JPH0379422U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0379422U
JPH0379422U JP14170789U JP14170789U JPH0379422U JP H0379422 U JPH0379422 U JP H0379422U JP 14170789 U JP14170789 U JP 14170789U JP 14170789 U JP14170789 U JP 14170789U JP H0379422 U JPH0379422 U JP H0379422U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lower electrode
etching
ecr
ecr etching
microwaves
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14170789U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14170789U priority Critical patent/JPH0379422U/ja
Publication of JPH0379422U publication Critical patent/JPH0379422U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例によるECRエツ
チング装置を示す断面図、第2図はこの考案の一
実施例によるECRエツチング装置の下電極部の
断面図、第3図は第2図の上面図、第4図は従来
のECRエツチング装置を示す断面図である。 図において、1……導波管、2……石英窓、4
……ガス導入口、5a,5b……マグネツト・コ
イル、6……反応室、8……絞り板、9……処理
室、14……RF電源、15……ガス排気口、4
2a,42b……第1および第2ウエハ、43…
…下電極である。なお、図中、同一符号は同一、
又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. マイクロ波と磁場の共鳴により発生するプラズ
    マを用いて、エツチングを行なうECRエツチン
    グ装置において、複数枚のウエハを同時に載置す
    る下電極と、均一性の高いエツチング処理を行う
    ために、前記複数枚のウエハをプラズマの照射方
    向に対し直角に保持する支持シヤフトとを備えた
    ことを特徴とするECRエツチング装置。
JP14170789U 1989-12-06 1989-12-06 Pending JPH0379422U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14170789U JPH0379422U (ja) 1989-12-06 1989-12-06

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14170789U JPH0379422U (ja) 1989-12-06 1989-12-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0379422U true JPH0379422U (ja) 1991-08-13

Family

ID=31688577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14170789U Pending JPH0379422U (ja) 1989-12-06 1989-12-06

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0379422U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5016564A (en) Plasma apparatus
WO2000058994A1 (en) Method and apparatus for compensating non-uniform wafer processing in plasma processing
JPH0379422U (ja)
JP2567892B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH071788Y2 (ja) プラズマ装置
JP2575935Y2 (ja) ドライエッチング装置
JPS62152127A (ja) プラズマ装置
JPH0637052A (ja) 半導体加工装置
JP2576139B2 (ja) プラズマ装置
JPH0247030U (ja)
JPS63153525U (ja)
JPS6255564U (ja)
JPH10261626A (ja) プラズマ処理装置及びこのプラズマ処理装置を用いたアッシング法
JPH0741155Y2 (ja) プラズマエッチング装置
JPH0176033U (ja)
JP2880586B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH0397924U (ja)
JPS61123010A (ja) 非晶質薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPH0345633U (ja)
JPS6188236U (ja)
JPH028132U (ja)
JPH02125331U (ja)
JPS59166674A (ja) プラズマエツチング方法
JPS59181620A (ja) 反応性イオンエツチング方法
JPS61136537U (ja)