JPS6262410A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6262410A JPS6262410A JP20168385A JP20168385A JPS6262410A JP S6262410 A JPS6262410 A JP S6262410A JP 20168385 A JP20168385 A JP 20168385A JP 20168385 A JP20168385 A JP 20168385A JP S6262410 A JPS6262410 A JP S6262410A
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- layer
- magnetic
- sputtering
- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録ヘッドの製造方法に関し、特にその多
層膜コアの簡便な製造方法に関する。
層膜コアの簡便な製造方法に関する。
磁気ヘッドはセンダスト、パーマロイ等の高透磁率磁性
材料から構成されているが、これらの金属磁性体は単層
構造では高周波特性が低下するので、ヘッドの高周波特
性を向上させるために磁性層を多層化して各層間にAl
2O3、SiO2等の非磁性絶縁物よりなる層を形成し
過電流損失を小さくする方法が一般に用いられている。
材料から構成されているが、これらの金属磁性体は単層
構造では高周波特性が低下するので、ヘッドの高周波特
性を向上させるために磁性層を多層化して各層間にAl
2O3、SiO2等の非磁性絶縁物よりなる層を形成し
過電流損失を小さくする方法が一般に用いられている。
その製造方法として例えばスパッタ法によるものであれ
ば、従来は磁性材料と非磁性絶縁材料との2種類のター
ゲットを用意し、それらを交互に選択して基板上に磁性
層と非磁性層とを交互にスパッタ成膜する方法が採用さ
れてきた。
ば、従来は磁性材料と非磁性絶縁材料との2種類のター
ゲットを用意し、それらを交互に選択して基板上に磁性
層と非磁性層とを交互にスパッタ成膜する方法が採用さ
れてきた。
しかしながら、上記のような磁気ヘッドの製造方法にお
いては、2種類のターゲットを交互に選択して磁性層と
非磁性層とを交互にスパッタ成膜するという構成である
から、形成する層の数が多くなると: ■ ターゲットの選択回数が多くなり、製造上の手間が
太きい、 ■ 製造に時間がかかる、 等の欠点があった。
いては、2種類のターゲットを交互に選択して磁性層と
非磁性層とを交互にスパッタ成膜するという構成である
から、形成する層の数が多くなると: ■ ターゲットの選択回数が多くなり、製造上の手間が
太きい、 ■ 製造に時間がかかる、 等の欠点があった。
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、
磁気ヘッドの製造、特にスパッタ法による多層膜コアの
製造においてターゲット選択等の手間を省き、多層膜コ
アと同等の電磁気特性を持つコアを簡便に製造すること
ができる方法を提供することを目的とする。
磁気ヘッドの製造、特にスパッタ法による多層膜コアの
製造においてターゲット選択等の手間を省き、多層膜コ
アと同等の電磁気特性を持つコアを簡便に製造すること
ができる方法を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明の磁気ヘッド製造方法は、(1)初めにAr等の
不活性雰囲気下においてスパッタ法により磁性層を所定
の厚みに形成し、(2)次に、このようにして形成した
磁性層は表面活性が高いという点を利用して、チャンバ
ー内に所定量の02ガスを導入することによって前記磁
性層の表面層を酸化して非磁性の酸化物層を形成して、
これを絶縁層とするものであり、これら(11、(2)
の工程を反復することによって積層式のコアを製造する
ものである。
不活性雰囲気下においてスパッタ法により磁性層を所定
の厚みに形成し、(2)次に、このようにして形成した
磁性層は表面活性が高いという点を利用して、チャンバ
ー内に所定量の02ガスを導入することによって前記磁
性層の表面層を酸化して非磁性の酸化物層を形成して、
これを絶縁層とするものであり、これら(11、(2)
の工程を反復することによって積層式のコアを製造する
ものである。
また、別法として、前記(2)において02 ガスを導
入した活性雰囲気下で磁性ターゲットを0□ ガスによ
ってスパッタする方法により酸化物層即ち絶縁層を形成
してもよい。また、必ずしも必要とはしないが、好まし
くは前記三方法において、(1)磁性層形成後にチャン
バー内を排気して高真空にする、 (11)絶縁層形成後に02ガスを排気する、という操
作を行うことKよって、次の絶縁層又は磁性層形成の効
率をより高めることができる。
入した活性雰囲気下で磁性ターゲットを0□ ガスによ
ってスパッタする方法により酸化物層即ち絶縁層を形成
してもよい。また、必ずしも必要とはしないが、好まし
くは前記三方法において、(1)磁性層形成後にチャン
バー内を排気して高真空にする、 (11)絶縁層形成後に02ガスを排気する、という操
作を行うことKよって、次の絶縁層又は磁性層形成の効
率をより高めることができる。
また、形成する絶縁層の厚みは導入する02 ガスの量
と基板温度とによって自由に調節できるが、薄すぎろと
絶縁性が悪くなり、厚すぎると磁気特性が悪くなるため
、20〜200にの厚みが好ましい。
と基板温度とによって自由に調節できるが、薄すぎろと
絶縁性が悪くなり、厚すぎると磁気特性が悪くなるため
、20〜200にの厚みが好ましい。
以上のような方法によって、Al 203や5in2
よりなる非磁性絶縁層をわざわざターゲットを換えて
スパッタ法で形成することなく、簡便に絶縁層を形成す
ることができる。
よりなる非磁性絶縁層をわざわざターゲットを換えて
スパッタ法で形成することなく、簡便に絶縁層を形成す
ることができる。
以下、本発明の好適な実施例を説明する。
実施例1
ターゲットをセンダストとし、下記の条件でスパッタ法
により磁性層を形成した。
により磁性層を形成した。
Ar ガス圧: 5X10 torrFLFパワー
:t5kW 膜厚 :3μ 次に、チャンバー内をI X 10−’ torr
まで排気し、02 ガスを導入してI X 10−2t
orr として5分間放置した。その後、再びチャン
バー内を1X 10 torr まで排気し、上記
の条件で磁性層を形成した。
:t5kW 膜厚 :3μ 次に、チャンバー内をI X 10−’ torr
まで排気し、02 ガスを導入してI X 10−2t
orr として5分間放置した。その後、再びチャン
バー内を1X 10 torr まで排気し、上記
の条件で磁性層を形成した。
これらの操作を3サイクル行った。
第1図は、本方法により製造した磁気ヘッドの積層膜、
の拡大図であり、図中、1は磁性層、2は磁性層1の表
面を酸化して形成した非磁性絶縁層である。
の拡大図であり、図中、1は磁性層、2は磁性層1の表
面を酸化して形成した非磁性絶縁層である。
SEMにより、絶縁層の厚みは100〜200人であっ
た。
た。
実施例2
ターゲットをCo −Zr −Nb とし、下記の条
件でスパッタ法により磁性層を形成した。
件でスパッタ法により磁性層を形成した。
Ar ガス圧: 5 X 10−’ torrRFパ
ワー:1kW 膜厚 :3μ 以下、例1と同様の操作により積層膜を形成した。
ワー:1kW 膜厚 :3μ 以下、例1と同様の操作により積層膜を形成した。
比較例
実施例1において02ガス導入の代わりVC,SiO2
をターゲットとして絶縁層をスパッタ形成した。
をターゲットとして絶縁層をスパッタ形成した。
比較例と実施例1とにおける磁気特性を表1に示す。
表1
〔発明の効果〕
本発明の方法は上記のような構成であるから、磁性層と
非磁性層とを交互に形成する際にそれぞれ異なったター
ゲットを選択する等の手間が省けて簡便に積層を形成す
ることができろ。
非磁性層とを交互に形成する際にそれぞれ異なったター
ゲットを選択する等の手間が省けて簡便に積層を形成す
ることができろ。
また、本発明の方法によって製造した磁気ヘッドの多層
膜コアは、磁性層の表面を酸化して非磁性層を形成して
いるため、磁性層と非磁性層との境界がそれほど明確に
はならず、従ってその結果飽和磁束密度が高くなり、優
れた磁気特性を示すという利点があり、さらに磁性を高
く保ちながら絶縁性を高められるので、透磁率μの向上
にもつながる。
膜コアは、磁性層の表面を酸化して非磁性層を形成して
いるため、磁性層と非磁性層との境界がそれほど明確に
はならず、従ってその結果飽和磁束密度が高くなり、優
れた磁気特性を示すという利点があり、さらに磁性を高
く保ちながら絶縁性を高められるので、透磁率μの向上
にもつながる。
第1図は、本発明の方法によって製造した磁気ヘッドの
多層膜コアの一実施例の拡大図である。 図中、1は磁性層、2は絶縁層である。
多層膜コアの一実施例の拡大図である。 図中、1は磁性層、2は絶縁層である。
Claims (4)
- (1)スパッタリング装置を用いて磁性層と絶縁層との
多層膜よりなるコアを含む磁気ヘッドを製造する方法に
おいて、(a)磁性層をスパッタにより所定の厚みに形
成し、(b)所定量のO_2ガスを導入して磁性層の表
面層に酸化物を形成することにより絶縁層を形成し、次
いで前記(a)と(b)の工程を所定回数反復すること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - (2)第2回目の工程(a)はスパッタに先立つ排気工
程を、工程(b)はO_2ガスの導入に先立つ排気工程
を含んでいる特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッドの
製造方法。 - (3)前記工程(b)は、磁性層の表面層をO_2ガス
により酸化して絶縁層を形成する特許請求の範囲第1又
は2項のいずれかに記載の方法。 - (4)前記工程(b)は、O_2ガスで磁性ターゲット
をスパッタすることによつて酸化物よりなる絶縁層を形
成する特許請求の範囲第1又は2項のいずれかに記載の
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20168385A JPS6262410A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20168385A JPS6262410A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6262410A true JPS6262410A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16445171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20168385A Pending JPS6262410A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6262410A (ja) |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20168385A patent/JPS6262410A/ja active Pending
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