JPS6286513A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPS6286513A JPS6286513A JP22749585A JP22749585A JPS6286513A JP S6286513 A JPS6286513 A JP S6286513A JP 22749585 A JP22749585 A JP 22749585A JP 22749585 A JP22749585 A JP 22749585A JP S6286513 A JPS6286513 A JP S6286513A
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- ferromagnetic
- ferromagnetic metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気ギャ
ップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されてなる、いわゆ
る複合型の磁気ヘッドに関するものである。
ップ近傍部が強磁性金属薄膜で形成されてなる、いわゆ
る複合型の磁気ヘッドに関するものである。
本発明は、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体とこの磁
気コア半体の強磁性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術に
より形成される強磁性金属薄膜とからなり、 前記強磁性金属gin?!同士を突き合わせることによ
り磁気ギャップが構成され、 テープ対接面から見たときに上記強磁性薄膜形成面と磁
気ギャップ形成面とが所定角度で傾斜するとともに上記
突き合わされた強磁性金属薄膜が磁気ギャップ近傍にお
いて略一直線状に連なってなる磁気ヘッドにおいて、 上記強磁性金属′3膜として、Siを5〜12%。
気コア半体の強磁性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術に
より形成される強磁性金属薄膜とからなり、 前記強磁性金属gin?!同士を突き合わせることによ
り磁気ギャップが構成され、 テープ対接面から見たときに上記強磁性薄膜形成面と磁
気ギャップ形成面とが所定角度で傾斜するとともに上記
突き合わされた強磁性金属薄膜が磁気ギャップ近傍にお
いて略一直線状に連なってなる磁気ヘッドにおいて、 上記強磁性金属′3膜として、Siを5〜12%。
Alを3〜10重量%、Cr、Ti及びVのうち少なく
とも1種を0.5〜5重量%含有し、残部がFeを主体
とする軟磁性薄膜を用い、 上記強磁性金属薄膜の磁気異方性を制御し、磁気ヘッド
の高出力化を図ろうとするものである。
とも1種を0.5〜5重量%含有し、残部がFeを主体
とする軟磁性薄膜を用い、 上記強磁性金属薄膜の磁気異方性を制御し、磁気ヘッド
の高出力化を図ろうとするものである。
例えばVTR(ビデオテープレコーダ)等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にFe% Co、Ni等の強磁性金属の粉末を用いた
、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸着によ
りベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープ等
が使用されるようになっている。そして、この種の磁気
記録媒体は高い抗磁力ticを有するために、記録再生
に用いる磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束密度
Bsを有することが要求されている。例えば、従来磁気
ヘッド材料として多用されているフェライト材では飽和
磁束密度Bsが低く、またパーマロイでは耐摩耗性に問
題がある。
生装置においては、記録信号の高密度化が進められてお
り、この高密度記録に対応して磁気記録媒体として磁性
粉にFe% Co、Ni等の強磁性金属の粉末を用いた
、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸着によ
りベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープ等
が使用されるようになっている。そして、この種の磁気
記録媒体は高い抗磁力ticを有するために、記録再生
に用いる磁気ヘッドのヘッド材料にも高い飽和磁束密度
Bsを有することが要求されている。例えば、従来磁気
ヘッド材料として多用されているフェライト材では飽和
磁束密度Bsが低く、またパーマロイでは耐摩耗性に問
題がある。
一方、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体に記
録される記録トランクの狭小化も進められており、これ
に対応して磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いものが
要求されている。
録される記録トランクの狭小化も進められており、これ
に対応して磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いものが
要求されている。
そこで従来、例えばセラミックス等の非磁性基板上に飽
和磁束密度の高い強磁性金属薄膜を被着形成し、これを
トランク部分とした複合型磁気ヘッドが提案されている
が、この種の磁気ヘッドでは磁路が膜厚の薄い強磁性金
属′il膜のみにより構成されるので、磁気抵抗が大き
く効率上好ましくなく、また上記強磁性金属薄膜の膜形
成を膜成長速度の極めて遅い真空薄膜形成技術で行うた
め、磁気ヘッド作製に時間を要する等の問題があった。
和磁束密度の高い強磁性金属薄膜を被着形成し、これを
トランク部分とした複合型磁気ヘッドが提案されている
が、この種の磁気ヘッドでは磁路が膜厚の薄い強磁性金
属′il膜のみにより構成されるので、磁気抵抗が大き
く効率上好ましくなく、また上記強磁性金属薄膜の膜形
成を膜成長速度の極めて遅い真空薄膜形成技術で行うた
め、磁気ヘッド作製に時間を要する等の問題があった。
あるいは、磁気コア部がフェライト等の強磁性酸化物か
らなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ形成面に強
磁性金属薄膜を被着した複合型磁気ヘッドも提案されて
いるが、この場合には磁路と上記金属薄膜とが直交する
方向に位置するため渦電流を置火が発生し再生出力の低
下を招く虞れがあり、また上記磁気コア部と上記金属薄
膜間に擬偵ギャップが形成され、充分な信頼性が得られ
ない等の問題がある。
らなり、これら各磁気コア部の磁気ギャップ形成面に強
磁性金属薄膜を被着した複合型磁気ヘッドも提案されて
いるが、この場合には磁路と上記金属薄膜とが直交する
方向に位置するため渦電流を置火が発生し再生出力の低
下を招く虞れがあり、また上記磁気コア部と上記金属薄
膜間に擬偵ギャップが形成され、充分な信頼性が得られ
ない等の問題がある。
そこで本願出願人は、先に特願昭58−250988号
明細書において、例えばメタルテープ等の高い抗磁力を
有する磁気テープに高密度記録するのに適した複合型磁
気ヘッドをHlした。
明細書において、例えばメタルテープ等の高い抗磁力を
有する磁気テープに高密度記録するのに適した複合型磁
気ヘッドをHlした。
この複合型磁気ヘッドは、Mn−Znフェライト等の強
磁性酸化物により形成される一対の磁気コア半体の突き
合わせ面をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁性金属薄膜形
成面を形成し、この強磁性金属薄膜形成面上に真空薄膜
形成技術により被着されたFe−Ag−5i系合金(い
わゆるセンダス日薄膜同士をスペーサを介して突き合わ
せることにより作動ギャップを構成するようにしたもの
であって、磁気特性や信頼性等の点で優れた特性を有す
るものである。
磁性酸化物により形成される一対の磁気コア半体の突き
合わせ面をそれぞれ斜めに切り欠いて強磁性金属薄膜形
成面を形成し、この強磁性金属薄膜形成面上に真空薄膜
形成技術により被着されたFe−Ag−5i系合金(い
わゆるセンダス日薄膜同士をスペーサを介して突き合わ
せることにより作動ギャップを構成するようにしたもの
であって、磁気特性や信頼性等の点で優れた特性を有す
るものである。
本発明は、前述の複合型磁気ヘッドの電磁変換特性のよ
り一層の改善を図り、特に高出力を有する磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
り一層の改善を図り、特に高出力を有する磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
本発明者等は、上述の磁気ヘッドの高出力化を図るため
、特に作動ギャップを構成し直接記録・再生に関与する
強磁性金属Ti膜について検討を重ねた。その結果、前
述の如く構成される複合型磁気ヘッドにおいては、 181強磁性金属薄膜の付着面がターゲット等の蒸発源
に対して斜めに配置されるので、上記強磁性金属薄膜に
磁気異方性が生ずること、 (bl軟磁性薄膜の磁気特性は磁気異方性に太き(左右
されること、 (clFe−A#−si系合金薄膜の磁気異方性の制御
にCr、Ti、Vが有効で、これらの添加により初透磁
率の向上が見られること、 等の知見を得るに至った。
、特に作動ギャップを構成し直接記録・再生に関与する
強磁性金属Ti膜について検討を重ねた。その結果、前
述の如く構成される複合型磁気ヘッドにおいては、 181強磁性金属薄膜の付着面がターゲット等の蒸発源
に対して斜めに配置されるので、上記強磁性金属薄膜に
磁気異方性が生ずること、 (bl軟磁性薄膜の磁気特性は磁気異方性に太き(左右
されること、 (clFe−A#−si系合金薄膜の磁気異方性の制御
にCr、Ti、Vが有効で、これらの添加により初透磁
率の向上が見られること、 等の知見を得るに至った。
本発明の磁気ヘッドはこのような知見に基づいて完成さ
れたものであって、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体
とこの磁気コア半体の強磁性gi膜形成面上に真空薄膜
形成技術により形成される強磁性金属薄膜とからなり、
前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせることにより磁気
ギャップが構成され、テープ対接面から見たときに上記
強磁性薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所定角度で
傾斜するとともに上記突き合わされた強磁性金属薄膜が
磁気ギャップ近傍において略一直線状に連なってなる磁
気ヘッドにおいて、上記強磁性金属薄膜は、Siを5〜
12%、Aβを3〜lO重量%。
れたものであって、強磁性酸化物よりなる磁気コア半体
とこの磁気コア半体の強磁性gi膜形成面上に真空薄膜
形成技術により形成される強磁性金属薄膜とからなり、
前記強磁性金属薄膜同士を突き合わせることにより磁気
ギャップが構成され、テープ対接面から見たときに上記
強磁性薄膜形成面と磁気ギャップ形成面とが所定角度で
傾斜するとともに上記突き合わされた強磁性金属薄膜が
磁気ギャップ近傍において略一直線状に連なってなる磁
気ヘッドにおいて、上記強磁性金属薄膜は、Siを5〜
12%、Aβを3〜lO重量%。
Cr、’l”i及びVのうち少なくとも1種を0.5〜
5N量%含有し、残部がFeを主体とする軟磁性薄膜で
あることを特徴とするものである。
5N量%含有し、残部がFeを主体とする軟磁性薄膜で
あることを特徴とするものである。
Fe−AJ−3t系合金にCr、’l”i、Vのうち少
なくとも1種を添加することにより、強磁性金属薄膜が
斜めに被着される複合型磁気ヘッドにおいても磁気異方
性が制御され、この薄膜の初透磁率の向上が図られる。
なくとも1種を添加することにより、強磁性金属薄膜が
斜めに被着される複合型磁気ヘッドにおいても磁気異方
性が制御され、この薄膜の初透磁率の向上が図られる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
先ず、ヘッドのテープ対接面である前端部よりバックギ
ヤノブを構成する後端部まで連続して強磁性金属′yl
膜を形成した本発明の一実施例について説明する。
ヤノブを構成する後端部まで連続して強磁性金属′yl
膜を形成した本発明の一実施例について説明する。
第1図は本発明を適用した複合型磁気ヘソ1′の一例を
示す外観斜視図であり、第2図はその磁気テープ対接面
を示す要部拡大平面図である。
示す外観斜視図であり、第2図はその磁気テープ対接面
を示す要部拡大平面図である。
この磁気ヘッドにおいては、磁気コア半体(11)。
(12)が強磁性酸化物、たとえばMn−Zn系フェラ
イトで形成され、これら磁気コア半体(11)。
イトで形成され、これら磁気コア半体(11)。
(12)の接合面を斜めに切り欠いた強磁性薄膜形成面
(lla) 、 (12a)には、フロントギャップ形
成面からバックギャップ形成面に至るまで連続して高透
磁率合金、本発明においてはCr、Ti、Vのうち少な
くとも一種を含有するl”e−AR−Si系合金膜であ
る強磁性金属薄膜(13)が真空薄膜形成技術により被
着形成されている。そして、これら一対の磁気コア半体
(11)、 (12)をSing等のギャップ材を介し
て突き合わせ、上記強磁性金属薄膜(13)の当接面が
トラック幅Twの磁気ギャップgとなるように構成され
ている。ここで、上記各磁気コア半体(11) 、 (
12)に被着形成される強磁性金属薄膜(13)は、磁
気テープ対接面から見たときに、−直線状に連なってお
り、磁気コア半体(11) 、 (12)の突き合わせ
面である接合面、すなわち磁気ギャップ形成面(10)
に対してθなる角度で傾斜している。
(lla) 、 (12a)には、フロントギャップ形
成面からバックギャップ形成面に至るまで連続して高透
磁率合金、本発明においてはCr、Ti、Vのうち少な
くとも一種を含有するl”e−AR−Si系合金膜であ
る強磁性金属薄膜(13)が真空薄膜形成技術により被
着形成されている。そして、これら一対の磁気コア半体
(11)、 (12)をSing等のギャップ材を介し
て突き合わせ、上記強磁性金属薄膜(13)の当接面が
トラック幅Twの磁気ギャップgとなるように構成され
ている。ここで、上記各磁気コア半体(11) 、 (
12)に被着形成される強磁性金属薄膜(13)は、磁
気テープ対接面から見たときに、−直線状に連なってお
り、磁気コア半体(11) 、 (12)の突き合わせ
面である接合面、すなわち磁気ギャップ形成面(10)
に対してθなる角度で傾斜している。
そして磁気ギャップgの形成面近傍、すなわち磁気テー
プ対接面における磁気ギャップgの両側部には、トラッ
ク幅を規制し上記強磁性金属薄膜(13)の摩耗を防止
するための非磁性材(14) 、 (15)が溶融充填
されている。
プ対接面における磁気ギャップgの両側部には、トラッ
ク幅を規制し上記強磁性金属薄膜(13)の摩耗を防止
するための非磁性材(14) 、 (15)が溶融充填
されている。
本発明の磁気へノドにおいては、上記強磁性薄膜形成面
(lla) 、 (12a) と磁気ギャップ形成面(
10)とがなす角θは、20’ 〜80”の範囲内に設
定することが好ましい、ここで20°以下の角度である
と隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望ま
しくは30’以上の角度を持たせるのがよい、また、上
記傾斜角度を90”にした場合は、耐摩耗性が劣ること
から、80”程度以下とするのがよい。また、傾斜角度
を90°にすると、磁気ギャップgの近傍部に形成され
る上述の強磁性金属薄膜(13)の膜厚をトラック幅7
wに等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を用
いて薄膜を形成するにあたって、多くの時間を要してし
まうことや、膜構造が不均一化してしまう点で好ましく
ない。
(lla) 、 (12a) と磁気ギャップ形成面(
10)とがなす角θは、20’ 〜80”の範囲内に設
定することが好ましい、ここで20°以下の角度である
と隣接トラックからのクロストークが大きくなり、望ま
しくは30’以上の角度を持たせるのがよい、また、上
記傾斜角度を90”にした場合は、耐摩耗性が劣ること
から、80”程度以下とするのがよい。また、傾斜角度
を90°にすると、磁気ギャップgの近傍部に形成され
る上述の強磁性金属薄膜(13)の膜厚をトラック幅7
wに等しく形成する必要があり、真空薄膜形成技術を用
いて薄膜を形成するにあたって、多くの時間を要してし
まうことや、膜構造が不均一化してしまう点で好ましく
ない。
すなわち、上記磁気コア半体(11) 、 (12)に
被着形成される強磁性金属薄膜(13)の膜厚tは、t
=Twsin θ でよいことから、トランク幅Twに相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここで、Twはトラック幅であり、θは
上記強磁性薄膜形成面(lla)。
被着形成される強磁性金属薄膜(13)の膜厚tは、t
=Twsin θ でよいことから、トランク幅Twに相当する膜厚を膜付
けする必要がなく、ヘッド作製に要する時間を短縮する
ことができる。ここで、Twはトラック幅であり、θは
上記強磁性薄膜形成面(lla)。
(12a) と磁気ギャップ形成面(10)とのなす角
度である。
度である。
一方、本発明においては、上記強磁性金属薄膜(13)
の材質は、Cr、Ti、Vのうち何れか一種以上を0.
5〜5重量%含有するFe−Ajl−3i系合金とする
。
の材質は、Cr、Ti、Vのうち何れか一種以上を0.
5〜5重量%含有するFe−Ajl−3i系合金とする
。
本発明者等の実験によれば、Fe−Al1−3i系合金
へのCr、Ti、Vの添加により、磁気異方性をコント
ロールすることができ、初i3%1率が向上するととも
に、耐蝕性や耐摩耗性の向上にもその効果は大きいこと
が明らかとなった。
へのCr、Ti、Vの添加により、磁気異方性をコント
ロールすることができ、初i3%1率が向上するととも
に、耐蝕性や耐摩耗性の向上にもその効果は大きいこと
が明らかとなった。
例えば、第3図に示すように、ターゲットXに対して4
5°傾けて各基板を配置し、ターゲットXの中心に近い
位置からそれぞれa、 b、 c、 d。
5°傾けて各基板を配置し、ターゲットXの中心に近い
位置からそれぞれa、 b、 c、 d。
eとしてスパッタリングを行い、得られた膜を評価した
。なお、各基板はガラスセラミック製(商品名ホトセラ
ム)で、短冊状のものとした。
。なお、各基板はガラスセラミック製(商品名ホトセラ
ム)で、短冊状のものとした。
第4図は、各基板にスパッタリングした強磁性金1ii
u!膜での長手方向の初i3磁率μ(測定周波数1MH
z)を示すものである。なお、図中曲線■はターゲット
をFe−Ajl−3i合金とした場合、曲線■はターゲ
ットをFe−Ajl−3i−Cr合金とした場合、曲線
■はターゲットをFe−Al−3 i −T i合金と
した場合、曲線■はターゲットをFe−Al−3i −
V合金とした場合の特性をそれぞれ示す。このときの膜
組成は、それぞれ(1) F e ■、sA l +o
、aS i s、a(Il) F 111sz、aAl
+o、4S tl! Crz、4(III) F +3
11.9A 1 +6.3S i 5.47 i z、
a(TV) F f! 11.9A 1 +a、*S
i s、4T i z、a(ただし、数値は重量%を表
す。) であった。
u!膜での長手方向の初i3磁率μ(測定周波数1MH
z)を示すものである。なお、図中曲線■はターゲット
をFe−Ajl−3i合金とした場合、曲線■はターゲ
ットをFe−Ajl−3i−Cr合金とした場合、曲線
■はターゲットをFe−Al−3 i −T i合金と
した場合、曲線■はターゲットをFe−Al−3i −
V合金とした場合の特性をそれぞれ示す。このときの膜
組成は、それぞれ(1) F e ■、sA l +o
、aS i s、a(Il) F 111sz、aAl
+o、4S tl! Crz、4(III) F +3
11.9A 1 +6.3S i 5.47 i z、
a(TV) F f! 11.9A 1 +a、*S
i s、4T i z、a(ただし、数値は重量%を表
す。) であった。
この第4図より、純粋なFe−Al−3i合金膜とCr
添加膜、Ti添加膜、■添加膜とを比較すると、Cr添
加、Ti添加、■添加の何れによってもi3磁率は向上
し、特にCr添加の場合に効果が著しいことがわかった
。このことは、磁気異方性の変化と対応し、純粋なFe
−Al−3i合金膜とCr添加膜とでは異方性の方向(
磁化容易軸)が逆転している。この磁気異方性の方向の
逆転は、基板a及び基板すの位置で顕著な相違が見られ
た。
添加膜、Ti添加膜、■添加膜とを比較すると、Cr添
加、Ti添加、■添加の何れによってもi3磁率は向上
し、特にCr添加の場合に効果が著しいことがわかった
。このことは、磁気異方性の変化と対応し、純粋なFe
−Al−3i合金膜とCr添加膜とでは異方性の方向(
磁化容易軸)が逆転している。この磁気異方性の方向の
逆転は、基板a及び基板すの位置で顕著な相違が見られ
た。
第5図は、先の第4図と同様に各基板にスパッタリング
した強磁性金属薄膜での長手方向の抗磁力Hcを示すも
のである。ここで、図中曲線Iは第4図と同様ターゲッ
トをFe−AJ−3i合金とした場合、曲線■はターゲ
ットをFa−Al−3i−Cr合金とした場合、曲線■
はターゲットをFe−Ajl−31−Ti合金とした場
合、曲線■はターゲットをFe−Al−5i −V合金
とした場合の特性をそれぞれ示す、抗磁力Hcは、C「
添加あるいはTi添加、■添加によりFe−Al−3i
合金膜に比べ若干大きくなっているものの、充分実用レ
ベルにあることがわかる。
した強磁性金属薄膜での長手方向の抗磁力Hcを示すも
のである。ここで、図中曲線Iは第4図と同様ターゲッ
トをFe−AJ−3i合金とした場合、曲線■はターゲ
ットをFa−Al−3i−Cr合金とした場合、曲線■
はターゲットをFe−Ajl−31−Ti合金とした場
合、曲線■はターゲットをFe−Al−5i −V合金
とした場合の特性をそれぞれ示す、抗磁力Hcは、C「
添加あるいはTi添加、■添加によりFe−Al−3i
合金膜に比べ若干大きくなっているものの、充分実用レ
ベルにあることがわかる。
上記Cr、Ti、Vの添加は初透磁率の向上に効果があ
るが、過剰の添加はその他の磁気特性を劣化する虞れが
あるので好ましくない。例えば、これらを5重量%を越
えて添加すると、抗磁力HCが1 (Os)を越え、帯
磁等の問題が生ずる。また、飽和磁束密度Bsも低下し
、記録特性が悪くなる。
るが、過剰の添加はその他の磁気特性を劣化する虞れが
あるので好ましくない。例えば、これらを5重量%を越
えて添加すると、抗磁力HCが1 (Os)を越え、帯
磁等の問題が生ずる。また、飽和磁束密度Bsも低下し
、記録特性が悪くなる。
したがって、強磁性金属薄膜中に含まれるC r +T
i、Vの含有量は、5重量%以下に抑えることが好まし
い。なお、これらの含有量が0.5重量%未満では所定
の効果が得られないので、下限は0゜5重量%とする。
i、Vの含有量は、5重量%以下に抑えることが好まし
い。なお、これらの含有量が0.5重量%未満では所定
の効果が得られないので、下限は0゜5重量%とする。
実際、Crを2重量%含有するセンダスト膜を第1図に
示す磁気ヘッドに応用し、ヘッドを試作して(実施例と
する)電磁変換特性を測定した。
示す磁気ヘッドに応用し、ヘッドを試作して(実施例と
する)電磁変換特性を測定した。
その結果、第6図に示すように、強磁性金属薄膜(13
)をセンダスト膜とした磁気ヘッド(比較例とする)に
比べて、1〜IMHzの領域で1〜2dB出力が向上す
ることがわかった。
)をセンダスト膜とした磁気ヘッド(比較例とする)に
比べて、1〜IMHzの領域で1〜2dB出力が向上す
ることがわかった。
また、上記Fe−Ajl−3i系合金を使用する場合に
、その主成分であるFe、Al、Siの組成範囲として
は、Afの含有量が3〜10重量%、Siの含有量が5
〜12%、残部がFeであることが好ましい。すなわち
、上記Fe−Al−3i系合金を F e a A 1 bS i c Ma(式中a、b
、c、dは各成分の重量比を表すし、MはCr、Ti、
Vの一種以上を表す。)で表したときに、その組成範囲
が 3≦b≦10 5≦cS12 0.5≦d≦5 a+b+c+d=100 であることが望ましい。上記AIやSiが少なすぎても
、また逆に多すぎてもFe−Aj!−Si系合金の磁気
特性が劣化してしまう。
、その主成分であるFe、Al、Siの組成範囲として
は、Afの含有量が3〜10重量%、Siの含有量が5
〜12%、残部がFeであることが好ましい。すなわち
、上記Fe−Al−3i系合金を F e a A 1 bS i c Ma(式中a、b
、c、dは各成分の重量比を表すし、MはCr、Ti、
Vの一種以上を表す。)で表したときに、その組成範囲
が 3≦b≦10 5≦cS12 0.5≦d≦5 a+b+c+d=100 であることが望ましい。上記AIやSiが少なすぎても
、また逆に多すぎてもFe−Aj!−Si系合金の磁気
特性が劣化してしまう。
また、上記Feの一部をCOあるいはNiのうち少なく
とも1種と置換することも可能である。
とも1種と置換することも可能である。
上記強磁性金属薄11!(13)の膜付は方法としては
、フラッシュ蒸着、真空蒸着、イオンブレーティング、
スパッタリング、クラスター・イオンビーム法等に代表
される真空il!!形成技術が採用される。
、フラッシュ蒸着、真空蒸着、イオンブレーティング、
スパッタリング、クラスター・イオンビーム法等に代表
される真空il!!形成技術が採用される。
次に、第1図に示す磁気ヘッドの構成をより明確なもの
とするために、その製造方法について説明する。
とするために、その製造方法について説明する。
1記実施例の磁気ヘッドを作製するには、先ず、第7図
に示すように、例えばMn−Zn系フェライト等の強磁
性酸化物基板(20)の上面(20a) 、すなわちこ
の強磁性酸化物基板(20)における磁気コア半体突き
合わせ時の接合面に、回転砥石等により断面路■字状の
第1の切溝(21)を全幅に亘って複数平行に形成し、
強磁性薄膜形成面(21a)を形成する。なお、上記強
磁性薄膜形成面(21a)は、上記強磁性酸化物基板(
20)の磁気ギャップ形成面に対応する上面(20a)
と所定角度θで傾斜するように斜面として形成され、そ
の角度θは、ここではおよそ45゛に設定されている。
に示すように、例えばMn−Zn系フェライト等の強磁
性酸化物基板(20)の上面(20a) 、すなわちこ
の強磁性酸化物基板(20)における磁気コア半体突き
合わせ時の接合面に、回転砥石等により断面路■字状の
第1の切溝(21)を全幅に亘って複数平行に形成し、
強磁性薄膜形成面(21a)を形成する。なお、上記強
磁性薄膜形成面(21a)は、上記強磁性酸化物基板(
20)の磁気ギャップ形成面に対応する上面(20a)
と所定角度θで傾斜するように斜面として形成され、そ
の角度θは、ここではおよそ45゛に設定されている。
次に、第8図に示すように、上記強磁性薄膜形成面(2
1a)を含む基板(20)の上面(20a)全面に亘っ
て前述のCr、Tiあるいは■を含有するFe−Al1
−Si系合金をスパッタリング、イオンブレーティング
、蒸着等の真空Tit It!形成技術を用いて被着し
、強磁性金属薄膜(22)を形成する。
1a)を含む基板(20)の上面(20a)全面に亘っ
て前述のCr、Tiあるいは■を含有するFe−Al1
−Si系合金をスパッタリング、イオンブレーティング
、蒸着等の真空Tit It!形成技術を用いて被着し
、強磁性金属薄膜(22)を形成する。
次いで、第9図に示すように、強磁性金属薄膜(22)
が被着形成された第1の切溝(21)内に、非磁性材(
23)を充填した後、上記基板(20)の上面(20a
)を平面研削し、平滑度良く面出しを行い、上記基板(
20)の上面(20a)に上記強磁性薄膜形成面(21
a)上に被着される強磁性金属薄Il!(22)の端面
を露出させる。
が被着形成された第1の切溝(21)内に、非磁性材(
23)を充填した後、上記基板(20)の上面(20a
)を平面研削し、平滑度良く面出しを行い、上記基板(
20)の上面(20a)に上記強磁性薄膜形成面(21
a)上に被着される強磁性金属薄Il!(22)の端面
を露出させる。
次に、第10図に示すように、上記強磁性金属薄膜(2
3)が被着形成された強磁性薄膜形成面(21a)に隣
接して、上記第1の切溝(21)の−側縁(21b)と
若干オーバーラツプするように第1の切溝(21)と平
行に第2の切1 (24)を切削加工し、上記基板(2
0)の上面(20a)に対して鏡面加工を施す、この結
果、上記強磁性金属薄膜(22)のみにより磁気ギャッ
プが構成されるようにトラック幅が規制される。
3)が被着形成された強磁性薄膜形成面(21a)に隣
接して、上記第1の切溝(21)の−側縁(21b)と
若干オーバーラツプするように第1の切溝(21)と平
行に第2の切1 (24)を切削加工し、上記基板(2
0)の上面(20a)に対して鏡面加工を施す、この結
果、上記強磁性金属薄膜(22)のみにより磁気ギャッ
プが構成されるようにトラック幅が規制される。
この場合、上記強磁性薄膜形成面(21a)上に強磁性
金属薄膜(22)を被着形成した後、トラック幅を規制
するための第2の切溝(24)を形成するという工程と
なっているため、この第2の切溝(24)の切削位置を
調節することによりトラック幅を精度良く製造すること
が可能となり、強磁性金属3膜のみで構成された磁気ギ
ャップ部から最短距離を通って強磁性酸化物に磁束を通
す膨軟の磁気ヘッドを歩留り良く製造できるとともに、
出力も太きくなり、生産性や信輔性、製造コストの点で
有利である。
金属薄膜(22)を被着形成した後、トラック幅を規制
するための第2の切溝(24)を形成するという工程と
なっているため、この第2の切溝(24)の切削位置を
調節することによりトラック幅を精度良く製造すること
が可能となり、強磁性金属3膜のみで構成された磁気ギ
ャップ部から最短距離を通って強磁性酸化物に磁束を通
す膨軟の磁気ヘッドを歩留り良く製造できるとともに、
出力も太きくなり、生産性や信輔性、製造コストの点で
有利である。
上述のような工程により作製される一対の強磁性酸化物
基板(20)のうち、一方の基板(20)に対して、第
11図に示すように、上記第1の切溝(21)及び第2
の切溝(24)と直交する方向に溝加工を施し、巻線溝
(25)を形成し強磁性酸化物基板(30)を得る。
基板(20)のうち、一方の基板(20)に対して、第
11図に示すように、上記第1の切溝(21)及び第2
の切溝(24)と直交する方向に溝加工を施し、巻線溝
(25)を形成し強磁性酸化物基板(30)を得る。
続いて、上記基板(20)の上面(20a)か上記基板
(30)の上面(30a)上の少なくともいずれか一方
にギャップスペーサを被着し、第12図に示すように、
これら基vi(20) 、 (30)を上記強磁性金属
3膜(22)同士が突き合わされるように接合配置する
。
(30)の上面(30a)上の少なくともいずれか一方
にギャップスペーサを被着し、第12図に示すように、
これら基vi(20) 、 (30)を上記強磁性金属
3膜(22)同士が突き合わされるように接合配置する
。
そして、これら基板(20)及び(30)をガラスによ
り融着すると同時に、上記第2の切溝(24)内に上記
非磁性材(26)を充填する。なお、上記ギャップスペ
ーサとしては、S i Ot+ Z r Oz+T a
20i Cr等が使用される。また、この製造工程に
おいて、上記第2の切溝(24)への非磁性材(26)
の充填は、基板(20) 、 (30)の融着と同時で
なく、例えば第11図に示す工程であらかじめ第2の切
7m(24)内に非磁性材(26)を充填し、第12図
に示す工程ではガラス融着のみとしてもよい。
り融着すると同時に、上記第2の切溝(24)内に上記
非磁性材(26)を充填する。なお、上記ギャップスペ
ーサとしては、S i Ot+ Z r Oz+T a
20i Cr等が使用される。また、この製造工程に
おいて、上記第2の切溝(24)への非磁性材(26)
の充填は、基板(20) 、 (30)の融着と同時で
なく、例えば第11図に示す工程であらかじめ第2の切
7m(24)内に非磁性材(26)を充填し、第12図
に示す工程ではガラス融着のみとしてもよい。
そして、第12図中A−A線及びA’−A’線の位置で
スライシング加工し、複数個のヘントチツブを切り出し
た後、磁気テープ摺接面を円筒研磨して第1図に示す磁
気ヘッドを完成する。なお、このとき基板(20)及び
(30)に対するスライシング方向を突き合わせ面に対
して傾斜させることにより、アジマス記録用の磁気ヘッ
ドを作製することができる。
スライシング加工し、複数個のヘントチツブを切り出し
た後、磁気テープ摺接面を円筒研磨して第1図に示す磁
気ヘッドを完成する。なお、このとき基板(20)及び
(30)に対するスライシング方向を突き合わせ面に対
して傾斜させることにより、アジマス記録用の磁気ヘッ
ドを作製することができる。
ここで、完成した磁気ヘッド(すなわち第1図に示す磁
気ヘッド)の一方の磁気コア半体(11)は強磁性酸化
物基板(20)を母材としており、他方の磁気コア半体
(12)は強磁性酸化物基板(30)を母材としている
。また、強磁性金属薄膜(13)は強磁性金属薄膜(2
2)に、非磁性材(14)は非磁性材(23)に、非磁
性材(15)は非磁性材(26)にそれぞれ対応してい
る。
気ヘッド)の一方の磁気コア半体(11)は強磁性酸化
物基板(20)を母材としており、他方の磁気コア半体
(12)は強磁性酸化物基板(30)を母材としている
。また、強磁性金属薄膜(13)は強磁性金属薄膜(2
2)に、非磁性材(14)は非磁性材(23)に、非磁
性材(15)は非磁性材(26)にそれぞれ対応してい
る。
このような製造工程により製造される磁気ヘッドにおい
ては、強磁性金属薄膜(22)の膜構造の不均一な部分
が第9図で説明した研磨工程、すなわちギャップ面研磨
加工時に削り取られてしまうため、磁気ギャップが一平
面上に形成され磁路に沿ってその各部が高i3磁率を示
す強磁性金属薄膜(22)のみによって構成され、安定
した高出力が得られるようになる。
ては、強磁性金属薄膜(22)の膜構造の不均一な部分
が第9図で説明した研磨工程、すなわちギャップ面研磨
加工時に削り取られてしまうため、磁気ギャップが一平
面上に形成され磁路に沿ってその各部が高i3磁率を示
す強磁性金属薄膜(22)のみによって構成され、安定
した高出力が得られるようになる。
ところで、本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の構造
をとりうる。
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の構造
をとりうる。
例えば、第13図は、磁気ギャップ近傍部にのみ強磁性
金属薄膜を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである
。この磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体(4
0) 、 (41)がMn−Zn系フェライト等の強磁
性酸化物で形成され、磁気ギヤツブg近傍のフロントデ
プス側にのみ強磁性金属薄膜(42)が、Cr、Tiあ
るいは■のうちの一種以上を含有するFe−Al−3i
系合金をスパッタリング等の真空薄膜形成技術で被着す
ることにより設けられている。また、非磁性材(43)
、 (44)が磁気ギャップgの形成面近傍に溶融充
填されている。なお、上記強磁性金属薄膜(42)が磁
気テープ形成面から見た時に磁気ギャップ形成面に対し
て所定の角度θで傾斜していることは先の実施例と同様
である。
金属薄膜を形成した磁気ヘッドの一例を示すものである
。この磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体(4
0) 、 (41)がMn−Zn系フェライト等の強磁
性酸化物で形成され、磁気ギヤツブg近傍のフロントデ
プス側にのみ強磁性金属薄膜(42)が、Cr、Tiあ
るいは■のうちの一種以上を含有するFe−Al−3i
系合金をスパッタリング等の真空薄膜形成技術で被着す
ることにより設けられている。また、非磁性材(43)
、 (44)が磁気ギャップgの形成面近傍に溶融充
填されている。なお、上記強磁性金属薄膜(42)が磁
気テープ形成面から見た時に磁気ギャップ形成面に対し
て所定の角度θで傾斜していることは先の実施例と同様
である。
このように構成される磁気ヘッドにおいては、先の実施
例と同様に、強磁性金属薄膜(42)の各部がヘッドの
磁路方向に沿って高い透磁率を示すようになり、安定に
高出力を得ることができ、さらに加えて、この磁気ヘッ
ドにおいては、ヘッドの後部側の接合面、すなわちバッ
クギャップ面において強磁性酸化物同士が直接ガラス融
着されていることから、ヘッドチップ耐破壊強度が大き
く製造し易いヘッドとなっており、強磁性金属薄膜の安
定とあいまって歩留りの向上を図ることができる。また
、上記磁気ヘッドでは、強磁性金属F!膜(42)は磁
気ギャップgの近傍部のみに形成されているため、この
強磁性金属薄膜(42)の形成面積が少なくて済み、例
えばスパッタリング装置で一括処理可能な個数を大幅に
増やせることで量産性の向上を図ることができる。
例と同様に、強磁性金属薄膜(42)の各部がヘッドの
磁路方向に沿って高い透磁率を示すようになり、安定に
高出力を得ることができ、さらに加えて、この磁気ヘッ
ドにおいては、ヘッドの後部側の接合面、すなわちバッ
クギャップ面において強磁性酸化物同士が直接ガラス融
着されていることから、ヘッドチップ耐破壊強度が大き
く製造し易いヘッドとなっており、強磁性金属薄膜の安
定とあいまって歩留りの向上を図ることができる。また
、上記磁気ヘッドでは、強磁性金属F!膜(42)は磁
気ギャップgの近傍部のみに形成されているため、この
強磁性金属薄膜(42)の形成面積が少なくて済み、例
えばスパッタリング装置で一括処理可能な個数を大幅に
増やせることで量産性の向上を図ることができる。
あるいは、第14図に示すように、強磁性金属薄膜(1
3)の磁気ギャップgから離れた位置に略■字状の屈曲
部(13b)を形成し、この屈曲部(13b)の遠方に
延在する部分の強磁性金属薄膜(13c)を横切ってス
ライシング加工した何1気ヘッドであってもよい。なお
、この第14図において、第1図に示す磁気ヘッドと同
一の部材には同一の符号を付しである。
3)の磁気ギャップgから離れた位置に略■字状の屈曲
部(13b)を形成し、この屈曲部(13b)の遠方に
延在する部分の強磁性金属薄膜(13c)を横切ってス
ライシング加工した何1気ヘッドであってもよい。なお
、この第14図において、第1図に示す磁気ヘッドと同
一の部材には同一の符号を付しである。
このような構成とすることにより、スライシング加工時
に、磁気ギャップgを構成し記録・再生に関与する強磁
性金属薄膜(13)に対して直接外部応力が加わること
がなくなり、ヒビ割れの発生等が防止される。なお、こ
のように強磁性金属薄膜(13)に屈曲部(13b)を
もたせた場合には、擬似ギャップ防止のために、磁気テ
ープ摺接面のテープ摺接方向に沿った両端部に断面略し
字状の面取り加工を施し、段差部(51)、 (52)
を設けることが好ましい。この面取り加工は、上述のよ
うな段差を持つような加工ではなく、斜面状に研磨して
テーバー面として形成するようにしてもよい。
に、磁気ギャップgを構成し記録・再生に関与する強磁
性金属薄膜(13)に対して直接外部応力が加わること
がなくなり、ヒビ割れの発生等が防止される。なお、こ
のように強磁性金属薄膜(13)に屈曲部(13b)を
もたせた場合には、擬似ギャップ防止のために、磁気テ
ープ摺接面のテープ摺接方向に沿った両端部に断面略し
字状の面取り加工を施し、段差部(51)、 (52)
を設けることが好ましい。この面取り加工は、上述のよ
うな段差を持つような加工ではなく、斜面状に研磨して
テーバー面として形成するようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ヘッド
においては、磁気ギャップを構成し記録・再生に直接関
与する強磁性金属薄膜を、Cr。
においては、磁気ギャップを構成し記録・再生に直接関
与する強磁性金属薄膜を、Cr。
Ti、Vのうちの少なくとも一種を含有するFe−Aρ
−3i系合金により形成しているので、この強磁性金属
薄膜における磁気異方性が制御され、初透磁率等の軟磁
気特性の改善が図られる。したがって、再生出力が高く
電磁変換特性に優れた磁気ヘッドとすることが可能であ
る。
−3i系合金により形成しているので、この強磁性金属
薄膜における磁気異方性が制御され、初透磁率等の軟磁
気特性の改善が図られる。したがって、再生出力が高く
電磁変換特性に優れた磁気ヘッドとすることが可能であ
る。
また、Cr、Ti、Vのうちの少なくとも一種を含有す
るFe−Al−3i系合金は、耐蝕性や耐摩耗性も優れ
たものであるので、磁気ヘッドの耐久性の点でも有利で
ある。
るFe−Al−3i系合金は、耐蝕性や耐摩耗性も優れ
たものであるので、磁気ヘッドの耐久性の点でも有利で
ある。
これらの利点は、この磁気ヘッドの構成に由来する高信
頼性、安定した磁気特性、高生産性、良好な歩留まり、
高密度記録化等の特徴と相俟って磁気ヘッドの性能向上
に有効に働き、実用価値の高い6B気ヘツドの提供が可
能となる。
頼性、安定した磁気特性、高生産性、良好な歩留まり、
高密度記録化等の特徴と相俟って磁気ヘッドの性能向上
に有効に働き、実用価値の高い6B気ヘツドの提供が可
能となる。
第1図は本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を示す
外観斜視図であり、第2図はその磁気テ・−プ対接面を
示す要部拡大平面図である。 第3図は強磁性金属薄膜をスパッタリングするに際して
のクーゲットと基板の配置を示す模式図であり、第4図
は各基板位置における強磁性金属薄膜の初i31率を示
す特性図、第5図は各基板位置における強磁性金属薄膜
の抗磁力を示す特性図である。第6図はCr含存Fe−
Ajl−3i合金a膜を使用した磁気ヘッドの再生出力
の周波数特性をCrを含有しないFeAl−3i合金薄
膜を使用した磁気ヘッドと比較して示す特性図である。 第7図ないし第12図は第1図の磁気ヘッドを作製する
ための製造工程を示す概略的な斜視図であり、第7図は
第1の切溝加工工程、第8図は強磁性金属*膜形成工程
、第9図はガラス充填及び平面研磨工程、第10図は第
2の切溝加工工程、第11図は巻線溝加工工程、第12
図はガラス融着工程をそれぞれ示す。 第13図は本発明の他の実施例を示す外観斜視図であり
、第14図は本発明のさらに他の実施例を示す外観斜視
図である。
外観斜視図であり、第2図はその磁気テ・−プ対接面を
示す要部拡大平面図である。 第3図は強磁性金属薄膜をスパッタリングするに際して
のクーゲットと基板の配置を示す模式図であり、第4図
は各基板位置における強磁性金属薄膜の初i31率を示
す特性図、第5図は各基板位置における強磁性金属薄膜
の抗磁力を示す特性図である。第6図はCr含存Fe−
Ajl−3i合金a膜を使用した磁気ヘッドの再生出力
の周波数特性をCrを含有しないFeAl−3i合金薄
膜を使用した磁気ヘッドと比較して示す特性図である。 第7図ないし第12図は第1図の磁気ヘッドを作製する
ための製造工程を示す概略的な斜視図であり、第7図は
第1の切溝加工工程、第8図は強磁性金属*膜形成工程
、第9図はガラス充填及び平面研磨工程、第10図は第
2の切溝加工工程、第11図は巻線溝加工工程、第12
図はガラス融着工程をそれぞれ示す。 第13図は本発明の他の実施例を示す外観斜視図であり
、第14図は本発明のさらに他の実施例を示す外観斜視
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 強磁性酸化物よりなる磁気コア半体とこの磁気コア半体
の強磁性薄膜形成面上に真空薄膜形成技術により形成さ
れる強磁性金属薄膜とからなり、前記強磁性金属薄膜同
士を突き合わせることにより磁気ギャップが構成され、 テープ対接面から見たときに上記強磁性薄膜形成面と磁
気ギャップ形成面とが所定角度で傾斜するとともに上記
突き合わされた強磁性金属薄膜が磁気ギャップ近傍にお
いて略一直線状に連なってなる磁気ヘッドにおいて、 上記強磁性金属薄膜は、Siを5〜12%、Alを3〜
10重量%、Cr、Ti及びVのうち少なくとも1種を
0.5〜5重量%含有し、残部がFeを主体とする軟磁
性薄膜であることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22749585A JPS6286513A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22749585A JPS6286513A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6286513A true JPS6286513A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16861781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22749585A Pending JPS6286513A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6286513A (ja) |
-
1985
- 1985-10-12 JP JP22749585A patent/JPS6286513A/ja active Pending
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