JPH06244048A - 軟磁性薄膜の形成方法及び磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性薄膜の形成方法及び磁気ヘッドInfo
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- JPH06244048A JPH06244048A JP5303393A JP5303393A JPH06244048A JP H06244048 A JPH06244048 A JP H06244048A JP 5303393 A JP5303393 A JP 5303393A JP 5303393 A JP5303393 A JP 5303393A JP H06244048 A JPH06244048 A JP H06244048A
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- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
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- H01F10/142—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel containing Si
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度磁気記録再生を得るための軟磁性薄膜
の形成方法及び磁気ヘッドを提供する。 【構成】 非磁性材あるいは磁性材料からなる被成膜部
材１の被成膜面２上に酸化されたセンダスト合金薄膜３
を形成する。該酸化センダスト合金薄膜３上に非酸化セ
ンダスト薄膜４を形成して軟磁性薄膜を得る。センダス
ト合金薄膜を直接被成膜物上に形成する従来のものと比
べて高い透磁性を得ることができ、記録再生効率の向上
した磁気ヘッドが実現する。
の形成方法及び磁気ヘッドを提供する。 【構成】 非磁性材あるいは磁性材料からなる被成膜部
材１の被成膜面２上に酸化されたセンダスト合金薄膜３
を形成する。該酸化センダスト合金薄膜３上に非酸化セ
ンダスト薄膜４を形成して軟磁性薄膜を得る。センダス
ト合金薄膜を直接被成膜物上に形成する従来のものと比
べて高い透磁性を得ることができ、記録再生効率の向上
した磁気ヘッドが実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、軟磁性薄膜の形成方法
及び磁気ヘッドに関し、より詳細には、高密度磁気記録
再生を行うために用いられる磁気ヘッド及びその形成方
法に関する。
及び磁気ヘッドに関し、より詳細には、高密度磁気記録
再生を行うために用いられる磁気ヘッド及びその形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度化にともな
いメタルテープのような高保磁力媒体が主流となってき
ている。このため磁気ヘッドに使用されるコア材料も高
い飽和磁束密度を有するものが要求されている。そこで
従来は、図６に示すように、被成膜物２２上に直接セン
ダスト合金薄膜２１を形成する技術が用いられていた。
また、これを利用した磁気ヘッドとしては、例えば、図
７に示すように、高い飽和磁束密度を有するＦｅＡｌＳ
ｉ合金薄膜２１を、非磁性材料からなる基板２３上に直
接設けた構成の薄膜積層磁気ヘッドが知られている。こ
の磁気ヘッドにおいては、所定のトラック巾を得るため
に、ＦｅＡｌＳｉ薄膜２１上に非磁性材２４を形成し、
さらにＦｅＡｌＳｉ膜２１を形成することもある。ま
た、図７及び図８のようにＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶
を用い、磁気ヘッド本体部２３におけるギャップ対向面
にセンダスト薄膜２１を形成してなる磁気ヘッドが知ら
れている。この磁気ヘッドには、図８のように、センダ
スト合金薄膜２１と磁気ヘッド本体部２３との境界がギ
ャップ２５に対して平行に設定されたものや、図９のよ
うにアジマス損失の効果を利用し、センダスト合金薄膜
２１と酸化物磁性材料２３の境界が磁気ギャップ２６と
して作用しないように非平行に設定されたものがある。
いメタルテープのような高保磁力媒体が主流となってき
ている。このため磁気ヘッドに使用されるコア材料も高
い飽和磁束密度を有するものが要求されている。そこで
従来は、図６に示すように、被成膜物２２上に直接セン
ダスト合金薄膜２１を形成する技術が用いられていた。
また、これを利用した磁気ヘッドとしては、例えば、図
７に示すように、高い飽和磁束密度を有するＦｅＡｌＳ
ｉ合金薄膜２１を、非磁性材料からなる基板２３上に直
接設けた構成の薄膜積層磁気ヘッドが知られている。こ
の磁気ヘッドにおいては、所定のトラック巾を得るため
に、ＦｅＡｌＳｉ薄膜２１上に非磁性材２４を形成し、
さらにＦｅＡｌＳｉ膜２１を形成することもある。ま
た、図７及び図８のようにＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶
を用い、磁気ヘッド本体部２３におけるギャップ対向面
にセンダスト薄膜２１を形成してなる磁気ヘッドが知ら
れている。この磁気ヘッドには、図８のように、センダ
スト合金薄膜２１と磁気ヘッド本体部２３との境界がギ
ャップ２５に対して平行に設定されたものや、図９のよ
うにアジマス損失の効果を利用し、センダスト合金薄膜
２１と酸化物磁性材料２３の境界が磁気ギャップ２６と
して作用しないように非平行に設定されたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
磁気ヘッドは、磁気ヘッド本体部上に直接センダスト合
金薄膜を形成しており、このようにセンダスト合金薄膜
を直接に形成しただけでは、このセンダスト合金薄膜に
おいて十分な透磁率を得ることができず、磁気ヘッドの
性能向上が図れないという欠点を有していた。例えば、
膜厚５μｍ程度のセンダスト合金薄膜の透磁率は、周波
数１ＭＨZで２０００程度であった。
磁気ヘッドは、磁気ヘッド本体部上に直接センダスト合
金薄膜を形成しており、このようにセンダスト合金薄膜
を直接に形成しただけでは、このセンダスト合金薄膜に
おいて十分な透磁率を得ることができず、磁気ヘッドの
性能向上が図れないという欠点を有していた。例えば、
膜厚５μｍ程度のセンダスト合金薄膜の透磁率は、周波
数１ＭＨZで２０００程度であった。
【０００４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、基板上に酸化センダストを形成し、次に非酸
化センダストを形成して軟磁性薄膜を形成し、該軟磁性
薄膜を用いて高密度磁気記録再生を得るような軟磁性薄
膜の形成方法及び磁気ヘッドを提供することを目的とし
ている。
たもので、基板上に酸化センダストを形成し、次に非酸
化センダストを形成して軟磁性薄膜を形成し、該軟磁性
薄膜を用いて高密度磁気記録再生を得るような軟磁性薄
膜の形成方法及び磁気ヘッドを提供することを目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、（１）非磁性材料又は磁性材料からなる
被成膜部材の被成膜面上に、、酸化されたセンダスト合
金薄膜が形成され、該酸化センダスト合金薄膜上に非酸
化センダスト薄膜が形成されていること、或いは、
（２）（１）記載の軟磁性薄膜の形成方法を用いて、酸
化物磁性材料に磁性薄膜を設けること、更には、（３）
（１）記載の軟磁性薄膜の形成方法を用いて、非磁性材
料基板に磁性薄膜を形成し、磁気ヨークを形成すること
を特徴としたものである。
成するために、（１）非磁性材料又は磁性材料からなる
被成膜部材の被成膜面上に、、酸化されたセンダスト合
金薄膜が形成され、該酸化センダスト合金薄膜上に非酸
化センダスト薄膜が形成されていること、或いは、
（２）（１）記載の軟磁性薄膜の形成方法を用いて、酸
化物磁性材料に磁性薄膜を設けること、更には、（３）
（１）記載の軟磁性薄膜の形成方法を用いて、非磁性材
料基板に磁性薄膜を形成し、磁気ヨークを形成すること
を特徴としたものである。
【０００６】
【作用】非磁性材料若しくは磁性材料からなる被成膜部
材の被成膜面上に、酸化されたセンダスト合金薄膜が形
成され、該酸化センダスト合金薄膜上に非酸化センダス
ト薄膜が形成されて軟磁性薄膜を得、酸化物磁性材料に
前記軟磁性薄膜を設け、あるいは、非磁性材料基板に前
記軟磁性薄膜を形成し、磁気ヨークを形成するようにし
たので、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成し
た場合と比較して数段高い透磁率を得ることができ、磁
気ヘッドの性能の向上を図ることが可能となる。
材の被成膜面上に、酸化されたセンダスト合金薄膜が形
成され、該酸化センダスト合金薄膜上に非酸化センダス
ト薄膜が形成されて軟磁性薄膜を得、酸化物磁性材料に
前記軟磁性薄膜を設け、あるいは、非磁性材料基板に前
記軟磁性薄膜を形成し、磁気ヨークを形成するようにし
たので、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成し
た場合と比較して数段高い透磁率を得ることができ、磁
気ヘッドの性能の向上を図ることが可能となる。
【０００７】
【実施例】実施例について、図面を参照して以下に説明
する。図１及び図２は、本発明による軟磁性薄膜の形成
方法及び磁気ヘッドの一実施例を説明するための構成図
で、図１は、被成膜部材に酸化センダスト合金薄膜とセ
ンダスト合金薄膜との２層からなる積層膜を形成した状
態を示す斜視図で、図２は、被成膜部材に酸化センダス
ト合金薄膜２層とセンダスト合金薄膜２層と非磁性層と
の合計５層からなる積層膜を形成した状態を示す斜視図
である。図中、１は非磁性材料あるいは磁性材料の被成
膜部材、２は被成膜面、３は酸化センダスト合金薄膜、
４は非酸化センダスト合金薄膜、５は積層膜、６はＳｉ
Ｏ2等の非磁性層である。
する。図１及び図２は、本発明による軟磁性薄膜の形成
方法及び磁気ヘッドの一実施例を説明するための構成図
で、図１は、被成膜部材に酸化センダスト合金薄膜とセ
ンダスト合金薄膜との２層からなる積層膜を形成した状
態を示す斜視図で、図２は、被成膜部材に酸化センダス
ト合金薄膜２層とセンダスト合金薄膜２層と非磁性層と
の合計５層からなる積層膜を形成した状態を示す斜視図
である。図中、１は非磁性材料あるいは磁性材料の被成
膜部材、２は被成膜面、３は酸化センダスト合金薄膜、
４は非酸化センダスト合金薄膜、５は積層膜、６はＳｉ
Ｏ2等の非磁性層である。
【０００８】非磁性材料若しくは磁性材料の被成膜部材
１を酸素ガス中にセットし、ガス中で反応性蒸着を行っ
て、被成膜面２上に酸化センダスト合金薄膜３を形成す
る。前記酸化センダスト合金薄膜３成膜の際には、まず
真空槽内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気し、つづい
て酸素ガスを２×１０-6から１×１０-6Ｔｏｒｒ程度ま
での範囲で適当に導入する。また、被成膜部材１の温度
は２００℃〜３００℃に設定されている。酸化センダス
ト層の厚さは、１０Åから１μｍである。ただし、酸化
センダスト合金薄膜３自身は高い透磁率を示すものでは
ないため、この範囲内において酸化センダスト層３の厚
みはできるだけ薄いほうが良い。次に蒸着法により、上
記酸化センダスト合金薄膜層３上に非酸化のセンダスト
合金薄膜４を形成層膜を得る。ただし、この非酸化のセ
ンダスト合金薄膜４の形成は、酸素の導入をやめ、再び
真空槽内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気した後に行
う。また、被成膜部材の温度は２００℃〜３００℃に設
定されている。成膜されたセンダスト合金膜薄の厚みは
５μｍである。
１を酸素ガス中にセットし、ガス中で反応性蒸着を行っ
て、被成膜面２上に酸化センダスト合金薄膜３を形成す
る。前記酸化センダスト合金薄膜３成膜の際には、まず
真空槽内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気し、つづい
て酸素ガスを２×１０-6から１×１０-6Ｔｏｒｒ程度ま
での範囲で適当に導入する。また、被成膜部材１の温度
は２００℃〜３００℃に設定されている。酸化センダス
ト層の厚さは、１０Åから１μｍである。ただし、酸化
センダスト合金薄膜３自身は高い透磁率を示すものでは
ないため、この範囲内において酸化センダスト層３の厚
みはできるだけ薄いほうが良い。次に蒸着法により、上
記酸化センダスト合金薄膜層３上に非酸化のセンダスト
合金薄膜４を形成層膜を得る。ただし、この非酸化のセ
ンダスト合金薄膜４の形成は、酸素の導入をやめ、再び
真空槽内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気した後に行
う。また、被成膜部材の温度は２００℃〜３００℃に設
定されている。成膜されたセンダスト合金膜薄の厚みは
５μｍである。
【０００９】なお、酸化センダスト合金薄膜３を得るに
は、前記方法の他、反応性スパッタリング法によって形
成する方法、センダスト合金薄膜を酸素雰囲気中で熱処
理する方法、酸素イオンをセンダスト合金薄膜に打ち込
み方法等がある。また、センダスト合金薄膜４を得るに
は、前記方法の他、スパッタリング法によって形成する
方法等がある。
は、前記方法の他、反応性スパッタリング法によって形
成する方法、センダスト合金薄膜を酸素雰囲気中で熱処
理する方法、酸素イオンをセンダスト合金薄膜に打ち込
み方法等がある。また、センダスト合金薄膜４を得るに
は、前記方法の他、スパッタリング法によって形成する
方法等がある。
【００１０】図２において、前記非酸化のセンダスト合
金薄膜４上にＳｉＯ2等の非磁性層６を介してさらに酸
化センダスト合金薄膜３を形成し、該酸化センダスト合
金薄膜３上に非酸化のセンダスト合金薄膜４を形成して
積層数を増やしていっても良い。上記構成によれば、酸
化センダスト合金薄膜３及び非酸化のセンダスト合金薄
膜４からなる積層膜５において、従来のように、センダ
スト合金薄膜４を直接形成した場合と比較して数段高い
透磁率を得ることができる。例えば、被成膜部材１とし
て熱膨張係数１４０×１０-7(ｄｅｇ-1）の非磁性セラ
ミック基板を用い、酸化センダスト合金薄膜３及びセン
ダスト合金薄膜４をともに蒸着法により、以下の表１の
設定条件下で形成し、さらに、成膜後に６５０℃の窒素
ガス雰囲気中で５時間の熱処理を行って得られた積層膜
５の透磁率は、周波数１ＭＨｚで４５００であった。こ
の値は、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成し
た場合の同条件下での透磁率２０００の２.２５倍高い
値である。
金薄膜４上にＳｉＯ2等の非磁性層６を介してさらに酸
化センダスト合金薄膜３を形成し、該酸化センダスト合
金薄膜３上に非酸化のセンダスト合金薄膜４を形成して
積層数を増やしていっても良い。上記構成によれば、酸
化センダスト合金薄膜３及び非酸化のセンダスト合金薄
膜４からなる積層膜５において、従来のように、センダ
スト合金薄膜４を直接形成した場合と比較して数段高い
透磁率を得ることができる。例えば、被成膜部材１とし
て熱膨張係数１４０×１０-7(ｄｅｇ-1）の非磁性セラ
ミック基板を用い、酸化センダスト合金薄膜３及びセン
ダスト合金薄膜４をともに蒸着法により、以下の表１の
設定条件下で形成し、さらに、成膜後に６５０℃の窒素
ガス雰囲気中で５時間の熱処理を行って得られた積層膜
５の透磁率は、周波数１ＭＨｚで４５００であった。こ
の値は、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成し
た場合の同条件下での透磁率２０００の２.２５倍高い
値である。
【００１１】
【表１】
【００１２】図３及び図４は、本発明による軟磁性薄膜
の形成方法及び磁気ヘッドの他の実施例を示す図で、図
３は、酸化物磁性材料を被成膜部材に用いた平行型の磁
気ヘッドの斜視図、図４は、酸化物磁性材料を被成膜部
材に用いた傾斜型の磁気ヘッドの斜視図である。図中、
７は磁気ヘッド本体部（被成膜部材）、８はギャップ、
９は突出部、１０は酸化センダスト合金薄膜、１１は非
酸化センダスト合金薄膜、１２は積層膜、１３はガラス
である。
の形成方法及び磁気ヘッドの他の実施例を示す図で、図
３は、酸化物磁性材料を被成膜部材に用いた平行型の磁
気ヘッドの斜視図、図４は、酸化物磁性材料を被成膜部
材に用いた傾斜型の磁気ヘッドの斜視図である。図中、
７は磁気ヘッド本体部（被成膜部材）、８はギャップ、
９は突出部、１０は酸化センダスト合金薄膜、１１は非
酸化センダスト合金薄膜、１２は積層膜、１３はガラス
である。
【００１３】図３に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
単結晶からなる磁気ヘッド本体部（酸化物磁性材料であ
る被成膜部材）７におけるギャップ対向面（被成膜面）
には、ギャップ８に対して平行な面を有する突出部９が
それぞれ形成されている。この突出部９を含むギャップ
対向面上には、まず、Ｍｎ−Ｚｎフェライトと磁性薄膜
の境界部分がギャップとして作用するのを防ぐために、
ＳｉＯ2やＣｒ−Ｎ等の拡散防止膜が１０Å〜５０Å形
成される（図示せず）。次に、酸化センダスト合金薄膜
１０と非酸化センダスト合金薄膜１１とからなる積層膜
１２が形成され、該積層膜１２における酸化センダスト
合金薄膜１０が前記ギャップ対向面にそれぞれ当接して
形成されている。前記積層膜１２を有した磁気ヘッド本
体部７同士は互いのギャップ対向面におけるギャップ形
成部位に非磁性のギャップ材（図示せず）を介して突き
合わされており、このように突き合わされた状態でガラ
ス１３にて互いに固着されている。
単結晶からなる磁気ヘッド本体部（酸化物磁性材料であ
る被成膜部材）７におけるギャップ対向面（被成膜面）
には、ギャップ８に対して平行な面を有する突出部９が
それぞれ形成されている。この突出部９を含むギャップ
対向面上には、まず、Ｍｎ−Ｚｎフェライトと磁性薄膜
の境界部分がギャップとして作用するのを防ぐために、
ＳｉＯ2やＣｒ−Ｎ等の拡散防止膜が１０Å〜５０Å形
成される（図示せず）。次に、酸化センダスト合金薄膜
１０と非酸化センダスト合金薄膜１１とからなる積層膜
１２が形成され、該積層膜１２における酸化センダスト
合金薄膜１０が前記ギャップ対向面にそれぞれ当接して
形成されている。前記積層膜１２を有した磁気ヘッド本
体部７同士は互いのギャップ対向面におけるギャップ形
成部位に非磁性のギャップ材（図示せず）を介して突き
合わされており、このように突き合わされた状態でガラ
ス１３にて互いに固着されている。
【００１４】図４は、傾斜型の磁気ヘッドを示す図であ
る。すなわち、図３に示した磁気ヘッドは、酸化センダ
スト合金薄膜１０である積層膜１２と磁気ヘッド本体部
７の突出部９との境界面が磁気ギャップに対して平行で
あるのに対し、図４に示す磁気ヘッドは、磁気ヘッド本
体部７のギャップ対向面と積層膜１２との境界面がギャ
ップ８に対して非平行に形成されているものである。こ
のような磁気ヘッドにおいても、図３の磁気ヘッドと同
様、ギャップ対向面に酸化センダスト合金薄膜１０と非
酸化センダスト合金薄膜１１とからなる積層膜１２がそ
れぞれ形成され、該積層膜１２における酸化センダスト
合金薄膜１０が前記ギャップ対向面にそれぞれ当接して
形成されている。なお、磁気ヘッド本体部７は、Ｍｎ−
Ｚｎフェライト単結晶等の磁性材料で形成されている。
る。すなわち、図３に示した磁気ヘッドは、酸化センダ
スト合金薄膜１０である積層膜１２と磁気ヘッド本体部
７の突出部９との境界面が磁気ギャップに対して平行で
あるのに対し、図４に示す磁気ヘッドは、磁気ヘッド本
体部７のギャップ対向面と積層膜１２との境界面がギャ
ップ８に対して非平行に形成されているものである。こ
のような磁気ヘッドにおいても、図３の磁気ヘッドと同
様、ギャップ対向面に酸化センダスト合金薄膜１０と非
酸化センダスト合金薄膜１１とからなる積層膜１２がそ
れぞれ形成され、該積層膜１２における酸化センダスト
合金薄膜１０が前記ギャップ対向面にそれぞれ当接して
形成されている。なお、磁気ヘッド本体部７は、Ｍｎ−
Ｚｎフェライト単結晶等の磁性材料で形成されている。
【００１５】図５は、本発明による軟磁性薄膜の形成方
法及び磁気ヘッドの更に他の実施例を示す図で、非磁性
材料を被成膜部材に用いた磁気ヘッドの斜視図である。
図中、１４は酸化センダスト合金薄膜、１５は非酸化セ
ンダスト合金薄膜、１６は積層膜、１７は非磁性層、１
８はガラス、１９は磁気ベルト本体部である。非磁性の
セラミックや非磁性の結晶化ガラス材からなる磁気ヘッ
ド本体部（被成膜部材）１９に、まず、酸化センダスト
合金薄膜１４が形成され、つづいて非酸化センダスト合
金薄膜１５が形成され、積層膜１６が形成される。該積
層膜１６のみが磁気ヘッドのヨークを形成する。積層膜
１６は、記録トラックの幅にあわせて厚みが設定され
る。この際、前記非センダスト合金薄膜１５上にＳｉＯ
2等の非磁性層１７を介して、さらに酸化センダスト合
金薄膜１４を形成し、該酸化センダスト合金薄膜１４上
に非酸化センダスト合金薄膜１５を形成して積層数を増
やして所定の膜厚を得る。該積層膜１６を有した磁気ヘ
ッド本体部１９同士は互いのギャップ対向面におけるギ
ャップ形成部位に非磁性のギャップ材（図示せず）を介
して突き合わされており、このように突き合わされた状
態でガラスにて互いに固着されている。
法及び磁気ヘッドの更に他の実施例を示す図で、非磁性
材料を被成膜部材に用いた磁気ヘッドの斜視図である。
図中、１４は酸化センダスト合金薄膜、１５は非酸化セ
ンダスト合金薄膜、１６は積層膜、１７は非磁性層、１
８はガラス、１９は磁気ベルト本体部である。非磁性の
セラミックや非磁性の結晶化ガラス材からなる磁気ヘッ
ド本体部（被成膜部材）１９に、まず、酸化センダスト
合金薄膜１４が形成され、つづいて非酸化センダスト合
金薄膜１５が形成され、積層膜１６が形成される。該積
層膜１６のみが磁気ヘッドのヨークを形成する。積層膜
１６は、記録トラックの幅にあわせて厚みが設定され
る。この際、前記非センダスト合金薄膜１５上にＳｉＯ
2等の非磁性層１７を介して、さらに酸化センダスト合
金薄膜１４を形成し、該酸化センダスト合金薄膜１４上
に非酸化センダスト合金薄膜１５を形成して積層数を増
やして所定の膜厚を得る。該積層膜１６を有した磁気ヘ
ッド本体部１９同士は互いのギャップ対向面におけるギ
ャップ形成部位に非磁性のギャップ材（図示せず）を介
して突き合わされており、このように突き合わされた状
態でガラスにて互いに固着されている。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、以下のような効果がある。すなわち、非磁性
材料若しくは磁性材料からなる被成膜部分の被成膜面上
に酸化されたセンダスト合金薄膜が形成され、この酸化
センダスト合金薄膜上に非酸化のセンダスト合金薄膜が
形成されている構成である。これにより、酸化されたセ
ンダスト合金薄膜及び非酸化のセンダスト合金薄膜から
なる積層膜において、従来のようにセンダスト合金薄膜
を直接形成した場合と比較して数段高い透磁率を得るこ
とができ、記録再生効率の向上した磁気ヘッドを得るこ
とができるという効果を奏する。
によると、以下のような効果がある。すなわち、非磁性
材料若しくは磁性材料からなる被成膜部分の被成膜面上
に酸化されたセンダスト合金薄膜が形成され、この酸化
センダスト合金薄膜上に非酸化のセンダスト合金薄膜が
形成されている構成である。これにより、酸化されたセ
ンダスト合金薄膜及び非酸化のセンダスト合金薄膜から
なる積層膜において、従来のようにセンダスト合金薄膜
を直接形成した場合と比較して数段高い透磁率を得るこ
とができ、記録再生効率の向上した磁気ヘッドを得るこ
とができるという効果を奏する。
【図１】本発明による軟磁性薄膜の形成方法及び磁気ヘ
ッドの一実施例を説明するための構成図である。
ッドの一実施例を説明するための構成図である。
【図２】本発明の被成膜部材に酸化センダスト合金薄膜
２層とセンダスト合金薄膜２層と非磁性層との合計５層
からなる積層膜を形成した状態を示す斜視図である。
２層とセンダスト合金薄膜２層と非磁性層との合計５層
からなる積層膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の酸化物磁性材料を被成膜部材に用いた
平行型の磁気ヘッドの斜視図である。
平行型の磁気ヘッドの斜視図である。
【図４】本発明の酸化物磁性材料を被成膜部材に用いた
傾斜型の磁気ヘッドの斜視図である。
傾斜型の磁気ヘッドの斜視図である。
【図５】本発明の非磁性材料を被成膜部材に用いて磁気
ヘッドの斜視図である。
ヘッドの斜視図である。
【図６】従来の被成膜部材に直接センダスト合金薄膜を
形成した状態を示す斜視図である。
形成した状態を示す斜視図である。
【図７】従来の非磁性材料を被成膜部材に用いた磁気ヘ
ッドの斜視図である。
ッドの斜視図である。
【図８】従来の酸化物磁性材料を被成膜部材に用いた平
行型の磁気ヘッドの斜視図である。
行型の磁気ヘッドの斜視図である。
【図９】従来の酸化物磁性材料を被成膜部材に用いた傾
斜型の磁気ヘッドの斜視図である。
斜型の磁気ヘッドの斜視図である。
１…非磁性材料あるいは磁性材料の被成膜部材、２…被
成膜面、３…酸化センダスト合金薄膜、４…非酸化セン
ダスト合金薄膜、５…積層膜、６…ＳｉＯ2等の非磁性
層。
成膜面、３…酸化センダスト合金薄膜、４…非酸化セン
ダスト合金薄膜、５…積層膜、６…ＳｉＯ2等の非磁性
層。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性材料又は磁性材料からなる被成膜
部材の被成膜面上に、酸化されたセンダスト合金薄膜が
形成され、該酸化センダスト合金薄膜上に非酸化センダ
スト薄膜が形成されていることを特徴とする軟磁性薄膜
の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の軟磁性薄膜の形成方法を
用いて、酸化物磁性材料に磁性薄膜を設けることを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１記載の軟磁性薄膜の形成方法を
用いて、非磁性材料基板に磁性薄膜を形成し、磁気ヨー
クを形成することを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303393A JPH06244048A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 軟磁性薄膜の形成方法及び磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303393A JPH06244048A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 軟磁性薄膜の形成方法及び磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244048A true JPH06244048A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12931583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5303393A Pending JPH06244048A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 軟磁性薄膜の形成方法及び磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244048A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP5303393A patent/JPH06244048A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
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