JPS6288113A - 複合磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複合磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気
ギャップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されてなる、い
わゆる複合型の磁気ヘッドに関するものである。

〔発明のイ既要〕

本発明は、酸化物磁性材料と磁性薄膜により磁気コア半
体が構成され、前記磁気コア半体同士が突き合わされて
なる複合磁気ヘッドにおいて、前記磁性薄膜を、Ｆｅ、
Ａβ、Ｓｉを主成分とし、Ａ１及びＳｔの組成範囲がそ
れぞれ２〜１０重量％ＡＣ４〜１５重量％Ｓｉであって
、さらに０．００５〜４重量％の窒素を含有してなる軟
磁性薄膜とし、 特に高周波数域において高い出力を示し、高耐摩耗性を
有する複合磁気ヘッドを提供しようとするものである。

〔従来の技術〕

例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にＦ　ｅ　％　Ｃｏ　、Ｎ　ｉ等の強磁性金属の粉末
を用いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を
蒸着によりベースフィルム上に被着した、いわゆる痕着
テープ等が使用さり７るようになっている。そして、こ
の種の磁気記録媒体は高い抗磁力ｔｉｃを有するために
、記録再生に用いる磁気ヘットのへ・ノド材料にも高い
飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求されている。例え
ば、従来磁気ヘッド材料として多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度Ｂｓが低く、またパーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。

一方、上述の高密度記録化に伴って、磁気記ｔ、Ｔｈ媒
体に記録される記録トラックの狭小化も進められており
、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭い
ものが要求されている。

そこで従来、これらの要求を満たすために、例えばセラ
ミックス等の非磁性基板上に飽和磁束密度の高い磁性薄
膜を被着形成し、これをトラック部分とした複合磁気ヘ
ッドや、磁気コア部がフェライト等の強磁性酸化物から
なり、これら各磁気コア部の突き合わせ面に６ｎ性薄膜
を被着した複合磁気ヘッドが提案されている。

さら乙こは、本願出願人が先Ｓこ特勲昭、５８−２５０
９８８号明細書において開示したように、例えばメタル
テープ等の高い抗磁力を有する磁ステーブに高密度記録
するのに適した複合磁気ヘッドも提案されている。この
複合磁気へ、Ｆは、Ｍｎ−Ｚｎフｌライト等の強磁性酸
化物により形成される一、ｂ１の磁気コアを体の突き合
ね艮面をそれぞれ斜めに切り欠いて磁性ａｌｌ形成面を
形成し、この磁性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術によ
り被着されたＦｅ−Ａｌ４−３ｉ系合金（いわゆるセン
ダスト）薄膜同士をスベー１すを介して突き合わせるこ
とにより作動ギヤツブを構成するようにしたものであっ
て、磁気特性や信頼性等の点で優れた特性を有するもの
である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述の複合磁気ヘッドにおいては、その電磁
変換特性は、作動ギャップを構成し記録・再生に直接関
与する磁性′ａＭの磁気特性ζこよ−、て大きく左右さ
れる。通常、この種の複合磁気ヘットでは、上記磁性薄
膜として熱安定性にイ！れたセンダスト膜が用いられて
いる。しかしながら、センダスト膜を磁性薄膜とした場
合には、高密度記録化の進展に伴って、特に高周波数域
での透磁率が不足し出力の確保が難しいという問題があ
る。

さらには、センダストはパーマロイに比べれば硬いもの
の、フェライトやその他のコア材に比べると摩耗し易く
、したがって磁気ヘッド自体の耐久性に問題が生ずる虞
れがある。

そこで本発明は、前述の複合型磁気ヘッドの電磁変換特
性のより一層の改善を図り、特に高周波数域においても
高出力を有し、さらに耐摩耗性に優れた複合磁気ヘッド
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上述の複合磁気へノドの高出力化を図る
ため、特に作動ギャップを構成し直接記録・再生に関与
する磁性薄膜について検討を重ね薄膜が高周波数域での
透磁率が高く、高い硬度を有する等、磁気特性や機械特
性に優れ、複合磁気へ・７ドの磁性薄膜として有用であ
るとの知見を得るに至った。

本発明の複合磁気ヘッドはこのような知見ζこ基づいて
完成されたものであって、酸化物磁性材料と磁性薄膜に
より磁気コア半体が＋１４成され、前記るイ１気コア半
体同士が突き合わされてなる複合磁気ヘッドにおいて、
前記磁性薄膜が、Ｆｅ、Ａｌ。

Ｓｌを主成分とし、Ａｆｆ及びＳｉの組成範囲がそれぞ
れ２〜１０重量％八１．へ〜１５重景％Ｓｉであって、
さらに０．００５〜４重量％の窒素を含有することを特
徴とするものである。

〔作用〕

窒素を含有するＦｅ−Ａｌ−３ｉ系合金薄膜は、硬変や
高周波数域における透磁率等に便れた特性を有し、これ
を磁気ギヤ・７プを椿成し記録・再生に関与する磁性ｉ
２Ｍ　ＩＩＩとすることにより、出力の向〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

先ず、磁性薄膜を磁気ギヤツブ形成面に対して斜めに配
置した複合磁気ヘッドを例にして本発明を説明する。

第１図は本発明を適用した複合型磁気ヘッドの一例を示
す外観斜視図であり、第２図はその磁気テープ対接面を
示す要部拡大平面図である。

この磁気ヘッドにおいては、磁気コア半（４（１１）。

（１２）が強磁性酸化物、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トで形成され、これら磁気コア半体（１１）、　（１２
）の接合面を斜めに切り欠いた磁性薄膜形成面（１１ａ
）　、　（１２ａ）には、フロントギャップ形成面から
バックギャップ形成面に至るまで連続して高透磁率合金
、本発明においては窒素を含有するＦｅ−Ａ１−３ｉ系
合金膜である磁性薄膜（１３）が真空薄膜形成技術によ
り被着形成されている。そして、これら一対の磁気コア
半体（１１）　、　（１２）をＳｉｎ、等のギャップ材
を介して突き合わせ、上記磁性薄膜（１３）の当接面が
トラック幅Ｔｗの磁気ギャップｇとなるように構成され
ている。ここで、上記各磁気コア半体（１１）　、　（
１２）に被着形成される磁性薄膜（１３）は、磁気テー
プ対接面から見たときに、−直線状に連なっており、磁
気コア半体（１１）、（１２）の突き合わせ面である接
合面、すなわち磁気ギヤ。

ブ形成面（１０）に対してθなる角度で傾斜している。

そして磁気ギャップｇの形成面近傍、すなわち磁気テー
プ対接面における磁気ギャップｇの両（ｉ１１部には、
トランク幅を規制し上記磁性薄膜（■３）の摩耗を防止
するための非磁性材（１４）　、　（１５）が溶融充填
されている。

上記磁性７ｉＪ膜形成面（ｌｌａ）　、　（１２ａ）と
磁気ギャップ形成面（１０）とがなす角θは、２０°〜
８０°の範囲内に設定することが好ましい。ここで２０
゜以下の角度であると隣接トラックからのクロストーク
が大きくなり、望ましくは３０°以上の角度を持たせる
のがよい。また、上記傾斜角度を９０゜にした場合は、
耐摩耗性が劣ることから、８０゜程度以下とするのがよ
い。また、傾斜角度を９０’にすると、磁気ギヤツブｇ
の近傍部に形成される上述の磁性薄膜（１３）の膜厚を
トラック幅Ｔｗに等しく形成する必要があり、真空薄膜
形成技術を用いて薄膜を形成するにあたって、多くの時
間を要してしまうことや、膜構造が不均一化してしまう
点で好ましくない。

すなわち、上記磁気コア半体（１１）　、　（１２）に
被着形成される磁性薄膜（１３）の膜厚ｔは、ｔｗＴｗ
ｓｉｎ　θ でよいことから、トラック幅Ｔｗに相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここで、Ｔｗはトランク幅であり、θは
上記磁性薄膜形成面（ｌｌａ）　、　（１２ａ）と磁気
ギャップ形成面（１０）とのなす角度である。

一方、本発明においては、上記磁性薄膜（１３）の材質
は、窒素を含有するＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金とする。

系合金薄膜中の窒素Ｎの含有量が増加するのに伴なって
透磁率が急激に向上し、特に窒素Ｎの含有量が約２重量
％のときに窒素Ｎを全く含まないＦｅ−Ａｌ１−３ｉ系
合金薄膜に比べて透磁率がおよそ２．４倍にも達してい
ることが分かった。また、この透磁率は、上記Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金薄膜に含まれる窒素Ｎの含有量が多すぎ
ると却って低下してしまい、ＩＭＨｚの周波数では上記
窒素Ｎの含有量が３重量％以下であることが好ましい。

しかしながら、上記Ｆｅ−Ａ１−５ｉ系合金薄■りにお
いては、窒素Ｎの含有■の増加とともに比抵抗が増加す
ることから、より高周波数領域での使用、例えばデジタ
ルＶＴＲ用磁気ヘッド等への使用を考えると、上記窒素
Ｎの含有量が４重量％程度までは実用可能であると考え
られる。

同時に、Ｆｅ−Ａｌ２−３ｉ系合金７ｙＬ膜に含まれる
窒素Ｎの含有量の増加に伴なって、ビッカース硬度も急
激に高くなり、上記窒素Ｎの含有■が約２重世％を越え
るとほぼ一定の硬度を確保するこしたがって、本発明の
複合磁気ヘッドにおいて、磁性薄膜であるＦｅ−Ａｌ−
３ｉ系合金薄膜に含有される窒素Ｎの含有量としては、
０．００５〜４重量％の範囲であることが好ましい。上
記含有量が０．００５重量％未満であると充分な効果が
期待できず、また上記含有量が４重量％を越えると却っ
て透磁率が低下してしまい保磁力Ｈｃも大きく成ってし
まう虞れがある。さらに、上記窒素Ｎとともに酸素を含
有してもよい。

一方、上記磁性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａｊ！。

Ｓｉの組成範囲としては、上記Ａｐの含有■が２〜１０
重量％、上記Ｓｉの含有量が４〜１５重旦％、残部がＦ
ｅであることが好ましい。すなわち、上記磁性薄膜を Ｆｅ、１Ａｆｆｂ　Ｓ　ｉ、　Ｎ。

（ａ、ｂ、ｃ、ｄは各成分の重量比を表す。）で表わし
たときに、その組成範囲が、 ７０≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０、００５≦ｄ≦４ ３＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｌ　　ｏ。

であることが望ましい。上記ＡｎやＳｉが少なずぎても
、また逆に多ずぎても磁性７；す膜の磁気特性が劣化し
てしまう。

また、上記Ｆｅの一部をＣｏあるいはＮｉのうち少なく
とも１種と置換することも可能である。

上記Ｆｅの一部をＣｏと置換することにより飽和磁束密
度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重世％
をＣＯで置換したもので最大の飽和磁束密度Ｂｓが得ら
れる。このＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６
０重璽％の範囲内であることが好ましい。

同様に、上記Ｆｅの一部をＮｉと置換することにより、
飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態
に保つことができる。このＮｉの置換量としては、Ｆｅ
に対して０〜４０重量％の範囲内であることが好ましい
。

さらに、上述の磁性薄膜には、耐食性や耐摩耗性を改善
するために各種元素を添加剤として加えもよい。上記添
加剤として使用される元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランタン系列元素を含む１ＩＩａ
族元素、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等のＩＶａＶａ族元素、Ｎｂ
、Ｔａ等のＶａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等のＶｉａ族元
素、Ｍｎ、Ｔｃ。

Ｒｅ等の■ａ族元素、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等のｌｂ族元素
Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ等が挙げられる。これら
添加剤の１種または２種以上を組み合わせて、上記磁性
薄膜に対して０〜１０重１％の範囲で添加する。すなわ
ち、上記添加剤をＴとし上記磁性薄膜を Ｆｅ、Ａ６．Ｓ　ｉｅ　ＮｄＴ１１ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、の各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ３　＋　ｂ　＋　ｃ　＋　ｄ　＋　ｅ　＝　１００を満
足することが望ましい。上記添加剤の添加■が１０重里
％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。

あるいは、上記添加剤としてＲｕ、Ｒｈ、ｐｄ。

Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等の白金族元素を１種以上添加しても
よい。この場合、上記白金族元素の添加量としては４０
重量％以下であることが好ましい。

上記添加量が４０重量％を越えると何１性薄膜の磁気特
性を劣化してしまうＩ！れがある。

さらに、上記Ｉ［１ａ族元素、ｌＶａＶａ族元素添加剤
と上記白金族元素の両者を添加することも可能である。

この場合の組成範囲としては、上記［１ａ族元素、ＩＶ
ａＶａ族元素添加剤をＴ、上記白金族元素をＰとし、上
記磁性薄膜を Ｆｅ、Ａｆｆｂ　Ｓ　ｉｃ　ＮｄＴ、Ｐｒ（ａ、ｂ、ｃ
、ｄ、ｅ、ｆは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、 ５５≦ａ〈９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０、００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ０≦ｒ≦４０ ａ＋ｂ十ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ）１００ を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ。

Ｒｈ、Ｐｄを使用したときにはｅ＋ｆ≦２０．上記白金
族元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯｓ、Ｉ
ｒ、ＰＣを使用したときにはｅ＋ｆ≦４０であることが
望ましい。上述の範囲越える添加剤を添加すると、磁気
特性が劣化する虞れがある。

実際、窒素を含有するセンダスト膜（窒素を５容量％含
有するＡｒガス中でスパッタリング）を第１図に示す磁
気ヘッドに応用し、ヘッドを試作して（実施例とする）
電磁変換特性を測定した。

その結果、第３図に示すように、磁性薄膜（１３）を窒
素を含まないセンダスト膜とした磁気ヘッド（比較例と
する）に比べて、周波数３ＭＩＩｚで３　ｄＢ。

５ＭＩＩｚでおよそ４ｄＢ出力が高くなっていることが
わかった。

次に、第１図に示す磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。

上記実施例の磁気ヘッドを作製するには、先ず、第４図
に示すように、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁
性酸化物基板（２０）の上面（２０ａ）　、すなわちこ
の強磁性酸化物基板（２０）における磁気コア半体突き
合わせ時の接合面に、回転砥石等により断面路■字状の
第１の切溝（２１）を全幅に亘って複数平行に形成し、
磁性薄膜形成面（２１ａ）を形成する。なお、上記磁性
薄膜形成面（２１ａ）は、上記強磁性酸化物基板（２０
）の磁気ギャップ形成面に対応する上面（２０ａ）と所
定角度θで傾斜するように斜面として形成され、その角
度θは、ここではおよそ４５°に設定されている。

次に、第５図に示すように、上記磁性薄膜形成面（２１
ａ）を含む基板（２０）の上面（２０ａ）全面に亘って
前述の窒素を含有するＦｅ−ＡＪ−３ｔ系合金をスパッ
タリング、イオンブレーティング、蒸着等の真空薄膜形
成技術を用いて被着し、磁性薄膜（２２）を形成する。

上記磁性薄膜（２２）に窒素Ｎを導入する方法としては
、 （１）窒素ガスを含む雰囲気中で上記真空薄膜形成技術
を行い、この窒素ガスの濃度によって得られる磁性薄膜
中の窒素Ｎの含有量を調節して導入する方法、 （ｎ）窒素と各成分のうちの少なくとも１種との化合物
と、残りの成分の合金とを蒸発源として使用し、得られ
る磁性薄膜中に窒素Ｎを導入する方法、 等が挙げられる。さらに、上記磁性薄膜（２２）を構成
するＦｅ、Ａβ、Ｓｉ等の各成分元素の組成を調節する
方法としては、 （ｉ）Ｆｅ、ＡＣＳｉや他の添加剤、置換金属等を所定
の割合となるように秤量し、これらをあ＾−Ａ）Ｉ−、
め伺１廣ぼ高固妨焙ｈｌ炉等で熔解して合金インゴット
を形成しておき、この合金インゴットを蒸発源として使
用する方法、 （１１）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸
発源の数で組成を制御する方法、 （ｉｉｉ　）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これ
ら蒸発源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピ
ードをコントロールし組成を制御する方法、 （１ｖ）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打
ち込む方法、 等が挙げられる。

次いで、第６図に示すように、磁性薄膜（２２）が被着
形成された第１の切溝（２１）内に、非磁性材（２３）
を充填した後、上記基板（２０）の上面（２０ａ）を平
面研削し、平滑度良く面出しを行い、上記基板（２０）
の上面（２０ａ）に上記磁性薄膜形成面（２１ａ）上に
被着される磁゛性薄膜（２２）の端面を露出させる。

次に、第７図に示すように、上記磁性薄膜（２３）が被
着形成された磁性１膜形成面（２１ａ）に隣接して、上
記第１の切溝（２１）の−側縁（２１ｂ）と若干オ−ハ
ーラ、ブするように第１の切溝（２１）と平行に第２の
切溝（２・１）を切削加工し、上記基板（２０）の上面
（２０ａ）に対して鏡面加工を施す。この結果、上記（
ｄ性薄膜（２２）のみにより磁気ギヤツブが構成される
ようにトラック幅が規制される。

この場合、上記磁性薄膜形成面（２１ａ）上に磁性薄膜
（２２）を被着形成した後、トランク幅を規制するため
の第２の切ａ（２４）を形成するという工程となってい
るため、この第２の切溝（２４）の切削位置を調節する
ことによりトラック幅を［６度良く製造することが可能
となり、磁性薄膜のみで構成された磁気ギャップ部から
最短距離を通って強磁性酸化物に磁束を通ず形状の磁気
ヘッドを歩留り良く製造できるとともに、出力も大きく
なり、生産性や信幀性、製造コストの点で有利である。

上述のような工程により作製される一対の強磁性酸化物
基板（２０）のうち、一方の基板（２０）に対して、第
８図に示すように、上記第１の切溝（２１）及び第２の
切溝（２４）と直交する方向に溝加工を施し、巻線溝（
２５）を形成し強磁性酸化物基板（３ｏ）を得る。

続いて、上記基板（２ｏ）の上面（２０ａ）が上記基板
（３０）の上面（３０ａ）上の少なくともいずれが一方
にギヤ、プスベーサを被着し、第９図に示ｊ゛ように、
これら基板（２０）　、　（３０）を上記磁性薄膜（２
２）同士が突き合わされるように接合配置する。そして
、これら基板（２０）及び（３０）をガラスにより融着
すると同時に、上記第２の切溝（２４）内に上記非磁性
材（２６）を充填する。なお、上記ギャップスペーサと
しては、Ｓｔ○２＋Ｚ　ｒＯ，Ｔａ２Ｏ，、Ｃｒ等が使
用される。また、この製造工程において、上記第２の切
溝（２４）への非磁性材（２６）の充填は、基板（２０
）　。

（３０）の融着と同時でなく、例えば第８図に示す工程
であらかじめ第２の切溝（２４）内に非磁性材（２６）
を充填し、第９図に示す工程ではガラス融着のみとして
もよい。

そして、第９図中Ａ−Ａ線及びＡ’−Ａ′線の位置でス
ライシング加工し、複数個のヘッドチップを切り出した
後、磁気テープ摺接面を円筒研磨して第１図に示す磁気
ヘッドを完成する。なお、このとき基板（２０）及び（
３０）に対するスライシング方向を突き合わせ面に対し
て傾斜させることにより、アジマス記録用の磁気ヘッド
を作製することができる。

ここで、完成した磁気ヘッド（すなわち第１図に示す磁
気ヘッド）の一方の磁気コア半体（１１）は強磁性酸化
物基板（２０）を母材としており、他方の磁気コア半体
（１２）は強磁性酸化物基板（３ｏ）を母相としている
。また、磁性薄膜（工３）は磁性薄膜（２２）に、非磁
性材（１４）は非磁性材（２３）に、非磁性材（１５）
は非磁性材（２６）にそれぞれ対応している。

このような製造工程により製造される磁気ヘッドにおい
ては、磁性ｇＪ膜（２２）の膜構造の不均一な部分が第
６図で説明した研磨工程、すなわちギヤノブ面研磨加工
時に削り取られてしまうため、磁気ギャップが一平面上
に形成されＵｆｉ路に沿ってその各部が高透磁率を示す
磁性７Ｉ膜（２２）のみによって構成され、安定した高
出力が得られるようになる。

ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、本発明の要旨を逸脱しない：４．Ｎ　ｔｌＪＴＩ　
Ｌこおいて種々の構造をとりうる。

例えば、第１Ｏ図は、磁気ギヤ、ブ近傍部にのみ磁性薄
膜を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである。この
磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体（４０）、
（４１）がＭｎ−２ｎ系フエライ１、等の強磁性酸化物
で形成され、磁気ギヤ、ブｇ近傍のフロントデプス側に
のみ磁性ＦＩＪＩｕ（４２）が、窒素を含有するＦｅ−
Ａ６−３ｉ系合金をスパッタリング等の真空薄膜形成技
術で被着することにより設けられている。また、非磁性
材（４３）　、　（４４）が磁気ギヤノブｇの形成面近
傍に溶融充填されている。なお、゛上記磁性薄膜（４２
）が磁気テープ形成面から見た時に磁気ギャンプ形成面
に対して所定の角度θで傾斜していることは先の実施例
と同様である。

このように構成されるｆｎ気へ・７Ｆにおいては、先の
実施例と同様に、磁性薄膜（４２）の各部がヘッドの磁
路方向に沿って高い透磁率を示すようになり、安定に高
出力を得ることができ、さらに加えて、この磁気ヘッド
においては、ヘッドの後部側の接合面、すなわちバンク
ギャップ面において強磁性酸化物同士が直接ガラス融着
されていることから、ヘッドチップ耐破壊強度が大きく
製造し易いヘッドとなっており、磁性薄膜の安定とあい
まって歩留りの向上を図ることができる。また、上記磁
気ヘッドでは、磁性薄膜（４２）は磁気ギャップｇの近
傍部のみに形成されているため、この磁性薄膜（４２）
の形成面積が少なくて済み、例えばスパンクリング装置
で一括処理可能な個数を大幅に増やせることで量産性の
向上を図ることができる。

あるいは、第１１図に示すように、磁性薄膜（１３）の
磁気ギャップｇから離れた位置に略Ｖ字状の屈曲部（１
３ｂ）を形成し、この屈曲部（１，３ｂ）の遠方でスラ
イシング加工した磁気ヘッドであってもよい。なお、こ
の第１１図において、第１図に示す磁気ヘッドと同一の
部材には同一の符号を付しである。

このような構成とすることにより、スライシング加工時
に、磁気ギャップｇを構成し記録・再生に関与する磁性
薄膜（１３）に対して直接外部応力が加わることがなく
なり、ヒビ割れの発生等が防止される。なお、このよう
に磁性薄膜（１３）に屈曲部（１３ｂ）をもたせた場合
には、擬似ギャップ防止のために、６〃気テ一プ摺接面
のテープ摺接方向に沿った両端部に断面略し字状の面取
り加工を施し、段差部（５１）、　（５２）を設けるこ
とが好ましい。この面取り加工は、上述のような段差を
持つような加工ではなく、斜面状に研磨してテーパー面
として形成するようにしてもよい。

さらには、第１２図に磁気テープ対接面を示すように、
磁性″ｉＲ膜形成面（１１）　、　（１２）を磁気ギャ
ップ形成面（１０）と所定角度で傾斜する面（ｌｌａ、
）、　（１２ａ、）　と、これよりも大きな角度をもっ
て傾斜する面（ｆｌａｘ）　、　（１２ａ、）とから構
成し、るＲ性薄膜（Ｉ３）のトラック幅を拡大するよう
にした磁気ヘッドであってもよい。

このような構成とすることにより、磁性薄膜（１３）の
膜厚が薄くとも、トランク幅を確保することができ、生
産性の点で有利である。

なお、この第１１図において、第１図に示す（ｎ気ヘッ
ドと同一の部材には同一の符号を付しである。

本発明は、上述のように磁気ギャップを構成する磁性薄
膜を磁気ギャップ形成面に対して斜めに配置したものば
かりでなく、他の各種複合磁気ヘッドにも適用可能であ
る。これら複合磁気ヘッドの例を以下に述べる。なお、
図面はこれら磁気ヘッドの磁気テープ対接面を拡大して
示す平面図とした。

第１２図は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体（６１
）　、　（６２）の突き合わせ面上に磁性薄膜（６３）
を被着し、磁気ギャップ形成面（６４）と平行な磁性薄
膜（６３）同士を当接して磁気ギャップｇを構成した複
合磁気ヘッドの一例を示すものである。この磁気ヘッド
では、磁気コア半体（６１）　、　（６２）にトランク
幅規制溝を設けて突き合わせ面（６１ａ）　、　（６２
ａ）を所定のトラック幅となるようにした後、磁性薄膜
（６３）を被着して、上記突き合わせ面（６１ａ）　、
　（６２ａ）上の磁性薄膜（６３）により磁気ギャップ
ｇを構成す規制溝により切り欠かれた部分には、磁気記
録媒体に対する当りを確保し磁気ヘッドの摩耗を防止す
るために、高融点ガラス等の非磁性材（６４）が充填さ
れている。

この例では、若干の擬似ギヤツブの虞れがあるものの、
膜厚；トラック幅の関係では有利である。

第１３図は、磁性薄膜のＩｌ！２厚をそのままトラック
幅とした複合磁気ヘッドの一例を示すものである。

すなわち、この複合磁気ヘッドは、セラミックス等の非
磁性材あるいはフェライト等の磁性材等により形成され
たガード材（７１）　、　（７２）で挾持された磁性薄
膜（７３）同士を、この磁性薄膜（７３）の膜厚がその
ままトラック幅となるように突き合わせて磁気ギャップ
ｇを構成し、この磁気ギヤツブｇ近傍ではガード材を切
り欠いて高融点ガラス（７４）を充填して構成される。

この例では、記録・再生に関与する磁気回路が全て磁１
生薄膜（７３）により構成される。

２＋１　ｆ　　−Ｔ　Ｊ／１．＋　”ｆｆ　ｊ　ｎ２　
　ｗ　＋　　’）ｒ＋’７１＋ｗ＋−ナト＝な複合磁気
ヘッドにおいても、磁性薄膜（６３）や磁性薄膜（７３
）を窒素を含有するＦｅ−Ａｆｆ−３ｉ系合金により形
成することにより、高周波数域での高出力化や高耐摩耗
化を図ることが可能となる。

Ｃ発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明の複合磁気ヘ
ッドにおいては、磁気ギヤノブを構成し記録・再生に直
接関与する磁性薄膜を、窒素を含有するＦｅ−Ａ６−３
ｉ系合金により形成しているので、この磁性薄膜の高周
波数域における透磁率等の軟磁気特性の改善が図られる
。したがって、特に高周波数域においても再生出力が高
く、電磁変換特性に優れた磁気ヘッドとすることが可能
である。

また、窒素を含有するＦｅ−Ａｌ−３ｉ系合金は、耐蝕
性や耐摩耗性も優れたものであるので、磁気ヘッドの耐
久性の点でも有利である。

これらの利点は、複合磁気ヘッドの構成に由来する高信
頼性、安定した磁気特性、高生産性、良好な歩留まり、
高富度記録化等の特徴とｔ目俟って磁気へノドの性能向
上に有効に働き、実用価値の高い複合磁気へノドの提供
が可能となる・

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
外観斜視図であり、第２図はその磁気記録媒体対接面を
示す要部拡大平面図である。 第３図は窒素を含有するＦｅ−Ａρ＝Ｓｉ系合金薄膜を
磁性薄膜とした複合磁気ヘッドの再生出力の周波数特性
を窒素を含有しないＦｅ−Δｅ−３ｉ系合金薄膜を磁性
薄膜とした複合磁気ヘッドのそれと比較して示す特性図
である。 第４図ないし第９図は第１図の磁気・＼ノドを作製する
ための製造工程を示す概略的な斜視図であり、第４図は
第１の切溝加工工程、第５図は強磁性金属薄膜形成工程
、第６図はガラス充填及び平面研磨工程、第７図は第２
の切溝加工工程、第８図は巻線溝加工工程、第９図はガ
ラス融着工程及びスライシング加工工程をそれぞれ示す
。 第１０図は磁性薄膜をフロントギャップ近傍にのみ被着
形成した実施例を示す外観斜視図であり、第１１図は磁
性薄膜に屈曲部を設けこの屈曲部の遠方でスライシング
加工した実施例を示す外観斜視図である。第１２図は磁
性薄膜形成面を屈曲さ・仕トラック幅を拡大した実施例
における磁気記録媒体対接面を示す要部拡大平面図であ
る。 第４図は磁気ギヤツブ形成面と平行に配置される磁性薄
膜同士を当接して磁気ギヤ、ブを構成した複合磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体対接面を示す■＋ 要部拡大平面図であり、第叫図は磁性薄膜をガート材で
挾持しこの磁性薄■りの膜厚をトラック幅とした複合磁
気ヘッドの磁気記録媒体対接面を示す要部拡大平面図で
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 酸化物磁性材料と磁性薄膜により磁気コア半体が構成さ
   れ、前記磁気コア半体同士が突き合わされてなる複合磁
   気ヘッドにおいて、 前記磁性薄膜が、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とし、Ａｌ
   及びＳｉの組成範囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａｌ、４
   〜１５重量％Ｓｉであって、さらに０．００５〜４重量
   ％の窒素を含有することを特徴とする複合磁気ヘッド。