JPH0665662A - 軟磁性合金 - Google Patents
軟磁性合金Info
- Publication number
- JPH0665662A JPH0665662A JP22625792A JP22625792A JPH0665662A JP H0665662 A JPH0665662 A JP H0665662A JP 22625792 A JP22625792 A JP 22625792A JP 22625792 A JP22625792 A JP 22625792A JP H0665662 A JPH0665662 A JP H0665662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- alloy
- soft magnetic
- heat treatment
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フェライトと同程度の十分な飽和磁束密度を
有しながら、高い透磁率と、高い耐熱性を有する軟磁性
合金。 【構成】 ＣｏxＴａyＨｆzで示される組成を有し、組
成比x,y,zが原子％で、７８＜x≦８１、８＜y＜１５、
５＜z＜１３、１＜y／z＜２.５、x＋y＋z＝１００、な
る関係を満足する。 【効果】 フェライトと同程度の飽和磁束密度を有しな
がらも、非常に高い透磁率を有し、かつ磁歪はほとんど
０に近く、耐熱性も非常に高い。従って、磁気特性の優
れた磁気ヘッドを製造することができる。
有しながら、高い透磁率と、高い耐熱性を有する軟磁性
合金。 【構成】 ＣｏxＴａyＨｆzで示される組成を有し、組
成比x,y,zが原子％で、７８＜x≦８１、８＜y＜１５、
５＜z＜１３、１＜y／z＜２.５、x＋y＋z＝１００、な
る関係を満足する。 【効果】 フェライトと同程度の飽和磁束密度を有しな
がらも、非常に高い透磁率を有し、かつ磁歪はほとんど
０に近く、耐熱性も非常に高い。従って、磁気特性の優
れた磁気ヘッドを製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】各種磁気ヘッドの磁気コアや、特
にＭＩＧヘッドの磁性薄膜に適用できる軟磁性合金。
にＭＩＧヘッドの磁性薄膜に適用できる軟磁性合金。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記録
密度を高めるために磁気記録媒体の高保磁力化が進めら
れ、対する磁気ヘッドの材料にも飽和磁束密度の高いも
のが要求されている。その上、最近の磁気ヘッドにおい
ては、磁気特性が優れている上に耐環境性や耐摩耗性に
も優れ、ガラス溶着工程の高温にも耐えられる耐熱性を
有した材料が要求されている。
密度を高めるために磁気記録媒体の高保磁力化が進めら
れ、対する磁気ヘッドの材料にも飽和磁束密度の高いも
のが要求されている。その上、最近の磁気ヘッドにおい
ては、磁気特性が優れている上に耐環境性や耐摩耗性に
も優れ、ガラス溶着工程の高温にも耐えられる耐熱性を
有した材料が要求されている。
【０００３】図１は高記録密度に適したメタルインギャ
ップ型磁気ヘッド（以下、ＭＩＧヘッドと称する）の概
略構成を示し、図２はその要部構成を示すものである。
両図において、符号１０がＭＩＧヘッド、１２は図中
央、矢印方向に走行する磁気記録媒体である。ＭＩＧヘ
ッド１０はフェライト等からなる磁気コア１４とギャッ
プ部１６とから概略構成されている。ギャップ部１４に
は非磁性体１８が設けられ、非磁性体１８には、ＳｉＯ
2等が使用される。さらに、ＭＩＧヘッド１０において
は、フェライト１４と非磁性体１８の間に磁性薄膜２０
が形成されている。ＭＩＧヘッド１０の記録密度を高め
るためには、この磁性薄膜２０が高い飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）と高い透磁率（μ）を有することが必要である。
ップ型磁気ヘッド（以下、ＭＩＧヘッドと称する）の概
略構成を示し、図２はその要部構成を示すものである。
両図において、符号１０がＭＩＧヘッド、１２は図中
央、矢印方向に走行する磁気記録媒体である。ＭＩＧヘ
ッド１０はフェライト等からなる磁気コア１４とギャッ
プ部１６とから概略構成されている。ギャップ部１４に
は非磁性体１８が設けられ、非磁性体１８には、ＳｉＯ
2等が使用される。さらに、ＭＩＧヘッド１０において
は、フェライト１４と非磁性体１８の間に磁性薄膜２０
が形成されている。ＭＩＧヘッド１０の記録密度を高め
るためには、この磁性薄膜２０が高い飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）と高い透磁率（μ）を有することが必要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来一般に、この磁性
薄膜２０には、７５００Ｇ≦Ｂｓ≦９０００Ｇ、｜μ｜
1MHz＝１０００〜２０００、耐熱温度が５００℃〜５４
０℃の特性を有するＣｏ−Ｔａ−Ｈｆアモルファス薄膜
が使用されている。磁気記録媒体の保持力（Ｈｃ）が高
い場合は、磁性薄膜に高い飽和磁束密度が要求される
が、磁気記録媒体の保持力があまり高くない場合には、
磁性薄膜には、より高い透磁率を有することが重要とな
る。また、高い透磁率と共に、ガラスボンディングに耐
え得る高い耐熱性を有し、磁歪がほぼ０である特性を有
する軟磁性合金が切望されている。高性能の磁気ヘッド
を得るためには、磁歪の絶対値は５×１０-7程度以下の
低磁歪に抑える必要がある。耐熱性が低く、ガラスボン
ディングの処理温度が低い（例えば、５００℃以下）こ
とは、信頼性に欠け、腐食などの問題の生じ易いもので
ある。
薄膜２０には、７５００Ｇ≦Ｂｓ≦９０００Ｇ、｜μ｜
1MHz＝１０００〜２０００、耐熱温度が５００℃〜５４
０℃の特性を有するＣｏ−Ｔａ−Ｈｆアモルファス薄膜
が使用されている。磁気記録媒体の保持力（Ｈｃ）が高
い場合は、磁性薄膜に高い飽和磁束密度が要求される
が、磁気記録媒体の保持力があまり高くない場合には、
磁性薄膜には、より高い透磁率を有することが重要とな
る。また、高い透磁率と共に、ガラスボンディングに耐
え得る高い耐熱性を有し、磁歪がほぼ０である特性を有
する軟磁性合金が切望されている。高性能の磁気ヘッド
を得るためには、磁歪の絶対値は５×１０-7程度以下の
低磁歪に抑える必要がある。耐熱性が低く、ガラスボン
ディングの処理温度が低い（例えば、５００℃以下）こ
とは、信頼性に欠け、腐食などの問題の生じ易いもので
ある。
【０００５】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、フェライトと同程度の十分な飽和磁束密度を
有しながら、高い透磁率と、高い耐熱性を有する軟磁性
合金を提供するものである。
たもので、フェライトと同程度の十分な飽和磁束密度を
有しながら、高い透磁率と、高い耐熱性を有する軟磁性
合金を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の軟磁性合金膜
は、ＣｏxＴａyＨｆzで示される組成を有し、組成比x,
y,zが原子％で、 ７８＜x≦８１ ８＜y＜１５ ５＜z＜１３ １＜y／z＜２.５ x＋y＋z＝１００ なる関係を満足することを特徴とするものである。
は、ＣｏxＴａyＨｆzで示される組成を有し、組成比x,
y,zが原子％で、 ７８＜x≦８１ ８＜y＜１５ ５＜z＜１３ １＜y／z＜２.５ x＋y＋z＝１００ なる関係を満足することを特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載の軟磁性合金は、請求項１記
載の軟磁性合金に、静磁場中で熱処理を施してなること
を特徴とするものである。
載の軟磁性合金に、静磁場中で熱処理を施してなること
を特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の軟磁性合金は、請求項１記
載の軟磁性合金に、回転磁場中で熱処理を施してなるこ
とを特徴とするものである。
載の軟磁性合金に、回転磁場中で熱処理を施してなるこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】Ｃｏは本発明の軟磁性合金においては主成分で
あり、磁性を担う成分である。飽和磁束密度を５０００
Ｇ以上にする為に、７８原子％以上有することが必須で
ある。しかし、高い透磁率を得るために、８１原子％以
下に抑えることが重要である。ＴａとＨｆはアモルファ
ス形成成分であり、良好な軟磁気特性を得るためにはＴ
ａとＨｆの比率y／zは、１＜y／z＜２.５であることが
好ましい。特に、Ｈｆは、磁歪を低下する作用があるも
のと考えられる。軟磁性合金膜に回転磁場中もしくは静
磁場中で熱処理を施すことで、さらに透磁率を高めるこ
とができる。回転磁場中で熱処理を施すことで透磁率が
高まる理由としては、熱処理中の高温状態でも軟磁性合
金膜を常に単磁区の状態として、磁壁が存在しない状態
で処理できるので、磁区の固着化(熱処理中に存在して
いた磁壁がその場所で安定化してしまい、動きにくくな
ること)が妨げられるからと考えられる。静磁場中での
熱処理は、無磁場あるいは磁場中で成膜した後に、高い
透磁率を得たい方向と略直交する方向(好ましくは直交
する方向)に印加された静磁場中で施すことが好まし
い。尚、アモルファス化促進の為に、他の元素を２原子
％以下の範囲でならば添加しても良い。
あり、磁性を担う成分である。飽和磁束密度を５０００
Ｇ以上にする為に、７８原子％以上有することが必須で
ある。しかし、高い透磁率を得るために、８１原子％以
下に抑えることが重要である。ＴａとＨｆはアモルファ
ス形成成分であり、良好な軟磁気特性を得るためにはＴ
ａとＨｆの比率y／zは、１＜y／z＜２.５であることが
好ましい。特に、Ｈｆは、磁歪を低下する作用があるも
のと考えられる。軟磁性合金膜に回転磁場中もしくは静
磁場中で熱処理を施すことで、さらに透磁率を高めるこ
とができる。回転磁場中で熱処理を施すことで透磁率が
高まる理由としては、熱処理中の高温状態でも軟磁性合
金膜を常に単磁区の状態として、磁壁が存在しない状態
で処理できるので、磁区の固着化(熱処理中に存在して
いた磁壁がその場所で安定化してしまい、動きにくくな
ること)が妨げられるからと考えられる。静磁場中での
熱処理は、無磁場あるいは磁場中で成膜した後に、高い
透磁率を得たい方向と略直交する方向(好ましくは直交
する方向)に印加された静磁場中で施すことが好まし
い。尚、アモルファス化促進の為に、他の元素を２原子
％以下の範囲でならば添加しても良い。
【００１０】
【実施例】ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて、幅
４mm、長さ２４mmの矩形状の結晶化ガラス基板上に、厚
さ約２μmのＣｏ−Ｔａ−Ｈｆ系の軟磁性合金膜を成膜
し、さらに、５２０℃〜５６０℃の温度範囲で、真空無
磁場中（５×１０-6Torr以下）で４５分間の熱処理を行
い、表１に示す６種類の軟磁性合金膜を得た。無論、軟
磁性合金薄膜は、マグネトロンスパッタ法以外でも他の
スパッタ法をはじめとする各種真空薄膜形成技術を適用
して製造することも可能である。尚、本実施例に該当す
るＣｏ79.6Ｔａ10.0Ｈｆ10.4、Ｃｏ80.6Ｔａ9.7Ｈ
ｆ9.7、Ｃｏ79.9Ｔａ11.8Ｈｆ8.3、Ｃｏ80.1Ｔａ11.7Ｈ
ｆ8.2の組成を有する各合金膜は、順に、Ｃｏ82Ｔａ9Ｈ
ｆ9、Ｃｏ82Ｔａ9Ｈｆ9、Ｃｏ81.5Ｔａ11.5Ｈｆ7、Ｃｏ
81.5Ｔａ11.5Ｈｆ7をターゲットとし、かつ表１に示す
電力にてスパッタして得られたものである。同様に比較
例に該当するＣｏ82.9Ｔａ11.1Ｈｆ6.0、Ｃｏ85.6Ｔａ
9.0Ｈｆ5.4の組成を有する各合金膜もＣｏ83.8Ｔａ10.0
Ｈｆ6.2、Ｃｏ84.3Ｔａ8.2Ｈｆ5.5をターゲットとし
て、スパッタに要する電力をそれぞれ２００ｗとして得
られたものである。得られた６種類の軟磁性合金膜につ
いて、飽和磁束密度Ｂｓ、磁歪λｓ、透磁率｜μ
｜1MHz、保持力Ｈｃを測定した。測定結果を表１に示
す。
４mm、長さ２４mmの矩形状の結晶化ガラス基板上に、厚
さ約２μmのＣｏ−Ｔａ−Ｈｆ系の軟磁性合金膜を成膜
し、さらに、５２０℃〜５６０℃の温度範囲で、真空無
磁場中（５×１０-6Torr以下）で４５分間の熱処理を行
い、表１に示す６種類の軟磁性合金膜を得た。無論、軟
磁性合金薄膜は、マグネトロンスパッタ法以外でも他の
スパッタ法をはじめとする各種真空薄膜形成技術を適用
して製造することも可能である。尚、本実施例に該当す
るＣｏ79.6Ｔａ10.0Ｈｆ10.4、Ｃｏ80.6Ｔａ9.7Ｈ
ｆ9.7、Ｃｏ79.9Ｔａ11.8Ｈｆ8.3、Ｃｏ80.1Ｔａ11.7Ｈ
ｆ8.2の組成を有する各合金膜は、順に、Ｃｏ82Ｔａ9Ｈ
ｆ9、Ｃｏ82Ｔａ9Ｈｆ9、Ｃｏ81.5Ｔａ11.5Ｈｆ7、Ｃｏ
81.5Ｔａ11.5Ｈｆ7をターゲットとし、かつ表１に示す
電力にてスパッタして得られたものである。同様に比較
例に該当するＣｏ82.9Ｔａ11.1Ｈｆ6.0、Ｃｏ85.6Ｔａ
9.0Ｈｆ5.4の組成を有する各合金膜もＣｏ83.8Ｔａ10.0
Ｈｆ6.2、Ｃｏ84.3Ｔａ8.2Ｈｆ5.5をターゲットとし
て、スパッタに要する電力をそれぞれ２００ｗとして得
られたものである。得られた６種類の軟磁性合金膜につ
いて、飽和磁束密度Ｂｓ、磁歪λｓ、透磁率｜μ
｜1MHz、保持力Ｈｃを測定した。測定結果を表１に示
す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１から、比較例の合金膜に対して、本実
施例の合金膜は、飽和磁束密度Ｂｓこそ少し低下してい
るものの、磁歪の絶対値は小さく、透磁率μは大幅に増
加していることがわかる。保持力Ｈｃは同程度である。
尚、飽和磁束密度Ｂｓは、フェライトの飽和磁束密度
（５〜６ｋＧ）と同程度であり、十分な値を有している
と云える。
施例の合金膜は、飽和磁束密度Ｂｓこそ少し低下してい
るものの、磁歪の絶対値は小さく、透磁率μは大幅に増
加していることがわかる。保持力Ｈｃは同程度である。
尚、飽和磁束密度Ｂｓは、フェライトの飽和磁束密度
（５〜６ｋＧ）と同程度であり、十分な値を有している
と云える。
【００１３】さらに、同様にして得られた軟磁性合金膜
において、５２０〜５６０℃で４５分間の真空無磁場中
での熱処理を施したものと、この真空無磁場中での熱処
理に加えて、回転磁場中で熱処理を施したものと、静磁
場中で熱処理を施したものの透磁率μを測定した。測定
結果を表２に示す。ここで、回転磁場中の熱処理とは、
例えば、図４に示すように、電磁石のポールピースのＮ
極１とＳ極２の間に、軟磁性合金膜３が形成された基板
４を配置し、基板４を回転軸Ｇを中心として矢印方向に
回転させながら熱処理することを示す。また、静磁場を
つくる炉は、図４に示す回転磁場をつくる炉と同一のも
のを使用できる。この場合、高透磁率を得たい方向と略
直交する方向となる位置で、試料を回転させるモータな
どの駆動装置を停止して、試料を所定の方向に向けて停
止し、この状態で熱処理を行なえば良い。さらに、熱処
理条件は下記の通りとした。 ・回転磁場中熱処理 昇温速度：設定温度まで１時間かけて昇温 保持時間：１時間 降温速度：−１.５℃／分 熱処理温度：４００℃ 雰囲気：真空雰囲気 磁場：２０００ Ｏe 回転数：２０rpm ・静磁場中熱処理 昇温速度：設定温度まで１時間かけて昇温 保持時間：１時間 降温速度：−１.５℃／分 熱処理温度：４００℃ 雰囲気：Ｎ2ガス気流 磁場：基板の幅方向に５００ Ｏe印加
において、５２０〜５６０℃で４５分間の真空無磁場中
での熱処理を施したものと、この真空無磁場中での熱処
理に加えて、回転磁場中で熱処理を施したものと、静磁
場中で熱処理を施したものの透磁率μを測定した。測定
結果を表２に示す。ここで、回転磁場中の熱処理とは、
例えば、図４に示すように、電磁石のポールピースのＮ
極１とＳ極２の間に、軟磁性合金膜３が形成された基板
４を配置し、基板４を回転軸Ｇを中心として矢印方向に
回転させながら熱処理することを示す。また、静磁場を
つくる炉は、図４に示す回転磁場をつくる炉と同一のも
のを使用できる。この場合、高透磁率を得たい方向と略
直交する方向となる位置で、試料を回転させるモータな
どの駆動装置を停止して、試料を所定の方向に向けて停
止し、この状態で熱処理を行なえば良い。さらに、熱処
理条件は下記の通りとした。 ・回転磁場中熱処理 昇温速度：設定温度まで１時間かけて昇温 保持時間：１時間 降温速度：−１.５℃／分 熱処理温度：４００℃ 雰囲気：真空雰囲気 磁場：２０００ Ｏe 回転数：２０rpm ・静磁場中熱処理 昇温速度：設定温度まで１時間かけて昇温 保持時間：１時間 降温速度：−１.５℃／分 熱処理温度：４００℃ 雰囲気：Ｎ2ガス気流 磁場：基板の幅方向に５００ Ｏe印加
【００１４】
【表２】
【００１５】試験に供した４種類の軟磁性合金膜の組成
は、Ｃｏ79.6Ｔａ10.0Ｈｆ10.4、Ｃｏ80.6Ｔａ9.7Ｈｆ
9.7、Ｃｏ79.9Ｔａ11.8Ｈｆ8.3、Ｃｏ80.1Ｔａ11.7Ｈｆ
８．２であり、真空無磁場中での熱処理だけでも高い透
磁率を有するが、回転磁場中で熱処理を施すことによ
り、または静磁場中で熱処理を施すことにより、さらに
大幅に透磁率が増加することが表２より明らかになって
いる。
は、Ｃｏ79.6Ｔａ10.0Ｈｆ10.4、Ｃｏ80.6Ｔａ9.7Ｈｆ
9.7、Ｃｏ79.9Ｔａ11.8Ｈｆ8.3、Ｃｏ80.1Ｔａ11.7Ｈｆ
８．２であり、真空無磁場中での熱処理だけでも高い透
磁率を有するが、回転磁場中で熱処理を施すことによ
り、または静磁場中で熱処理を施すことにより、さらに
大幅に透磁率が増加することが表２より明らかになって
いる。
【００１６】また、スパッタで成膜して得られたＣｏ−
Ｔａ−Ｈｆ系の軟磁性合金膜において、熱処理温度と透
磁率μの関係を調べた。測定結果を図３に示す。図３
中、（○印）と（□印）が本実施例に該当する軟磁
性合金膜であり、の合金の組成は、Ｃｏ８０．５Ｔａ
13.0Ｈｆ6.5であり、の合金の組成は、Ｃｏ79.6Ｔａ
10.0Ｈｆ10.4である。またの合金の飽和磁束密度は６
０００Ｇ、の合金の飽和磁束密度は５７００Ｇであっ
た。図３中、（△印）と（×印）は比較例の合金膜
の測定結果を示すもので、の合金の組成は、Ｃｏ85.5
Ｔａ9.7Ｈｆ4.8であり、の合金の組成はＣｏ87.5Ｔａ
9.2Ｈｆ3.3である。の合金の飽和磁束密度は９０００
Ｇ、の合金の飽和磁束密度は１１０００Ｇであった。
Ｔａ−Ｈｆ系の軟磁性合金膜において、熱処理温度と透
磁率μの関係を調べた。測定結果を図３に示す。図３
中、（○印）と（□印）が本実施例に該当する軟磁
性合金膜であり、の合金の組成は、Ｃｏ８０．５Ｔａ
13.0Ｈｆ6.5であり、の合金の組成は、Ｃｏ79.6Ｔａ
10.0Ｈｆ10.4である。またの合金の飽和磁束密度は６
０００Ｇ、の合金の飽和磁束密度は５７００Ｇであっ
た。図３中、（△印）と（×印）は比較例の合金膜
の測定結果を示すもので、の合金の組成は、Ｃｏ85.5
Ｔａ9.7Ｈｆ4.8であり、の合金の組成はＣｏ87.5Ｔａ
9.2Ｈｆ3.3である。の合金の飽和磁束密度は９０００
Ｇ、の合金の飽和磁束密度は１１０００Ｇであった。
【００１７】図３から、本実施例の合金膜であるの合
金の、透磁率が最も大きくなる最適熱処理温度は、約５
４０℃、の合金の最適熱処理温度は、約５６０℃であ
ることがわかる。同様に、比較例の合金膜であるの合
金の最適熱処理温度は約５００℃、の合金の最適熱処
理温度は４９０℃以下であることがわかる。このこと
は、即ち、本実施例のの合金との合金は、比較例の
との合金よりも耐熱性が高いことを意味している。
また、耐熱性が高く、熱処理温度を高くできることで、
異方性磁界を下げ、透磁率をより高めることができる。
耐熱性が高いことで、磁気ヘッドの製造工程におけるガ
ラス融着温度を高く設定でき、また融着ガラスの種類の
選択幅を広くすることができる。
金の、透磁率が最も大きくなる最適熱処理温度は、約５
４０℃、の合金の最適熱処理温度は、約５６０℃であ
ることがわかる。同様に、比較例の合金膜であるの合
金の最適熱処理温度は約５００℃、の合金の最適熱処
理温度は４９０℃以下であることがわかる。このこと
は、即ち、本実施例のの合金との合金は、比較例の
との合金よりも耐熱性が高いことを意味している。
また、耐熱性が高く、熱処理温度を高くできることで、
異方性磁界を下げ、透磁率をより高めることができる。
耐熱性が高いことで、磁気ヘッドの製造工程におけるガ
ラス融着温度を高く設定でき、また融着ガラスの種類の
選択幅を広くすることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の軟磁性合金は、ＣｏxＴａyＨｆ
zで示される組成を有し、組成比ｘ，ｙ，ｚが原子％
で、７８＜ｘ≦８１、８＜y＜１５、５＜z＜１３、１＜
y／z＜２.５、x＋y＋z＝１００、なる関係を満足するこ
とを特徴とするものである。さらに、請求項２記載の軟
磁性合金は、請求項１記載の軟磁性合金に、静磁場中で
熱処理を施してなることを特徴とするものである。請求
項３記載の軟磁性合金は、請求項１記載の軟磁性合金
に、回転磁場中で熱処理を施してなることを特徴とする
ものである。この発明の軟磁性合金であれば、フェライ
トと同程度の飽和磁束密度を有しながらも、非常に高い
透磁率を有し、かつ磁歪はほとんど０に近く、耐熱性も
非常に高いものである。また、回転磁場中もしくは静磁
場中で熱処理を施せば、さらに透磁率を高くすることが
できる。よって、本発明の軟磁性合金を使用すれば、特
に磁気特性の優れた磁気ヘッドを製造することができ
る。
zで示される組成を有し、組成比ｘ，ｙ，ｚが原子％
で、７８＜ｘ≦８１、８＜y＜１５、５＜z＜１３、１＜
y／z＜２.５、x＋y＋z＝１００、なる関係を満足するこ
とを特徴とするものである。さらに、請求項２記載の軟
磁性合金は、請求項１記載の軟磁性合金に、静磁場中で
熱処理を施してなることを特徴とするものである。請求
項３記載の軟磁性合金は、請求項１記載の軟磁性合金
に、回転磁場中で熱処理を施してなることを特徴とする
ものである。この発明の軟磁性合金であれば、フェライ
トと同程度の飽和磁束密度を有しながらも、非常に高い
透磁率を有し、かつ磁歪はほとんど０に近く、耐熱性も
非常に高いものである。また、回転磁場中もしくは静磁
場中で熱処理を施せば、さらに透磁率を高くすることが
できる。よって、本発明の軟磁性合金を使用すれば、特
に磁気特性の優れた磁気ヘッドを製造することができ
る。
【図１】ＭＩＧヘッドの概略構成図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】各合金の熱処理温度と透磁率の関係を示すグラ
フである。
フである。
【図４】回転磁場中での熱処理の一例を示す説明図であ
る。
る。
１０ ＭＩＧヘッド ２０ 磁性薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣｏxＴａyＨｆzで示される組成を有
し、組成比x,y,zが原子％で、 ７８＜x≦８１ ８＜y＜１５ ５＜z＜１３ １＜y／z＜２.５ x＋y＋z＝１００ なる関係を満足することを特徴とする軟磁性合金。 - 【請求項２】 請求項１記載の軟磁性合金に、静磁場中
で熱処理を施してなることを特徴とする軟磁性合金。 - 【請求項３】 請求項１記載の軟磁性合金に、回転磁場
中で熱処理を施してなることを特徴とする軟磁性合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22625792A JPH0665662A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 軟磁性合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22625792A JPH0665662A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 軟磁性合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0665662A true JPH0665662A (ja) | 1994-03-08 |
Family
ID=16842366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22625792A Pending JPH0665662A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 軟磁性合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665662A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086412A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | National Institute For Materials Science | ナノグラニュラー軟磁性膜およびその製造方法 |
| JP2014148052A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Hagihara Industries Inc | 図柄入り防水シート |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235506A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Nec Corp | 非晶質軟磁性材料 |
| JPH01242748A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Alps Electric Co Ltd | 耐熱性非晶質合金 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP22625792A patent/JPH0665662A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235506A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Nec Corp | 非晶質軟磁性材料 |
| JPH01242748A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Alps Electric Co Ltd | 耐熱性非晶質合金 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086412A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | National Institute For Materials Science | ナノグラニュラー軟磁性膜およびその製造方法 |
| JP2014148052A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Hagihara Industries Inc | 図柄入り防水シート |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910009970B1 (ko) | Co-Nb-Zr계 비정질 자성합금 및 이를 사용한 자기헤드 | |
| JPH0665662A (ja) | 軟磁性合金 | |
| JPH01124108A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US4641213A (en) | Magnetic head | |
| JP3130407B2 (ja) | 磁性膜の製法および薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05114530A (ja) | 軟磁性合金膜の製造方法および磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP3087265B2 (ja) | 磁性合金 | |
| JP3036891B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2001015339A (ja) | 軟磁性積層膜および薄膜磁気ヘッド | |
| JP2548769B2 (ja) | 耐熱性非晶質合金 | |
| JP2774705B2 (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性膜 | |
| JP2882927B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6022721A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6216268B2 (ja) | ||
| JP3113514B2 (ja) | 非晶質磁性合金薄膜及びそれを用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002231554A (ja) | 磁性合金膜の製造方法および磁気ヘッド | |
| JP2782994B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0645146A (ja) | 軟磁性膜の製造方法 | |
| JPH05291038A (ja) | 添加物としてＩｒを有するＦｅＧａＳｉ系磁性材料 | |
| JPH06282834A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0376102A (ja) | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPS63301510A (ja) | 非磁性酸化鉄薄膜の形成方法 | |
| JPS63809A (ja) | 薄膜磁気ヘツドコアの形成方法 | |
| JPH0434906A (ja) | 非晶質軟磁性膜 | |
| JPH0536016A (ja) | 磁気ヘツド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000829 |