JPH03147318A - エッチング終点判定装置 - Google Patents
エッチング終点判定装置Info
- Publication number
- JPH03147318A JPH03147318A JP28299689A JP28299689A JPH03147318A JP H03147318 A JPH03147318 A JP H03147318A JP 28299689 A JP28299689 A JP 28299689A JP 28299689 A JP28299689 A JP 28299689A JP H03147318 A JPH03147318 A JP H03147318A
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- Japan
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- plasma
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- etching
- etching end
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ中の荷1!粒子(イオン、電子)を
取り除き、電気的に中性であるラジカルのみでエツチン
グを行なう、例えば、プラズマ移送型のエツチングの終
点判定を行なう終点判定装置に関するものである。
取り除き、電気的に中性であるラジカルのみでエツチン
グを行なう、例えば、プラズマ移送型のエツチングの終
点判定を行なう終点判定装置に関するものである。
従来の装置は、処理室にプラズマモニターを設けて、つ
8.ハ近傍のプラズマの発光強度を検出してエツチング
の終点判定を行なうようになっていた。
8.ハ近傍のプラズマの発光強度を検出してエツチング
の終点判定を行なうようになっていた。
なお、この種に関連するものとして、例えば、特開昭6
0−247924号公報に記載のように、処理室でのプ
ラズマによる試料のエツチング処理時に、処理室から排
出されるガスを高くとも圧力4、OX 10−2 To
rrの全力に調整して新たにプラズマ化し、そのプラズ
マの発光スペクトルの強度の経時変化により、比較的質
量数の小さい分子、原子、イオンの発光スペクトルをモ
ニターして、処理室での試料のエツチング状態を精度良
くモニターするものがあった。
0−247924号公報に記載のように、処理室でのプ
ラズマによる試料のエツチング処理時に、処理室から排
出されるガスを高くとも圧力4、OX 10−2 To
rrの全力に調整して新たにプラズマ化し、そのプラズ
マの発光スペクトルの強度の経時変化により、比較的質
量数の小さい分子、原子、イオンの発光スペクトルをモ
ニターして、処理室での試料のエツチング状態を精度良
くモニターするものがあった。
〔発明が解決しようとするfiill)上記従来技術は
、処理室でのプラズマ中に電荷を持ったイオン、電子お
よび電気的に中性であるラジカルが存在しI、これらに
よってエツチング処理を行なうものであった。
、処理室でのプラズマ中に電荷を持ったイオン、電子お
よび電気的に中性であるラジカルが存在しI、これらに
よってエツチング処理を行なうものであった。
等方的エプチングおよび低ダメージを目的とするエツチ
ング装置においては、イオンや電子等の荷電粒子を何ら
かの方法で取り除き、電気的に中性であるラジカルのみ
でエツチングを実施する。
ング装置においては、イオンや電子等の荷電粒子を何ら
かの方法で取り除き、電気的に中性であるラジカルのみ
でエツチングを実施する。
この場合、プラズマ中のラジカルをウェハ表面上に導(
ために、真空ポンプ等でラジカルを移送させる。
ために、真空ポンプ等でラジカルを移送させる。
このようなラジカルエツチングを行なう装置の場合、ウ
ェハ表面上にはプラズマが発生しないために、ウェハ近
傍でプラズマの発光強度を検出しエツチングの終点判定
を行なう方法では、エツチングの終点が検出できないと
いう問題があった。
ェハ表面上にはプラズマが発生しないために、ウェハ近
傍でプラズマの発光強度を検出しエツチングの終点判定
を行なう方法では、エツチングの終点が検出できないと
いう問題があった。
本発明の目的は、ラジカルエツチングを行なう装置のエ
ツチング終点判定を容易に行なえるエツチング終点判定
装置を提供することにある。
ツチング終点判定を容易に行なえるエツチング終点判定
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、プラズマ中の電荷を持った
電子およびイオンを取り除き電気的に中性のラジカルの
みでエツチングを行なうドライエプチング装Wの排気系
に4、排気系の排気ガスをプラズマ化する手段および、
プラズマ化手段により発生させたプラズマをモニターす
るプラズマモニター手段を設けたものである。
電子およびイオンを取り除き電気的に中性のラジカルの
みでエツチングを行なうドライエプチング装Wの排気系
に4、排気系の排気ガスをプラズマ化する手段および、
プラズマ化手段により発生させたプラズマをモニターす
るプラズマモニター手段を設けたものである。
処理室でウェハの被エツチング面と反応して反応生成物
となったラジカルは、処理室内ではプラズマが発生しな
いのでプラズマモニターすることはできないが、ラジカ
ルエツチングを行なう装置の排気系にプラズマ化手段を
設けることにより、反応生成物となって排気された排気
ガスがプラズマ化され発光する。また、排気系に設けた
プラズマモニター手段によってプラズマ化された排ガス
の特定波長の発行をモニターすることにより、エツチン
グの終点判定を行なうことができる。これにより、ラジ
カルエツチングの終点判定が行なえる。
となったラジカルは、処理室内ではプラズマが発生しな
いのでプラズマモニターすることはできないが、ラジカ
ルエツチングを行なう装置の排気系にプラズマ化手段を
設けることにより、反応生成物となって排気された排気
ガスがプラズマ化され発光する。また、排気系に設けた
プラズマモニター手段によってプラズマ化された排ガス
の特定波長の発行をモニターすることにより、エツチン
グの終点判定を行なうことができる。これにより、ラジ
カルエツチングの終点判定が行なえる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
この場合、ラジカルエツチングを行なう装置は、次のよ
うに構成されている。処理室1の上部に開口を有し、U
開口部を放電管2で被い、真空室を形成している。処理
室1内には、開口部に対向してウェハ7を配[可能に試
料台が設けである。開口部には多数の小孔を有したアー
ス電fM3を設け、放電管2とアース電極3とで囲まれ
た空間に放電空間を形成している。放電空間にはプロセ
スガスな導入0J能になっている。放電管2の外周には
導波管4が設けてあり、導波管4の端部にはマグネトロ
ン5が取付けである。
うに構成されている。処理室1の上部に開口を有し、U
開口部を放電管2で被い、真空室を形成している。処理
室1内には、開口部に対向してウェハ7を配[可能に試
料台が設けである。開口部には多数の小孔を有したアー
ス電fM3を設け、放電管2とアース電極3とで囲まれ
た空間に放電空間を形成している。放電空間にはプロセ
スガスな導入0J能になっている。放電管2の外周には
導波管4が設けてあり、導波管4の端部にはマグネトロ
ン5が取付けである。
処理室1の下部には排気管7が接続され、排気管7には
プラズマ発生室8が設けである。プラズマ発生室8内に
は、この場合、高周波電源10が接続された平行平板型
の対向il!執7が設けである。
プラズマ発生室8が設けである。プラズマ発生室8内に
は、この場合、高周波電源10が接続された平行平板型
の対向il!執7が設けである。
プラズマ発生室8の他方には、圧力制御用バルブ11を
介して真空ポンプ12が接続しである。
介して真空ポンプ12が接続しである。
プラズマ発生室8には、プラズマガス空間に対向して採
光窓(図示省略)が設けられ、該採光窓部に光電変換器
14が配置されている。充電度換器14は終点判定用マ
イコン15につながれている。
光窓(図示省略)が設けられ、該採光窓部に光電変換器
14が配置されている。充電度換器14は終点判定用マ
イコン15につながれている。
次に、上記のように構成した!1kW1の作用を説明す
る。
る。
マグネトロン5より発振されたマイクロ波は、導波管4
を通って放を管2内に導かれ、放電管2内の放電空間に
導入されたプロセスガスを励起し、プラズマ6を発生さ
せる。プラズマ6の中の電子およびイオン等の荷電粒子
がパンチングメタル状のアース電極3にトラツプされ電
気的に中性のラジカルのみが処理室!内に導かれ、ウェ
ハ7のエツチングが進行される。ラジカルのエツチング
処理によって生じた反応生成物の排気ガスは、処理室1
より排気管7およびプラズマ発生室8を通り、圧力制御
用バルブ11を介して真空ポンプ5に導かれる。
を通って放を管2内に導かれ、放電管2内の放電空間に
導入されたプロセスガスを励起し、プラズマ6を発生さ
せる。プラズマ6の中の電子およびイオン等の荷電粒子
がパンチングメタル状のアース電極3にトラツプされ電
気的に中性のラジカルのみが処理室!内に導かれ、ウェ
ハ7のエツチングが進行される。ラジカルのエツチング
処理によって生じた反応生成物の排気ガスは、処理室1
より排気管7およびプラズマ発生室8を通り、圧力制御
用バルブ11を介して真空ポンプ5に導かれる。
この過程において、プラズマ発生室8内の対向電極9に
高周波電源10より高周波電力を印加する。
高周波電源10より高周波電力を印加する。
これにより、プラズマ発生室8内に排気ガスのプラズマ
13を発生させる。プラズマ13の中の特定波長の発光
強度を光電変換器14により取出し、そのモニタ信号の
変化を終点判定用マイコン15にて判定し、エツチング
の終点を検出する。
13を発生させる。プラズマ13の中の特定波長の発光
強度を光電変換器14により取出し、そのモニタ信号の
変化を終点判定用マイコン15にて判定し、エツチング
の終点を検出する。
以上、本−実施例によれば、排気系に設置した対向電極
によって排気ガスおプラズマを発生させることができ、
排気系に設けたプラズマモニターによってプラズマ中の
特定波長の発光強度をモニターすることができるので、
ラジカルエツチングを行なう装置のエツチングの終点を
正確に、また再現性よく検出できるという効果がある。
によって排気ガスおプラズマを発生させることができ、
排気系に設けたプラズマモニターによってプラズマ中の
特定波長の発光強度をモニターすることができるので、
ラジカルエツチングを行なう装置のエツチングの終点を
正確に、また再現性よく検出できるという効果がある。
なお、本−実施例では、ラジカルエツチングを行なう装
置として、マイクロ波装置を用いたが、高周波放電等に
よって放電室でプラズマを発生させ、処理室に移送する
途中でラジカルだけを抽出して移送するようにしたもの
でも良い。
置として、マイクロ波装置を用いたが、高周波放電等に
よって放電室でプラズマを発生させ、処理室に移送する
途中でラジカルだけを抽出して移送するようにしたもの
でも良い。
また、排気系でのプラズマ発生に高周波IE源を用いた
が、直am源やマイクロ波電源等によってプラズマを発
生させても良い。
が、直am源やマイクロ波電源等によってプラズマを発
生させても良い。
本発明によれば、ラジカルエツチングを行なう装置のエ
ツチング終点判定を容易に行なうことができるという効
果がある。
ツチング終点判定を容易に行なうことができるという効
果がある。
第1図は本発明の一実施例であるエツチング終点判定装
置の取付構成を示す概略図である。 1・・・・・・処理室、2・・・・・・放電管、3・・
・・・・アース電極、5・・・・・・マグネ]・ロン、
7・・・・・・排気系、8 ・・・・・・プラズマ発生
室、9・・・・・・対向tall、10・・・・・・高
周波′fK#、14・・・・・・光電変換器、15・・
・・・・終点flJ定用マイコン
置の取付構成を示す概略図である。 1・・・・・・処理室、2・・・・・・放電管、3・・
・・・・アース電極、5・・・・・・マグネ]・ロン、
7・・・・・・排気系、8 ・・・・・・プラズマ発生
室、9・・・・・・対向tall、10・・・・・・高
周波′fK#、14・・・・・・光電変換器、15・・
・・・・終点flJ定用マイコン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、プラズマ中の電荷を持った電子およびイオンを取り
除き電気的に中性のラジカルのみをエッチングを行うド
ライエッチング装置の排気系に、該排気系の排気ガスを
プラズマ化する手段および、該プラズマ化手段により発
生させたプラズマをモニターするプラズマモニター手段
を設けたことを特徴とするエッチング終点判定装置。 2、前記プラズマモニターは、排気中のガスのある特定
のガス成分の発行強度を観察する請求項1記載のエッチ
ング終点判定装置。 3、前記プラズマ化手段は、高周波電源、直流電源また
はマイクロ波電源のいずれかを用いてプラズマ化させる
請求項1記載のエッチング終点判定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28299689A JPH03147318A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | エッチング終点判定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28299689A JPH03147318A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | エッチング終点判定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03147318A true JPH03147318A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17659864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28299689A Pending JPH03147318A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | エッチング終点判定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03147318A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004107413A3 (en) * | 2003-05-22 | 2006-02-16 | Axcelis Tech Inc | Plasma ashing apparatus and endpoint detection process |
JP2007501535A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-01-25 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | プラズマ装置、プラズマ装置のための配ガスアセンブリー、およびそれらを用いた処理方法 |
JP2015039000A (ja) * | 2009-03-12 | 2015-02-26 | エスピーピー プロセス テクノロジー システムズ ユーケー リミティド | ワークピースを化学的にエッチングする装置 |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP28299689A patent/JPH03147318A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004107413A3 (en) * | 2003-05-22 | 2006-02-16 | Axcelis Tech Inc | Plasma ashing apparatus and endpoint detection process |
JP2007501535A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-01-25 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | プラズマ装置、プラズマ装置のための配ガスアセンブリー、およびそれらを用いた処理方法 |
JP4780411B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2011-09-28 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2015039000A (ja) * | 2009-03-12 | 2015-02-26 | エスピーピー プロセス テクノロジー システムズ ユーケー リミティド | ワークピースを化学的にエッチングする装置 |
US9159599B2 (en) | 2009-03-12 | 2015-10-13 | Spts Technologies Limited | Apparatus for chemically etching a workpiece |
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