JPH0352125B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0352125B2 JPH0352125B2 JP60055572A JP5557285A JPH0352125B2 JP H0352125 B2 JPH0352125 B2 JP H0352125B2 JP 60055572 A JP60055572 A JP 60055572A JP 5557285 A JP5557285 A JP 5557285A JP H0352125 B2 JPH0352125 B2 JP H0352125B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic permeability
- high magnetic
- film
- permeability thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁極、コイルを薄膜プロセスで製造す
る磁気ヘツドの構造に関する。
る磁気ヘツドの構造に関する。
本発明は薄膜プロセスを使つて製造する磁気ヘ
ツドにおいて、基板を磁極閉磁路の一部として利
用することにより、磁気ヘツド特性の安定化、製
造プロセスの簡略化を実現したものである。
ツドにおいて、基板を磁極閉磁路の一部として利
用することにより、磁気ヘツド特性の安定化、製
造プロセスの簡略化を実現したものである。
従来の薄膜磁気ヘツドの標準的な構造を第３図
に示す。非磁性基板８上にSiO2あるいはAl2O3膜
９を形成した基板上に高透磁率薄膜１０，１１を
形成し、次にコイル１４，１５を電気絶縁膜１６
で絶縁を確保しながら形成し、最後に高透磁率薄
膜１２，１３を形成した構造をとつている。
に示す。非磁性基板８上にSiO2あるいはAl2O3膜
９を形成した基板上に高透磁率薄膜１０，１１を
形成し、次にコイル１４，１５を電気絶縁膜１６
で絶縁を確保しながら形成し、最後に高透磁率薄
膜１２，１３を形成した構造をとつている。
あるいは、プロセスを簡略化した従来技術とし
て第４図に示した構造の磁気ヘツドがある。第４
図では基板１８を高透磁率磁性材料とし磁気ヘツ
ドの磁極の一部として使用している。
て第４図に示した構造の磁気ヘツドがある。第４
図では基板１８を高透磁率磁性材料とし磁気ヘツ
ドの磁極の一部として使用している。
従来技術の第１の例の抱えている問題点は第１
に非常に多くの薄膜プロセスを通して製造される
点である。その結果としてコストの低下が難し
く、歩留りも向上し難い。さらに熱履歴により特
性の劣化しやすい高透磁率薄膜の磁気特性が不安
定となる。特に本例では高透磁率薄膜１０，１１
の特性が不安定である。
に非常に多くの薄膜プロセスを通して製造される
点である。その結果としてコストの低下が難し
く、歩留りも向上し難い。さらに熱履歴により特
性の劣化しやすい高透磁率薄膜の磁気特性が不安
定となる。特に本例では高透磁率薄膜１０，１１
の特性が不安定である。
従来技術の第２の例は明らかに第１の例の簡略
化された例であり、高透磁率薄膜１０，１１を高
透磁率基板１８で置き換えた構造に相当する。こ
の場合磁極先端が高透磁率薄膜１９と高透磁率基
板１８で構成されるため、高透磁率薄膜の優れた
特性が活かせず、ヘツド特性として高密度記録に
十分に対応できない。
化された例であり、高透磁率薄膜１０，１１を高
透磁率基板１８で置き換えた構造に相当する。こ
の場合磁極先端が高透磁率薄膜１９と高透磁率基
板１８で構成されるため、高透磁率薄膜の優れた
特性が活かせず、ヘツド特性として高密度記録に
十分に対応できない。
そこで本発明はこのような問題点を解決するも
ので、その目的とすることは磁気ヘツド性能を低
下させず薄膜プロセスを簡略化しコスト低下、特
性の安定化をはかることにある。
ので、その目的とすることは磁気ヘツド性能を低
下させず薄膜プロセスを簡略化しコスト低下、特
性の安定化をはかることにある。
本発明の磁気ヘツドは、基板上の層間絶縁膜中
に形成された複数の導電コイル層を有する導電コ
イル部の上に形成された高透磁率薄膜の第一層
と、前記高透磁率薄膜の第一層上に形成された高
透磁率薄膜の第二層とを有する磁気ヘツドにおい
て、 前記磁気ヘツドは、高透磁率材よりなる基板
と、 前記基板の磁極先端部と前記導電コイル部上面
から前記導電コイル部のバツクコア部とにかけて
非連続に形成された高透磁率薄膜の第一層と、 前記磁極先端部の高透磁率薄膜の第一層上に形
成されたギヤツプ非磁性膜と、 前記ギヤツプ非磁性膜から前記バツクコア部に
わたつて連続して形成された高透磁率薄膜の第二
層とからなることを特徴とする。
に形成された複数の導電コイル層を有する導電コ
イル部の上に形成された高透磁率薄膜の第一層
と、前記高透磁率薄膜の第一層上に形成された高
透磁率薄膜の第二層とを有する磁気ヘツドにおい
て、 前記磁気ヘツドは、高透磁率材よりなる基板
と、 前記基板の磁極先端部と前記導電コイル部上面
から前記導電コイル部のバツクコア部とにかけて
非連続に形成された高透磁率薄膜の第一層と、 前記磁極先端部の高透磁率薄膜の第一層上に形
成されたギヤツプ非磁性膜と、 前記ギヤツプ非磁性膜から前記バツクコア部に
わたつて連続して形成された高透磁率薄膜の第二
層とからなることを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、高透磁率薄膜の
形成はコイル、層間絶縁膜形成等の他の薄膜プロ
セス終了後に行なわれるので磁極特性を劣化させ
る要素は排除されている。また磁路の一部にバル
クの高透磁率材が使われているので工程短縮にな
りプロセスが簡略化されコスト低減に成功してい
る。
形成はコイル、層間絶縁膜形成等の他の薄膜プロ
セス終了後に行なわれるので磁極特性を劣化させ
る要素は排除されている。また磁路の一部にバル
クの高透磁率材が使われているので工程短縮にな
りプロセスが簡略化されコスト低減に成功してい
る。
第１図は本発明の実施例の断面図である。基板
１は高透磁率材で通常はNiZnフエライトあるい
はMnZnフエライトである。基板１上にコイル
４，５及び層間絶縁膜６が数層形成されている。
その上に高透磁率薄膜２、ギヤツプ非磁性膜７、
高透磁率薄膜３が順次形成される。本例の特徴
は、導電コイル部４ａとしてのコイル、層間絶縁
膜が形成された後に高透磁率薄膜が形成されるた
め高透磁率薄膜に加わる高い熱工程がほとんどな
いということである。高透磁率薄膜２を形成した
後にギヤツプ非磁性膜が形成される工程があるだ
けである。
１は高透磁率材で通常はNiZnフエライトあるい
はMnZnフエライトである。基板１上にコイル
４，５及び層間絶縁膜６が数層形成されている。
その上に高透磁率薄膜２、ギヤツプ非磁性膜７、
高透磁率薄膜３が順次形成される。本例の特徴
は、導電コイル部４ａとしてのコイル、層間絶縁
膜が形成された後に高透磁率薄膜が形成されるた
め高透磁率薄膜に加わる高い熱工程がほとんどな
いということである。高透磁率薄膜２を形成した
後にギヤツプ非磁性膜が形成される工程があるだ
けである。
また、本例では高透磁率薄膜２の一部が高透磁
率薄膜３のバツクコア部２５として磁気抵抗低減
の効果を示しており、ヘツド性能の向上、工程削
減の効果を有している。磁極先端部２ａは高透磁
率薄膜２，３、及び高透磁率基板３及びギヤツプ
７で構成されるが記録幅は高透磁率薄膜２，３を
所定寸法にパターニングすることにより決められ
ており基板１は磁気抵抗低減の役目のみ有してい
る（第２図）。高透磁率基板１は高透磁率薄膜２，
３より透磁率、飽和磁化ともせいぜい1/2倍であ
り磁気性能は低いが、薄膜に比較して1000倍程度
の厚みを有しているため、飽和しにくく磁気抵抗
は低く磁気ヘツド性能は低下しない。
率薄膜３のバツクコア部２５として磁気抵抗低減
の効果を示しており、ヘツド性能の向上、工程削
減の効果を有している。磁極先端部２ａは高透磁
率薄膜２，３、及び高透磁率基板３及びギヤツプ
７で構成されるが記録幅は高透磁率薄膜２，３を
所定寸法にパターニングすることにより決められ
ており基板１は磁気抵抗低減の役目のみ有してい
る（第２図）。高透磁率基板１は高透磁率薄膜２，
３より透磁率、飽和磁化ともせいぜい1/2倍であ
り磁気性能は低いが、薄膜に比較して1000倍程度
の厚みを有しているため、飽和しにくく磁気抵抗
は低く磁気ヘツド性能は低下しない。
本例の場合磁路は７をギヤツプ部とし高透磁率
薄膜３、高透磁率薄膜２、高透磁率基板１、高透
磁率薄膜２という順に構成されている。
薄膜３、高透磁率薄膜２、高透磁率基板１、高透
磁率薄膜２という順に構成されている。
以上述べたように、本発明によれば、
高透磁率基板上に、磁極先端部と導電コイル部
の上面からバツクコア部にかけて高透磁率薄膜の
第一層と、磁極先端部にギヤツプ非磁性膜が形成
されたのち、前面にわたつて、高透磁率薄膜の第
二層とが形成されることにより、ほとんど薄膜プ
ロセスを磁極形成前に終了させることにより、熱
処理されることが減少し、熱的に不安定な高透磁
率薄膜の特性劣化を引き起こすような熱処理を高
透磁率薄膜形成前に終えてしまうことができる。
そのために磁極の特性劣化を完壁に防ぐことがで
きる、特にアモルフアス高透磁率薄膜、パーマロ
イ薄膜のような熱的にそれどほ特性の安定性がな
い磁極に有効である。
の上面からバツクコア部にかけて高透磁率薄膜の
第一層と、磁極先端部にギヤツプ非磁性膜が形成
されたのち、前面にわたつて、高透磁率薄膜の第
二層とが形成されることにより、ほとんど薄膜プ
ロセスを磁極形成前に終了させることにより、熱
処理されることが減少し、熱的に不安定な高透磁
率薄膜の特性劣化を引き起こすような熱処理を高
透磁率薄膜形成前に終えてしまうことができる。
そのために磁極の特性劣化を完壁に防ぐことがで
きる、特にアモルフアス高透磁率薄膜、パーマロ
イ薄膜のような熱的にそれどほ特性の安定性がな
い磁極に有効である。
さらに第２図の従来例と比較すれば明らかなよ
うに磁極形成工程を半分に減らし、なおかつヘツ
ド性能を維持できるので、磁極形成のコストを半
分以下にでき製造コスト低減に大きく寄与でき
る。
うに磁極形成工程を半分に減らし、なおかつヘツ
ド性能を維持できるので、磁極形成のコストを半
分以下にでき製造コスト低減に大きく寄与でき
る。
第１図は本発明の磁気ヘツドの実施例の断面
図。第２図は本発明の磁気ヘツドの先端から見た
断面図。第３図は従来の磁気ヘツドの断面図。第
４図は従来の磁気ヘツドの別の例の断面図。 １，１８：高透磁率基板、２，３，１０，１
１，１２，１３，１９，２０：高透磁率薄膜、２
ａ：磁極先端部、４，５，１４，１５，２１，２
２：導電コイル、４ａ：導電コイル部、６，１
６，２３：層間絶縁膜、７，１７，２４：空隙部
（非磁性膜）、８：非磁性基板（セラミクス、ガラ
ス）、９：絶縁膜、２５：バツクコア部。
図。第２図は本発明の磁気ヘツドの先端から見た
断面図。第３図は従来の磁気ヘツドの断面図。第
４図は従来の磁気ヘツドの別の例の断面図。 １，１８：高透磁率基板、２，３，１０，１
１，１２，１３，１９，２０：高透磁率薄膜、２
ａ：磁極先端部、４，５，１４，１５，２１，２
２：導電コイル、４ａ：導電コイル部、６，１
６，２３：層間絶縁膜、７，１７，２４：空隙部
（非磁性膜）、８：非磁性基板（セラミクス、ガラ
ス）、９：絶縁膜、２５：バツクコア部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高透磁率基板の表面で端面から離れた位置に
薄膜状コイルと該コイルを覆う層間絶縁膜を形成
する第１工程と、 前記高透磁率基板の表面で前記端面から前記層
間絶縁膜の一端部にかけて形成される第１高透磁
率薄膜と、前記前記コイルと重ねて前記層間絶縁
膜上面から前記層間絶縁膜の他の端部及び前記高
透磁率基板表面にかけて形成される第２高透磁率
薄膜とを同時に形成する第２工程と、 前記第１高透磁率薄膜上面にギヤツプ非磁性膜
を形成する第３工程と、 前記ギヤツプ非磁性膜上面並びに前記第２高透
磁率薄膜上面に連続して第３高透磁率薄膜を形成
する第４工程とからなり、 前記第１高透磁率薄膜とギヤツプ非磁性膜と前
記第３高透磁率薄膜でヘツド先端部を形成するこ
とを特徴とする磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5557285A JPS61214113A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5557285A JPS61214113A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214113A JPS61214113A (ja) | 1986-09-24 |
| JPH0352125B2 true JPH0352125B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=13002432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5557285A Granted JPS61214113A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214113A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593519A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5557285A patent/JPS61214113A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593519A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61214113A (ja) | 1986-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000187811A (ja) | 整合型磁極構造を有する書き込みヘッド及びその製造方法 | |
| JPH11110717A (ja) | 薄膜単磁極ヘッド | |
| JPS6146887B2 (ja) | ||
| US4816946A (en) | Method of manufacturing thin film magnetic head | |
| US5436781A (en) | Thin film magnetic head having upper magnetic core layer with layers separated by discontinuous non-magnetic stripes | |
| JPS6132722B2 (ja) | ||
| JPH0664709B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0352125B2 (ja) | ||
| JPH07118057B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS60175208A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH09120506A (ja) | 磁気記録／読取ヘッド | |
| JPS58108017A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2797982B2 (ja) | Ｍｒヘッドとその製造方法 | |
| JPH0391109A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5857809B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6247812A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS62162213A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2816150B2 (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH01159816A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS626421A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0550509U (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| KR0115020Y1 (ko) | 복합형 박막자기헤드 구조 | |
| JPS5873010A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06176319A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH09212820A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |