403242 | 1982-07-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924846A true JPS5924846A (ja) | 1984-02-08 |
Family
ID=23595048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12356383A Pending JPS5924846A (ja) | 1982-07-26 | 1983-07-08 | ホトレジストの乾式現像法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0100079A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5924846A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
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