JPH0364447A - 多重膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は多重膜形成方法に係り、特に異なった性質の材
料を蒸着により形成する多重膜形成方法に関する。　　
　　　・ 従来の技術 磁気ヘッドはその電磁変換特性を向上させるために高透
磁率のノエライト等によりコア半体を形成し、このコア
に高飽和磁束密度の金属磁性体を蒸着し、さらにその金
属磁性体上にギヤツブ祠を蒸着し、金属磁性体及びギャ
ップ材が蒸着されｌこコア半休をギヤツブ材同士がｂい
に対向するようにつき合わせてなる。

従来、コア半休に金属［１体及びギャップ材を形成する
場合に第５図に示すような工程で形成されていた。

まｆ１第５図（Ａ）に示すＪ：うに金属磁性体よりなる
ターゲット２６をスパッタリングして、コア２４に金属
磁性体層２５を形成した後、第５図（Ｂ）に示すように
改めてギャップ材よりなるターゲット２７をスパッタリ
ングして金属磁性体層２５上にギャップ材層２８を形成
していた。

発明が・解決しようとする課題 しかるに、従来の磁気ヘッドのギャップ部の形成方法で
は金属磁性体とギャップ材との積層部分は第６図に示す
ように金属磁性体層２５とギャップ材層２８とで界面が
できているため、金属磁性体層２５とギヤツブ初層２８
との結合が弱く、金属磁性体層２５とギャップ材層２８
とが剥離し易い等の問題点がＳつだ。

本発明【ま」−記の点に鑑みてなされたもので、剥離し
にくい多重膜を形成づる多重膜形成方法を提供すること
を目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は伯質の異なる物質を互いに隣り合わせて多重膜
を形成する多重膜形成方法において、前記多重膜の互い
に隣り合う膜の間に互いに隣り合う膜を構成する前記セ
１質の異なる物質が混合した領域を形成してなる。

また、性質の異なる物質が混合した領域を夫々の膜に近
接するに従って近接する膜を構成する物質の比率が大き
くムるように形成する。

作用 多重膜の互いに隣り合う膜の間に夫々の膜を構成する物
質の混合した領域を形成しており、夫々の膜の間に界面
が生じ４丁いため、膜と膜との結合が強くなる。

実施例 第１図は本発明の第１の実施例を説明するための図をボ
寸。

基板１及びターグツｌ−２，３４まブ丁ンバー１内に単
板１とターゲット２．３とが々いに対向づるように設置
される。チェンバー４の内部は−ｒ３真空状態にされた
後、アルゴン（Ａｒ＞等の不活性ガスが引き入れられ、
スパッタリングに適した比較的低圧の不活性ガス雰囲気
とされている１３ターゲツト２とチェンバー４との間に
（ま電源５及び電〕ｊ調整用の可変抵抗６が接続されで
ａ３す、ターゲット２には不活性ガスイオンが大剣する
構成とされている。また同様にターゲット３とチートン
バー４との間にも電ｍ７及び電力調整用の可変抵抗８が
接続されており、ターゲット３にも不活性ガスイオンが
大剣４る構成どされている。不活性ガスイオンの入躬昂
は電力調整用の可変抵抗８を可変することにより調整さ
れる。

基板１は基板ホルダー９ににり保持されている、。

基板ホルダー９（よチェンバー４に絶縁状態で固定され
ている。基板１は磁気ヘッドの」アを構成づるための高
透磁率の）〕−ライ１へにより構成され、ターゲット２
は高飽和磁束密度の金属１ａｔ’ｌ休、タグッ１〜３は
ギャップ材よりａる、。

次に多重膜である磁気ヘッドのギャップ部の形成方法に
ついて説明する。、まず、第１図（Ａ）に示すようにタ
ーゲラ１〜２をスパッタリングして、基板１に第１の材
料である金属磁性体よりなる金属磁性体層１０を形成す
る。

次に第２図（Ｂ）に示すようにターゲット２をスパッタ
リングさせたまま、ターゲラ１〜３のスパッタリングを
開始させる。このとき、可変抵抗６を調整することによ
り、電源５よりターゲット２に供給される電力を徐々に
減少させる。また、逆に可変抵抗８を調整することによ
り電源７よりターゲット３に供給される電力を徐々に増
加させる１゜したがって、ここではターゲラ１〜２を構
成する金属磁性体より徐々にターゲット３を構成するギ
ャップ材に変化する混合領域１１が形成される。

次に第２図（Ｃ）に示すようにターゲット２のスパッタ
リングを停止させ、ターゲラミル３のみスパ　′Ｆパ・
グさせる。、シたがって、混合領域１１１Ｆに４′トッ
プ材層１２が形成される。

したか−）で、形成される接合（、上第２図に示づ−よ
うに、コア部分を形成づるＬｔ板１上に金属（社相体層
１０が形成され、金属磁＋１体及びギャップ材の混合領
域１１を挟んでキシツブ４Ａ　ｋｒｉ　１２が形成され
ており、混合領域１１は第３図【こ示すように、その混
合比率が膜厚方向に進むにしたがって金属磁性体よりギ
ャップ材に徐々に変化しているため、金属磁性体層１０
とギャップ材１２との結合が強くなり、剥離しにくくな
り、安定したギャップが形成できる１、上記のＴ程で磁
気ヘッドの」ア半体が形成される。

なお、磁気ヘッドは上記の如く形成されたコア半休をギ
ャップ材層１２を５いにつき合わせ、接着することによ
り形成される３゜ 第４図ｔま本発明の第２の実施例を説明づるための図を
示す。

チェンバー１３の内部にはターゲット１３と、ターゲッ
ト１３を構成する林料の油膜を形成するための基板１５
が収納されている。、基板１５は基板ホルダー１６に保
持されている。また、ターゲン（・１４は電源１７を介
してチェンバー１３と接続される１、また、チェンバー
１３にはチェンバ１３内にアルゴン＜Ａｒ　）等の不活
性ガスを導入するためのバルブ１８９反応性スパッタリ
ングを行なうための酸素（０２）等のガスを導入するた
めのバルブ１９．チェンバー１３内のガスを磁気するた
めの排気バルブ２０が設けられている。

次に成膜の工程について説明する。まず、排気バルブ２
０を開き、チェンバー１３内を真空にする。チェンバー
１３内が十分に真空状態になった後、排気バルブ２０を
少し開いた状態とし、ガス導入バルブ１８も少し開いて
Ａｒガスを導入し、Ａ「ガスを適当な圧力となるよう調
整する。続いて電源１７を投入し、スパッタリングを開
始させ、第４図（Ａ）に示すようにターゲット１４を構
成する金属磁性体を基板１５上に蒸着する。

次にターゲラ１−１４をスパッタリングさせたまま、ガ
ス導入バルブ１９を少し開いて０２ガスを導入し第４図
（Ｂ）に示すようにスパッタリングされた金属磁性体の
一部を酸化させ金属磁性体と共に基板１５に蒸着し、金
属磁性体層２１を形成する。ガス導入バルブ１９を少し
ずつ問いて０２ガス圧を上昇させ、酸化する金属磁性体
の量を徐々に増加させ、このため、膜厚が大きくなるに
したがって金属磁性体の酸化物が増大するような金属！
ｉ七体と金属磁性体の酸化物との混合層２２が形成され
る。

０２ガス圧が十分に上昇するとスパッタリングされる金
属磁性体のすべてが酸化され、第４図（Ｃ）に示すよう
にギャップ材である酸化物層２３が形成される。

このように本実施例においても、金属磁性体層２１と酸
化物層２３との間に金属磁性体とその酸化物との混合領
域２２が形成されているため、磁性層２１と酸化物層２
３との結合１１強くなり、剥離しにくくなる。

なお、第１及び第２の実施例はスパッタリングによる蒸
着を用いたが、これに限ることなく真空蒸着等の他の蒸
着法を用いても同様な効果が得られる。

ざらに、第１及び第２の実、ｍ例では磁気ヘッドに応用
したが、これに限ることはなく、異種の物質の接合を形
成する場合に用いることができる。

発明の効果 上述の如く、本発明によれば、多重膜の互いに隣り合う
膜の間に互に隣り合う膜を構成する物質が混合した混合
領域を形成しているため、隣り合う膜の間に界面がなく
、膜同士の結合が強くなり、したがって、膜の剥離が生
じにくい等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を説明するための図、第
２図は第１の実施例により形成された接合の断面図、第
３図は第１の実施例の接合部分の材料比率の特性図、第
４図は本発明の第２の実施例を説明するための図、第５
図は従来の一例を説明するための図、第６図は従来の接
合の断面図である。 １・・・基板、２，３・・・ターゲット、４・・・チェ
ンバ、１０．２１・・・金属磁性体層、１１．２２・・
・混合層、１２・・・ギ１７ツプ材層、２３・・・酸化
物層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 性質の異なる物質の膜を夫々互いに隣り合わせて多重膜
   を形成する多重膜形成方法において、前記多重膜の互い
   に隣り合う膜の間に該互いに隣り合う膜を構成する前記
   性質の異なる物質が混合した領域を形成することを特徴
   とする多重膜形成方法。