JPH09167314A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH09167314A JPH09167314A JP32599995A JP32599995A JPH09167314A JP H09167314 A JPH09167314 A JP H09167314A JP 32599995 A JP32599995 A JP 32599995A JP 32599995 A JP32599995 A JP 32599995A JP H09167314 A JPH09167314 A JP H09167314A
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- G11B5/3136—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure for reducing the pole-tip-protrusion at the head transducing surface, e.g. caused by thermal expansion of dissimilar materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲ素子と誘導型素子を有する複合型薄膜磁
気ヘッドにおけるＭＲ素子の長寿命化を図る。 【解決手段】 基板１０上に少なくとも下部磁気シール
ド１１、リード磁気ギャップ１２、磁気抵抗効果膜１
３、上部磁気シールド１５、ライト磁気ギャップ１６、
上部磁極１７をもつ薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気シー
ルド及び上部磁極に用いられている磁性体に比べて比抵
抗が高くかつ非磁性の金属膜、例えばＮｉＰを磁気シー
ルド１５又は上部磁極１７の少なくとも一方に接触させ
かつ浮上面に露出させた放熱板を設けることで磁気抵抗
効果膜の温度上昇を抑制でき、これによってＭＲ素子の
長寿命化を図る。また、放熱板にアース端子を設けて静
電破壊を防止する。
気ヘッドにおけるＭＲ素子の長寿命化を図る。 【解決手段】 基板１０上に少なくとも下部磁気シール
ド１１、リード磁気ギャップ１２、磁気抵抗効果膜１
３、上部磁気シールド１５、ライト磁気ギャップ１６、
上部磁極１７をもつ薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気シー
ルド及び上部磁極に用いられている磁性体に比べて比抵
抗が高くかつ非磁性の金属膜、例えばＮｉＰを磁気シー
ルド１５又は上部磁極１７の少なくとも一方に接触させ
かつ浮上面に露出させた放熱板を設けることで磁気抵抗
効果膜の温度上昇を抑制でき、これによってＭＲ素子の
長寿命化を図る。また、放熱板にアース端子を設けて静
電破壊を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録再生装置に
用いられる磁気抵抗効果型素子を用いた複合型薄膜磁気
ヘッドに関する。
用いられる磁気抵抗効果型素子を用いた複合型薄膜磁気
ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】複合型薄膜磁気ヘッドは例えばＡｌ2Ｏ3
−ＴｉＣ等よりなるウェハ上に磁気抵抗効果型素子（以
下ＭＲ素子と称する）として磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ
膜と称する）、ＭＲ膜にバイアス磁界をかけるバイアス
膜、ＭＲ膜に電流を流すための電極膜及び絶縁材を介し
てＭＲ膜を所定の間隔で挟む一対の磁気シールドを積層
する。
−ＴｉＣ等よりなるウェハ上に磁気抵抗効果型素子（以
下ＭＲ素子と称する）として磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ
膜と称する）、ＭＲ膜にバイアス磁界をかけるバイアス
膜、ＭＲ膜に電流を流すための電極膜及び絶縁材を介し
てＭＲ膜を所定の間隔で挟む一対の磁気シールドを積層
する。
【０００３】次に誘導型素子（以下ＩＮＤ素子と称す
る）として磁界誘導用コイル（以下コイルと称す）、コ
イル間の絶縁をとる絶縁層、及びコイルに交差し、かつ
所定の厚みの磁気ギャップ層を挟む一対の磁極を積層す
る。このとき一対の磁極のうち少なくとも一方は磁気シ
ールドと共用する事が出来る。次いでＭＲ素子、ＩＮＤ
素子に端子を形成し、保護膜として例えばＡｌ2Ｏ3等の
保護膜にて被う。その後積層されたウェハを切断し、記
録媒体との対接面すなわちヘッドの浮上面に磁極、磁気
ギャップ、磁気シールド、ＭＲ膜が臨むように加工する
ことで作成される。
る）として磁界誘導用コイル（以下コイルと称す）、コ
イル間の絶縁をとる絶縁層、及びコイルに交差し、かつ
所定の厚みの磁気ギャップ層を挟む一対の磁極を積層す
る。このとき一対の磁極のうち少なくとも一方は磁気シ
ールドと共用する事が出来る。次いでＭＲ素子、ＩＮＤ
素子に端子を形成し、保護膜として例えばＡｌ2Ｏ3等の
保護膜にて被う。その後積層されたウェハを切断し、記
録媒体との対接面すなわちヘッドの浮上面に磁極、磁気
ギャップ、磁気シールド、ＭＲ膜が臨むように加工する
ことで作成される。
【０００４】このような複合型薄膜磁気ヘッドは記録再
生時にはＩＮＤ素子に記録信号電流として交流電流を流
し、コイルにより誘導される磁束が磁極から磁気ギャッ
プ部にて記録媒体側に漏れる磁束により記録を行う。ま
た、再生はＭＲ膜にセンス電流として直流電流を流し、
磁気シールド間に入った記録媒体からの磁束によるＭＲ
膜の抵抗変化から信号再生を行う。
生時にはＩＮＤ素子に記録信号電流として交流電流を流
し、コイルにより誘導される磁束が磁極から磁気ギャッ
プ部にて記録媒体側に漏れる磁束により記録を行う。ま
た、再生はＭＲ膜にセンス電流として直流電流を流し、
磁気シールド間に入った記録媒体からの磁束によるＭＲ
膜の抵抗変化から信号再生を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】前述の複合型薄膜
磁気ヘッドの使用においてＭＲ素子、ＩＮＤ素子ともに
電流を流して用いるために発熱を伴う。ＭＲ膜に流す電
流の密度は１×１０6Ａ／ｃｍ2前後あるいはそれ以上と
大きな直流電流であるため発熱も大きく、エレクトロマ
イグレーション（物質中の電子移動で原子が移動し物質
破壊に至る現象、以下マイグレーションと称す）を生じ
る可能性がある。
磁気ヘッドの使用においてＭＲ素子、ＩＮＤ素子ともに
電流を流して用いるために発熱を伴う。ＭＲ膜に流す電
流の密度は１×１０6Ａ／ｃｍ2前後あるいはそれ以上と
大きな直流電流であるため発熱も大きく、エレクトロマ
イグレーション（物質中の電子移動で原子が移動し物質
破壊に至る現象、以下マイグレーションと称す）を生じ
る可能性がある。
【０００６】素子温度が高い状態では電流によるマイグ
レーションが加速されやすく、素子の寿命を短くする原
因となっている。
レーションが加速されやすく、素子の寿命を短くする原
因となっている。
【０００７】図６にＭＲ素子温度と寿命時間の関係を示
す。素子温度３３０［Ｋ］（５７°Ｃ）前後の温度領域
で素子温度が１０°Ｃ上がると寿命がおよそ１／２にな
ることがわかる。従ってＭＲ素子の温度上昇を抑制する
事は薄膜磁気ヘッドの長寿命化に重要である。
す。素子温度３３０［Ｋ］（５７°Ｃ）前後の温度領域
で素子温度が１０°Ｃ上がると寿命がおよそ１／２にな
ることがわかる。従ってＭＲ素子の温度上昇を抑制する
事は薄膜磁気ヘッドの長寿命化に重要である。
【０００８】またスライダー材（ウェハ材）に例えばＡ
ｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2等の非電導性材料を用いた場合にはス
ライダーがアースとならないためにＭＲ膜に電荷が流れ
破壊される静電破壊が発生する危険性が高くなる。従っ
て静電破壊を防止できる構造が必要である。
ｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2等の非電導性材料を用いた場合にはス
ライダーがアースとならないためにＭＲ膜に電荷が流れ
破壊される静電破壊が発生する危険性が高くなる。従っ
て静電破壊を防止できる構造が必要である。
【０００９】また、複合型薄膜磁気ヘッドのＩＮＤ素子
のトラック幅は、上部磁気シールドを前記ＩＮＤ素子の
下部磁極として兼用している場合に、磁極のトラック幅
が狭くなるとなると実効のトラック幅は上部磁極の寸法
だけでは決まらなくなる。下部磁極となる上部磁気シー
ルド上にトリミングを施し、下部磁極に実効的にトラッ
クとなる凸部を作れば良いが、その上に上部磁極を形成
するのは困難である。従って高記録密度化に対応してト
ラック幅を規定する構造が望まれる。
のトラック幅は、上部磁気シールドを前記ＩＮＤ素子の
下部磁極として兼用している場合に、磁極のトラック幅
が狭くなるとなると実効のトラック幅は上部磁極の寸法
だけでは決まらなくなる。下部磁極となる上部磁気シー
ルド上にトリミングを施し、下部磁極に実効的にトラッ
クとなる凸部を作れば良いが、その上に上部磁極を形成
するのは困難である。従って高記録密度化に対応してト
ラック幅を規定する構造が望まれる。
【００１０】更に、薄膜磁気ヘッドの製造過程ではウェ
ハを切断して浮上面を研磨し、磁気ギャップ深さを１μ
ｍ以下程度まで制御する必要があるが、浮上面の研磨お
よび洗浄は水溶性の液体を用いたものが多い。浮上面及
び研磨加工機内には数種類の金属が存在し電気化学的に
磁極あるいは磁気シールドが腐蝕する場合があり、加工
後の歩留まりを下げる原因の一つとなっている。このよ
うな加工工程での腐蝕を防止する手段も必要である。
ハを切断して浮上面を研磨し、磁気ギャップ深さを１μ
ｍ以下程度まで制御する必要があるが、浮上面の研磨お
よび洗浄は水溶性の液体を用いたものが多い。浮上面及
び研磨加工機内には数種類の金属が存在し電気化学的に
磁極あるいは磁気シールドが腐蝕する場合があり、加工
後の歩留まりを下げる原因の一つとなっている。このよ
うな加工工程での腐蝕を防止する手段も必要である。
【００１１】ＭＲ素子の温度上昇を抑制する構成とし
て、特開平５−１０９０２６号公報に非磁性金属を基板
と下部磁気シールドとの間に設ける構造が開示されてい
る。しかし、この構成では前記非磁性金属膜上に様々の
工程を経て形成されるために膜応力や薬品への耐蝕性を
考慮して金属の選択を行う必要がある。
て、特開平５−１０９０２６号公報に非磁性金属を基板
と下部磁気シールドとの間に設ける構造が開示されてい
る。しかし、この構成では前記非磁性金属膜上に様々の
工程を経て形成されるために膜応力や薬品への耐蝕性を
考慮して金属の選択を行う必要がある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、前述の
課題に対してＭＲ素子の上部磁気シールド及びＩＮＤ素
子の磁極の少なくとも一方に接触して特定の形状をした
非磁性金属の放熱板を設けたことを特徴とするものであ
る。
課題に対してＭＲ素子の上部磁気シールド及びＩＮＤ素
子の磁極の少なくとも一方に接触して特定の形状をした
非磁性金属の放熱板を設けたことを特徴とするものであ
る。
【００１３】また、前記非磁性金属に浮上面加工時ある
いは洗浄時に所定の電位をかけることを特徴とする製造
法である。
いは洗浄時に所定の電位をかけることを特徴とする製造
法である。
【００１４】本発明は以上のような構成を採用すること
により次のような機能を達成することができる。
により次のような機能を達成することができる。
【００１５】磁気シールドあるいは磁極に接触して熱伝
導率の良い非磁性金属層を設けることによりＩＮＤ素子
から生じる熱及びＭＲ素子から出る熱を効率良く浮上面
に流れる空気に放熱できる。その結果、ＭＲ素子の温度
上昇を抑えてマイグレーションを抑制することができ
る。
導率の良い非磁性金属層を設けることによりＩＮＤ素子
から生じる熱及びＭＲ素子から出る熱を効率良く浮上面
に流れる空気に放熱できる。その結果、ＭＲ素子の温度
上昇を抑えてマイグレーションを抑制することができ
る。
【００１６】また、前記非磁性金属層をアースとして使
用でき静電破壊を防止できる。
用でき静電破壊を防止できる。
【００１７】また、上部磁気シールド上に作成した凸部
の周囲に非磁性金属を凸部より高く形成する事によりＩ
ＮＤ素子のトラック幅を規定できる。
の周囲に非磁性金属を凸部より高く形成する事によりＩ
ＮＤ素子のトラック幅を規定できる。
【００１８】さらには、浮上面加工時あるいは洗浄時に
所定の電位をかけることで磁極及び磁気シールドの電気
化学的腐蝕を防止できる。
所定の電位をかけることで磁極及び磁気シールドの電気
化学的腐蝕を防止できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１および図２に本発明の第１の
実施形態を示す。１０は基板、１１は下部磁気シール
ド、１２はリード磁気ギャップ、１３は磁気抵抗効果
膜、１５は上部磁気シールド、１６はライト磁気ギャッ
プ、１７は上部磁極、１８は放熱板、１９は保護膜、２
０は絶縁膜、２１は導体コイルである。
実施形態を示す。１０は基板、１１は下部磁気シール
ド、１２はリード磁気ギャップ、１３は磁気抵抗効果
膜、１５は上部磁気シールド、１６はライト磁気ギャッ
プ、１７は上部磁極、１８は放熱板、１９は保護膜、２
０は絶縁膜、２１は導体コイルである。
【００２０】図１は第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドに
おける浮上面方向から見た断面図、図２は前記実施形態
の薄膜磁気ヘッドの浮上面に直角方向の断面図を示す。
基板１０上に下部磁気シールド１１、リード磁気ギャッ
プ１２、該リード磁気ギャップ中の磁気抵抗効果膜１
３、ＩＮＤ素子の下部磁極を兼用しているパーマロイを
用いた上部磁気シールド１５、ライト磁気ギャップ１
６、絶縁膜２０、導体コイル２１、パーマロイを用いた
上部磁極１７を順次形成した後に、パーマロイの比抵抗
２０μΩｃｍより大きい約１５０μΩｃｍの比抵抗を持
ち、かつ非磁性であるＮｉＰをスパッタリング法により
約０．５〜２μｍ成膜する。
おける浮上面方向から見た断面図、図２は前記実施形態
の薄膜磁気ヘッドの浮上面に直角方向の断面図を示す。
基板１０上に下部磁気シールド１１、リード磁気ギャッ
プ１２、該リード磁気ギャップ中の磁気抵抗効果膜１
３、ＩＮＤ素子の下部磁極を兼用しているパーマロイを
用いた上部磁気シールド１５、ライト磁気ギャップ１
６、絶縁膜２０、導体コイル２１、パーマロイを用いた
上部磁極１７を順次形成した後に、パーマロイの比抵抗
２０μΩｃｍより大きい約１５０μΩｃｍの比抵抗を持
ち、かつ非磁性であるＮｉＰをスパッタリング法により
約０．５〜２μｍ成膜する。
【００２１】次いで放熱板１８としてＮｉＰが浮上面に
露出するように上部磁気シールド１５とほぼ同じ幅にイ
オンビームエッチングによりパターニングする。その後
保護膜１９としてアルミナをスパッタリングにより形成
する。放熱板１８に用いる非磁性材料は、上部磁極１７
や上部磁気シールド１５に用いられている材料と比べて
比抵抗が高いか又は同等であることが必要である。放熱
板１８の比抵抗が接触している上部磁極１７や上部磁気
シールド１５よりも低い場合は、交流磁界により発生す
る渦電流の経路となるために交流透磁率の低下を招く。
そのためにパーマロイに比べて比抵抗の大きなＮｉＰや
ＮｉＣｒ等の高抵抗材料を用いる。
露出するように上部磁気シールド１５とほぼ同じ幅にイ
オンビームエッチングによりパターニングする。その後
保護膜１９としてアルミナをスパッタリングにより形成
する。放熱板１８に用いる非磁性材料は、上部磁極１７
や上部磁気シールド１５に用いられている材料と比べて
比抵抗が高いか又は同等であることが必要である。放熱
板１８の比抵抗が接触している上部磁極１７や上部磁気
シールド１５よりも低い場合は、交流磁界により発生す
る渦電流の経路となるために交流透磁率の低下を招く。
そのためにパーマロイに比べて比抵抗の大きなＮｉＰや
ＮｉＣｒ等の高抵抗材料を用いる。
【００２２】以上のような構成を持つ本実施例による薄
膜磁気ヘッドにおいて従来構成の薄膜磁気ヘッドと比較
して素子温度が約１０°Ｃ低下することを確認した。
膜磁気ヘッドにおいて従来構成の薄膜磁気ヘッドと比較
して素子温度が約１０°Ｃ低下することを確認した。
【００２３】図３に放熱板により記録トラック幅を規定
した第２の実施形態を示す。前記第１の実施形態と同様
に、下部磁気シールド１１、磁気抵抗効果膜１３、リー
ド磁気ギャップ１２、パーマロイの上部磁気シールド１
５、ライト磁気ギャップ１６と形成した後に放熱板１８
となるタングステンＷをスパッタにより０．５〜１μｍ
の膜厚に成膜し、ついでＳＦ6を用いた反応性プラズマ
エッチングにより記録トラックの５μｍ幅の部分のみエ
ッチングする。その後、図３に図示しない（図２参照）
絶縁膜２０および導体コイル２１を順次形成後、上部磁
極１７としてパーマロイをメッキにより形成する。
した第２の実施形態を示す。前記第１の実施形態と同様
に、下部磁気シールド１１、磁気抵抗効果膜１３、リー
ド磁気ギャップ１２、パーマロイの上部磁気シールド１
５、ライト磁気ギャップ１６と形成した後に放熱板１８
となるタングステンＷをスパッタにより０．５〜１μｍ
の膜厚に成膜し、ついでＳＦ6を用いた反応性プラズマ
エッチングにより記録トラックの５μｍ幅の部分のみエ
ッチングする。その後、図３に図示しない（図２参照）
絶縁膜２０および導体コイル２１を順次形成後、上部磁
極１７としてパーマロイをメッキにより形成する。
【００２４】このとき、前記ＩＮＤ素子の記録トラック
の位置（前記ＭＲ素子のトラックとのセンター合わせを
するための位置）および幅寸法は、前記エッチングされ
たタングステンＷの寸法により規定されているために、
前記上部磁極１７のパーマロイめっきは実際の記録トラ
ック幅よりも少し広く約６.５μmの幅で余裕をもって形
成することができ、前記パーマロイめっきを極小の寸法
で形成する必要がなくなる。
の位置（前記ＭＲ素子のトラックとのセンター合わせを
するための位置）および幅寸法は、前記エッチングされ
たタングステンＷの寸法により規定されているために、
前記上部磁極１７のパーマロイめっきは実際の記録トラ
ック幅よりも少し広く約６.５μmの幅で余裕をもって形
成することができ、前記パーマロイめっきを極小の寸法
で形成する必要がなくなる。
【００２５】放熱板１８の材料を反応性エッチングが出
来る材料であるタングステンＷを選択することで５％程
度の精度でトラック幅を加工することができ、かつ従来
の薄膜磁気ヘッドに比べて素子温度が約７°Ｃ低下する
ことを確認した。
来る材料であるタングステンＷを選択することで５％程
度の精度でトラック幅を加工することができ、かつ従来
の薄膜磁気ヘッドに比べて素子温度が約７°Ｃ低下する
ことを確認した。
【００２６】図４に放熱板により記録トラック幅を規定
した第３の実施形態を示す。前記の第２の実施形態と同
様に、下部磁気シールド１１、磁気抵抗効果膜１３、リ
ード磁気ギャップ１２、パーマロイの上部磁気シールド
１５、ライト磁気ギャップ１６を形成した後に記録トラ
ックの約５μｍ幅を残し深さ約０.５〜１ミクロンにホ
トレジストとイオンビームエッチングを用いてエッチン
グする。これにより、磁気ギャップ１６の全部と上部磁
気シールド１５の一部がエッチングされる。
した第３の実施形態を示す。前記の第２の実施形態と同
様に、下部磁気シールド１１、磁気抵抗効果膜１３、リ
ード磁気ギャップ１２、パーマロイの上部磁気シールド
１５、ライト磁気ギャップ１６を形成した後に記録トラ
ックの約５μｍ幅を残し深さ約０.５〜１ミクロンにホ
トレジストとイオンビームエッチングを用いてエッチン
グする。これにより、磁気ギャップ１６の全部と上部磁
気シールド１５の一部がエッチングされる。
【００２７】次いで、無電解めっきによりＮｉＰを前記
エッチングによる段差（Ｈ）より厚く（ｈ）形成する。
その後レジストを除去することで前記ｈの段差をもった
凹部が形成され、図４に図示しない絶縁膜２０、導体コ
イル２１を順次形成後、上部磁極１７となるパーマロイ
をスパッタにより約３μｍ成膜する。
エッチングによる段差（Ｈ）より厚く（ｈ）形成する。
その後レジストを除去することで前記ｈの段差をもった
凹部が形成され、図４に図示しない絶縁膜２０、導体コ
イル２１を順次形成後、上部磁極１７となるパーマロイ
をスパッタにより約３μｍ成膜する。
【００２８】次ぎにホトレジストとイオンビームエッチ
ングを用いて上部磁極１７のパーマロイを記録トラック
幅の５μmよりも少し広い６.５μmの幅で余裕をもって
エッチング形成した。
ングを用いて上部磁極１７のパーマロイを記録トラック
幅の５μmよりも少し広い６.５μmの幅で余裕をもって
エッチング形成した。
【００２９】第３の実施形態により上部磁気シールド１
５を膜の中間までエッチングした後にエッチングしたマ
スクのレジストに沿ってめっき膜ＮｉＰを成長させるこ
とで同時に前記トラック幅の寸法を規定することが出来
る。また、薄膜磁気ヘッドにおいて高精度のトラック幅
を持ちかつＭＲ素子温度が従来の薄膜磁気ヘッドよりも
約７°Ｃ低いことを確認した。
５を膜の中間までエッチングした後にエッチングしたマ
スクのレジストに沿ってめっき膜ＮｉＰを成長させるこ
とで同時に前記トラック幅の寸法を規定することが出来
る。また、薄膜磁気ヘッドにおいて高精度のトラック幅
を持ちかつＭＲ素子温度が従来の薄膜磁気ヘッドよりも
約７°Ｃ低いことを確認した。
【００３０】図７に放熱板の一端に端子を設けた第４の
実施形態を示す。前記第１の実施形態と同様に作成した
際に、放熱板３６の形状を素子の側部まで伸ばした形状
とし、次いでアース端子３９を形成する。このアース端
子を装置上にてアースに接続することで静電破壊を防止
できる。
実施形態を示す。前記第１の実施形態と同様に作成した
際に、放熱板３６の形状を素子の側部まで伸ばした形状
とし、次いでアース端子３９を形成する。このアース端
子を装置上にてアースに接続することで静電破壊を防止
できる。
【００３１】また、図７の薄膜磁気ヘッドにおいて、Ｎ
ｉを主成分とした物質が浮上面に出ており、前記浮上面
を水性研磨液中で研磨加工するときに、アース端子３９
から放熱板３６及び放熱板と接触している上部磁極３
５、上部磁気シールド３４に、Ｎｉの水素過電圧を越え
ない範囲で若干の負電圧をかけたところ上部磁極及び上
部磁気シールドの浮上面加工時の腐蝕を防止できる。
ｉを主成分とした物質が浮上面に出ており、前記浮上面
を水性研磨液中で研磨加工するときに、アース端子３９
から放熱板３６及び放熱板と接触している上部磁極３
５、上部磁気シールド３４に、Ｎｉの水素過電圧を越え
ない範囲で若干の負電圧をかけたところ上部磁極及び上
部磁気シールドの浮上面加工時の腐蝕を防止できる。
【００３２】以上説明したように、種々の検討により、
ＭＲ素子の温度上昇を抑制する方法としてＩＮＤ素子と
ＭＲ素子の間に放熱板を設けることによりＭＲ素子の発
生する熱を放熱するに加えＩＮＤ素子からの熱もあわせ
て放熱することができ、ＭＲ素子の温度上昇の抑制が出
来ることがわかった。
ＭＲ素子の温度上昇を抑制する方法としてＩＮＤ素子と
ＭＲ素子の間に放熱板を設けることによりＭＲ素子の発
生する熱を放熱するに加えＩＮＤ素子からの熱もあわせ
て放熱することができ、ＭＲ素子の温度上昇の抑制が出
来ることがわかった。
【００３３】磁気ヘッドで発生する熱は、最終的にヘッ
ド及びスライダーから周囲の空気に放熱されるが、その
放熱を効率良く行うには、空気の境膜を破壊又は薄くす
ることが有効である。境膜を薄くする又は破壊するには
流速を速くすることが有効であることが一般に知られて
いる。実験により薄膜磁気ヘッドに空気が最も速い流速
であたる面である浮上面にＭＲ素子及びＩＮＤ素子から
熱を伝える金属膜が臨む面積を増やすことが有効である
ことがわかった。
ド及びスライダーから周囲の空気に放熱されるが、その
放熱を効率良く行うには、空気の境膜を破壊又は薄くす
ることが有効である。境膜を薄くする又は破壊するには
流速を速くすることが有効であることが一般に知られて
いる。実験により薄膜磁気ヘッドに空気が最も速い流速
であたる面である浮上面にＭＲ素子及びＩＮＤ素子から
熱を伝える金属膜が臨む面積を増やすことが有効である
ことがわかった。
【００３４】図５に磁気シールドの膜厚のみを変えるこ
とにより浮上面の金属露出面積を変化させたときの薄膜
磁気ヘッドの素子温度の変化を示す。磁気シールドの膜
厚が上昇するとともに素子温度が低下していることがわ
かる。このことから磁気シールドに接続して放熱板を設
けることで浮上面に露出している金属面積を増し、ＭＲ
素子の温度上昇を抑制できることがわかった。
とにより浮上面の金属露出面積を変化させたときの薄膜
磁気ヘッドの素子温度の変化を示す。磁気シールドの膜
厚が上昇するとともに素子温度が低下していることがわ
かる。このことから磁気シールドに接続して放熱板を設
けることで浮上面に露出している金属面積を増し、ＭＲ
素子の温度上昇を抑制できることがわかった。
【００３５】以上本発明を適用した具体的な実施例をあ
げて説明したが、本発明は前記実施例に限定されること
なく種々の変更が可能である。
げて説明したが、本発明は前記実施例に限定されること
なく種々の変更が可能である。
【００３６】
【発明の効果】本発明の放熱板は動作時の磁気抵抗効果
膜から出る熱を効率良く放散することにより磁気抵抗効
果膜の温度上昇を抑制し、マイグレーションを抑え磁気
抵抗効果膜の寿命を長くする効果がある。
膜から出る熱を効率良く放散することにより磁気抵抗効
果膜の温度上昇を抑制し、マイグレーションを抑え磁気
抵抗効果膜の寿命を長くする効果がある。
【００３７】また、非磁性金属の放熱板によりアース線
を作る事が出来るため静電破壊が防止でき、かつ加工時
に腐蝕を抑え歩留まり向上とともに信頼性を向上させ
る。
を作る事が出来るため静電破壊が防止でき、かつ加工時
に腐蝕を抑え歩留まり向上とともに信頼性を向上させ
る。
【００３８】さらに、ＩＮＤ素子のトラック幅を前記放
熱板の形成に伴って容易に規定できるという効果があ
る。
熱板の形成に伴って容易に規定できるという効果があ
る。
【図１】放熱板を有する薄膜磁気ヘッドの浮上面要部を
示す。
示す。
【図２】構造をあらわす浮上面と直角方向の要部断面図
を示す。
を示す。
【図３】放熱板により記録トラック幅を規定した浮上面
要部の構造を示す。
要部の構造を示す。
【図４】放熱板により記録トラック幅を規定した浮上面
要部の構造を示す。
要部の構造を示す。
【図５】上部磁気シールド及び下部磁気シールドの膜厚
の和と薄膜磁気ヘッドの温度との関係を示す。
の和と薄膜磁気ヘッドの温度との関係を示す。
【図６】磁気抵抗効果膜の温度と寿命の関係を示す。
【図７】放熱板の一端にアース用端子を設けた薄膜磁気
ヘッドの上面図を示す。
ヘッドの上面図を示す。
１０ 基板 １１ 下部磁気シールド １２ リード磁気ギャップ １３ 磁気抵抗効果膜 １５ 上部磁気シールド １６ ライト磁気ギャップ １７ 上部磁極 １８ 放熱板 １９ 保護膜 ２０ 絶縁膜 ２１ 導体コイル ３０ スライダー ３１，３１` ＩＮＤ素子端子 ３２，３２` ＭＲ素子端子 ３３ 絶縁層 ３４ 上部磁気シールド ３５ 上部磁極 ３６ 放熱板 ３７，３７` ＩＮＤ素子引出線 ３８，３８` ＭＲ素子引出線 ３９ アース端子
Claims (5)
- 【請求項１】 再生用磁気抵抗効果型素子と一対の磁気
シールドと記録用誘導型素子を有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 非磁性金属からなる放熱板を前記磁気シールドまたは前
記記録用誘導型素子の上部磁極の少なくとも一方と接触
して配置し、前記放熱板を浮上面に露出させるように配
置し、前記磁気シールドまたは前記上部磁極の比抵抗よ
りも大きい比抵抗の放熱板を用いることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記記録用誘導型素子の記録トラックの位置および寸法
が、前記放熱板の寸法により規定される構造であること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 基板上に下部磁気シールド、リード磁気
ギャップ、前記リード磁気ギャップ中の磁気抵抗効果
膜、上部磁気シールド、ライト磁気ギャップを順次形成
した後に、記録トラックの幅を残してライト磁気ギャッ
プの全部と上部磁気シールドの一部を合わせた段差だけ
エッチングし、前記上部磁気シールドよりも大きい比抵
抗をもつ非磁性放熱板材料を前記段差より厚く成膜し、
次に絶縁膜、導体コイルを順次形成し、上部磁極を前記
記録トラックの幅よりも大きい幅で形成することを特徴
とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２において、 前記放熱板の一端にアース用の端子を形成することを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１、２または４における薄膜磁気
ヘッドの放熱板、上部磁極および上部磁気シールドに対
して適宜の負電圧を印加しつつ浮上面を水性研磨液中で
研磨加工することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32599995A JPH09167314A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32599995A JPH09167314A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167314A true JPH09167314A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18182975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32599995A Pending JPH09167314A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167314A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731461B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
| US7123442B2 (en) * | 2000-07-11 | 2006-10-17 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method of thin-film magnetic head |
| US7170713B2 (en) | 2002-08-08 | 2007-01-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Heat sink for a magnetic recording head |
| JP2007122812A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2011118973A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Hitachi Ltd | 熱アシスト磁気記録ヘッド |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP32599995A patent/JPH09167314A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7123442B2 (en) * | 2000-07-11 | 2006-10-17 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method of thin-film magnetic head |
| US6731461B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
| US7170713B2 (en) | 2002-08-08 | 2007-01-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Heat sink for a magnetic recording head |
| JP2007122812A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US7716811B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a thin film magnetic head |
| JP4504902B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2010-07-14 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2011118973A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Hitachi Ltd | 熱アシスト磁気記録ヘッド |
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