JPH09192479A - プラズマ処理装置および方法 - Google Patents
プラズマ処理装置および方法Info
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- JPH09192479A JPH09192479A JP8087614A JP8761496A JPH09192479A JP H09192479 A JPH09192479 A JP H09192479A JP 8087614 A JP8087614 A JP 8087614A JP 8761496 A JP8761496 A JP 8761496A JP H09192479 A JPH09192479 A JP H09192479A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の処理ガスを用いた場合であっても、同
一圧力条件下で各処理ガスの電子温度を高精度に制御す
る。 【解決手段】 本発明によれば、個別独立にパルス変調
制御可能な複数の高周波電界、例えばマイクロ波プラズ
マ（３、４）と誘導結合プラズマ（１０、１２）を用い
て、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異な
る高周波電界をパルス変調することにより、各処理ガス
の電子温度、電子密度の高精度の制御が可能となり、各
ガスに対して最適な電子温度、電子密度を選択すること
により、重要なラジカルを効率的に基板上に導入でき
る。
一圧力条件下で各処理ガスの電子温度を高精度に制御す
る。 【解決手段】 本発明によれば、個別独立にパルス変調
制御可能な複数の高周波電界、例えばマイクロ波プラズ
マ（３、４）と誘導結合プラズマ（１０、１２）を用い
て、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異な
る高周波電界をパルス変調することにより、各処理ガス
の電子温度、電子密度の高精度の制御が可能となり、各
ガスに対して最適な電子温度、電子密度を選択すること
により、重要なラジカルを効率的に基板上に導入でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
および方法に関する。
および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、マイクロ波
などを印加して得られる高周波電界により励起される反
応性プラズマを用いて、半導体ウェハやＬＣＤ用ガラス
基板など被処理体に対して、薄膜形成やエッチング加工
が行われている。これらのプラズマ処理工程では、反応
性プラズマ中のラジカルが重要な役割を果たしている。
そして、近年、要求される加工精度が高度に微細化する
につれ、反応性プラズマ中のラジカルをより高精度にか
つ高速に制御する技術が要求されている。
などを印加して得られる高周波電界により励起される反
応性プラズマを用いて、半導体ウェハやＬＣＤ用ガラス
基板など被処理体に対して、薄膜形成やエッチング加工
が行われている。これらのプラズマ処理工程では、反応
性プラズマ中のラジカルが重要な役割を果たしている。
そして、近年、要求される加工精度が高度に微細化する
につれ、反応性プラズマ中のラジカルをより高精度にか
つ高速に制御する技術が要求されている。
【０００３】しかしながら、処理ガスとして他種類の反
応性ガスを用いた薄膜形成やエッチング加工では、用い
る処理ガスの断面積がエネルギー依存性を有するため効
率的に重要なラジカルを生成したり制御することが困難
である。かかる点を改善するために、各処理ガスに対し
て、各々周波数などの異なるプラズマを用いることによ
り対応する方法が提案さている。しかし、同一圧力条件
下において複数の処理ガスにより生成されたプラズマの
電子温度を高精度に制御することは困難であり、従っ
て、反応性プラズマ中のラジカルを高精度に制御するこ
とが困難であった。また、従来の構成により、反応性プ
ラズマの電子温度や電子密度を高精度に制御するために
は、装置構成が複雑とならざるを得なかった。
応性ガスを用いた薄膜形成やエッチング加工では、用い
る処理ガスの断面積がエネルギー依存性を有するため効
率的に重要なラジカルを生成したり制御することが困難
である。かかる点を改善するために、各処理ガスに対し
て、各々周波数などの異なるプラズマを用いることによ
り対応する方法が提案さている。しかし、同一圧力条件
下において複数の処理ガスにより生成されたプラズマの
電子温度を高精度に制御することは困難であり、従っ
て、反応性プラズマ中のラジカルを高精度に制御するこ
とが困難であった。また、従来の構成により、反応性プ
ラズマの電子温度や電子密度を高精度に制御するために
は、装置構成が複雑とならざるを得なかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のプラ
ズマ処理装置および方法が有する、上記のような問題点
に鑑みて成されたものであり、同一圧力条件下におい
て、複数の処理ガスを用いた場合であっても、各処理ガ
スに応じて生成する反応性プラズマおよび／またはリモ
ートプラズマ中の電子密度および電子温度を高精度に制
御することが可能であり、従って、プロセスにとって重
要なラジカルを効率的に且つ簡易な手段により被処理体
の処理面に対して供給することが可能な、新規かつ改良
されたプラズマ処理装置および方法を提供することであ
る。
ズマ処理装置および方法が有する、上記のような問題点
に鑑みて成されたものであり、同一圧力条件下におい
て、複数の処理ガスを用いた場合であっても、各処理ガ
スに応じて生成する反応性プラズマおよび／またはリモ
ートプラズマ中の電子密度および電子温度を高精度に制
御することが可能であり、従って、プロセスにとって重
要なラジカルを効率的に且つ簡易な手段により被処理体
の処理面に対して供給することが可能な、新規かつ改良
されたプラズマ処理装置および方法を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、高周波電界により複
数種類の処理ガスをプラズマ化して被処理体を処理する
プラズマ処理方法が提供される。そして、本プラズマ処
理方法は、請求項１に記載のように、個別独立にパルス
変調制御可能な複数の高周波電界を用いて、同一圧力下
において、処理ガスの種類に応じて異なる高周波電界を
パルス変調することを特徴としている。かかる処理を行
う際に、請求項２に記載のように、処理ガスの種類に応
じて異なる電子温度の反応性プラズマおよび／またはリ
モートプラズマを生成するようにパルス変調を行うこと
が好ましい。また、請求項３に記載のように、電子温度
の高い反応性プラズマおよび／またはリモートプラズマ
ほど、被処理体の処理面よりも離隔した位置で生成して
処理を行うことが好ましい。かかる処理方法によれば、
各処理ガスに応じて最適な電子温度および電子密度を選
択することが可能となるので、重要なラジカルを効率的
に被処理体に対して供給することができる。従って、被
処理体を反応性プラズマから離れた、主としてリモート
プラズマ中に置き、そのラジカルにより被処理体を処理
場合にも好適に適用することができる。
に、本発明の第１の観点によれば、高周波電界により複
数種類の処理ガスをプラズマ化して被処理体を処理する
プラズマ処理方法が提供される。そして、本プラズマ処
理方法は、請求項１に記載のように、個別独立にパルス
変調制御可能な複数の高周波電界を用いて、同一圧力下
において、処理ガスの種類に応じて異なる高周波電界を
パルス変調することを特徴としている。かかる処理を行
う際に、請求項２に記載のように、処理ガスの種類に応
じて異なる電子温度の反応性プラズマおよび／またはリ
モートプラズマを生成するようにパルス変調を行うこと
が好ましい。また、請求項３に記載のように、電子温度
の高い反応性プラズマおよび／またはリモートプラズマ
ほど、被処理体の処理面よりも離隔した位置で生成して
処理を行うことが好ましい。かかる処理方法によれば、
各処理ガスに応じて最適な電子温度および電子密度を選
択することが可能となるので、重要なラジカルを効率的
に被処理体に対して供給することができる。従って、被
処理体を反応性プラズマから離れた、主としてリモート
プラズマ中に置き、そのラジカルにより被処理体を処理
場合にも好適に適用することができる。
【０００６】さらに、上記処理を行うに際して、請求項
３に記載のように、反応性プラズマおよび／またはリモ
ートプラズマ中の粒子密度および／または組成を赤外吸
収分光法により計測し、その計測値に応じて、各高周波
電界に加えられるパルス変調を調整するように構成すれ
ば、リアルタイムで高精度にラジカルの制御を行うこと
が可能となる。
３に記載のように、反応性プラズマおよび／またはリモ
ートプラズマ中の粒子密度および／または組成を赤外吸
収分光法により計測し、その計測値に応じて、各高周波
電界に加えられるパルス変調を調整するように構成すれ
ば、リアルタイムで高精度にラジカルの制御を行うこと
が可能となる。
【０００７】上記課題を解決するための本発明の第２の
観点は、複数のプラズマ源により複数の処理ガスをプラ
ズマ化して、所定圧力に保持された処理室内に載置され
た被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関す
るものである。このプラズマ処理装置は、請求項４に記
載のように、各プラズマ源に個別独立に制御可能なパル
ス変調手段を設け、そのパルス変調手段により、処理ガ
スの種類に応じて異なるプラズマ源に対して異なるパル
ス変調を行うように構成している。その際に、請求項５
に記載のように、各プラズマ源を処理室の異なる位置に
配置し、処理ガスを各プラズマ源の近傍において個別独
立に処理室内に供給するように構成すれば、各処理ガス
により生成される反応性プラズマおよび／またはリモー
トプラズマの電子温度をより効率的に制御することがで
きる。
観点は、複数のプラズマ源により複数の処理ガスをプラ
ズマ化して、所定圧力に保持された処理室内に載置され
た被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関す
るものである。このプラズマ処理装置は、請求項４に記
載のように、各プラズマ源に個別独立に制御可能なパル
ス変調手段を設け、そのパルス変調手段により、処理ガ
スの種類に応じて異なるプラズマ源に対して異なるパル
ス変調を行うように構成している。その際に、請求項５
に記載のように、各プラズマ源を処理室の異なる位置に
配置し、処理ガスを各プラズマ源の近傍において個別独
立に処理室内に供給するように構成すれば、各処理ガス
により生成される反応性プラズマおよび／またはリモー
トプラズマの電子温度をより効率的に制御することがで
きる。
【０００８】また、上記プラズマ処理装置に、請求項６
に記載のように、処理室内の反応性プラズマに所定波長
の赤外光を照射し、その反応性プラズマおよび／または
リモートプラズマを通過した赤外光を検出することによ
り、反応性プラズマおよび／またはリモートプラズマ中
の粒子密度および／または組成を測定する赤外吸収分光
手段と、その赤外吸収分光手段の測定値に応じて、各プ
ラズマ源に加えられるパルス変調を調整する制御器とを
設けることにより、リアルタイムで高精度にラジカルの
制御を行うことが可能となる。
に記載のように、処理室内の反応性プラズマに所定波長
の赤外光を照射し、その反応性プラズマおよび／または
リモートプラズマを通過した赤外光を検出することによ
り、反応性プラズマおよび／またはリモートプラズマ中
の粒子密度および／または組成を測定する赤外吸収分光
手段と、その赤外吸収分光手段の測定値に応じて、各プ
ラズマ源に加えられるパルス変調を調整する制御器とを
設けることにより、リアルタイムで高精度にラジカルの
制御を行うことが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら、
本発明にかかるプラズマ処理装置および方法をマイクロ
波を利用したＥＣＲプラズマ処理装置に適用した実施の
一形態について詳細に説明する。
本発明にかかるプラズマ処理装置および方法をマイクロ
波を利用したＥＣＲプラズマ処理装置に適用した実施の
一形態について詳細に説明する。
【００１０】図１に本発明を適用したＥＣＲプラズマ処
理装置の構成の一例を示す。同図中、１は、処理室を形
成する真空容器であり、この真空容器１の上部には、第
１のプラズマ源として、マイクロ波によるＥＣＲ放電を
発生する放電室２が連結されている。放電室２には、例
えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入するための導波
管３が石英などの誘電体から成る窓３ａを介して接続さ
れている。さらに、導波管３はマイクロ波電源４に接続
されている。マイクロ波電源４は、パルス発生装置５に
接続され、これによりその出力はパルス状波形から連続
波形まで任意に制御可能である。また、例えばＨｅ等の
不活性ガス、水素（Ｈ２）および三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ３）等の第１の反応性ガス（Ａ）を導入するための第
１の導入口６が放電室２に取り付けられている。７は放
電室２の外壁を水冷するために設けられた冷却機構であ
り、冷却機構７の外側には、磁気コイル８が放電室２を
取囲んで取り付けられている。かかる構成によれば、導
波管３を介して放電室２にマイクロ波を導入することに
より、放電室２において放電が生起し、その放電中で電
子がサイクロトロン運動するように磁気コイル８によ
り、例えば８７５ガウス程度の磁界が与えられて高密度
のプラズマが生成される。
理装置の構成の一例を示す。同図中、１は、処理室を形
成する真空容器であり、この真空容器１の上部には、第
１のプラズマ源として、マイクロ波によるＥＣＲ放電を
発生する放電室２が連結されている。放電室２には、例
えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入するための導波
管３が石英などの誘電体から成る窓３ａを介して接続さ
れている。さらに、導波管３はマイクロ波電源４に接続
されている。マイクロ波電源４は、パルス発生装置５に
接続され、これによりその出力はパルス状波形から連続
波形まで任意に制御可能である。また、例えばＨｅ等の
不活性ガス、水素（Ｈ２）および三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ３）等の第１の反応性ガス（Ａ）を導入するための第
１の導入口６が放電室２に取り付けられている。７は放
電室２の外壁を水冷するために設けられた冷却機構であ
り、冷却機構７の外側には、磁気コイル８が放電室２を
取囲んで取り付けられている。かかる構成によれば、導
波管３を介して放電室２にマイクロ波を導入することに
より、放電室２において放電が生起し、その放電中で電
子がサイクロトロン運動するように磁気コイル８によ
り、例えば８７５ガウス程度の磁界が与えられて高密度
のプラズマが生成される。
【００１１】一方、真空容器１の側壁の一部は石英など
の誘電体製の環状帯体９から構成され、この環状帯体９
の外側を囲むように高周波アンテナ１０が配されてい
る。この高周波アンテナ１０には、マッチング回路１１
を介して高周波電源１２が接続されている。この高周波
電源１２は、パルス発生装置１３に接続され、これによ
りその出力はパルス状波形から連続波形まで任意に制御
可能である。この高周波アンテナ１０は、第２のプラズ
マ源として誘導結合プラズマを真空容器１内に励起する
ものである。なお図示の例では、１ターンの高周波アン
テナ１０を環状帯体９の外側に配しているが、もちろ
ん、数ターンの高周波アンテナを配するように構成する
ことも可能である。
の誘電体製の環状帯体９から構成され、この環状帯体９
の外側を囲むように高周波アンテナ１０が配されてい
る。この高周波アンテナ１０には、マッチング回路１１
を介して高周波電源１２が接続されている。この高周波
電源１２は、パルス発生装置１３に接続され、これによ
りその出力はパルス状波形から連続波形まで任意に制御
可能である。この高周波アンテナ１０は、第２のプラズ
マ源として誘導結合プラズマを真空容器１内に励起する
ものである。なお図示の例では、１ターンの高周波アン
テナ１０を環状帯体９の外側に配しているが、もちろ
ん、数ターンの高周波アンテナを配するように構成する
ことも可能である。
【００１２】また、真空容器１の内部には、電極として
の載置台１４が設置され、この載置台１４上に静電チャ
ック１５などの吸着手段を介して被処理体Ｗとしてのウ
ェハ等が載置されている。静電チャック１５はポリイミ
ド樹脂などの絶縁材料製の薄膜間に板状電極１５ａを介
装したもので、この電極１５ａに電源１５ｂより直流の
高圧電流を印加することにより、被処理体Ｗをクーロン
力により吸着できるものである。また、載置台１４に
は、液体窒素を循環させることが可能な冷却ジャケット
などの冷却装置１６やヒータ１７などから成る温調手段
が設けられており、被処理体Ｗを所望の温度に温調する
ことができる。１８は、伝熱ガス供給機構であり、静電
チャック１０に穿設された複数の孔からヘリウムなどの
バッククーリングガスを被処理体Ｗの裏面に供給するこ
とにより、載置台１４から被処理体Ｗに至る伝熱の効率
を高めるための機構である。
の載置台１４が設置され、この載置台１４上に静電チャ
ック１５などの吸着手段を介して被処理体Ｗとしてのウ
ェハ等が載置されている。静電チャック１５はポリイミ
ド樹脂などの絶縁材料製の薄膜間に板状電極１５ａを介
装したもので、この電極１５ａに電源１５ｂより直流の
高圧電流を印加することにより、被処理体Ｗをクーロン
力により吸着できるものである。また、載置台１４に
は、液体窒素を循環させることが可能な冷却ジャケット
などの冷却装置１６やヒータ１７などから成る温調手段
が設けられており、被処理体Ｗを所望の温度に温調する
ことができる。１８は、伝熱ガス供給機構であり、静電
チャック１０に穿設された複数の孔からヘリウムなどの
バッククーリングガスを被処理体Ｗの裏面に供給するこ
とにより、載置台１４から被処理体Ｗに至る伝熱の効率
を高めるための機構である。
【００１３】載置台１４には、マッチング回路１９を介
してバイアス用高周波電力印加用の高周波電源２０が接
続されている。高周波電源２０には、パルス発生装置２
１が接続され、これにより高周波電源２０の高周波出力
はパルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であ
る。従って、この電極１４には、上記高周波の印加によ
りマイナス数１０〜マイナス３００Ｖ程度のバイアスが
生じる。また、真空容器１には、第２の処理ガスとし
て、例えばオクタフルオロブタン（Ｃ４Ｆ８）等の反応
性ガス（Ｂ）を導入するための第２の導入口２２が取り
付けられるとともに、不図示の真空ポンプなどの真空排
気装置に通じる排気管１８ａが接続されている。第１お
よび第２のガス導入口６、２２から異なる種類の第１お
よび第２の原料ガスが一定量導入されるとともに、排気
管１８ａを介して排気を行うことにより、装置真空容器
１および放電室２内は、所定のガス圧力に保たれる。
してバイアス用高周波電力印加用の高周波電源２０が接
続されている。高周波電源２０には、パルス発生装置２
１が接続され、これにより高周波電源２０の高周波出力
はパルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であ
る。従って、この電極１４には、上記高周波の印加によ
りマイナス数１０〜マイナス３００Ｖ程度のバイアスが
生じる。また、真空容器１には、第２の処理ガスとし
て、例えばオクタフルオロブタン（Ｃ４Ｆ８）等の反応
性ガス（Ｂ）を導入するための第２の導入口２２が取り
付けられるとともに、不図示の真空ポンプなどの真空排
気装置に通じる排気管１８ａが接続されている。第１お
よび第２のガス導入口６、２２から異なる種類の第１お
よび第２の原料ガスが一定量導入されるとともに、排気
管１８ａを介して排気を行うことにより、装置真空容器
１および放電室２内は、所定のガス圧力に保たれる。
【００１４】さらに、処理容器１の光透過製の環状帯体
９の外側には、所定波長の赤外半導体レーザを出射する
レーザ光源２３ａと、このレーザ光源２３ａから出射さ
れ真空処理容器１内を（従って、反応性プラズマ中を）
通過した赤外半導体レーザを検出する検出装置２３ｂが
設置されている。このレーザ光源２３ａと検出装置２３
ｂは、赤外半導体レーザ吸収分光装置２３を成すもの
で、検出装置２３ｂにより検出される赤外半導体レーザ
のスペクトルの変化により、真空処理容器１内のプラズ
マ粒子、例えばラジカル、イオン、原子および分子など
の密度や組成を計測することが可能なものである。そし
て、検出装置２３ｂにより計測された粒子の密度や組成
に関する計測データは主制御器２４に送られ、後述する
ように、パルス発生装置５、１３、２１により、マイク
ロ波出力、高周波出力またはバイアス用高周波出力をパ
ルス変調するために使用することができる。なお、図示
の例では、石英が誘電体でありかつ光透過性を有するた
め、誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１０
用の帯状環状体９を介して赤外光を真空容器１内に導入
しているが、赤外半導体レーザ吸収分光装置２３用の透
過窓を別途設ける構成を採用することも可能であること
は言うまでもない。
９の外側には、所定波長の赤外半導体レーザを出射する
レーザ光源２３ａと、このレーザ光源２３ａから出射さ
れ真空処理容器１内を（従って、反応性プラズマ中を）
通過した赤外半導体レーザを検出する検出装置２３ｂが
設置されている。このレーザ光源２３ａと検出装置２３
ｂは、赤外半導体レーザ吸収分光装置２３を成すもの
で、検出装置２３ｂにより検出される赤外半導体レーザ
のスペクトルの変化により、真空処理容器１内のプラズ
マ粒子、例えばラジカル、イオン、原子および分子など
の密度や組成を計測することが可能なものである。そし
て、検出装置２３ｂにより計測された粒子の密度や組成
に関する計測データは主制御器２４に送られ、後述する
ように、パルス発生装置５、１３、２１により、マイク
ロ波出力、高周波出力またはバイアス用高周波出力をパ
ルス変調するために使用することができる。なお、図示
の例では、石英が誘電体でありかつ光透過性を有するた
め、誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１０
用の帯状環状体９を介して赤外光を真空容器１内に導入
しているが、赤外半導体レーザ吸収分光装置２３用の透
過窓を別途設ける構成を採用することも可能であること
は言うまでもない。
【００１５】かかる構成のプラズマ処理装置において、
第１のガス導入口６を介して放電室２に導入された第１
の処理ガス、例えば三フッ化メタン（ＣＨＦ３）とＨｅ
などの不活性ガスは、放電室２に導入される。この第１
の処理ガスは、放電室２で第１のプラズマ源であるマイ
クロ波による高周波電界により第１の反応性プラズマＰ
１になり、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ２、ＣＦ３等のラジカルおよ
びＣＦ＋，ＣＦ３＋などのイオンが発生する。この第１
の反応性プラズマＰ１は、本実施の形態においては、パ
ルス発生器５によるパルス変調を制御することにより、
高いエネルギーのプラズマ（従って、電子温度の高いプ
ラズマ）として生成されるので、第１の処理ガスは高い
分解率で、低次の原子に至るまで分解される。また、イ
オン化が進み、多量のイオンが生成される。このよう
に、本実施の形態においては、第１のプラズマ源から
は、比較的高いエネルギーの（従って、電子温度が比較
的高い）反応性プラズマＰ１を得ることができる。
第１のガス導入口６を介して放電室２に導入された第１
の処理ガス、例えば三フッ化メタン（ＣＨＦ３）とＨｅ
などの不活性ガスは、放電室２に導入される。この第１
の処理ガスは、放電室２で第１のプラズマ源であるマイ
クロ波による高周波電界により第１の反応性プラズマＰ
１になり、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ２、ＣＦ３等のラジカルおよ
びＣＦ＋，ＣＦ３＋などのイオンが発生する。この第１
の反応性プラズマＰ１は、本実施の形態においては、パ
ルス発生器５によるパルス変調を制御することにより、
高いエネルギーのプラズマ（従って、電子温度の高いプ
ラズマ）として生成されるので、第１の処理ガスは高い
分解率で、低次の原子に至るまで分解される。また、イ
オン化が進み、多量のイオンが生成される。このよう
に、本実施の形態においては、第１のプラズマ源から
は、比較的高いエネルギーの（従って、電子温度が比較
的高い）反応性プラズマＰ１を得ることができる。
【００１６】一方、第２のガス導入口２２を介して真空
容器１に導入された第２の処理ガス、例えば、Ｃ４Ｆ８
などの気体は、第２のプラズマ源である高周波アンテナ
１０による高周波電界により第２の反応性プラズマＰ２
になり、主としてＣＦ２等のラジカルが発生する。この
第２の反応性プラズマＰ２は、本実施の形態において
は、パルス発生器１３によるパルス変調を制御すること
により、第１の処理ガスの分解に比較して分解率の低
い、比較的緩やかな反応性プラズマとして生成される。
このように、本実施の形態においては、第２のプラズマ
源からは、比較的低いエネルギーの（従って、電子温度
が比較的低い）反応性プラズマＰ２を得ることができ
る。
容器１に導入された第２の処理ガス、例えば、Ｃ４Ｆ８
などの気体は、第２のプラズマ源である高周波アンテナ
１０による高周波電界により第２の反応性プラズマＰ２
になり、主としてＣＦ２等のラジカルが発生する。この
第２の反応性プラズマＰ２は、本実施の形態において
は、パルス発生器１３によるパルス変調を制御すること
により、第１の処理ガスの分解に比較して分解率の低
い、比較的緩やかな反応性プラズマとして生成される。
このように、本実施の形態においては、第２のプラズマ
源からは、比較的低いエネルギーの（従って、電子温度
が比較的低い）反応性プラズマＰ２を得ることができ
る。
【００１７】このように、本実施の形態によれば、第１
および第２のプラズマ源の出力をパルス変調することに
より、第１および第２の処理ガスから、それぞれエネル
ギーの異なる反応性プラズマ（すなわち、電子温度が異
なるプラズマ）を得ることができる。従って、これらの
反応性プラズマを被処理体Ｗの処理面に導くことによっ
て、所望の反応を選択的に生じさせることができる。例
えば、反応性プラズマＰ１およびＰ２に含まれるイオン
およびラジカルは、被処理体Ｗ上で重合し、ポリマー薄
膜が成長する。あるいは、被処理体Ｗに載置台１４を介
して高周波電源２０より高周波出力を印加すれば、この
高周波により被処理体Ｗ表面にセルフバイアス電圧が誘
起され、このバイアス電圧によりプラズマからイオンが
引き出されて被処理基板Ｗが衝撃される。従って、この
イオン衝撃により被処理体Ｗのエッチングが生じる。バ
イアスを印加し、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のシリコ
ン（Ｓｉ）に対する選択エッチングを行ったところ、Ｓ
ｉに対して高選択比且つ高エッチング速度にてＳｉＯ２
膜のエッチング可能であった。また、高周波電源２０の
出力を適宜調整することにより、被処理体Ｗ表面に高周
波印加によるプラズマを発生させることも可能である。
および第２のプラズマ源の出力をパルス変調することに
より、第１および第２の処理ガスから、それぞれエネル
ギーの異なる反応性プラズマ（すなわち、電子温度が異
なるプラズマ）を得ることができる。従って、これらの
反応性プラズマを被処理体Ｗの処理面に導くことによっ
て、所望の反応を選択的に生じさせることができる。例
えば、反応性プラズマＰ１およびＰ２に含まれるイオン
およびラジカルは、被処理体Ｗ上で重合し、ポリマー薄
膜が成長する。あるいは、被処理体Ｗに載置台１４を介
して高周波電源２０より高周波出力を印加すれば、この
高周波により被処理体Ｗ表面にセルフバイアス電圧が誘
起され、このバイアス電圧によりプラズマからイオンが
引き出されて被処理基板Ｗが衝撃される。従って、この
イオン衝撃により被処理体Ｗのエッチングが生じる。バ
イアスを印加し、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のシリコ
ン（Ｓｉ）に対する選択エッチングを行ったところ、Ｓ
ｉに対して高選択比且つ高エッチング速度にてＳｉＯ２
膜のエッチング可能であった。また、高周波電源２０の
出力を適宜調整することにより、被処理体Ｗ表面に高周
波印加によるプラズマを発生させることも可能である。
【００１８】そして、本実施の形態によれば、赤外半導
体レーザ吸収分光装置２３により、反応性プラズマ中の
粒子、例えばラジカル、イオン、原子および分子の密度
や組成を計測し、その計測値を制御器２４を介して、第
１のプラズマ源であるマイクロ波電源４用のパルス発生
装置５や、第２のプラズマ源である高周波電源１２用の
パルス発生装置１３や、あるいはバイアス高周波電源２
０用のパルス発生装置２１にフィードバックしながら、
反応性プラズマ中の粒子、例えばラジカル、イオン、原
子および分子の密度や組成が所望の値になるように、マ
イクロ波出力あるいは高周波出力をパルス変調すること
ができる。すなわち、本実施の形態によれば、エッチン
グや薄膜形成に重要な影響を与えるラジカル組成をリア
ルタイムで計測し、計測値をパルス変調にフィードバッ
クしながら、プロセスにとって重要なラジカルのみを高
精度で制御できるため、従来のように圧力条件などを変
更せずとも、再現性に優れた高精度エッチングおよび薄
膜形成が可能となる。
体レーザ吸収分光装置２３により、反応性プラズマ中の
粒子、例えばラジカル、イオン、原子および分子の密度
や組成を計測し、その計測値を制御器２４を介して、第
１のプラズマ源であるマイクロ波電源４用のパルス発生
装置５や、第２のプラズマ源である高周波電源１２用の
パルス発生装置１３や、あるいはバイアス高周波電源２
０用のパルス発生装置２１にフィードバックしながら、
反応性プラズマ中の粒子、例えばラジカル、イオン、原
子および分子の密度や組成が所望の値になるように、マ
イクロ波出力あるいは高周波出力をパルス変調すること
ができる。すなわち、本実施の形態によれば、エッチン
グや薄膜形成に重要な影響を与えるラジカル組成をリア
ルタイムで計測し、計測値をパルス変調にフィードバッ
クしながら、プロセスにとって重要なラジカルのみを高
精度で制御できるため、従来のように圧力条件などを変
更せずとも、再現性に優れた高精度エッチングおよび薄
膜形成が可能となる。
【００１９】なお、本発明にかかるフィードバック制御
の目標値である反応性プラズマ粒子の密度や組成は、被
処理体の種類、プロセスの種類、プロセス条件などによ
って大きく異なるため、プロセスに応じてその都度実験
等により設定することが好ましい。また、パルス変調の
方法としては、マイクロ波電源４のマイクロ波出力、あ
るいは高周波電源１２、２０の高周波出力の周期やデュ
ーティ比などを変化させることが可能であり、プロセス
に応じて最適なパルス変調方式を採用することができ
る。
の目標値である反応性プラズマ粒子の密度や組成は、被
処理体の種類、プロセスの種類、プロセス条件などによ
って大きく異なるため、プロセスに応じてその都度実験
等により設定することが好ましい。また、パルス変調の
方法としては、マイクロ波電源４のマイクロ波出力、あ
るいは高周波電源１２、２０の高周波出力の周期やデュ
ーティ比などを変化させることが可能であり、プロセス
に応じて最適なパルス変調方式を採用することができ
る。
【００２０】また、赤外半導体レーザ吸収分光装置２３
により、反応性プラズマ中の粒子、例えばラジカル、イ
オン、原子および分子の密度や組成を計測する位置とし
ては、被処理体Ｗの反応面の直上が好ましく、例えば、
被処理体Ｗの５ｍｍ〜１０ｍｍ上部の反応性プラズマ中
の粒子の密度および組成を計測することにより、プロセ
スに強い影響を与えるラジカルのより真値に近い値を計
測することが可能となり、より高精度のプロセス制御が
可能となる。
により、反応性プラズマ中の粒子、例えばラジカル、イ
オン、原子および分子の密度や組成を計測する位置とし
ては、被処理体Ｗの反応面の直上が好ましく、例えば、
被処理体Ｗの５ｍｍ〜１０ｍｍ上部の反応性プラズマ中
の粒子の密度および組成を計測することにより、プロセ
スに強い影響を与えるラジカルのより真値に近い値を計
測することが可能となり、より高精度のプロセス制御が
可能となる。
【００２１】また、各プラズマ源に対して導入される反
応ガスの種類、あるいはその反応ガスによって得られる
プラズマの電子温度についても、被処理体の種類、プロ
セスの種類、プロセス条件などによって大きく異なるた
め、プロセスに応じてその都度実験等により設定するこ
とが好ましい。さらに、本実施の形態においては、被処
理体Ｗに与える損傷を抑えるために、電子温度の高いプ
ラズマを被処理体Ｗから離隔する位置に生成する構成を
採用したが、プロセスの種類によっては、電子密度の高
いプラズマを被処理体Ｗ側に生成する構成を採用しても
良い。
応ガスの種類、あるいはその反応ガスによって得られる
プラズマの電子温度についても、被処理体の種類、プロ
セスの種類、プロセス条件などによって大きく異なるた
め、プロセスに応じてその都度実験等により設定するこ
とが好ましい。さらに、本実施の形態においては、被処
理体Ｗに与える損傷を抑えるために、電子温度の高いプ
ラズマを被処理体Ｗから離隔する位置に生成する構成を
採用したが、プロセスの種類によっては、電子密度の高
いプラズマを被処理体Ｗ側に生成する構成を採用しても
良い。
【００２２】また、上記実施の形態においては、第１の
プラズマ源としてマイクロ波プラズマ発生装置を使用
し、第２のプラズマ源として誘導結合プラズマ発生装置
を使用しているが、本発明にかかるプラズマ処理装置は
かかる例に限定されない。本プラズマ処理装置は、生成
するプラズマの電子温度（あるいは、反応性プラズマ中
の粒子密度および組成）をパルス変調により制御するこ
とが可能なプラズマ源であれば、任意のプラズマ源を採
用することが可能である。
プラズマ源としてマイクロ波プラズマ発生装置を使用
し、第２のプラズマ源として誘導結合プラズマ発生装置
を使用しているが、本発明にかかるプラズマ処理装置は
かかる例に限定されない。本プラズマ処理装置は、生成
するプラズマの電子温度（あるいは、反応性プラズマ中
の粒子密度および組成）をパルス変調により制御するこ
とが可能なプラズマ源であれば、任意のプラズマ源を採
用することが可能である。
【００２３】例えば、図２に示すように、平行平板型プ
ラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせることも可能
である。このプラズマ処理装置の構成を簡単に説明すれ
ば、真空容器３１内には下部電極を兼ねる載置台３２が
設置されており、この載置台３２上に被処理体Ｗ、例え
ば半導体ウェハが静電チャックなどの吸着手段３３によ
り吸着保持される。この下部電極３２には、マッチング
回路３４を介して高周波電源３５が接続されている。こ
の高周波電源３５はパルス発生装置３６によりその出力
をパルス変調させることができるものである。また真空
容器３１の天井部には被処理体Ｗに対向するように上部
電極３７が設置されている。この上部電極３７には、マ
ッチング回路３８を介して高周波電源３９が接続されて
いる。この高周波電源３９はパルス発生装置４０により
その出力をパルス変調させることができるものである。
また上部電極３７は第１の処理ガス供給手段４１を兼ね
るもので、第１の処理ガス源４１ａより流量制御装置４
１ｂを介して所定流量の処理ガスを真空容器１内に導入
することができる。以上のように、本実施の形態におい
ては、上部電極３７と下部電極３２との間にグロー放電
を生じさせることにより第１のプラズマを生成すること
ができる。
ラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせることも可能
である。このプラズマ処理装置の構成を簡単に説明すれ
ば、真空容器３１内には下部電極を兼ねる載置台３２が
設置されており、この載置台３２上に被処理体Ｗ、例え
ば半導体ウェハが静電チャックなどの吸着手段３３によ
り吸着保持される。この下部電極３２には、マッチング
回路３４を介して高周波電源３５が接続されている。こ
の高周波電源３５はパルス発生装置３６によりその出力
をパルス変調させることができるものである。また真空
容器３１の天井部には被処理体Ｗに対向するように上部
電極３７が設置されている。この上部電極３７には、マ
ッチング回路３８を介して高周波電源３９が接続されて
いる。この高周波電源３９はパルス発生装置４０により
その出力をパルス変調させることができるものである。
また上部電極３７は第１の処理ガス供給手段４１を兼ね
るもので、第１の処理ガス源４１ａより流量制御装置４
１ｂを介して所定流量の処理ガスを真空容器１内に導入
することができる。以上のように、本実施の形態におい
ては、上部電極３７と下部電極３２との間にグロー放電
を生じさせることにより第１のプラズマを生成すること
ができる。
【００２４】さらに、真空容器１の側壁の一部は石英な
どの誘電体から成る帯状環状体４２から構成されてい
る。そして、この帯状環状体４２の外側に第２のプラズ
マ源を成す高周波アンテナ４３が周囲を囲むように設置
されている。この高周波アンテナ４３には、マッチング
回路４４を介して高周波電源４５が接続されている。こ
の高周波電源４５はパルス発生装置４６によりその出力
をパルス変調させることができるものである。そして、
この帯状環状体４２の近傍に第２の処理ガス供給手段４
７が設けられており、第２の処理ガス源４２ａより流量
制御装置４２ｂを介して所定流量の処理ガスを真空容器
３１内に導入することができる。以上のように、本実施
の形態においては、高周波アンテナ４３により真空容器
１内に高周波電界を導入することにより、第２の処理ガ
スによる第２のプラズマを励起することが可能である。
どの誘電体から成る帯状環状体４２から構成されてい
る。そして、この帯状環状体４２の外側に第２のプラズ
マ源を成す高周波アンテナ４３が周囲を囲むように設置
されている。この高周波アンテナ４３には、マッチング
回路４４を介して高周波電源４５が接続されている。こ
の高周波電源４５はパルス発生装置４６によりその出力
をパルス変調させることができるものである。そして、
この帯状環状体４２の近傍に第２の処理ガス供給手段４
７が設けられており、第２の処理ガス源４２ａより流量
制御装置４２ｂを介して所定流量の処理ガスを真空容器
３１内に導入することができる。以上のように、本実施
の形態においては、高周波アンテナ４３により真空容器
１内に高周波電界を導入することにより、第２の処理ガ
スによる第２のプラズマを励起することが可能である。
【００２５】以上、本発明の実施の第２形態にかかるプ
ラズマ処理装置の構成を簡単に説明したが、本プラズマ
処理装置においても、第１のプラズマ源（平行平板型プ
ラズマ）により生成された第１の処理ガスによる反応性
プラズマの電子温度（あるいは、反応性プラズマ中の粒
子の密度や組成）と、第２のプラズマ源（誘導結合型プ
ラズマ）により生成された第２の処理ガスによる反応性
プラズマの電子温度（あるいは、反応性プラズマ中の粒
子の密度や組成）とを、パルス変調制御により個別に高
精度に制御することが可能となるので、プロセスにとっ
て重要なラジカルを選択的に発生させ、プロセスを高精
度に制御することができる。かかる構成のプラズマ処理
装置において、第１のガス導入口４１を介して、導入さ
れた第１の処理ガス例えばシラン（ＳｉＨ４）は、上部
電極３７と下部電極３２との間に高周波電源４０によっ
て生成される第１のプラズマ中で分解される。このプラ
ズマは、パルス器３８によるパルス変調を制御すること
により、電子温度の比較的低い反応性プラズマとに生成
される。このプラズマ中では、主としてＳｉＨ３ラジカ
ルが発生する。さらに、真空容器１の側壁の一部は、石
英などの誘電体から成る帯状環状体４２に、高周波電源
４５を印加して第２のプラズマを生成する。この高周波
電源４５はパルス発生装置４６により出力をパルス変調
させることにより比較的電子温度の高いプラズマを生成
することが可能である。第２のガス導入口４７を介し
て、導入された第２の処理ガス、例えば、水素（Ｈ２）
は、上記第２のプラズマにより分解され、Ｈラジカルが
効率的に発生する。従って、被処理体Ｗ上においては、
主として、ＳｉＨ３ラジカルとＨラジカルが輸送され、
効率よく反応するため、微結晶シリコン薄膜を低温にて
合成することが可能である。なお、図示の例では、赤外
半導体レーザ吸収分光装置は省略されているが、図１に
示す実施の形態と同様に、反応性プラズマ中の粒子状態
をリアルタイムで計測して、それをフィードバックして
パルス変調制御に利用することができることは言うまで
もない。
ラズマ処理装置の構成を簡単に説明したが、本プラズマ
処理装置においても、第１のプラズマ源（平行平板型プ
ラズマ）により生成された第１の処理ガスによる反応性
プラズマの電子温度（あるいは、反応性プラズマ中の粒
子の密度や組成）と、第２のプラズマ源（誘導結合型プ
ラズマ）により生成された第２の処理ガスによる反応性
プラズマの電子温度（あるいは、反応性プラズマ中の粒
子の密度や組成）とを、パルス変調制御により個別に高
精度に制御することが可能となるので、プロセスにとっ
て重要なラジカルを選択的に発生させ、プロセスを高精
度に制御することができる。かかる構成のプラズマ処理
装置において、第１のガス導入口４１を介して、導入さ
れた第１の処理ガス例えばシラン（ＳｉＨ４）は、上部
電極３７と下部電極３２との間に高周波電源４０によっ
て生成される第１のプラズマ中で分解される。このプラ
ズマは、パルス器３８によるパルス変調を制御すること
により、電子温度の比較的低い反応性プラズマとに生成
される。このプラズマ中では、主としてＳｉＨ３ラジカ
ルが発生する。さらに、真空容器１の側壁の一部は、石
英などの誘電体から成る帯状環状体４２に、高周波電源
４５を印加して第２のプラズマを生成する。この高周波
電源４５はパルス発生装置４６により出力をパルス変調
させることにより比較的電子温度の高いプラズマを生成
することが可能である。第２のガス導入口４７を介し
て、導入された第２の処理ガス、例えば、水素（Ｈ２）
は、上記第２のプラズマにより分解され、Ｈラジカルが
効率的に発生する。従って、被処理体Ｗ上においては、
主として、ＳｉＨ３ラジカルとＨラジカルが輸送され、
効率よく反応するため、微結晶シリコン薄膜を低温にて
合成することが可能である。なお、図示の例では、赤外
半導体レーザ吸収分光装置は省略されているが、図１に
示す実施の形態と同様に、反応性プラズマ中の粒子状態
をリアルタイムで計測して、それをフィードバックして
パルス変調制御に利用することができることは言うまで
もない。
【００２６】以上、本発明の実施の第２形態として、平
行平板型プラズマと誘導結合型プラズマとを組み合わせ
た例を示したが、この他にもパルス変調制御可能な各種
プラズマ源を組み合わせることにより、同一圧力下にお
いても、複数種類の処理ガスの電子温度を個別に制御し
て、プロセスを高精度に制御することが可能である。
行平板型プラズマと誘導結合型プラズマとを組み合わせ
た例を示したが、この他にもパルス変調制御可能な各種
プラズマ源を組み合わせることにより、同一圧力下にお
いても、複数種類の処理ガスの電子温度を個別に制御し
て、プロセスを高精度に制御することが可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の処理ガスに対して複数のプラズマ源を設け、各プ
ラズマ源の出力をパルス変調させることにより、各反応
性プラズマの電子密度および電子温度を高精度に制御す
ることが可能となるので、各処理ガスに対して最適な電
子温度、電子密度を選択することにより、プロセスにと
って重要なラジカルを効率的に被処理体上に導入するこ
とが可能となる。従って、被処理体を反応性プラズマか
ら離れた、主としてリモートプラズマ中に置き、そのラ
ジカルにより被処理体を処理場合にも好適に適用するこ
とができる。
複数の処理ガスに対して複数のプラズマ源を設け、各プ
ラズマ源の出力をパルス変調させることにより、各反応
性プラズマの電子密度および電子温度を高精度に制御す
ることが可能となるので、各処理ガスに対して最適な電
子温度、電子密度を選択することにより、プロセスにと
って重要なラジカルを効率的に被処理体上に導入するこ
とが可能となる。従って、被処理体を反応性プラズマか
ら離れた、主としてリモートプラズマ中に置き、そのラ
ジカルにより被処理体を処理場合にも好適に適用するこ
とができる。
【図１】本発明の実施の第１形態にかかるマイクロ波プ
ラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマ処
理装置の概略的な断面図を示している。
ラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマ処
理装置の概略的な断面図を示している。
【図２】本発明の実施の第２形態にかかる平行平板型プ
ラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマ処
理装置の概略的な断面図を示している。
ラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマ処
理装置の概略的な断面図を示している。
Ｗ 被処理体（半導体ウェハ） １ 真空容器（処理室） ２ プラズマ放電室 ３ マイクロ波導波管 ４ マイクロ波発生装置 ５ パルス発生装置 ６ 第１の処理ガス導入口 ８ 磁気コイル ９ 誘電体 １０ 高周波アンテナ １２ 高周波電源 １３ パルス発生装置 １４ 載置台 １９ 高周波電源 ２１ パルス発生装置 ２２ 第２の処理ガス導入口 ２３ 赤外半導体レーザ吸収分光装置 ２３ａ レーザ源 ２３ｂ 検出装置 ２４ 主制御器 Ｐ１ 第１の反応性プラズマ Ｐ２ 第２の反応性プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｌ Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 後藤 俊夫 愛知県日進市五色園３−2110 (72)発明者 堀 勝 愛知県日進市折戸町藤塚105−33 (72)発明者 畑 次郎 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 輿水 地塩 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 高周波電界により複数種類の処理ガスを
プラズマ化して被処理体を処理するにあたり、 個別独立にパルス変調制御可能な複数の高周波電界を用
いて、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異
なる高周波電界をパルス変調することを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項２】 前記パルス変調は、処理ガスの種類に応
じて異なる電子温度の反応性プラズマおよび／またはリ
モートプラズマを生成するものであることを特徴とす
る、請求項１に記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 電子温度の高い反応性プラズマ及び／ま
たはリモートプラズマほど、被処理体の処理面よりも離
隔した位置で生成されることを特徴とする、請求項２に
記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】 反応性プラズマおよび／またはリモート
プラズマ中の粒子密度および／または組成を赤外吸収分
光法により計測し、 計測値に応じて、前記各高周波電界に加えられるパルス
変調を調整することを特徴とする、請求項１〜３のいず
れかに記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 複数のプラズマ源により複数の処理ガス
をプラズマ化して、所定圧力に保持された処理室内に載
置された被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置
において、 前記各プラズマ源は個別独立に制御可能なパルス変調手
段を備え、 そのパルス変調手段により、処理ガスの種類に応じて異
なる前記プラズマ源に対して異なるパルス変調を行うこ
とを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 【請求項６】 前記各プラズマ源は、前記処理室の異な
る位置に配置され、各処理ガスは、前記各プラズマ源の
近傍において個別独立に前記処理室内に供給されること
を特徴とする、請求項４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 さらに、前記処理室内の反応性プラズマ
および／またはリモートプラズマに所定波長の赤外光を
照射し、その反応性プラズマおよび／またはリモートを
通過した前記赤外光を検出することにより、前記反応性
プラズマ中の粒子密度および／または組成を測定する赤
外吸収分光手段と、 その赤外吸収分光手段の測定値に応じて、前記各プラズ
マ源に加えられるパルス変調を調整する制御器とを備え
たことを特徴とする、請求項４または５に記載のプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08761496A JP3951003B2 (ja) | 1995-11-17 | 1996-03-15 | プラズマ処理装置および方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-323835 | 1995-11-17 | ||
| JP32383595 | 1995-11-17 | ||
| JP08761496A JP3951003B2 (ja) | 1995-11-17 | 1996-03-15 | プラズマ処理装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09192479A true JPH09192479A (ja) | 1997-07-29 |
| JP3951003B2 JP3951003B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=26428862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08761496A Expired - Lifetime JP3951003B2 (ja) | 1995-11-17 | 1996-03-15 | プラズマ処理装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3951003B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11167037A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-06-22 | Samsung Electron Co Ltd | 誘導結合プラズマ装置を利用する光導波路素子製造方法 |
| JPH11201899A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 粒子の密度分布の測定装置及び処理装置並びにプラズマ処理方法 |
| US6756311B2 (en) | 1999-12-09 | 2004-06-29 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Methods and apparatus for producing semiconductor devices |
| JP2007044628A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Osaka Prefecture Univ | 半導体プロセス用排ガス処理方法及び処理装置 |
| JP2007521614A (ja) * | 2003-06-30 | 2007-08-02 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 膨張熱プラズマを誘導結合するシステム及び方法 |
| JP2007317661A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-12-06 | New Power Plasma Co Ltd | プラズマ反応器 |
| WO2013018998A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Plasmart Inc. | Plasma generation apparatus and plasma generation method |
| KR20130015001A (ko) * | 2012-12-03 | 2013-02-12 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
| US20130256266A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Andreas Fischer | Methods and apparatuses for effectively reducing gas residence time in a plasma processing chamber |
| KR101485384B1 (ko) * | 2013-04-09 | 2015-01-23 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
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