JPS61214113A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61214113A JPS61214113A JP5557285A JP5557285A JPS61214113A JP S61214113 A JPS61214113 A JP S61214113A JP 5557285 A JP5557285 A JP 5557285A JP 5557285 A JP5557285 A JP 5557285A JP S61214113 A JPS61214113 A JP S61214113A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- permeability
- film
- magnetic permeability
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁極、コイルを薄膜プロセスで製造する磁気ヘ
ッドの構造に関する。
ッドの構造に関する。
本発明は薄膜プロセスを使って製造する磁気ヘッドにお
いて、基板を磁極閉磁路の一部として利用することによ
り、磁気ヘッド特注の安定化、製造プロセスの簡略化を
実現したものである。
いて、基板を磁極閉磁路の一部として利用することによ
り、磁気ヘッド特注の安定化、製造プロセスの簡略化を
実現したものである。
従来の薄膜磁気ヘッドの標準的な構造ｔ−第８図に示す
、非磁性基板８上にｓｈｏ□あるめはＡｊｌＯｓ膜９を
形成した基板上に高透磁率簿膜１０ 、１１を形成し１
次にコイル１４ 、１５ ′ｔ−電気絶縁膜１６で絶Ｉ
／１ｋｔ−確保しながら形成し、最後に高透磁率薄膜１
２ 、１３ ｔ−形成した構造をとりている。
、非磁性基板８上にｓｈｏ□あるめはＡｊｌＯｓ膜９を
形成した基板上に高透磁率簿膜１０ 、１１を形成し１
次にコイル１４ 、１５ ′ｔ−電気絶縁膜１６で絶Ｉ
／１ｋｔ−確保しながら形成し、最後に高透磁率薄膜１
２ 、１３ ｔ−形成した構造をとりている。
あるいは、プロセスを簡略化した従来技術として第４図
に示した構造の磁気ヘッドがある。嬉４図では基板１８
ｆｔ高透磁率磁比材料とし磁気ヘッドの磁極の一部とし
て使用してｉる。
に示した構造の磁気ヘッドがある。嬉４図では基板１８
ｆｔ高透磁率磁比材料とし磁気ヘッドの磁極の一部とし
て使用してｉる。
〔発明が解決しようとしている問題点及び目的〕従来技
術の第１の例の抱えている問題点は第１に非常に多くの
薄膜プロセスを通して製造される点である。その結果と
してコストの低下が難しく。
術の第１の例の抱えている問題点は第１に非常に多くの
薄膜プロセスを通して製造される点である。その結果と
してコストの低下が難しく。
歩留りも向上し難め、さらに熱履歴により特注の劣化し
やすい高透磁率薄膜の磁気特注が不安定となる、特匿本
例では高透磁率薄膜１０ 、１１の特注が不安定である
。
やすい高透磁率薄膜の磁気特注が不安定となる、特匿本
例では高透磁率薄膜１０ 、１１の特注が不安定である
。
従来技術の第２の例は明らかに第１のガの簡略化された
例であり、高透磁率薄膜Ｉｎ 、 １１を高透磁率基板
１８で置き換えた構造に相当する。この場合磁極先端が
高透磁率薄膜１９と高透磁率基板１８で構成されるため
、高透磁率薄膜の優れた特注が活かせず、ヘッド特注と
して高密度記録に十分に対応できない。
例であり、高透磁率薄膜Ｉｎ 、 １１を高透磁率基板
１８で置き換えた構造に相当する。この場合磁極先端が
高透磁率薄膜１９と高透磁率基板１８で構成されるため
、高透磁率薄膜の優れた特注が活かせず、ヘッド特注と
して高密度記録に十分に対応できない。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とすることは磁気ヘッド性能を低下させず薄膜プ
ロセスを簡略化しコスト低下、特注の安定化をはかるこ
とにある。
の目的とすることは磁気ヘッド性能を低下させず薄膜プ
ロセスを簡略化しコスト低下、特注の安定化をはかるこ
とにある。
本発明の磁気ヘッドは、高透磁率材料により形成された
空隙部を有す閉磁路、及び該閉磁路の回りに巻き回され
たコイルからなる磁気ヘッドにおいて α）ａＥ極売先端空隙部を高透磁率薄膜で形成し、６）
磁極閉磁路の一部が高透磁率基板で構成されていること
を特徴とする。
空隙部を有す閉磁路、及び該閉磁路の回りに巻き回され
たコイルからなる磁気ヘッドにおいて α）ａＥ極売先端空隙部を高透磁率薄膜で形成し、６）
磁極閉磁路の一部が高透磁率基板で構成されていること
を特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、高透磁率薄膜の形成はコ
イル、層間絶縁膜形成等の他の薄膜プロセス終了後に行
なわれるので磁極特注を劣ｆヒさせる要素は排除されて
いる。また磁路の一部にバルクの高透磁率材が使われて
−るので工程短縮になりプロセスが簡略比されコスト低
減に成功している。
イル、層間絶縁膜形成等の他の薄膜プロセス終了後に行
なわれるので磁極特注を劣ｆヒさせる要素は排除されて
いる。また磁路の一部にバルクの高透磁率材が使われて
−るので工程短縮になりプロセスが簡略比されコスト低
減に成功している。
第１図は本発明の実施例の断面図である。基板１は高透
磁率材で通常はＮｉ２％フェライトあるｉはＭ％２％フ
ェライトである。基板ｌ上にコイル、４゜５及び層間絶
縁膜６が数層形成されている。その上に高透磁率薄膜２
．ギヤツブ非磁性膜７．高透磁率薄＠８が順次形成され
る１本例の％微はコイル、眉間絶縁膜が形成された後に
高透磁率薄膜が形成されるため高透磁率薄膜に加わる高
い熱工程がはとんどないということである。高透磁率薄
膜２を形成した後にギヤツブ非ｔＢｈ膜が形成される工
程があるだけである。
磁率材で通常はＮｉ２％フェライトあるｉはＭ％２％フ
ェライトである。基板ｌ上にコイル、４゜５及び層間絶
縁膜６が数層形成されている。その上に高透磁率薄膜２
．ギヤツブ非磁性膜７．高透磁率薄＠８が順次形成され
る１本例の％微はコイル、眉間絶縁膜が形成された後に
高透磁率薄膜が形成されるため高透磁率薄膜に加わる高
い熱工程がはとんどないということである。高透磁率薄
膜２を形成した後にギヤツブ非ｔＢｈ膜が形成される工
程があるだけである。
また、本例では高透磁率薄＠２の一部が高透磁率薄膜８
のパンクコアとして磁気抵抗低減の効果を示しており、
ヘッド性能の向上、工程削減の効果を有している。磁極
先端部は高透磁率薄膜２，８、及び高透磁率基板８及び
ギャップ７で構成されるが記録幅は高透磁率薄ａ２，８
に所定寸法にパターニングすることにより決められてお
り基板１は磁気抵抗低減の役目のみ有している。（第２
図）高透磁率基板１は高透磁率薄膜２．８より透磁率、
飽和磁化ともせいぜいＡ倍であり磁気比能は低いが、薄
膜に比較して１０００倍程度０厚みを有しているため、
飽和しにくく磁気抵抗は低く磁気ヘッド性能は低下しな
い。
のパンクコアとして磁気抵抗低減の効果を示しており、
ヘッド性能の向上、工程削減の効果を有している。磁極
先端部は高透磁率薄膜２，８、及び高透磁率基板８及び
ギャップ７で構成されるが記録幅は高透磁率薄ａ２，８
に所定寸法にパターニングすることにより決められてお
り基板１は磁気抵抗低減の役目のみ有している。（第２
図）高透磁率基板１は高透磁率薄膜２．８より透磁率、
飽和磁化ともせいぜいＡ倍であり磁気比能は低いが、薄
膜に比較して１０００倍程度０厚みを有しているため、
飽和しにくく磁気抵抗は低く磁気ヘッド性能は低下しな
い。
本例の場合磁路は７をギャップ部とし高透磁率薄膜８．
高透磁率薄＠２．高透磁率基板ｌｅＩ％透磁率薄膜２と
いう順に構成されている。
高透磁率薄＠２．高透磁率基板ｌｅＩ％透磁率薄膜２と
いう順に構成されている。
以上述べてきたように本発明によれば、＃１とんどの薄
膜プロセスを磁極形成前に終えてしまうので、熱的に不
安定な高透磁率薄膜の％性劣化を引き起こすような熱処
理を高透磁率薄膜形成前に終えてしまうことができる。
膜プロセスを磁極形成前に終えてしまうので、熱的に不
安定な高透磁率薄膜の％性劣化を引き起こすような熱処
理を高透磁率薄膜形成前に終えてしまうことができる。
そのために磁極の特注劣化を完壁に防ぐことができる、
特にアモルファス高透磁率薄膜、パーマロイ薄膜のよう
な熱的にそれほど特注の安定性がない磁極に有効である
。
特にアモルファス高透磁率薄膜、パーマロイ薄膜のよう
な熱的にそれほど特注の安定性がない磁極に有効である
。
さらに第２図の従来例と比較すれば明らかなように磁極
形成工程を半分に減らし、なおかつヘッド性能を維持で
きるので、ａｌｌ影形成コストを半分以下にでき製造コ
スト低減に大きく寄与できる。
形成工程を半分に減らし、なおかつヘッド性能を維持で
きるので、ａｌｌ影形成コストを半分以下にでき製造コ
スト低減に大きく寄与できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の磁気ヘッドの実施例の断面図。
第２図は本発明の磁気ヘッドの先端から見た断面図。
嶋８図は従来の磁気ヘッドの断面図。
第４図は従来の磁気ヘッドの別の例の断面図。
１ 、１８ ：高透磁率基板
２ 、８ 、１０ 、１１ 、１２ 、１３ 、１９
、２０ ：高透磁率薄膜 ４ 、５ 、１４ 、１５ 、２１ 、２２ ：導電コ
イル６．１６．Ｚ３：１１間絶縁膜 ７．１７，２４：空隙部（非ａ比膜） ８：非磁性基板（セラミクス、ガラス）９：絶縁膜 以上
、２０ ：高透磁率薄膜 ４ 、５ 、１４ 、１５ 、２１ 、２２ ：導電コ
イル６．１６．Ｚ３：１１間絶縁膜 ７．１７，２４：空隙部（非ａ比膜） ８：非磁性基板（セラミクス、ガラス）９：絶縁膜 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高透磁率材料により形成された空隙部を有す閉磁路、及
び該閉磁路の回りに巻き回されたコイルからなる磁気ヘ
ッドにおいて、 ａ）該空隙部を形成する２つの面が高透磁率薄膜で形成
され、 ｂ）該高透磁率薄膜を形成する基板が該閉磁路の一部と
して構成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5557285A JPS61214113A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5557285A JPS61214113A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214113A true JPS61214113A (ja) | 1986-09-24 |
| JPH0352125B2 JPH0352125B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=13002432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5557285A Granted JPS61214113A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214113A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593519A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5557285A patent/JPS61214113A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593519A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352125B2 (ja) | 1991-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |