JPS62267946A - 光磁気デイスク用記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスクの製造に係り、特に大きな再
生出力が得られる光磁気ディスクを得るのに好適な光磁
気ディスク用記録媒体の製造法に関する。

〔従来の技術〕

近年、情報化社会の進展に伴ない、高密度で大容量の情
報の任意読出し及び書換え可能な光磁気記録が注目され
ている。この光磁気記録媒体として、希土類−鉄族系非
晶質材料が研究の中心にあり、中でもＴ　ｂ　−Ｆ　ｅ
　−Ｃｏ系を基体とする磁気記録媒体は最も実用化に近
い段階にあり、各所で盛んに研究されている（例えば、
特開昭５８−７３７４６号）、光磁気記録材料の特性は
、キューリ一温度。

保磁力及びに６ｒｒ回転角により左右される。その中で
、Ｋｅｒｒ回転角は、光磁気ディスクから情報を読み出
す場合の再生出力を左右することから、大きな再生出力
を得るために大きなＫｅｒｒ回転角が得られるよう材料
及びディスク構造の両面から検討が進められているのが
現状である。現在までに知られている材料のＫｅｒｒ回
転角は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ。

系で最大０．３５’〜０．３８’　、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｇｏ系で０．３９”　、Ｔｂ−Ｇｏ系で０．３０＠で
、この他Ｋｏｒｒエンハンス膜を記録膜の下層に設けて
もＫｅｒｒ効果のみかけ上の増加は３〜５割までである
。高性能光磁気ディスクを作成するにはより大きなにｅ
ｒｒ回転角を得る材料或いは製造法を見出す必要があっ
た。

また、その１つの手法に、記録材料に各種元素を添加し
てＫｅｒｒ効果の増大をはかるこころみかなされている
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの添加元素により逆に保磁力が低下した
り或いはキューリ一温度が上ったりするため、大きなＫ
ｅｒｒ回転角が得られても、トータルの光磁気ディスク
特性は低下してしまった。

本発明の目的は、保磁力及びキューリ一温度を変えるこ
となく、大きなＫｅｒｒ回転角が得られる製造法を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

磁気記録膜を作成するにあたり、まず、Ｂｉ。

Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｓｎ、ＴＱ、Ｐｂ、Ｐｔ。

Ｐｄ、Ａｇ或いはＡｕの薄膜（膜厚１０〜２００人程度
）を設けた上に、つづいて磁気記録膜（０，１μｍ　〜
０．３　μｍ）を形成する。

〔作用〕

この磁気記録膜を作成する場合、先に形成した金属膜表
面は、基板冷却をしないと１００〜１５０℃に上昇する
。そのため後から形成する磁気記録膜と先に作成した金
属層とが融合してろすい合金層が形成される。このよう
な二層構造を持つ磁気記録膜は、まずＫｅｒｒ回転角は
基板例のこのうすい合金層に支配され、保磁力及びキュ
ーリ一温度は合金層上の磁気記録膜により決定されるた
め、大きなにａｒｒ回転角、高保磁力そして適切なキュ
ーリ一温度を持った磁気記録媒体を得ることが可能とな
った。このことから、本発明は高性能光磁気ディスクを
提供するのに有効な製造法である。

〔実施例〕

以下１本発明の詳細を実施例１〜３を用いて詳細に説明
する。

〔実施例１］ 第１図に試作した光磁気ディスクの断面構造の模式図を
示す、まずドーナッツ状のガラスまたは樹脂のディスク
基板（１）上に、ＢｉｔＩｎ。

Ｃｄ、Ｇａ、Ｓｎ、ＴＱまたはｐｂの５０人の薄膜層（
２）を真空蒸着法で形成する。その時のペルジャー内の
圧力は、２ＸＬＱ−６（Ｔｏｒｒ　）である。

つづいて（Ｇｄｏ、ａＴｂｏ、ａ）ｚｓＦｅｓｚｃｏｚ
ｔなる組成を有する磁気記録膜（３）を１０００人の膜
厚にスパッタ法により形成する。その時のスパッタ条件
は、放電ガスにＡｒを用い、圧力５　Ｘ　１０−ａ（Ｔ
ｏｒｒ）　、投入ＲＦ電力２Ｗ／ｊ、スパッタ時間は３
分である。そして最後に、５ｉａＮ＋保！！膜（４）を
スパッタ法により形成した。その時のスパッタ条件は、
放電ガスに、Ａｒ／Ｎｚ＝５０％７５０％を用い、圧力
５　Ｘ　１０−”　（Ｔｏｒｒ）　、投入ＲＦｔ力Ｉ　
Ｗ／ａｔ？、スパッタ時間は１５分である。

また、比較のために、薄膜金属層（２）を形成しない記
録膜（３）のみの試料も作成した。このようにして作成
した光磁気ディスクのＫｅｒｒ回転角二〇に、保磁カニ
Ｈｃを測定した結果を第１表にまとめて示す。

第１表 このように、記録膜の作成にあたり、まずＢｉ。

Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｓｎ、ＴＱ或いはＰｄ等の金属層を
設けた後に磁気記録膜を作成し、二層構造とすることに
よりＨｃ　を大きく低下させることなく（Ｊｋを０．０
６’〜０．１２”　を大きくすることができた。このこ
とにより、光磁気ディスクの再生出力を大きく向上させ
ることができた。また、得られた特性は、ガラス基板を
用いた場合と樹脂基板を用いた場合と差はみられなかっ
た。

光磁気ディスクの構造は、実施例１と同様である。すな
わち、ドーナツツ状のガラスまたは樹脂のディスク基板
（１）上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ或いはＡｕの２０人の薄
膜層（２）を真空蒸着法或いはイオンビームスパッタ法
により形成する。その時のペルジャー内の圧力は、真空
蒸着法の場合２　Ｘ　１０””　（Ｔｏｒｒ）　、イオ
ンビームスパッタの場合Ｉ　Ｘ　１０−８（Ｔｏｒｒ）
である、つづいて（Ｇｄｏ、ｅＴｂｏ、ａ）ｚｇ　Ｆｅ
５ｔＣｏｘｘなる組成を有する磁気記録Ｉｆ５ｇ　（３
）をＩ　０００人の膜厚にスパッタ法により作成する。

その時のスパッタ条件は、実施例１と同様である。そし
て最後に、５ｉａＮａ保！ｒＡ（４）をスパッタ法によ
り形成した。その時のスパッタ条件は実施例１と同様で
ある。また、比較のために。

簿膜金属層（２）を形成しない記録膜（３）のみの試料
も作成した。このようにして作成した光磁気ディスクの
Ｋｅｒｒ回転角：θに、保磁カニＨｃを測定した結果を
第２表にまとめて示す。このように記録膜の作成にあた
り、まず、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ａｕ或いはＡｇ等の金属層を設けた後に磁気記録膜を作
成し、二層構造とすることにより、Ｈｅを低下させるこ
となく、θ細を０．１１＠〜０．１３’と大きく向上さ
せることができた。このことより、光磁気ディスクの再
生出力を大きく増大させることができた。また、得られ
た特性は、基板による違いはまったくみられなかった。

第２表 ［実施例３］ 第２図に試作した光磁気ディスクの断面構造の模式図を
示す、まずドーナッツ状のガラスまたは樹脂製のディス
ク基板（１）上に、Ｓｉ○をＫｅｒｒエンハンス膜（５
）としてスパッタ法により形成した。その時の条件は、
放電ガスにＡ　ｒ　／　Ｈｚ　＝９０／１０　（％／％
）を用イ圧力Ｉ　Ｘ　１０−”（Ｔｏｒｒ）　、投入Ｒ
Ｆ電力Ｉ　Ｗ／ｃｄ、スパッタ時間は５分である。でき
た膜厚は０．１μｍである。

そしてこのＳｉ○膜上にＢｉ、ＴＱ、Ｐｂ、Ｐｔまたは
Ａｕの薄膜層（２）を真空蒸着法で形成した。その時の
真空室内の圧力は２　Ｘ　１０−’　（Ｔｏｒｒ）であ
る。次に（Ｇｄｏ、ａＴｂｏ、１）ｚａ　ＦｅｅｔＣｏ
ｔｔなる組成を有する磁気記録膜（３）を１０００人の
膜厚に形成する。その時のスパッタ条件は実施例１と同
じである。そして最後に、５ｉｓＮ＊保？Ｉ膜（４）を
実施例］と同一の条件で作成した。また比較のために、
金麗薄ＴＩ！Ｊ、層（２）を形成しない記録膜（３）の
みの試料も作成した。このようにして作成した光磁気デ
ィスクのＫａｒｒ回転角＝θｋ、保磁カニＨｅ　を測定
した結果を第３表にまとめて示す６第３表 このように、磁気記録膜形成に先立ち、Ｂｉ。

Ｔｕ、Ｐｂ、Ｐｔ或いはＡｕの金属層を設けた後に磁気
記録膜を形成し、二層構造をとることにより、ＨＣを大
きく低下させることなくθｋを０．１４＠〜０．２３°
増大させることができた。

このことにより、光磁気ディスクの再生出力を大きく向
上させることができた。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば、磁気記録膜形
成に先立ちＢｉ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇａ。

Ｓｎ、ＴＡ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ或いはＡａ等の金
属薄膜層を設けた上に磁気記録膜を作成することにより
、保磁力、及びキューリ一温度を低下させることなく、
Ｋｅｒｒ回転角を増大できるので、大きな再生出力を得
ることができる。さらに。

）［ｅｒｒエンハンス膜を基板と記録痕との間に設ける
ことにより、さらに大きなＫｅｒｒ回転角を得ることが
可能となり、光磁気ディスクの特性を大きく向上させる
ことができることを見出した。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の光磁気ディスク断面構造
の模式図である。 １・・・ガラスまたは樹脂基板、２・・・金属薄膜層、
３・・・磁気記録膜、４・・・保護膜、５・・・エンへ
ンス膜。 ＼と−、・′ 早　１　　図 第　２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ガラス又は樹脂製の基板、機能性膜、磁気記録膜、
   及び保護膜を有する光磁気ディスクの製造方法において
   、Ｉｎ、Ｇｄ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ａｇ、
   Ｐｄ、Ａｕのうちから選ばれる少なくとも１種類の金属
   の薄膜層を設けた後に、磁気記録膜を作成したことを特
   徴とする光磁気ディスク用記録媒体の製造法。