JPS61123010A - 非晶質薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

非晶質薄膜磁気ヘツドの製造方法

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Publication number
JPS61123010A
JPS61123010A JP24551784A JP24551784A JPS61123010A JP S61123010 A JPS61123010 A JP S61123010A JP 24551784 A JP24551784 A JP 24551784A JP 24551784 A JP24551784 A JP 24551784A JP S61123010 A JPS61123010 A JP S61123010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
magnetic field
amorphous thin
etching
magnetic head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24551784A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsukasa Kobayashi
司 小林
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Publication date
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Publication of JPS61123010A publication Critical patent/JPS61123010A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、磁界中熱処理が必要な非晶質軟磁性薄膜を
磁極とする磁気ヘッドの製造方法に関する。
(従来の技術) 非晶質薄膜、特に、GO基の非晶質薄膜は、軟磁性特性
が侵れているので、磁気ヘッドへの応用が注目されてい
る。
しかし、この種の薄膜は主にスパッタ法により作成され
るが、そのままの状態では磁気異方性が大きい。磁気ヘ
ッドの磁極としては、周波数特性の良好な磁化困難軸方
向を利用することが望ましいが、上記したように磁気異
方性が大きいために、この方向の透磁率が小さい。
そこで、この透磁率を高めるために、当該薄膜を回転磁
界中で熱処理することが一般に行なわれている。
このようにして透磁率を高めた磁気ヘッドは、フォトリ
ングラフィ法でレジストを形成した後、湿式あるいはド
ライエツチング法により、当該ヘッドの成形をする。
(本発明が解決しようとする問題点) 上記のようにした従来の磁気ヘッドの製造方法では、ス
パッタ法による薄膜形成、磁界中熱処理及びフォトリン
グラフィ法等によるヘッド磁極形成の各行程を必要とし
ていたが、実際には、その行程の短縮を要望されていた
この発明の目的は、ドライエツチング時に発生する熱を
利用して、そのエツチングと磁界中熱処理とを同時に行
なって、処理行程を短縮化することである。
(問題点を解決するための手段) この発明は、上記の目的を達成するために、真空プラズ
マ中でドライエツチングするとともに、このドライエツ
チング時に発生する熱を利用して磁界中熱処理を同時に
行なうようにしている。
(本発明の作用) 真空プラズマ中でドライエツチングをすれば熱を発生す
るので、その熱を利用して磁界中熱処理ができる。
(本発明の効果) ドライエツチングと磁界中熱処理とを同時にできるので
、処理行程を短縮でき、それだけ製造コスi・も低減で
きる。
また、この方法では、従来のスパッタ法に用いた装置を
そのまま使用できるので、特別な設備を必要としない利
点もある。
(本発明の実施例) 周囲にヘルムホルツコイル1を設けた真空室2には、回
転自在にした陰極板3を設けるとともに、この陰極板3
に当該磁気ヘッドに使用する基板4を載置する。
このようにした真空室2は排気口5から図示していない
真空ポンプで排気されるとともに、ガス導入口6からA
rガスあるいは他の活性ガスを導入するようにしている
そして、基板4上には非晶質薄膜7を形成するとともに
、さらにこの非晶質簿膜7上にレジスト8を形成する。
このようにした基板4を陰極板3に載置した後、真空室
2を図示していない真空ポンプで排気する。
この真空室2を排気した後、ガス導入口6からArガス
あるいは他の活性ガスを導入して、真空室2内に真空プ
ラズマを形成する。
この状態で陰極板3を回転させながらヘルムホルツコイ
ル1に通電すれば、上記薄膜7に回転磁界が印加される
とともに、スパッタ法によるエツチングが開始される。
そして、このエツチング時に発生する熱によって、磁界
中熱処理が同時に行なわれる。
なお、図中符号9は補助ヒータで、非晶質薄膜7を加熱
するためのものである。ただし、磁気ヘッドの形状、非
晶質薄膜の組成あるいエツチングのための電力等の条件
によっては、この補助ヒータ9が不要となる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の実施例に使用する装置の模式%式% 図面の予告(内7Fに変更なし) 痺 1 品 手U己祁j正書(方式) 1事件の表示 昭和58年特許願第245517号 2発明の名称 非晶質薄III磁気へ・ンドの製造方法3補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所 東京都府中市四谷5−8−1 名称 日電アネルバ株式会社 代表者 織1)善次部 4代理人 〒170  ff (887)2!33B5
補正命令の日刊   昭和60年3月26日6補正の対
象 明細書の図面の簡単な説明の欄および図面7補正の内容

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空プラズマ中でドライエッチングするとともに、この
    ドライエッチング時に発生する熱を利用して磁界中熱処
    理を同時に行なうことを特徴とする非晶質薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
JP24551784A 1984-11-20 1984-11-20 非晶質薄膜磁気ヘツドの製造方法 Pending JPS61123010A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG122873A1 (en) * 2004-11-25 2006-06-29 Psk Inc Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same
US9617189B2 (en) 2013-08-30 2017-04-11 Ut-Battelle, Llc Apparatus and method for materials processing utilizing a rotating magnetic field

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG122873A1 (en) * 2004-11-25 2006-06-29 Psk Inc Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same
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