JPS5853021A - 多層磁性薄膜 - Google Patents
多層磁性薄膜Info
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- JPS5853021A JPS5853021A JP56150905A JP15090581A JPS5853021A JP S5853021 A JPS5853021 A JP S5853021A JP 56150905 A JP56150905 A JP 56150905A JP 15090581 A JP15090581 A JP 15090581A JP S5853021 A JPS5853021 A JP S5853021A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層磁性薄膜に係り、金属強磁性層と電気絶縁
層とよりなる積層構造の多層磁性薄膜において、内部応
力を軽減することにより電気絶縁層の剥離を防止すると
共に、高透磁率の多層磁性薄膜を提供することを目的と
する。
層とよりなる積層構造の多層磁性薄膜において、内部応
力を軽減することにより電気絶縁層の剥離を防止すると
共に、高透磁率の多層磁性薄膜を提供することを目的と
する。
薄膜ヘッド、ＭＲヘッド等に使用される磁性薄膜は、金
属強磁性層のうず電流損失を減らすために、金属強磁性
層に電気絶縁層を積層した多層構造とされている。従来
、この電気絶縁層は、石英（８ｉ０□）Ｉアルミナ（Ａ
ｌ、Ｏ，）等の金属酸化物を用い蒸着又はスパッタリン
グ等により金属強磁性層上に形成した厚さ数１００〜数
１０００＾の金属酸化物層である。強磁性層はパーマロ
イ、ケイ素鋼。
属強磁性層のうず電流損失を減らすために、金属強磁性
層に電気絶縁層を積層した多層構造とされている。従来
、この電気絶縁層は、石英（８ｉ０□）Ｉアルミナ（Ａ
ｌ、Ｏ，）等の金属酸化物を用い蒸着又はスパッタリン
グ等により金属強磁性層上に形成した厚さ数１００〜数
１０００＾の金属酸化物層である。強磁性層はパーマロ
イ、ケイ素鋼。
センダスト、アルパーム等の金属であり、蒸着形成され
た電気絶縁層は金属酸化物であるため、両者の熱膨張率
は大きく異なり、また、電気絶縁層の厚みは強磁性層の
厚さの約１７１００であり、蒸着後の温度降下により熱
応力が発生し、常温の多層磁性薄膜には大きな内部応力
（残留応力）がある。
た電気絶縁層は金属酸化物であるため、両者の熱膨張率
は大きく異なり、また、電気絶縁層の厚みは強磁性層の
厚さの約１７１００であり、蒸着後の温度降下により熱
応力が発生し、常温の多層磁性薄膜には大きな内部応力
（残留応力）がある。
このため、電気絶縁層はもろく、両層の付着力は小であ
り、電気絶縁層は剥離しやすいという欠点があった。更
に、磁性体は内部応力が増加すると透磁率μが減少する
ため、金属強磁性層の透磁率は低下して磁気特性が劣化
するという欠点があった。
り、電気絶縁層は剥離しやすいという欠点があった。更
に、磁性体は内部応力が増加すると透磁率μが減少する
ため、金属強磁性層の透磁率は低下して磁気特性が劣化
するという欠点があった。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下その実施
例につき図面と共に説明する。
例につき図面と共に説明する。
第１図は本発明になる多層磁性薄膜の第１実施例の概略
拡大縦断面図である。１はベース（図示せず）上に積層
したパーマロイ、ケイ素鋼、センダスト、アルパーム等
の金属強磁性層であり、厚みは１〜１０μである。２は
アルミニウム、クロム、チタン、ケイ素等の活性（酸化
しやすい）金属を用いスパッタリングにより金属強磁性
層１上に積層した活性金属層であり、その厚みは数１０
Ａ〜数ｘｏｏＡである。この活性金属層２２の表面側は
自然又は強制的に表面酸化して電気絶縁性の金属酸化物
層（ＡＪ、ＯＢ、 Ｏｒ、０． 、 Ｔｉｏ、 、 Ｓ
ｉｎ、等）が析出形成される。２ｂは金属酸化物層２ｓ
の保護効果により酸化されずに残った金属層である。
拡大縦断面図である。１はベース（図示せず）上に積層
したパーマロイ、ケイ素鋼、センダスト、アルパーム等
の金属強磁性層であり、厚みは１〜１０μである。２は
アルミニウム、クロム、チタン、ケイ素等の活性（酸化
しやすい）金属を用いスパッタリングにより金属強磁性
層１上に積層した活性金属層であり、その厚みは数１０
Ａ〜数ｘｏｏＡである。この活性金属層２２の表面側は
自然又は強制的に表面酸化して電気絶縁性の金属酸化物
層（ＡＪ、ＯＢ、 Ｏｒ、０． 、 Ｔｉｏ、 、 Ｓ
ｉｎ、等）が析出形成される。２ｂは金属酸化物層２ｓ
の保護効果により酸化されずに残った金属層である。
金属酸化物層２ａの厚さは活性金属の種類によって異な
るが数１０λ程度であり、電気絶縁の効果は充分ある。
るが数１０λ程度であり、電気絶縁の効果は充分ある。
３は強磁性層１と同様の金属強磁性層であり、このよう
に、必要に応じて幾層にも亘り積重ね構成され多層磁性
薄膜４が形成される。
に、必要に応じて幾層にも亘り積重ね構成され多層磁性
薄膜４が形成される。
強磁性層ｌと金属層２ｂは共に金属材質であるため、熱
膨張率は近似しており、また蒸着又はスパッタリング等
による付着力も大であり、したがって、蒸着後の温度降
下による内部応力は小であり、剥離しにくい。電気絶縁
層たる酸化金属層２ａと金属層２ｂとの境界面は微視的
には金属と金属酸化物とが混在しており、結合力は大で
、また同系の金属であるため熱膨張率等は近似しており
、蒸着後の温度降下による内部応力は僅少であり、金属
酸化物層２ａは剥離しにくい。強磁性層１側においては
上記の通り内部応力が小であるため、透磁率は低下せず
、したがって高透磁率の多層磁性薄膜４を得ることがで
きる。
膨張率は近似しており、また蒸着又はスパッタリング等
による付着力も大であり、したがって、蒸着後の温度降
下による内部応力は小であり、剥離しにくい。電気絶縁
層たる酸化金属層２ａと金属層２ｂとの境界面は微視的
には金属と金属酸化物とが混在しており、結合力は大で
、また同系の金属であるため熱膨張率等は近似しており
、蒸着後の温度降下による内部応力は僅少であり、金属
酸化物層２ａは剥離しにくい。強磁性層１側においては
上記の通り内部応力が小であるため、透磁率は低下せず
、したがって高透磁率の多層磁性薄膜４を得ることがで
きる。
第２図は本発明の第２実施例の概略拡大縦断面図であり
、第１図中の部分と同一部分については同一符号を付し
である。２は金属強磁性層ｌ上に蒸着又はスパッタリン
グにより積層形成された活性金属層であり、表面酸化に
より金属酸化物層２ａが析出形成される。２はこの金属
酸化物層２ａ上に蒸着又はスパッタリング等により形成
された活性金属層２と同系金属の金属層であり、その厚
みは活性金属層２と同程度である０この・金属層２上に
は金属強磁性層３が積層されて、多層磁性薄膜５が得ら
れる。
、第１図中の部分と同一部分については同一符号を付し
である。２は金属強磁性層ｌ上に蒸着又はスパッタリン
グにより積層形成された活性金属層であり、表面酸化に
より金属酸化物層２ａが析出形成される。２はこの金属
酸化物層２ａ上に蒸着又はスパッタリング等により形成
された活性金属層２と同系金属の金属層であり、その厚
みは活性金属層２と同程度である０この・金属層２上に
は金属強磁性層３が積層されて、多層磁性薄膜５が得ら
れる。
第１実施例と比較して、金属層２′が介在しているため
、電気絶縁層としての金属酸゛化物１２ａは上部側の金
属強磁性１ｉｉｉ３に対しても強く付着しており、一層
剥離しにくいという利点があり、多層磁性薄膜５は金属
酸化物層２ａを境にして対称構造となる。
、電気絶縁層としての金属酸゛化物１２ａは上部側の金
属強磁性１ｉｉｉ３に対しても強く付着しており、一層
剥離しにくいという利点があり、多層磁性薄膜５は金属
酸化物層２ａを境にして対称構造となる。
第３図は本発明の第３実施例の概略拡大縦断面図である
。６は表面酸化するアルミニウム、クロム、チタン、ケ
イ素等の活性金属を内包した磁性体を以って蒸着形成し
た金属性強磁性層であり、蒸着後、活性金属は表面酸化
により析出して金属酸化物１−６ａを形成する。磁性体
としては耐食性センダストが最適であることが実験によ
り判明した。金属酸化物層（ＡＪ、Ｏｌ、 Ｏｒ、０８
． Ｔｉｅ、 、 Ｓｉｎ。
。６は表面酸化するアルミニウム、クロム、チタン、ケ
イ素等の活性金属を内包した磁性体を以って蒸着形成し
た金属性強磁性層であり、蒸着後、活性金属は表面酸化
により析出して金属酸化物１−６ａを形成する。磁性体
としては耐食性センダストが最適であることが実験によ
り判明した。金属酸化物層（ＡＪ、Ｏｌ、 Ｏｒ、０８
． Ｔｉｅ、 、 Ｓｉｎ。
等）は前述した如く電気絶縁効果があり、この上に金属
強磁性＠６と同じ磁性体（活性金属を包む〕の金属強磁
性層７が積層され、多層磁性薄膜８が得られる。
強磁性＠６と同じ磁性体（活性金属を包む〕の金属強磁
性層７が積層され、多層磁性薄膜８が得られる。
このように、強磁性層６には活性金属が予め内包されて
いるため、その表面を自然又は強制的に酸化するだけで
電気絶縁性の金属酸化物層が形成され、第１及び第２実
施例の如く、活性金ＷＡｒ＠２（２′）を蒸着又はスパ
ッタリング等により蒸着形成する必要がなく、制令工程
を省くことができる。
いるため、その表面を自然又は強制的に酸化するだけで
電気絶縁性の金属酸化物層が形成され、第１及び第２実
施例の如く、活性金ＷＡｒ＠２（２′）を蒸着又はスパ
ッタリング等により蒸着形成する必要がなく、制令工程
を省くことができる。
尚、強磁性層６．７と金属酸化物＠６ａとの熱膨張率は
近似しているため剥離しにくく、ｉた透磁率は低下せず
、高透磁率の多層磁性薄膜８が得られることは勿論であ
る。
近似しているため剥離しにくく、ｉた透磁率は低下せず
、高透磁率の多層磁性薄膜８が得られることは勿論であ
る。
上述の如く、本発明になる多層磁性薄膜は、活性金属層
若しくは活性金属を内包する金属性強磁性層を蒸ｉ形成
した後、表面酸化を以って該活性金Ｊ１層若しくは該金
属強磁性層上に電気絶縁性の金属酸化物層を析出形成せ
しめてなる構成であるため、蒸着後の温度降下による内
部応力は左檻残らず、金属酸化物層は強面に付着してお
り剥離しに＜＜、また内部応力が原因する透磁率の低下
を抑制し得、磁気特性良好な高透磁率の多層磁性薄膜を
提供できるという特長がある。
若しくは活性金属を内包する金属性強磁性層を蒸ｉ形成
した後、表面酸化を以って該活性金Ｊ１層若しくは該金
属強磁性層上に電気絶縁性の金属酸化物層を析出形成せ
しめてなる構成であるため、蒸着後の温度降下による内
部応力は左檻残らず、金属酸化物層は強面に付着してお
り剥離しに＜＜、また内部応力が原因する透磁率の低下
を抑制し得、磁気特性良好な高透磁率の多層磁性薄膜を
提供できるという特長がある。
第１図は本発明になる多層磁性薄膜の第１実施例の概略
拡大縦断面図、第２図は不発明の第２実第１図 丘 第２図。 第３図８
拡大縦断面図、第２図は不発明の第２実第１図 丘 第２図。 第３図８
Claims (1)
- 活性金属層若しくは活性金属を内包する金属性強磁性層
を蒸着形成した後、表面酸化を以って該活性金属層若し
くは該金属強磁性１上に電気絶縁性の金属酸化物層を析
出形成せしめてなる多層磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150905A JPS5853021A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 多層磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150905A JPS5853021A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 多層磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853021A true JPS5853021A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15506944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150905A Pending JPS5853021A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 多層磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853021A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2531797A1 (fr) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | Support d'enregistrement magnetique comportant un film mince en un metal ferromagnetique sur un support non magnetique |
| JPS5961104A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Seiko Epson Corp | 多層軟磁性膜の製造方法 |
| JPS61278007A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Hitachi Ltd | 積層磁性体膜を用いた磁気ヘツド |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56150905A patent/JPS5853021A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2531797A1 (fr) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | Support d'enregistrement magnetique comportant un film mince en un metal ferromagnetique sur un support non magnetique |
| JPS5961104A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Seiko Epson Corp | 多層軟磁性膜の製造方法 |
| JPH056333B2 (ja) * | 1982-09-30 | 1993-01-26 | Seiko Epson Corp | |
| JPS61278007A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Hitachi Ltd | 積層磁性体膜を用いた磁気ヘツド |
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