JP3211295B2 - 積層型磁気ヘッド - Google Patents
積層型磁気ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置等に
用いられ、磁気コアを金属磁性膜と絶縁膜を交互に積層
して構成した積層型磁気ヘッドに関するものである。
用いられ、磁気コアを金属磁性膜と絶縁膜を交互に積層
して構成した積層型磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記憶装置の高密度化に伴い記
録媒体の高抗磁力化、薄膜化が進み、これに対応して磁
気ヘッドでは、フェライトヘッドのギャップ対向面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜を設けたメタル・イン・ギャ
ップヘッドや、薄膜磁気ヘッドが実用化されつつある。
録媒体の高抗磁力化、薄膜化が進み、これに対応して磁
気ヘッドでは、フェライトヘッドのギャップ対向面に高
飽和磁束密度の金属磁性膜を設けたメタル・イン・ギャ
ップヘッドや、薄膜磁気ヘッドが実用化されつつある。
【０００３】さらに最近ではＶＴＲ用ヘッドとして、高
飽和磁束密度のセンダスト膜やアモルファス膜をコア材
とする金属磁性膜ヘッドが注目されてきている。かかる
金属磁性膜ヘッドは、基本的には、２つの非磁性基板間
に金属磁性膜を挟み込んで構成されるものであるが、金
属磁性膜の膜厚がトラック幅を決定するものであること
から、金属磁性膜の膜厚を比較的大きくしなければなら
ない。しかしながら金属磁性膜の抵抗値は非常に小さ
く、その膜厚を大きくすると、高周波渦電流損失が著し
く大きくなり、高周波での再生効率が低下してしまうこ
とになる。
飽和磁束密度のセンダスト膜やアモルファス膜をコア材
とする金属磁性膜ヘッドが注目されてきている。かかる
金属磁性膜ヘッドは、基本的には、２つの非磁性基板間
に金属磁性膜を挟み込んで構成されるものであるが、金
属磁性膜の膜厚がトラック幅を決定するものであること
から、金属磁性膜の膜厚を比較的大きくしなければなら
ない。しかしながら金属磁性膜の抵抗値は非常に小さ
く、その膜厚を大きくすると、高周波渦電流損失が著し
く大きくなり、高周波での再生効率が低下してしまうこ
とになる。
【０００４】そこで、この欠点を除去するために、非磁
性基板間で金属磁性膜と電気的絶縁性を有する絶縁膜と
を交互に複数積層し、多層構造にして所定のトラック幅
を得るようにし、コア材の電気抵抗を増大させて、高周
波での渦電流損失が大幅に減少するように構成してい
る。例えば、飽和磁束密度が十分に高い金属磁性膜とＳ
ｉＯ2等の絶縁膜をスパッタリング、蒸着等の方法で薄
膜化し、交互に積層してその両面を非磁性基板で挟み磁
気コアブロックを形成し、この磁気コアブロックより磁
気コアを製作した積層型磁気ヘッドがその一例である。
性基板間で金属磁性膜と電気的絶縁性を有する絶縁膜と
を交互に複数積層し、多層構造にして所定のトラック幅
を得るようにし、コア材の電気抵抗を増大させて、高周
波での渦電流損失が大幅に減少するように構成してい
る。例えば、飽和磁束密度が十分に高い金属磁性膜とＳ
ｉＯ2等の絶縁膜をスパッタリング、蒸着等の方法で薄
膜化し、交互に積層してその両面を非磁性基板で挟み磁
気コアブロックを形成し、この磁気コアブロックより磁
気コアを製作した積層型磁気ヘッドがその一例である。
【０００５】以下従来の積層型磁気ヘッドについて説明
する。図１６は従来の積層型磁気ヘッドを示す斜視図
で、図１７は図１６のＡ部の部分拡大図である。図１６
及び図１７において、１はスライダーで、スライダー１
には一対の互いに平行な浮上レール２，３が設けられて
いる。スライダー１はチタン酸カルシウム,α−ヘマタ
イト,結晶化ガラス等の非磁性材料でできた基板４と、
基板４と同じ材料で構成された基板５と、基板４と基板
５の間に設けられた積層コア６によって構成されてい
る。またスライダー１の端面には巻線溝７が設けられて
いる。８，９はそれぞれ浮上レール３，２の端面に磁気
ギャップとなる非磁性膜１２を介して接合されたコア
で、コア８はセラミック等のチタン酸カルシウム,α−
ヘマタイト,結晶化ガラス等の非磁性材料によって構成
された基板１０，１１とその基板１０，１１間に設けら
れた積層コア６によって構成されている。このときスラ
イダー１の積層コア６とコア８の積層コア６が対向する
ように、スライダー１とコア８は接合されている。また
コア９は全てチタン酸カルシウム,α−ヘマタイト,結晶
化ガラス等の非磁性材料によって構成されている。積層
コア６は図１７に示す様に基板５の上に金属磁性膜６ａ
を形成し、金属磁性膜６ａの上に絶縁膜６ｂを形成す
る。この金属磁性膜６ａと絶縁膜６ｂを所定のトラック
幅になるまで交互に積層していく。そして基板４を積層
コア６の表面に低融点ガラス１３によって接合する。コ
ア８の積層コア６も同様に構成される。この時金属磁性
膜６ａはセンダスト合金やパーマロイ合金，アモルファ
ス磁性合金等の金属磁性材料が用いられ、絶縁膜６ｂに
はＳｉＯ2等の絶縁材料が用いられる。また金属磁性膜
６ａはスパッタリング法や蒸着等の薄膜形成技術で作成
したり、材料等によっては鍍金法等でも作成される。
する。図１６は従来の積層型磁気ヘッドを示す斜視図
で、図１７は図１６のＡ部の部分拡大図である。図１６
及び図１７において、１はスライダーで、スライダー１
には一対の互いに平行な浮上レール２，３が設けられて
いる。スライダー１はチタン酸カルシウム,α−ヘマタ
イト,結晶化ガラス等の非磁性材料でできた基板４と、
基板４と同じ材料で構成された基板５と、基板４と基板
５の間に設けられた積層コア６によって構成されてい
る。またスライダー１の端面には巻線溝７が設けられて
いる。８，９はそれぞれ浮上レール３，２の端面に磁気
ギャップとなる非磁性膜１２を介して接合されたコア
で、コア８はセラミック等のチタン酸カルシウム,α−
ヘマタイト,結晶化ガラス等の非磁性材料によって構成
された基板１０，１１とその基板１０，１１間に設けら
れた積層コア６によって構成されている。このときスラ
イダー１の積層コア６とコア８の積層コア６が対向する
ように、スライダー１とコア８は接合されている。また
コア９は全てチタン酸カルシウム,α−ヘマタイト,結晶
化ガラス等の非磁性材料によって構成されている。積層
コア６は図１７に示す様に基板５の上に金属磁性膜６ａ
を形成し、金属磁性膜６ａの上に絶縁膜６ｂを形成す
る。この金属磁性膜６ａと絶縁膜６ｂを所定のトラック
幅になるまで交互に積層していく。そして基板４を積層
コア６の表面に低融点ガラス１３によって接合する。コ
ア８の積層コア６も同様に構成される。この時金属磁性
膜６ａはセンダスト合金やパーマロイ合金，アモルファ
ス磁性合金等の金属磁性材料が用いられ、絶縁膜６ｂに
はＳｉＯ2等の絶縁材料が用いられる。また金属磁性膜
６ａはスパッタリング法や蒸着等の薄膜形成技術で作成
したり、材料等によっては鍍金法等でも作成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、低融点ガラス１３と絶縁膜６ｂが相互拡散
し、金属磁性膜６ａとその拡散した低融点ガラスが反応
することによって金属磁性膜６ａの磁気特性が劣化して
しまい、磁気ヘッドとしての諸特性が悪くなったり、低
融点ガラスと基板が反応し、低融点ガラス内に気泡が発
生したり、基板にチッピングが発生するという問題点が
あった。さらに低融点ガラス１３の拡散によって低融点
ガラス自体の組成が変化し、充分な基板と積層コア６の
接合強度が得られないという問題点も有していた。
の構成では、低融点ガラス１３と絶縁膜６ｂが相互拡散
し、金属磁性膜６ａとその拡散した低融点ガラスが反応
することによって金属磁性膜６ａの磁気特性が劣化して
しまい、磁気ヘッドとしての諸特性が悪くなったり、低
融点ガラスと基板が反応し、低融点ガラス内に気泡が発
生したり、基板にチッピングが発生するという問題点が
あった。さらに低融点ガラス１３の拡散によって低融点
ガラス自体の組成が変化し、充分な基板と積層コア６の
接合強度が得られないという問題点も有していた。
【０００７】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、低融点ガラスの拡散による積層コア中の金属磁性膜
の特性劣化を防止することができ、低融点ガラスの特性
劣化による接着強度の低下を防止できる積層型磁気ヘッ
ドを提供することを目的としている。
で、低融点ガラスの拡散による積層コア中の金属磁性膜
の特性劣化を防止することができ、低融点ガラスの特性
劣化による接着強度の低下を防止できる積層型磁気ヘッ
ドを提供することを目的としている。
【０００８】この目的を達成するために、基板上に金属
磁性膜と絶縁膜を交互に積層した積層コアを設け、積層
コアの上に低融点ガラスで接合した他の基板を備えた一
対のコア体を有し、一対のコア体を互いの積層コア同
士，互いの基板同士，互いの他の基板同士それぞれが対
向するように磁気ギャップを介して接合された積層型磁
気ヘッドであって、積層コアと低融点ガラスの間に積層
コア側から順に酸化物薄膜と反応防止膜を設けるととも
に、低融点ガラスと基板の間に酸化物薄膜を設け、反応
防止膜の構成材料として高融点金属材料かもしくは高融
点金属材料酸化物を用いた。
磁性膜と絶縁膜を交互に積層した積層コアを設け、積層
コアの上に低融点ガラスで接合した他の基板を備えた一
対のコア体を有し、一対のコア体を互いの積層コア同
士，互いの基板同士，互いの他の基板同士それぞれが対
向するように磁気ギャップを介して接合された積層型磁
気ヘッドであって、積層コアと低融点ガラスの間に積層
コア側から順に酸化物薄膜と反応防止膜を設けるととも
に、低融点ガラスと基板の間に酸化物薄膜を設け、反応
防止膜の構成材料として高融点金属材料かもしくは高融
点金属材料酸化物を用いた。
【０００９】
【作用】この構成により、低融点ガラスの金属磁性膜へ
の拡散を防止することができる。
の拡散を防止することができる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例における積層型磁気
ヘッドを示す斜視図、図２は図１のＡ部の部分拡大図で
ある。図１及び図２において、１はスライダー、２，３
は浮上レール、４，５は基板、６は積層コア、６ａは金
属磁性膜、６ｂは絶縁膜、７は巻線溝、８，９はコア、
１０，１１は基板、１２は非磁性膜で、これらは従来の
構成と同じである。１４はコア８に巻回された巻線、１
５は積層コア６の上に形成された酸化物薄膜、１６は酸
化物薄膜１５の上に形成された反応防止膜、１７は基板
４と積層コア６を接合する低融点ガラス、１８は低融点
ガラス１７と基板４の間に設けられた酸化物薄膜であ
る。コア８の方も同様な構成になっている。
ヘッドを示す斜視図、図２は図１のＡ部の部分拡大図で
ある。図１及び図２において、１はスライダー、２，３
は浮上レール、４，５は基板、６は積層コア、６ａは金
属磁性膜、６ｂは絶縁膜、７は巻線溝、８，９はコア、
１０，１１は基板、１２は非磁性膜で、これらは従来の
構成と同じである。１４はコア８に巻回された巻線、１
５は積層コア６の上に形成された酸化物薄膜、１６は酸
化物薄膜１５の上に形成された反応防止膜、１７は基板
４と積層コア６を接合する低融点ガラス、１８は低融点
ガラス１７と基板４の間に設けられた酸化物薄膜であ
る。コア８の方も同様な構成になっている。
【００１１】以下、本実施例による磁気ヘッドの製造方
法を図３から図１０を用いて説明する。
法を図３から図１０を用いて説明する。
【００１２】まず図３に示すように、チタン酸カルシウ
ム,α−ヘマタイト,結晶化ガラス等の非磁性材料からな
る基板１９上に、Ｆｅ-Ａｌ-Ｓｉ系合金（センダスト）
をＤＣまたはＲＦスパッタリング装置により所定の厚さ
例えば３μｍの膜厚で付着させ金属磁性膜６ａを形成す
る。その上に、電気的絶縁性を有するＳｉＯ2薄膜等の
絶縁膜６ｂをスパッタリングにより例えばスパッタ圧力
５〜４０ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力１ｋＷの条件で膜厚
０．１〜０．３μｍになる様に成膜する。この絶縁膜６
ｂ上に再び金属磁性材料をスパッタリングにより前回の
場合と同様に所要の厚さ付着させ金属磁性膜６ａを形成
する。この様に金属磁性膜６ａと絶縁膜６ｂを所定のト
ラック幅になるまで積層していく。次にこの様に構成さ
れた積層コア６の上に汚染物質の吸着や酸化の防止、耐
摩耗性の向上の目的でＳｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＳｉＯ
Ｎ膜等の酸化物薄膜１５を形成し、その上に接着材とな
る低融点ガラスと金属磁性膜６ａとの反応拡散を防止す
るような、例えばＣｒ膜、Ｔｉ膜等の高融点金属薄膜を
２００〜１０００Åの膜厚になる様に成膜形成する。こ
こで、反応防止膜１６としての高融点金属薄膜として
は、磁性薄膜と低融点ガラスとの反応を防ぐことができ
るものであればとくに限定せず、例えば、Ｍｏ、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆなどの金属膜を用いてもよ
いし、その酸化物膜でも構わない。
ム,α−ヘマタイト,結晶化ガラス等の非磁性材料からな
る基板１９上に、Ｆｅ-Ａｌ-Ｓｉ系合金（センダスト）
をＤＣまたはＲＦスパッタリング装置により所定の厚さ
例えば３μｍの膜厚で付着させ金属磁性膜６ａを形成す
る。その上に、電気的絶縁性を有するＳｉＯ2薄膜等の
絶縁膜６ｂをスパッタリングにより例えばスパッタ圧力
５〜４０ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力１ｋＷの条件で膜厚
０．１〜０．３μｍになる様に成膜する。この絶縁膜６
ｂ上に再び金属磁性材料をスパッタリングにより前回の
場合と同様に所要の厚さ付着させ金属磁性膜６ａを形成
する。この様に金属磁性膜６ａと絶縁膜６ｂを所定のト
ラック幅になるまで積層していく。次にこの様に構成さ
れた積層コア６の上に汚染物質の吸着や酸化の防止、耐
摩耗性の向上の目的でＳｉＯ2膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＳｉＯ
Ｎ膜等の酸化物薄膜１５を形成し、その上に接着材とな
る低融点ガラスと金属磁性膜６ａとの反応拡散を防止す
るような、例えばＣｒ膜、Ｔｉ膜等の高融点金属薄膜を
２００〜１０００Åの膜厚になる様に成膜形成する。こ
こで、反応防止膜１６としての高融点金属薄膜として
は、磁性薄膜と低融点ガラスとの反応を防ぐことができ
るものであればとくに限定せず、例えば、Ｍｏ、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆなどの金属膜を用いてもよ
いし、その酸化物膜でも構わない。
【００１３】一方、図４に示すように基板１９と同材質
の非磁性材料からなる基板２０上に酸化物薄膜１８を形
成し、その上にＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系の結晶化ガラ
スで構成された低融点ガラス１７をスパッタ法または粉
末沈降法を用いて形成する。この低融点結晶化ガラスの
厚みは０．２〜１．５μｍ程度になるようにする。尚本
実施例では、基板２０側に、低融点ガラスを形成するよ
うにしたが、積層コア６側の最上面に形成してもよい
し、また両基板の最上面に、所要の膜厚の半分低融点ガ
ラス薄膜を形成してもかまわない。
の非磁性材料からなる基板２０上に酸化物薄膜１８を形
成し、その上にＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系の結晶化ガラ
スで構成された低融点ガラス１７をスパッタ法または粉
末沈降法を用いて形成する。この低融点結晶化ガラスの
厚みは０．２〜１．５μｍ程度になるようにする。尚本
実施例では、基板２０側に、低融点ガラスを形成するよ
うにしたが、積層コア６側の最上面に形成してもよい
し、また両基板の最上面に、所要の膜厚の半分低融点ガ
ラス薄膜を形成してもかまわない。
【００１４】以上の様にして成膜形成された基板１９と
基板２０を治具を用いて加圧、加温接着して図５示す様
なブロックを形成する。実際には、図６に示す様に基板
２０の上に更に積層コア６を形成し、その上に新たな基
板を張り付ける。この様に複数個積み重ねて接合し複合
ブロック２１を形成する。次に図６の複合ブロック２１
を一点鎖線で示す様に積層面に対しほぼ直角に切断して
図７の様なプレ−ト２２を形成し、更に一点鎖線で示し
た様にプレ−ト面と積層コア６が直交するように短冊状
に切断して、図８に示す様な一対のヘッドコアブロック
２３，２４を作成する。また、図８に示す様に少なくと
も一方のヘッドコアブロックのギャップ対向面に積層磁
性体に直交する巻線溝７を形成し両ヘッドコアブロック
２３，２４のギャップ対向面を鏡面加工する。しかる
後、ヘッドコアブロックの何れか一方または両方のギャ
ップ対向面にギャップスペ−サとして、ギャップ長に相
当する厚さの非磁性膜１２をスパッタリングにより形成
し、図９に示す様にヘ ッドコアブロック２３，２４と
を非磁性膜１２を介して各コア部の積層コア６が互いに
相対する様に位置合わせしながら加圧保持し、その状態
でボンディングを行う。
基板２０を治具を用いて加圧、加温接着して図５示す様
なブロックを形成する。実際には、図６に示す様に基板
２０の上に更に積層コア６を形成し、その上に新たな基
板を張り付ける。この様に複数個積み重ねて接合し複合
ブロック２１を形成する。次に図６の複合ブロック２１
を一点鎖線で示す様に積層面に対しほぼ直角に切断して
図７の様なプレ−ト２２を形成し、更に一点鎖線で示し
た様にプレ−ト面と積層コア６が直交するように短冊状
に切断して、図８に示す様な一対のヘッドコアブロック
２３，２４を作成する。また、図８に示す様に少なくと
も一方のヘッドコアブロックのギャップ対向面に積層磁
性体に直交する巻線溝７を形成し両ヘッドコアブロック
２３，２４のギャップ対向面を鏡面加工する。しかる
後、ヘッドコアブロックの何れか一方または両方のギャ
ップ対向面にギャップスペ−サとして、ギャップ長に相
当する厚さの非磁性膜１２をスパッタリングにより形成
し、図９に示す様にヘ ッドコアブロック２３，２４と
を非磁性膜１２を介して各コア部の積層コア６が互いに
相対する様に位置合わせしながら加圧保持し、その状態
でボンディングを行う。
【００１５】以上述べた工程によって得られたボンディ
ング済みのブロックをヘッド外形寸法に切断（図１０）
してヘッドブロック２５を形成し、ヘッド全厚の薄肉
化、研磨等の工程を経て、図１に示す様な積層型磁気ヘ
ッドを形成する。
ング済みのブロックをヘッド外形寸法に切断（図１０）
してヘッドブロック２５を形成し、ヘッド全厚の薄肉
化、研磨等の工程を経て、図１に示す様な積層型磁気ヘ
ッドを形成する。
【００１６】ここで、本実施例の金属磁性膜と低融点ガ
ラスの間に酸化物薄膜及び反応防止膜を介在させたヘッ
ドと従来例のヘツドについて、金属磁性膜と低融点ガラ
スの界面の各構成原子の拡散状況をＸ線光電子分光分析
によるデ−タをもとに説明する。従来例の組合せサンプ
ルとして、α−ヘマタイト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉを
スパッタリング法により３μｍ形成し、その上にＳｉＯ
2を０．１μｍ、低融点ガラスを０．３μｍ形成し、５
５０℃の熱処理を行ったものを第１のサンプルとした。
ラスの間に酸化物薄膜及び反応防止膜を介在させたヘッ
ドと従来例のヘツドについて、金属磁性膜と低融点ガラ
スの界面の各構成原子の拡散状況をＸ線光電子分光分析
によるデ−タをもとに説明する。従来例の組合せサンプ
ルとして、α−ヘマタイト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉを
スパッタリング法により３μｍ形成し、その上にＳｉＯ
2を０．１μｍ、低融点ガラスを０．３μｍ形成し、５
５０℃の熱処理を行ったものを第１のサンプルとした。
【００１７】本発明の組合せサンプルとして、α−ヘマ
タイト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉを３μｍ形成し、その
上にＳｉＯ2を０．１μｍ、Ｃｒを０．０５μｍその上
に低融点ガラスを０．３μｍ形成し、５５０℃の熱処理
を行ったものを第２のサンプルとした。
タイト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉを３μｍ形成し、その
上にＳｉＯ2を０．１μｍ、Ｃｒを０．０５μｍその上
に低融点ガラスを０．３μｍ形成し、５５０℃の熱処理
を行ったものを第２のサンプルとした。
【００１８】第１〜２のサンプルを低融点ガラス表面上
からＸ線光電子分光分析により、拡散、反応状態を観察
し測定した。第１のサンプル及び第２のサンプルの測定
結果をそれぞれ図１１及び図１２に示す。縦軸は各原子
のＸ線強度、横軸はエッチング時間（分）でこれは膜表
面からの深さを示している。図１１から明かなように反
応防止膜（Ｃｒ膜）１６がない場合には、低融点ガラス
１７と酸化物薄膜１５は反応、拡散して混合してしまう
ことが判る。一方、反応防止膜１６を用いた場合には、
図１２から明かなように、反応、拡散していないことが
判る。
からＸ線光電子分光分析により、拡散、反応状態を観察
し測定した。第１のサンプル及び第２のサンプルの測定
結果をそれぞれ図１１及び図１２に示す。縦軸は各原子
のＸ線強度、横軸はエッチング時間（分）でこれは膜表
面からの深さを示している。図１１から明かなように反
応防止膜（Ｃｒ膜）１６がない場合には、低融点ガラス
１７と酸化物薄膜１５は反応、拡散して混合してしまう
ことが判る。一方、反応防止膜１６を用いた場合には、
図１２から明かなように、反応、拡散していないことが
判る。
【００１９】次に、第１のサンプルと第２のサンプルの
磁気特性（透磁率と周波数の関係）の測定結果を図１３
に示す。図１３から明かなように、金属磁性膜６ａと低
融点ガラス１７の間に反応防止膜１６のない従来例の構
成では、磁気特性が劣化していることが判る。
磁気特性（透磁率と周波数の関係）の測定結果を図１３
に示す。図１３から明かなように、金属磁性膜６ａと低
融点ガラス１７の間に反応防止膜１６のない従来例の構
成では、磁気特性が劣化していることが判る。
【００２０】次に、本実施例の磁気ヘツドと従来例の磁
気ヘツドの金属磁性膜及び低融点ガラス近傍を顕微鏡で
観察した結果を図１４、図１５に示す。図１４の従来例
の磁気ヘッドでは接着材（低融点ガラス）内に気泡（ボ
イド）が発生しているのに対し、図１５の本実施例の磁
気ヘッドでは気泡の発生がないことが判る。
気ヘツドの金属磁性膜及び低融点ガラス近傍を顕微鏡で
観察した結果を図１４、図１５に示す。図１４の従来例
の磁気ヘッドでは接着材（低融点ガラス）内に気泡（ボ
イド）が発生しているのに対し、図１５の本実施例の磁
気ヘッドでは気泡の発生がないことが判る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、基板上に金属磁性膜と絶縁膜
を交互に積層した積層コアを設け、積層コアの上に低融
点ガラスで接合した他の基板を備えた一対のコア体を有
し、一対のコア体を互いの積層コア同士，互いの基板同
士，互いの他の基板同士それぞれが対向するように磁気
ギャップを介して接合された積層型磁気ヘッドであっ
て、積層コアと低融点ガラスの間に積層コア側から順に
酸化物薄膜と反応防止膜を設けるとともに、低融点ガラ
スと基板の間に酸化物薄膜を設け、反応防止膜の構成材
料として高融点金属材料かもしくは高融点金属材料酸化
物を用いたことにより、低融点ガラスの金属磁性膜への
拡散を防止することができるので、低融点ガラスの拡散
による積層コア中の金属磁性膜の特性劣化を防止するこ
とができ、低融点ガラスの特性劣化による接着強度の低
下を防止できる。また基板と低融点ガラスの間に酸化物
薄膜を設けたので、基板と低融点ガラスは反応を起こさ
ないので、低融点ガラス内に泡が発生したり、基板にチ
ッピングが発生することはない。
を交互に積層した積層コアを設け、積層コアの上に低融
点ガラスで接合した他の基板を備えた一対のコア体を有
し、一対のコア体を互いの積層コア同士，互いの基板同
士，互いの他の基板同士それぞれが対向するように磁気
ギャップを介して接合された積層型磁気ヘッドであっ
て、積層コアと低融点ガラスの間に積層コア側から順に
酸化物薄膜と反応防止膜を設けるとともに、低融点ガラ
スと基板の間に酸化物薄膜を設け、反応防止膜の構成材
料として高融点金属材料かもしくは高融点金属材料酸化
物を用いたことにより、低融点ガラスの金属磁性膜への
拡散を防止することができるので、低融点ガラスの拡散
による積層コア中の金属磁性膜の特性劣化を防止するこ
とができ、低融点ガラスの特性劣化による接着強度の低
下を防止できる。また基板と低融点ガラスの間に酸化物
薄膜を設けたので、基板と低融点ガラスは反応を起こさ
ないので、低融点ガラス内に泡が発生したり、基板にチ
ッピングが発生することはない。
【図１】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドを
示す斜視図
示す斜視図
【図２】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
Ａ部の部分拡大図
Ａ部の部分拡大図
【図３】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図４】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図５】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図６】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図７】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図８】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図９】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッドの
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図１０】本発明の一実施例における積層型磁気ヘッド
の製造方法を示す図
の製造方法を示す図
【図１１】低融点ガラスとＳｉＯ2膜界面の反応、拡散
状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
【図１２】低融点ガラスとＣｒ膜とＳｉＯ2膜界面の反
応、拡散状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
応、拡散状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
【図１３】透磁率と周波数の関係を示すグラフ
【図１４】従来の磁気ヘッドの接着材の気泡の発生状態
を顕微鏡による観察結果で示した要部断面図
を顕微鏡による観察結果で示した要部断面図
【図１５】本発明の一実施例の磁気ヘッドの接着材の気
泡の発生状態を顕微鏡による観察結果で示した要部断面
図
泡の発生状態を顕微鏡による観察結果で示した要部断面
図
【図１６】従来の積層型磁気ヘツドを示す斜視図
【図１７】従来の積層型磁気ヘッドのＡ部の部分拡大図
１ スライダー ４ 基板 ５ 基板 ６ 積層コア ６ａ 金属磁性膜 ６ｂ 絶縁膜 ８ コア ９ コア １０ 基板 １１ 基板 １２ 非磁性膜 １５ 酸化物薄膜 １６ 反応防止膜 １７ 低融点ガラス １８ 酸化物薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−250407（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−310807（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−78410（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−72307（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−7305（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−25824（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/235
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に金属磁性膜と絶縁膜を交互に積層
した積層コアを設け、前記積層コアの上に低融点ガラス
で接合した他の基板を備えた一対のコア体を有し、前記
一対のコア体を互いの積層コア同士，互いの基板同士，
互いの他の基板同士それぞれが対向するように磁気ギャ
ップを介して接合された積層型磁気ヘッドであって、積
層コアと低融点ガラスの間に前記積層コア側から順に酸
化物薄膜と反応防止膜を設けるとともに、低融点ガラス
と基板の間に酸化物薄膜を設け、前記反応防止膜の構成
材料として高融点金属材料かもしくは高融点金属材料酸
化物を用いたことを特徴とする積層型磁気ヘッド。 - 【請求項２】低融点ガラスを結晶化ガラスとしたことを
特徴とする請求項１記載の積層型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30880091A JP3211295B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 積層型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30880091A JP3211295B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 積層型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05143918A JPH05143918A (ja) | 1993-06-11 |
| JP3211295B2 true JP3211295B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=17985464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30880091A Expired - Fee Related JP3211295B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 積層型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3211295B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30880091A patent/JP3211295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05143918A (ja) | 1993-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |