JPH0285379A - エッチングの終点検出方法及び装置 - Google Patents

エッチングの終点検出方法及び装置

Info

Publication number
JPH0285379A
JPH0285379A JP23504788A JP23504788A JPH0285379A JP H0285379 A JPH0285379 A JP H0285379A JP 23504788 A JP23504788 A JP 23504788A JP 23504788 A JP23504788 A JP 23504788A JP H0285379 A JPH0285379 A JP H0285379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
end point
etching
microwave
detected
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23504788A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2714035B2 (ja
Inventor
Hitoaki Sato
佐藤 仁昭
Kotaro Fujimoto
幸太郎 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Plant Technologies Ltd
Original Assignee
Hitachi Techno Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Techno Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Techno Engineering Co Ltd
Priority to JP23504788A priority Critical patent/JP2714035B2/ja
Publication of JPH0285379A publication Critical patent/JPH0285379A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2714035B2 publication Critical patent/JP2714035B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エツチングの終点検出方法及び装置に係り、
特にマイクロ波プラズマを利用してエツチングされる試
料の終点を検出するのに好適なエツチングの終点検出方
法及び装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のエツチングの終点検出技術としては、例えば、特
開昭58−43521号公報に記載のように3!糞強度
の変化により終点を検出するようにしたものが知られて
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、残存発光などにより明確な終点を検出
する点について配慮がされていなかった。
本発明の目的は、正確な終点検出を行うことができるエ
ツチングの終点検出方法及び装置を提供する二とにある
〔課題を解決するための手段〕
上ffi目的は、エツチング中のマイクロ波の反射波パ
ワーを検知し、該検知された反射波パワーの変化により
試料のエツチングの終点を検出することにより、達成さ
れる。
〔作  用〕
マイクロ波パワーモニタは、プラズマ放電中のマイクロ
波入射電力2反射電力をモニタする。
試料加工中の反射電力と、試料加工後(終点後)の反射
電力値は、処理室内インピーダンスおよび処理室表面状
態が変化することにより異なった値を示す。その変化点
を終点として検出するので正確なエツチングの終点検出
ができる。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図により説明す
る。
第1図で、真空室1内には試料であるウェハlOを載置
する試料台3が設けられており、試料台3C二対向して
真空室l上部に石英ベルジャ2が取り付けである。真空
室1には、図示しない処理ガス供給源につながり真空室
l内に処理ガスを供給する処理ガス導入管7と、図示し
ない真空ポンプにつながり真空室1内を所定圧力に減圧
排気するだめの排気口9が設けである。
石英ベルジャ2を囲んで導波管4が卓り付けてあり、導
波管4の端部にマグネトロン5、およびマイクロ波検出
器11が取り付けである。石英ベルジャ2の回りに、導
波管4を介して磁界発生手段であるコイル6が設けであ
る。
試料台3には高周波電波8がつながる。
上記構成の装置により、マグネトロン5によりE[[i
 400〜1200Wのマイクロ波を発生させ、石英ベ
ルジャ2内に導入し、コイル6によって石英ベルジャ2
内に800〜1000ガウスの磁場を作用させる。これ
により、石英ベルジャ2内でマイクロ波によりマイクロ
波放電した処理ガスに磁場が作用し、プラズマ中で電子
が円運動するとともに、磁場勾配によって発散方向にあ
るウェハ10側に向って加速され、プラズマが発生する
![2図にウェハlOを処理中のプラズマ発光強度セと
マイクロ波反射パワー13を示す。
発光強度丘では強度の低下を始める処から、低下したと
ころまで時を要しているが、マイクロ波反射パワーBで
は、パワーが即座に変化する二とから正確な終点検出が
できる。
なお、上記一実施例は、いわゆる有磁場タイプのもので
あるが、磁場を使用しない無磁場タイプのものでも同様
の効果が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、試料のエツチング終点に伴って即座に
変化するマイクロ波反射パワーにより試料のエツチング
終点を検出できるので、試料のエツチングの終点を正確
に検出できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のマイクロ波プラズ品 マエブチング装置の縦断面図、第2メは第1図の実施例
の装置でウェハを加工した時のマイクロ波反射波のモニ
タ値の模式図である。 !・・・・・・真空室、2・・−・・ベルジャー 3・
・・・・・試N台、4・・−・・導波管、5・・−・・
マグネトロン、6・・・・・・コイル、7・・・・・・
ガス導入口、8・・−・・高周波電源、9・・・・・・
排気口、1G・・−・・ウェハ、11・・−・・マイク
ロ波検出器、セ・・・・・・発光強度、13・・・・・
・マイクロ波反射パワー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マイクロ波プラズマを利用して試料をエツチングす
    る工程と、前記試料のエッチング中にマイクロ波の反射
    波パワーを検知する工程と、検知されたマイクロ波の反
    射波パワーの変化により前記試料のエッチング終点を検
    出する工程とを有することを特徴とするエツチングの終
    点検出方法。 2、検知されたマイクロ波の反射パワーの減少時点で前
    記試料のエッチング終点を検出する第1請求項に記載の
    エッチングの終点検出方法。 3、マイクロ波プラズマを利用しての試料のエッチング
    中にマイクロ波の反射波パワーを検知する手段と、検知
    されたマイクロ波の反射波パワーの変化点で前記試料の
    エッチング終点を検出する手段とを具備したことを特徴
    とするエツチングの終点検出装置。
JP23504788A 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置 Expired - Lifetime JP2714035B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23504788A JP2714035B2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23504788A JP2714035B2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0285379A true JPH0285379A (ja) 1990-03-26
JP2714035B2 JP2714035B2 (ja) 1998-02-16

Family

ID=16980298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23504788A Expired - Lifetime JP2714035B2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 エッチングの終点検出方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2714035B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007034602A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Hitachi Omron Terminal Solutions Corp 紙葉類識別装置
US9482725B2 (en) 2011-08-15 2016-11-01 Meas Deutschland Gmbh Sensor device including magnetoresistive sensor element and pre-magnetization device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007034602A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Hitachi Omron Terminal Solutions Corp 紙葉類識別装置
US9482725B2 (en) 2011-08-15 2016-11-01 Meas Deutschland Gmbh Sensor device including magnetoresistive sensor element and pre-magnetization device
US10109131B2 (en) 2011-08-15 2018-10-23 TE Connectivity Sensors Germany GmbH Sensor device including magnetoresistive sensor element and pre-magnetization device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2714035B2 (ja) 1998-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3709552B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10037868B2 (en) Plasma processing apparatus
KR970003557A (ko) 재료 처리용 이중 주파수의 용량성 결합 플라즈마 리액터
JP4922705B2 (ja) プラズマ処理方法および装置
JPH04196529A (ja) プラズマ処理装置
JPH0992491A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2017028000A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH0285379A (ja) エッチングの終点検出方法及び装置
JP2951797B2 (ja) プラズマ発生装置
JPH07240405A (ja) エッチング終点検出方法
JP3137810B2 (ja) マイクロ波プラズマ放電停止検知方法、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波プラズマ処理装置
JPH01236629A (ja) プラズマ処理装置
JPS6258630A (ja) プラズマ処理制御方法及び装置
JPH0211781A (ja) ドライエッチング装置
JP2006100630A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2001044175A (ja) プラズマ処理装置
JPH02297929A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05234955A (ja) プラズマエッチングの制御方法
JPH0582289A (ja) マイクロ波プラズマ処理方法および装置
JPH1116889A (ja) プラズマ処理終点検出方法及び終点検出装置
JPH0382779A (ja) プラズマ処理装置
JPH10261496A (ja) マイクロ波プラズマ処理方法および装置
JPH04133425A (ja) ドライエッチング装置
JPH0697119A (ja) エッチング装置
JPH07235393A (ja) プラズマ発生装置