JPH02203407A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH02203407A JPH02203407A JP2349089A JP2349089A JPH02203407A JP H02203407 A JPH02203407 A JP H02203407A JP 2349089 A JP2349089 A JP 2349089A JP 2349089 A JP2349089 A JP 2349089A JP H02203407 A JPH02203407 A JP H02203407A
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- thin film
- alloy thin
- magnetic head
- sendust
- sendust alloy
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 52
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度磁気記録再生に適した磁気ヘッドに関
するものである。
するものである。
従来より、磁気ヘッド本体部におけるギャップ対向面に
センダスト合金薄膜を形成してなる磁気ヘッドが知られ
ている。この磁気ヘッドには、センダスト合金薄膜と磁
気ヘッド本体部との境界がギャップに対し平行に設定さ
れたものや、アジマス損失の効果を利用するために非平
行に設定されたものがある。また、磁気ヘッド本体部と
しては、非磁性体或いは磁性体のものが使用され、磁性
体を磁気ヘッド本体部に用いたものは磁気ヘッド本体部
を磁路の一部として使えるのでセンダスト合金薄膜の膜
厚を薄８くすることができるといった利点を有している
。
センダスト合金薄膜を形成してなる磁気ヘッドが知られ
ている。この磁気ヘッドには、センダスト合金薄膜と磁
気ヘッド本体部との境界がギャップに対し平行に設定さ
れたものや、アジマス損失の効果を利用するために非平
行に設定されたものがある。また、磁気ヘッド本体部と
しては、非磁性体或いは磁性体のものが使用され、磁性
体を磁気ヘッド本体部に用いたものは磁気ヘッド本体部
を磁路の一部として使えるのでセンダスト合金薄膜の膜
厚を薄８くすることができるといった利点を有している
。
ところで、上記従来の磁気ヘッドにあっては、磁気ヘッ
ド本体部上に直接にセンダスト合金薄膜を形成しており
、このようにセンダスト合金薄膜を直接に形成しただけ
では、このセンダスト合金薄膜において十分な透磁率を
得ることができず、磁気ヘッドの性能向上が図れないと
いう欠点を有していた。例えば、膜厚４μｍ程度のセン
ダスト合金薄膜の透磁率は、周波数ＩＭＨｚで１０００
〜１５００程度であった。
ド本体部上に直接にセンダスト合金薄膜を形成しており
、このようにセンダスト合金薄膜を直接に形成しただけ
では、このセンダスト合金薄膜において十分な透磁率を
得ることができず、磁気ヘッドの性能向上が図れないと
いう欠点を有していた。例えば、膜厚４μｍ程度のセン
ダスト合金薄膜の透磁率は、周波数ＩＭＨｚで１０００
〜１５００程度であった。
本発明に係る磁気ヘッドは、上記の課題を解決するため
に、非磁性材料若しくは磁性材料からなる被成膜部材の
被成膜面上に窒化されたセンダスト合金薄膜が形成され
、この窒化センダスト合金薄膜上に非窒化のセンダスト
合金薄膜が形成されていることを特徴としている。
に、非磁性材料若しくは磁性材料からなる被成膜部材の
被成膜面上に窒化されたセンダスト合金薄膜が形成され
、この窒化センダスト合金薄膜上に非窒化のセンダスト
合金薄膜が形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、窒化されたセンダスト合金薄膜お
よび非窒化のセンダスト合金薄膜からなる積層膜におい
て、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成した場
合と比較して数段高い透磁率を得ることができ、磁気ヘ
ッドの性能の向上を図ることが可能となる。
よび非窒化のセンダスト合金薄膜からなる積層膜におい
て、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成した場
合と比較して数段高い透磁率を得ることができ、磁気ヘ
ッドの性能の向上を図ることが可能となる。
本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
本発明に係る磁気ヘッドにおいて、第１図に示すように
、磁気ヘッド本体部（被成膜部材）１・２におけるギャ
ップ対向面（被成膜面）には、ギャップ３に対して平行
な面を有する突出部１ａ・２ａがそれぞれ形成されてい
る。この突出部１ａ・２ａを含むギャップ対向面上には
、窒化されたセンダスト合金薄膜４と非窒化のセンダス
ト合金薄膜５とからなる積層膜６がそれぞれ形成され、
当該積層膜６における窒化センダスト合金薄膜４が前記
ギャップ対向面にそれぞれ当接して形成されている。
、磁気ヘッド本体部（被成膜部材）１・２におけるギャ
ップ対向面（被成膜面）には、ギャップ３に対して平行
な面を有する突出部１ａ・２ａがそれぞれ形成されてい
る。この突出部１ａ・２ａを含むギャップ対向面上には
、窒化されたセンダスト合金薄膜４と非窒化のセンダス
ト合金薄膜５とからなる積層膜６がそれぞれ形成され、
当該積層膜６における窒化センダスト合金薄膜４が前記
ギャップ対向面にそれぞれ当接して形成されている。
上記の積層膜６を有した磁気ヘッド本体部１・２同士は
互いのギャップ対向面におけるギャップ形成部位に非磁
性のギャップ材（図示せず）を介設して突き合わされて
おり、このように突き合わされた状態でガラス７・７に
て互いに固着されている。
互いのギャップ対向面におけるギャップ形成部位に非磁
性のギャップ材（図示せず）を介設して突き合わされて
おり、このように突き合わされた状態でガラス７・７に
て互いに固着されている。
第２図の磁気ヘッドは、傾斜型の磁気ヘッドを示してい
る。即ち、前記の磁気ヘッドは、合金薄膜である積層膜
６と磁気ヘッド本体部１・２の突出部１ａ・２ａとの境
界面がギャップ３に対して平行であるのに対し、第２図
に示す磁気ヘッドは、磁気ヘッド本体部１・２のギャッ
プ対向面と積層膜６との境界面がギャップ３に対して非
平行に形成されているものである。かがる磁気ヘッドに
おいても、第１図の磁気゛ヘッドと同様、ギャップ対向
面に窒化センダスト合金薄膜４と非窒化のセンダスト合
金薄膜５とからなる積層膜６がそれぞれ形成され、当該
積層膜６における窒化センダスト合金薄膜４が前記ギャ
ップ対向面にそれぞれ当接して形成されている。なお、
磁気ヘッド本体部１・２は、非磁性体若しくは磁性体の
何れで形成さていてもよいものである。
る。即ち、前記の磁気ヘッドは、合金薄膜である積層膜
６と磁気ヘッド本体部１・２の突出部１ａ・２ａとの境
界面がギャップ３に対して平行であるのに対し、第２図
に示す磁気ヘッドは、磁気ヘッド本体部１・２のギャッ
プ対向面と積層膜６との境界面がギャップ３に対して非
平行に形成されているものである。かがる磁気ヘッドに
おいても、第１図の磁気゛ヘッドと同様、ギャップ対向
面に窒化センダスト合金薄膜４と非窒化のセンダスト合
金薄膜５とからなる積層膜６がそれぞれ形成され、当該
積層膜６における窒化センダスト合金薄膜４が前記ギャ
ップ対向面にそれぞれ当接して形成されている。なお、
磁気ヘッド本体部１・２は、非磁性体若しくは磁性体の
何れで形成さていてもよいものである。
上記の積層膜６を形成するには、第３図に示すように、
非磁性体若しくは磁性体の被成膜部材１０をアルゴンと
窒素の混合ガス中にセットし、この混合ガス中で反応性
スパッタリングを行って、被成膜面１０ａ上に窒化セン
ダスト合金薄膜４を形成する。上記混合ガスの成分割合
は、後記の第１表に示すように、窒素ガス濃度が１５％
、アルゴンガス濃度が８５％に設定されており、また、
全ガス圧力は０．９Ｐａ、被成膜部材１ｏの温度は１５
０“Ｃに設定されている。成膜された窒化センダスト合
金薄膜４の膜厚は５００人である。次に、スパッタリン
グ法により上記の窒化センダスト合金薄膜４上にセンダ
スト合金薄膜５を形成して積層膜６を得る。このときに
使用されるガスにおいて、窒素ガス濃度は０％、アルゴ
ンガス濃度は１００％に設定されており、また、全ガス
圧力は０．９Ｐａ、被成膜部材１０の温度は１５０°Ｃ
に設定されている。成膜されたセンダスト合金薄膜５の
膜厚は４μｍである。
非磁性体若しくは磁性体の被成膜部材１０をアルゴンと
窒素の混合ガス中にセットし、この混合ガス中で反応性
スパッタリングを行って、被成膜面１０ａ上に窒化セン
ダスト合金薄膜４を形成する。上記混合ガスの成分割合
は、後記の第１表に示すように、窒素ガス濃度が１５％
、アルゴンガス濃度が８５％に設定されており、また、
全ガス圧力は０．９Ｐａ、被成膜部材１ｏの温度は１５
０“Ｃに設定されている。成膜された窒化センダスト合
金薄膜４の膜厚は５００人である。次に、スパッタリン
グ法により上記の窒化センダスト合金薄膜４上にセンダ
スト合金薄膜５を形成して積層膜６を得る。このときに
使用されるガスにおいて、窒素ガス濃度は０％、アルゴ
ンガス濃度は１００％に設定されており、また、全ガス
圧力は０．９Ｐａ、被成膜部材１０の温度は１５０°Ｃ
に設定されている。成膜されたセンダスト合金薄膜５の
膜厚は４μｍである。
なお、窒化センダスト合金薄膜４を得るには、前記の反
応性スパッタリング法による他、センダスト合金薄膜を
アンモニアガス雰囲気中で熱処理する方法、窒素イオン
をセンダスト合金薄膜に打ち込む方法等がある。また、
第４図に示すように、上記のセンダスト合金薄膜５上に
ＳｉＯ□等の非磁性層８を介してさらに窒化センダスト
合金薄膜４を形成し、この窒化センダスト合金薄膜４上
にセンダスト合金薄膜５を形成して合計５層からなる積
層膜６′を得るようにしてもよいものである。
応性スパッタリング法による他、センダスト合金薄膜を
アンモニアガス雰囲気中で熱処理する方法、窒素イオン
をセンダスト合金薄膜に打ち込む方法等がある。また、
第４図に示すように、上記のセンダスト合金薄膜５上に
ＳｉＯ□等の非磁性層８を介してさらに窒化センダスト
合金薄膜４を形成し、この窒化センダスト合金薄膜４上
にセンダスト合金薄膜５を形成して合計５層からなる積
層膜６′を得るようにしてもよいものである。
第１表
上記の構成によれば、窒化センダスト合金薄膜４および
非窒化のセンダスト合金薄膜５からなる積層膜６におい
て、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成した場
合と比較して数段高い透磁率を得ることができ、磁気ヘ
ッドの性能の向上を図ることが可能となる。例えば、被
成膜部材１０として熱膨張係数１２０Ｘ１０−’（ｄｅ
ｇ−’）の結晶化ガラスを用い、窒化センダスト合金薄
膜４およびセンダスト合金薄膜５を共にスパッタリング
法により前記の第１表の設定条件下で形成し、さらに、
成膜後に５００°Ｃの窒素ガス雰囲気中で３時間の熱処
理を行って得られた積層膜６の透磁率は、周波数ＩＭＨ
ｚで３０００〜４０００であった。この値は、従来のよ
うにセンダスト合金薄膜を直接形成した場合の同条件下
での透磁率１０００〜１５００の２〜４倍高い値である
。
非窒化のセンダスト合金薄膜５からなる積層膜６におい
て、従来のようにセンダスト合金薄膜を直接形成した場
合と比較して数段高い透磁率を得ることができ、磁気ヘ
ッドの性能の向上を図ることが可能となる。例えば、被
成膜部材１０として熱膨張係数１２０Ｘ１０−’（ｄｅ
ｇ−’）の結晶化ガラスを用い、窒化センダスト合金薄
膜４およびセンダスト合金薄膜５を共にスパッタリング
法により前記の第１表の設定条件下で形成し、さらに、
成膜後に５００°Ｃの窒素ガス雰囲気中で３時間の熱処
理を行って得られた積層膜６の透磁率は、周波数ＩＭＨ
ｚで３０００〜４０００であった。この値は、従来のよ
うにセンダスト合金薄膜を直接形成した場合の同条件下
での透磁率１０００〜１５００の２〜４倍高い値である
。
本発明に係る磁気ヘッドは、以上のように、非磁性材料
若しくは磁性材料からなる被成膜部材の被成膜面上に窒
化されたセンダスト合金薄膜が形成され、この窒化セン
ダスト合金薄膜上に非窒化のセンダスト合金薄膜が形成
されている構成である。
若しくは磁性材料からなる被成膜部材の被成膜面上に窒
化されたセンダスト合金薄膜が形成され、この窒化セン
ダスト合金薄膜上に非窒化のセンダスト合金薄膜が形成
されている構成である。
これにより、窒化されたセンダスト合金薄膜および非窒
化のセンダスト合金薄膜からなる積層膜において、従来
のようにセンダスト合金薄膜を直接形成した場合と比較
して数段高い透磁率を得ることができ、記録再生効率の
向上した磁気ヘッドを得ることができるという効果を奏
する。
化のセンダスト合金薄膜からなる積層膜において、従来
のようにセンダスト合金薄膜を直接形成した場合と比較
して数段高い透磁率を得ることができ、記録再生効率の
向上した磁気ヘッドを得ることができるという効果を奏
する。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は平行型の磁気ヘッドの斜視図、第２図は
傾斜型の磁気ヘッドの斜視図、第３図は被成膜部材に窒
化センダスト合金薄膜とセンダスト合金薄膜との２層か
らなる積層膜を形成した状態を示す斜視図、第４図は被
成膜部材に窒化センダスト合金薄膜２層とセンダスト合
金薄膜２層と非磁性層との合計５層からなる積層膜を形
成した状態を示す斜視図である。 １・２は磁気ヘッド本体部（被成膜部材）、３はギャッ
プ、４は窒化されたセンダスト合金薄膜、５は非窒化の
センダスト合金薄膜、６は積層膜、７はガラスである。 第２図
って、第１図は平行型の磁気ヘッドの斜視図、第２図は
傾斜型の磁気ヘッドの斜視図、第３図は被成膜部材に窒
化センダスト合金薄膜とセンダスト合金薄膜との２層か
らなる積層膜を形成した状態を示す斜視図、第４図は被
成膜部材に窒化センダスト合金薄膜２層とセンダスト合
金薄膜２層と非磁性層との合計５層からなる積層膜を形
成した状態を示す斜視図である。 １・２は磁気ヘッド本体部（被成膜部材）、３はギャッ
プ、４は窒化されたセンダスト合金薄膜、５は非窒化の
センダスト合金薄膜、６は積層膜、７はガラスである。 第２図
Claims (1)
- １、非磁性材料若しくは磁性材料からなる被成膜部材の
被成膜面上に窒化されたセンダスト合金薄膜が形成され
、この窒化センダスト合金薄膜上に非窒化のセンダスト
合金薄膜が形成されていることを特徴とする磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023490A JP2731409B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023490A JP2731409B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203407A true JPH02203407A (ja) | 1990-08-13 |
| JP2731409B2 JP2731409B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=12111951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1023490A Expired - Fee Related JP2731409B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731409B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737960A1 (en) * | 1995-04-10 | 1996-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202310A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-08 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘツド |
| JPS6288113A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sony Corp | 複合磁気ヘツド |
| JPS62267910A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
| JPS637509A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1023490A patent/JP2731409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202310A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-08 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘツド |
| JPS6288113A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sony Corp | 複合磁気ヘツド |
| JPS62267910A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
| JPS637509A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737960A1 (en) * | 1995-04-10 | 1996-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
| US5756201A (en) * | 1995-04-10 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2731409B2 (ja) | 1998-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |