JP2874260B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 薄膜磁気ヘッドの薄膜層の積層構構造に関し、特にそ
の製造の安定化構造に関し、 スロートハイトの長さの安定化に寄与する薄膜磁気ヘ
ッドの薄膜積層構造の提供を目的とし、 薄膜磁気ヘッドにおける薄膜層の積層構造であって、
対磁極を成す２つの磁極層のうちのスライダー基板に近
い側の一方の磁極層と、他方の磁極層の各先端スロート
ハイト間のギャップを維持、形成する無機材料層の平坦
領域部（Ａ）から立上っている領域部と、前記一方の磁
極層との間に、該一方の磁極層の段差を軽減するための
有機材料層を形成させたことを具備するよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は薄膜磁気ヘッドの薄膜層の積層構造に関し、
特にその製造の安定化構造に関する。

〔従来の技術〕

従来において、薄膜磁気ヘッドの薄膜層の形成に際
し、基板上に下部磁極層を形成し、その上にギャップ層
をスパッタリングによって形成した後、コイル層を形成
するための平面を確保すべく、即ち、ギャップ層の形成
された下部磁極層の段差を軽減、緩和すべく、樹脂材か
ら成る電気絶縁層を形成させる。そして、この電気絶縁
層の先端位置から、上部磁極層が立ち上がる様に形成さ
れる。

形成された薄膜層は、基板と共に機械的に切断され、
磁気ディスク等と対向すると共にスロートハイトの端面
となる対向面が形成される。

〔発明が解決しようとする課題〕

然しながら、上述した樹脂材から成る電気絶縁層の形
成後、上部磁極層を形成するまでの間には何層かの層の
形成が行われ、イオンミーリングやプラズマ灰化処理の
過程が数回存在する。このイオンミーリング等は樹脂層
を削る作用を果たし、前述した電気絶縁層の先端部分も
削られ、後退する。その時イオンミーリング等のエッチ
ング分布により電気絶縁層先端の後退量にバラツキが生
じる。この先端位置と、上述の対向面との距離はスロー
トハイトの長さを支配する。このスロートハイトの長さ
がその設計値から変動すると、磁気抵抗の増加につなが
り、磁束の流れが悪くなり、磁気特性の悪化をきたすこ
ととなる。

依って本発明は、スロートハイトの長さの安定化に寄
与する薄膜磁気ヘッドの薄膜積層構造の提供を目的とす
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的に鑑みて、本発明は、スライダ基板に設けら
れた第１の磁極層と、該第１の磁極層とともに対磁極を
形成する第２の磁極層と、該第１及び第２の磁極層の先
端スロートハイト間のギャップを維持、形成する無機材
料層と、該第１の磁極層の段差を軽減するための有機材
料層とを備え、該無機材料層は２層の無機材料層として
形成され、該有機材料層は該２層の無機材料層の間に設
けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを提供す
る。

〔作 用〕

薄膜磁気ヘッドの薄膜層を積層するプロセスにおいて
は、イオンミーリング過程が数回必要となるが、樹脂材
料等の有機材料から成る層は前記イオンミーリング過程
によって削られ易いが、アルミナ等の無機材料から成る
層は削られ難い性質を有している。このため、磁極層の
段差を軽減する有機材料層をギャップを形成する無機材
料層の下側に形成し、その後のイオンミーリング過程の
影響を遮断する。従って、スロートハイトの長さに影響
を与えるギャップ層平坦部の終端位置は、無機材料によ
って形成されることとなるため、イオンミーリングによ
って被削されることなく、その位置は安定化する。

〔実施例〕

以下、本発明を添付図面に示す実施例に基づき更に詳
細に説明する。まず、第４図と第５図とを参照し、薄膜
磁気ヘッドの一般的な構成を説明する。磁気ディスク等
に対して浮上する作用を果たすスライダ基板16に下部保
護層24を設け、その上に下部磁極層10を形成する。この
下部磁極層10は非磁性の無機材料層18を狭持する構造で
上部磁極層12と対磁極を成す。この対磁極を成す各先端
部をスロートハイトと称す。この両磁極層10,12の間に
は、コイル導体層14を形成する必要があるが、該コイル
導体層14の絶縁作用を果たすと共に、上述した下部磁極
層10と非磁極無機材料層18とが有する段差を緩和する樹
脂材料等の有機材料層20を、上記無機材料層18を形成し
た下部磁極層10の上側に形成しておく必要がある。ま
た、コイル導体層14と上部磁極層12との間も電気的に絶
縁するための層22を設けている。なお、参照番号30は磁
気ディスク等との対向面である。

第３図は、第５図に示す絶縁層22が２つの絶縁層22a
と22bとに分かれ、かつ、コイル導体層14が２層の構成
となっていることを除けば該第５図の薄膜構造と同じで
あり、その先端スロートハイト10e,12e近傍の拡大図で
ある。上記層18はアルミナ等の非磁性の無機材料をスパ
ッタリングにより形成させたものであり、下部磁極層10
の表面凹凸に沿って同一厚さの層が形成される。そうし
た凹凸の段差を軽減させると共に、電気的な絶縁の作用
を果たさせる樹脂材料の層20を非磁性無機材料層18の上
に形成している。図示の如く、この樹脂層20の先端位置
P1は上部磁極層12の傾斜部の始点となり、従って、スロ
ートハイト12eの長さＡを支配することとなる。

然しながら、この樹脂層20を形成した後に各層14,22
a,22b,12を形成するが、その過程において、イオンミー
リングやプラズマ灰化処理の処理過程が存在する。その
結果、樹脂層20の先端部が被削される時、装置のエッチ
ング分布により位置P1の変化量にバラツキが生じ、寸法
Ａが変動することとなる。これは薄膜ヘッドの磁気特性
を悪化させる。

上述した従来の薄膜磁気ヘッド製造上の課題を解決す
べく、第１図に示すように、下部磁極層の上に段差軽減
用の樹脂層20を形成し、その後で非磁性無機材料層18を
スパッタリング形成する。その後の過程は従来の場合と
同様である。この様に形成すると、上部磁極層12の傾斜
部の始点は無機材料層18の平坦領域部18aと、これと連
続した立上り領域部18bとの交点P2となる。この層18を
形成後、イオンミーリングの過程が存在しても、アルミ
ナ等の無機材料は被削され難いため、点P2は不変位置と
して安定化する。従って、スロートハイト12eの長さＡ
は安定化され得る。

第２図は本発明に係る実施例を示す断面図であるが、
第１図の場合と異なるのは、層18が２層に分かれてお
り、下部磁極層10の上にまず層18Aを形成し、次に樹脂
層20を形成させ、更にその上に層18Bを形成する。スロ
ートハイト12eの長さＡを支配する点P2は、層18Bの平坦
領域部18aとその立上り領域部18bとの交点である。

このように、本発明においては、第１図に示した基本
的な特徴を含み、さらに、無機材料層18は２層の無機材
料層18A,18Bとして形成され、有機材料層20はこれらの
２層の無機材料層18A,18Bの間に設けられている。第１
図にあるような薄膜磁気ヘッドを製造する場合、下部磁
極層10を形成し、その上に有機材料層20を形成すると、
下部磁極層10の表面に酸化膜や窒化膜が形成されてしま
う問題がある。下部磁極層10の表面に酸化膜や窒化膜が
形成されてしまうと、その表面に形成する有機材料層20
との密着性が悪くなり、後工程で剥離を起こす可能性が
あり、また、酸化膜はそのまま放置しておくと進行する
可能性があり、最悪のケースでは磁極層に穴があいたよ
うになる。

従って、酸化膜を発生させないようにするのが最善の
策であり、第２図に示された本発明の構造を用いること
により、下部磁極層10の表面に酸化膜や窒化膜が形成さ
れてしまうのを防ぐことができる。さらに詳細には、本
発明では、下部磁極層10の上に一度無機材料層18Aを形
成し、その後に有機材料層20を形成する。そうすること
により、下部磁極層10は無機材料層18Aに全面を覆われ
てしまい、その後有機材料層20を形成するときに酸化す
ることがなくなります。その次に無機材料層18Bを形成
すれば、ギャップ部のスロートハイトの安定化ができ、
同時に下部磁極層10に酸化膜の発生しない薄膜磁気ヘッ
ドを得ることができる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかな様に本発明によれば、薄膜磁
気ヘッドのスロートハイト部の長さの安定化に寄与する
薄膜積層構造が提供可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は基本を示す断面図、 第２図は本発明に係る実施例を示す断面図、 第３図は従来に係るスロートハイト部の断面図、 第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、 第５図は第４図の矢視線Ｖ−Ｖによる断面図である。 10……下部磁極層、12……上部磁極層、 18……アルミナ等の無機材料層、 20……樹脂等の有機材料層。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】スライダ基板（16）に設けられた第１の磁
   極層（10）と、該第１の磁極層とともに対磁極を成す第
   ２の磁極層（12）と、該第１及び第２の磁極層の先端ス
   ロートハイト（10e,12e）間のギャップ（Ｇ）を維持、
   形成する無機材料層（18）と、該第１の磁極層の段差を
   軽減するための有機材料層（20）とを備え、該無機材料
   層（18）は２層の無機材料層（18A,18B）として形成さ
   れ、該有機材料層（20）は該２層の無機材料層の間に設
   けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。