JPH03120559U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03120559U JPH03120559U JP2780290U JP2780290U JPH03120559U JP H03120559 U JPH03120559 U JP H03120559U JP 2780290 U JP2780290 U JP 2780290U JP 2780290 U JP2780290 U JP 2780290U JP H03120559 U JPH03120559 U JP H03120559U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- plasma chamber
- irradiating
- film formation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例によるＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置の縦断面概略構成図、第２図は前記
実施例装置のキヤビテイ部分の斜視概略図、第３
図はキヤビテイの他の例を示す斜視概略図である
。 １……プラズマ室（キヤビテイ）、３ａ，３ｂ
……ガス導入口、５ａ，５ｂ……電磁コイル、６
……反応室、８……基板。
マＣＶＤ装置の縦断面概略構成図、第２図は前記
実施例装置のキヤビテイ部分の斜視概略図、第３
図はキヤビテイの他の例を示す斜視概略図である
。 １……プラズマ室（キヤビテイ）、３ａ，３ｂ
……ガス導入口、５ａ，５ｂ……電磁コイル、６
……反応室、８……基板。
Claims (1)
- 複数のガス導入口を有しプラズマを発生させる
プラズマ室と、前記プラズマ室周囲に配置され電
子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁界を形成す
るための磁気回路と、内部に配置された基板にプ
ラズマを照射させて成膜処理を行う反応室とを備
えたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2780290U JPH03120559U (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2780290U JPH03120559U (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120559U true JPH03120559U (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=31530636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2780290U Pending JPH03120559U (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120559U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6429817A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Sharp Kk | Production of liquid crystal cell |
| JPH01104777A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Canon Inc | 堆積膜の形成方法 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2780290U patent/JPH03120559U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6429817A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Sharp Kk | Production of liquid crystal cell |
| JPH01104777A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Canon Inc | 堆積膜の形成方法 |