JPS62134917A - 厚膜の磁性膜製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 口既要〕 真空成膜法で磁気異方性を付与して厚膜の磁性膜を製造
する場合、所定値より厚（すると磁化容易軸の方向が厚
み方向に分散して透磁率が低下するため、絶縁膜を形成
して防止するが、この絶縁膜を磁性膜表面の酸化又は窒
化により作成することで、製造設備を簡易化し、パター
ン作成を容易とすると共に、磁性膜と絶縁層の密着性も
良くする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は真空成膜法で製造される磁性膜製造方法に係り
、特に磁気異方性を付与して厚膜の磁性膜を形成する際
に、高い透磁率を維持することを可能とする製造方法に
関する。

磁気ディスク装置等においては記録密度の向上に伴い、
磁気ヘッドも小型とする必要性から真空成膜法で製造さ
れる薄膜磁気ヘッドが用いられている。

この薄膜磁気ヘッドに使用される厚膜の磁性膜は真空成
膜法で作成されるが、この真空成膜法で厚膜の磁性膜を
作成する場合、透磁率を高めるため、磁界を与えて磁気
異方性を付与するが、磁性膜を０．３／ＩＪＩ＋程度以
上の膜厚にすると、透磁率が低下してくる。

これは膜厚が厚くなると、厚み方向に磁化容易軸が分散
するためである。従って、この透磁率低下を防止するた
め、磁性膜を多層に分割し、各層間に絶縁物を介在させ
ることで、透磁率低下を防止している。

ところで、この絶縁物を介在させることにより、磁性膜
の密着性が低下したり、パターン形成方法が限定される
ことが無く、且つスパッタ又は蒸着設備が複雑とならな
いことが必要である。

〔従来の技術〕

従来は磁性膜を多層に分割し、その間にＳｉＯ２（酸化
シリコン）等の絶縁物を介在させている。

即ち真空チャンバ内で、例えばパーマロイをスパッタ又
は蒸着して磁性膜を形成し、この磁性膜上に５ｉ０２を
スパッタ又は蒸着して絶縁層を形成する工程を繰り換え
し、磁性膜間に絶縁層を形成している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

・　上記の如き従来の方法では、ＳｉＯ２と磁性膜との
密着性が比較的悪く、且つ製作された厚膜から必要とす
るパターンを形成する場合、イオンミーリングにて作成
する必要があるため、パターン形成方法が限定される。

（Ｓｉ０２のため通常のエツチングが利用出来ない） 又更に同一真空領域内で多層蒸着をする場合、チャンバ
内がＳ　ｉ　Ｏ２により汚染されるため、５ｉ０２専用
のスパッタ又は蒸着設備が必要となるという問題がある
。

本発明はこのような問題点に鑑み、磁性膜の表面を酸化
又は窒化することにより、磁気的及び電気的な隔離層を
形成するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は磁性材を磁界中でスパッタ又は蒸着により、ウ
ェハー上に磁性膜を作成し、この表面を酸化又は窒化さ
せて隔離層を作成し、この隔離層の表面上に、更に磁性
材をスパッタ又は蒸着することを繰り返し、厚膜の磁性
膜を作成するものである。

〔作用〕

上記の如く作成すると、透磁率の高い厚膜の磁性膜を製
造することが出来る。

〔実施例〕

本実施例はパーマロイを使用し、２層で厚みが０．５　
／１１１の磁性膜を形成する場合を説明する。

第１図はウェハーの配置を説明する図で、第２図は本実
施例による磁性膜のＢ−Ｈ特性を説明する図である。

第１図において、まず ■ウェハー１を磁気異方性を付与したい方向に合わせ、
取付治具４の磁石２と３の間にセットする。この場合矢
印で示す方向が磁化容易軸の方向となる。

■この取付治具４をスパッタ装置又は蒸着装置にセット
し、パーマロイを０．２５７−１１１スパツタ又は蒸着
する。膜厚はモニタで制御する。

■スパッタ又は蒸着が終わると、この取付冶具４を、そ
のまま０２プラズマエツチヤー（例えばＩＰＣ−３００
０）の中にセットし、０．５気圧の０２の中で２００ワ
ツトで３０分間の０２プラズマアッシャ−を行う。

■再度取付治具４をスパッタ装置又は蒸着装置にセット
し、パーマロイを０．２５／４１１スパツタ又は蒸着す
る。

上記方法により形成した磁性膜は第２図に示す如く、磁
気異方性が付与されたａ　磁率の高い磁性膜が得られる
。

即ち第２図（ａｌに示す如く磁界の与えられた方向は磁
気異方性が与えられ、その直角方向では、０゜５趨の単
層膜の場合透磁率が３００〜６００であるが、第２図（
ｂ）に示す如く透磁率が１６００−１７００のものが作
成された。

〔発明の効果〕

上記の如く磁性膜を酸化又は窒化させて隔離層を形成す
ると、単一の材料で厚膜の磁性膜を形成出来ると共に、
透磁率が低下せず、且つ静磁的に安定した渦電流による
損失の少ない厚膜の磁性膜が得られる。

そして、スパッタ又は蒸着装置は磁性膜作成用のみで良
く、パターン作成も容易であり、磁性膜の密着性も良好
となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はウェハーの配置を説明する図、第２図は本実施
例による磁性膜のＢ−Ｈ特性を説明する図である。 図において、 １はウェハー、　　２．３は磁石、 ４は取付冶具である。 ウェハーの配置を説明する図 第　　　１１ｉ！ｆｆ 磁性膜のＢ−Ｈ特性を説明する図 第　　　２　　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　真空成膜法で磁気異方性を付与して磁性膜を製造する
   磁性膜製造方法において、 透磁率が低下しない範囲内の厚みを持つ磁性膜を形成し
   た後、該磁性膜の表面を酸化又は窒化させた後、更に該
   酸化又は窒化された表面上に透磁率が低下しない範囲内
   の厚みを持つ磁性膜を形成することを繰り返し、厚膜の
   磁性膜を形成することを特徴とする厚膜の磁性膜製造方
   法。