JPS637509A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオテープレコーダ、フロッピーディスク
装置などに用いて好適な磁気ヘッドに係わり、特に、磁
性層に金属磁性薄膜を用いた磁気ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

近年、ビデオテープレコーダ、７Ｉ：Ｉツピーディスク
装置などの磁気記録再生装置においては、高記録密度化
を達成するため釦、極めて高い飽和磁束密度の金属磁性
材料による薄膜で磁性層を形成した磁気ヘッドが用いら
れるようになってきた。

しかしながら、この反面、金属磁性材料は電気抵抗が極
めて小さく、このために、磁性層をなす金属磁性薄膜に
大きな渦電流損が生じ、磁気ヘッドの透磁率が低下して
大きな再生出力を得ることができないという問題があっ
た。

そこで、従来では、磁性層を構成する金属磁性薄膜を多
層にし、これら金属磁性薄膜間に絶縁材料を眉間材とし
て介在させるよ５Ｋした磁気ヘッドが提案されている。

これによると、各金属磁性薄膜は非常に薄い膜となり、
かつこれら間が相互に電気的絶縁されるものであるから
、各金属磁性薄膜の電気抵抗が非常に大きくなって渦電
流損を大幅に低減できる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、このような磁性層の形成にはスパッタ法など
が用いられ、基板上に金属磁性薄膜を形成した後、その
上に層間材を形成し、さらにその上に金属磁性薄膜を形
成するというように金属磁性薄膜と層間材とを交互に形
成していくが、この場合、眉間材としてはｓｉｏ、やＡ
ｔ！ＯＩなどが用いられ、金属磁性薄膜上に形成される
層間材が金属磁性薄膜と全く異質の材料からなること、
および磁性層の膜厚に占める金属磁性Ｎ膜の全膜厚の割
合を太き（して磁気特性を高めるために、層間材を薄く
していることなどから、層間材にピンホールが生ずる場
合がある。このように層間材にピンホールが生ずると、
この層間材上に金属磁性薄膜を形成するとき忙、この金
属磁性材料がピンホールに入り込み、この層間材の上下
の金属磁性薄膜がピンホールを通して結合してしまう。

このために、渦電流損が増加し、磁気ヘッドの再生出力
が低下する。

本発明の目的は、かかる問題点を解消し、磁性膜の各金
属磁性薄膜間の電気絶縁を確保し、高再生出力を得るこ
とができるようにした磁気ヘッドを提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、本発明は、層間材の材料を
金属磁性薄膜と同一材料の酸化物、窒化物、炭化物など
とする。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面によって説明する。

第１図は本発明による磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図であって、１はフェライト基板、２は磁性層、３は金
属磁性薄膜、４は眉間材、５はヘッドギャップ、６は巻
線窓、７は充填ガラスである。

同図において、図面上左右２つの半休コアを充填ガラス
でボンディングして磁気ヘッドが構成されている。磁性
層２は金属磁性薄膜３と層間材４とが積層されてなり、
２つのフェライト基板１によって挟持されている。

金属磁性薄膜３としては、パーマロイ、センダストなど
の結晶性磁性合金、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種以上
の元素とＰ、Ｃ，Ｂ、Ｓｉのグループのうちの１種以上
の元素とからなる合金、また、この合金やＣＯとＺｒと
を主成分としてＡｔ。

Ｇｅ、Ｂ　ｅ、Ｍｏ、Ｉ　ｎ、Ｗ、Ｔ　ｉ、Ｍｎ、Ｃｒ
。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂなとの元素を添加した合金などを用い
る。また、層間材４としては、金属磁性薄膜３に用いる
上記材料の酸化物、窒化物、炭化物などを用いる。これ
らの材料は電気抵抗が大きく、金属磁性薄膜３相互間を
電気的に絶縁する。

上記合金からなる金属磁性薄膜３は真空蒸着法やスパッ
タ法などによって作成されるが、所定膜厚の合金膜が形
成されると、その表面を酸素ガス、窒素ガスもしくは炭
素ガスを用いてプラズマ処理し、この合金膜を表面から
所定深さまで酸化、窒化もしくは炭化する。この酸化、
窒化もしくは炭化された部分が眉間材４をなし、これよ
り深い部分の合金膜が金属磁性薄膜となる。この工程を
繰り返すことにより、金属磁性薄膜３と眉間材４とが交
互に積層された磁性層２が得られる。

また、真空蒸着法やスパッタ法によって合金膜を形成し
、これが金属磁性薄膜３として必要な膜厚になると、酸
素ガス、窒素ガスもしくは炭素ガスを添加してもよい。

これにより、合金膜の金属磁性薄膜３上にこの合金を酸
化、窒化もしくは炭化した層間材４が形成され、この工
程を繰り返すことによって同様の磁性層２が得られる。

このよ５Ｋ、層間材４は金属磁性薄膜３と同じ種類の合
金を酸化、窒化あるいは炭化させたものであるから、ピ
ンホールが生ずることがなく、しかも電気抵抗が大きい
。そこで、この層間材４を所定膜厚以上とするととＫよ
り、金属磁性薄膜３相互間の電気的絶縁を充分確保する
ことができる。

この所定膜厚は５０Ａ程度である。なお、第２図に示す
ように、山型のフェライト基板に金属磁性薄膜３と眉間
材４とを積層した磁性層２を設けるようにした磁気ヘッ
ドの場合には、眉間材４の膜厚がヘッドギャップ５のギ
ャップ長（０，２μｍ程度）以上となると、この層間材
４のへノドギャソプと平行な部分が擬似ギャップとなる
ので、層間材４の膜厚をヘッドギャップ５のギャップ長
よりも薄くする。

さらに、金属磁性薄膜３と層間材４とは、上記のような
材料関係となっているから、相互の接看性が優れ、これ
らの間で剥離が生ずることはない。

ここで、金属磁性薄膜３を眉間材４を介して４層積層し
、磁性層２全体の厚さを１００μｍ、眉間材４の厚さを
１０００Ｘ程度とし、金属磁性薄膜３の材料をＣｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒのアモルファス合金として、この合金膜にプラ
ズマ処理して層間材４を形成したときの実施例の特性を
、ｓｉｏ、のスパッタ膜を眉間材とした従来技術と比較
して、次の表に示す。なお、このときのヘッドギャップ
長は０．３μｍ、使用ディスクはメタル磁性粉を塗布し
たフロッピーディスクとした。

〈　　表　　〉 この実施例では、再生出力が従来例の１．３５〜１，５
倍となり、Ｄ５０（再生出力が５０％に低下するときの
１インチ当りのビット数）が同じり１．２〜１．２８倍
となった。このことから、この実施例は従来例よりも高
記録密度化を大幅に促進することになる。

合金材料のスパッタあるいは真空蒸着中に反応ガスを添
加して層間材を形成する場合にも、同様の効果が得られ
た。

なお、第２図は酸化プラズマ処理によって層間材を形成
した上記実施例と、ｓｉｏ、のスパッタ膜を眉間材とす
る従来例との周波数特性を比較して示しており、他の条
件としては上記と同様である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、１間材でのピン
ホールを大幅に低減できて、金属磁性薄膜間の電気的絶
縁を充分に確保でき、渦電流損を充分抑制して周波数特
性、特に高周波域が改善される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図、第２図は磁気ヘッドの磁性層の他の例を示す拡大図
、第３図は本発明と従来例の周波数特性を対比して示す
グラフ図である。 １・・・・・・フェライト基板、２・・・・・・磁性層
、３・・・・・・金属磁性薄膜、４・・・・・・層間材
、５・・・・・・ヘッドギャップ。 第１図 第２図 ］

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 金属磁性薄膜と層間材とが交互に積層されてなる磁性層
   を有する磁気ヘッドにおいて、該層間材は該金属磁性薄
   膜と同一材料の酸化物、窒化物もしくは炭化物などから
   なることを特徴とする磁気ヘッド。