JPH056333B2 - - Google Patents

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JPH056333B2
JPH056333B2 JP57171461A JP17146182A JPH056333B2 JP H056333 B2 JPH056333 B2 JP H056333B2 JP 57171461 A JP57171461 A JP 57171461A JP 17146182 A JP17146182 A JP 17146182A JP H056333 B2 JPH056333 B2 JP H056333B2
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JP
Japan
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soft magnetic
thin film
magnetic thin
layer
substrate
Prior art date
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Application number
JP57171461A
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English (en)
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JPS5961104A (ja
Inventor
Osamu Yokoyama
Tsuneo Handa
Mitsuhiro Inazumi
Akihiko Kawachi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5961104A publication Critical patent/JPS5961104A/ja
Publication of JPH056333B2 publication Critical patent/JPH056333B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
    • H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F41/305—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices applying the spacer or adjusting its interface, e.g. in order to enable particular effect different from exchange coupling
    • H01F41/307—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices applying the spacer or adjusting its interface, e.g. in order to enable particular effect different from exchange coupling insulating or semiconductive spacer

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は軟磁性薄膜層を非磁性薄膜層などで隔
てて弱く結合させることによつて抗磁力を小さく
する等、軟磁気特性が改善される多層軟磁性膜に
関する。
従来の多層軟磁性膜の製造方法は、軟磁性薄膜
をスパツタで付けた後、ターゲツトあるいは基板
を移動させてSiO2などの非磁性薄膜を数10Å程
度スパツタで付け、さらに軟磁性薄膜をスパツタ
で付けるという様な方法で作られていた。しか
し、この方法ではターゲツトが複数必要となり、
また、機械的にターゲツトあるいは基板を移動さ
せるために装置の維持が容易でない。
本発明の目的は、非磁性薄膜層を用いるかわり
に軟磁性薄膜の表面を極く薄く酸化させて軟磁気
特性の劣化した層を作り、その酸化層をはさむ軟
磁性薄膜を弱く結合させて、単層の軟磁性薄膜に
比べて軟磁気特性の向上した多層軟磁性膜を提供
することにある。
以下、実施例を示しながら本発明の説明を行
う。
第１図に示すように真空槽１内で基板２にパー
マロイなどの軟磁性薄膜３をスパツタで付ける。
続いて第２図に示すように酸素ガス４を真空槽１
内に導入し、基板２を保持している部分を電極５
として高周波放電を行う。この際、プラズマ化し
た酸素が軟磁性薄膜表面にたたきこまれ、強制的
に酸化が行われ、酸化層６が形成される。この高
周波放電酸化法はジヨゼフソン素子の数10Å程度
厚みの酸化絶縁層を作る際によく用いられる方法
で、放電条件を制御することによつて100Å以下
の酸化層でも再現性良く作ることができる。
続いて、第３図に示すように、酸素ガスを除い
た後、再び軟磁性薄膜７をスパツタで付ける。
さらに多層構造にするには以上の行程を繰返せ
ば良い。
以上の様にして、製作された多層軟磁性膜は、
同じ厚みの単層の軟磁性膜に比べて抗磁力が小
く、透磁率が大きく、優れた軟磁気特性を示し
た。さらに、製作された多層軟磁性膜の軟磁気特
性は、再現性がよく、均一であり、経時変化も小
さかつた。
なお、酸化層の厚みの再現性に問題があるが、
大気中あるいは酸素雰囲気中で軟磁性薄膜を加熱
して表面に酸化層を作る熱酸化法も用いることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は基板２に軟磁性薄膜３を付けた状態を
示している。第２図は軟磁性薄膜３の表面を極く
薄く酸化させて酸化層６を形成した状態を示して
いる。第３図は酸化層６の上にさらに軟磁性薄膜
７を付けた状態を示している。 １……真空槽、２……基板、３……軟磁性薄
膜、４……酸素ガス、５……基板ホルダー兼電
極、６……酸化層、７……軟磁性薄膜、８……軟
磁性体ターゲツト、９……高周波放電用電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 軟磁性薄膜層および非磁性薄膜層が交互に積
    層された多層軟磁性膜の製造方法において、 前記軟磁性薄膜層はパーマロイからなり、非磁
    性薄膜層は、前記パーマロイの表面を高周波放電
    酸化法を用いて酸化させて製造することを特徴と
    する多層軟磁性膜の製造方法。
JP17146182A 1982-09-30 1982-09-30 多層軟磁性膜の製造方法 Granted JPS5961104A (ja)

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JPS5961104A JPS5961104A (ja) 1984-04-07
JPH056333B2 true JPH056333B2 (ja) 1993-01-26

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0785451B2 (ja) * 1984-10-17 1995-09-13 株式会社日立製作所 高透磁率多層磁性体膜
US4752344A (en) * 1986-12-22 1988-06-21 International Business Machines Corporation Magnetic layer and method of manufacture

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JPS5733432A (en) * 1980-08-01 1982-02-23 Sekisui Chem Co Ltd Magnetic recording medium and its production
JPS5853021A (ja) * 1981-09-24 1983-03-29 Victor Co Of Japan Ltd 多層磁性薄膜

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JPS5961104A (ja) 1984-04-07

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