JPH04255905A - 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法Info
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- JPH04255905A JPH04255905A JP6078991A JP6078991A JPH04255905A JP H04255905 A JPH04255905 A JP H04255905A JP 6078991 A JP6078991 A JP 6078991A JP 6078991 A JP6078991 A JP 6078991A JP H04255905 A JPH04255905 A JP H04255905A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記憶媒体に書き込ま
れた磁気的情報を、強磁性磁気抵抗効果を利用して読み
出す強磁性磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）
を具備した磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略
す）の製造方法に関するものである。
れた磁気的情報を、強磁性磁気抵抗効果を利用して読み
出す強磁性磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）
を具備した磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略
す）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のごとく、ＭＲ素子は高い出力が得
られ、出力が素子と記録媒体との相対速度に依存しない
ため、小型高密度の磁気記録装置の再生用ヘッドへの応
用が期待されている。しかし、ＭＲ素子を磁気記録の信
号再生用ヘッドとして実用化するためには、再生信号の
ノイズの主因となり再生信号の再現性を低下させるバル
クハウゼンノイズを抑制する必要がある。
られ、出力が素子と記録媒体との相対速度に依存しない
ため、小型高密度の磁気記録装置の再生用ヘッドへの応
用が期待されている。しかし、ＭＲ素子を磁気記録の信
号再生用ヘッドとして実用化するためには、再生信号の
ノイズの主因となり再生信号の再現性を低下させるバル
クハウゼンノイズを抑制する必要がある。
【０００３】バルクハウゼンノイズの原因は、ＭＲ素子
端部での反磁界によって生じる磁壁の不連続な移動であ
ると考えられる。このため、ＭＲ素子部を単磁区化して
磁壁をなくす方法が数多く提案されている。特開昭６２
−４０６１０号公報には、ＭＲ素子の両端に反強磁性材
料を置いて反強磁性材料の交換相互作用によってセンス
電流方向にバイアス磁界（以下、縦方向バイアス磁界と
呼ぶ）を加える構造が開示されている。
端部での反磁界によって生じる磁壁の不連続な移動であ
ると考えられる。このため、ＭＲ素子部を単磁区化して
磁壁をなくす方法が数多く提案されている。特開昭６２
−４０６１０号公報には、ＭＲ素子の両端に反強磁性材
料を置いて反強磁性材料の交換相互作用によってセンス
電流方向にバイアス磁界（以下、縦方向バイアス磁界と
呼ぶ）を加える構造が開示されている。
【０００４】しかし、このように反強磁性材料またはフ
ェリ磁性材料によって縦方向バイアス磁界を発生させる
ためにはいくつかの制約がある。第１点は、交換力によ
ってバイアス磁界を発生しているので、強磁性磁気抵抗
効果層と直接的に接して反強磁性層またはフェリ磁性層
から成る縦方向バイアス磁性層を成膜する必要がある点
である。第２点として、ＭＲ素子の両端部にのみ縦方向
バイアス磁性層が存在するようにパターン形成する必要
がある点である。これは、ＭＲ素子全体に交換力が働く
と縦方向バイアス磁性層の大きな異方性磁界によってＭ
Ｒ素子の応答性が低下するため、磁界を感知するＭＲ素
子中央部では交換力が働かなくする必要があるためであ
る。従来、この２つの制約を満たすための製造方法とし
て、強磁性磁気抵抗効果層と縦方向バイアス磁性層を高
真空中で連続成膜した後、縦方向バイアス磁性層の一部
をエッチングして除去する方法が用いられている。
ェリ磁性材料によって縦方向バイアス磁界を発生させる
ためにはいくつかの制約がある。第１点は、交換力によ
ってバイアス磁界を発生しているので、強磁性磁気抵抗
効果層と直接的に接して反強磁性層またはフェリ磁性層
から成る縦方向バイアス磁性層を成膜する必要がある点
である。第２点として、ＭＲ素子の両端部にのみ縦方向
バイアス磁性層が存在するようにパターン形成する必要
がある点である。これは、ＭＲ素子全体に交換力が働く
と縦方向バイアス磁性層の大きな異方性磁界によってＭ
Ｒ素子の応答性が低下するため、磁界を感知するＭＲ素
子中央部では交換力が働かなくする必要があるためであ
る。従来、この２つの制約を満たすための製造方法とし
て、強磁性磁気抵抗効果層と縦方向バイアス磁性層を高
真空中で連続成膜した後、縦方向バイアス磁性層の一部
をエッチングして除去する方法が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このパターン形成工程
では積層された強磁性磁気抵抗効果層と縦方向バイアス
磁性層のうち後者のみを選択的にエッチングする必要が
あるが、両方ともＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の磁性金属元素を
含んでいるため化学的なエッチング方法やイオンエッチ
ング等の物理的なエッチング方法では充分な選択比を得
ることは困難である。この場合、エッチングが不十分で
あると磁界を感知するＭＲ素子中央部に縦方向バイアス
磁性層が残存してＭＲ素子の応答性が低下し、エッチン
グし過ぎると強磁性磁気抵抗効果層が損傷を受けてＭＲ
素子の特性を劣化させてしまうといった問題点があった
。さらに、エッチングされた縦方向バイアス磁性層端部
に断差を生じるため、ＭＲ素子上部に電極やシールドを
形成する際に断線や短絡を生じ易いといった問題点があ
った。
では積層された強磁性磁気抵抗効果層と縦方向バイアス
磁性層のうち後者のみを選択的にエッチングする必要が
あるが、両方ともＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の磁性金属元素を
含んでいるため化学的なエッチング方法やイオンエッチ
ング等の物理的なエッチング方法では充分な選択比を得
ることは困難である。この場合、エッチングが不十分で
あると磁界を感知するＭＲ素子中央部に縦方向バイアス
磁性層が残存してＭＲ素子の応答性が低下し、エッチン
グし過ぎると強磁性磁気抵抗効果層が損傷を受けてＭＲ
素子の特性を劣化させてしまうといった問題点があった
。さらに、エッチングされた縦方向バイアス磁性層端部
に断差を生じるため、ＭＲ素子上部に電極やシールドを
形成する際に断線や短絡を生じ易いといった問題点があ
った。
【０００６】本発明の目的は、このような問題点を解決
した磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
した磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、第１の発明のＭＲヘッドの製造方法では、強磁性
磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効果層との間に
交換力によって縦方向バイアス磁界を生じさせるため、
前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設けた反強
磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法において、前記反強磁性体層の一部にイ
オン注入する工程を用いる。
めに、第１の発明のＭＲヘッドの製造方法では、強磁性
磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効果層との間に
交換力によって縦方向バイアス磁界を生じさせるため、
前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設けた反強
磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法において、前記反強磁性体層の一部にイ
オン注入する工程を用いる。
【０００８】また、第２の発明のＭＲヘッドの製造方法
では、強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効
果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界を生じ
させるため、前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接し
て設けた反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法において、前記反強磁性体
層またはフェリ磁性体層の一部を熱酸化する工程を用い
る。
では、強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効
果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界を生じ
させるため、前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接し
て設けた反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法において、前記反強磁性体
層またはフェリ磁性体層の一部を熱酸化する工程を用い
る。
【０００９】以下に図面を参照して本発明をさらに詳細
に説明する。図１は第１または第２の発明のＭＲヘッド
の製造方法を示すものである。
に説明する。図１は第１または第２の発明のＭＲヘッド
の製造方法を示すものである。
【００１０】まず第１の発明の製造方法では、図１に示
したように、ガラス，フェライト等の表面の滑らかな絶
縁性基板１上に、ＮｉＦｅ合金やＮｉＣｏ合金等の磁気
抵抗効果の大きい軟磁性材料をスパッタ法や真空蒸着法
で成膜して強磁性磁気抵抗効果層２を形成する（図１（
ａ））。次に、強磁性磁気抵抗効果層２上にスパッタ法
あるいは蒸着法により、ＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材
料またはＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料からな
る縦方向バイアス磁性層３を形成する（図１（ｂ））。 更に、縦方向バイアス磁性層３上にフォトレジスト層を
形成した後に、これらをパターン化する（図１（ｃ））
。次に、これらの積層体にＨ，Ｈｅ，Ａｒ等の非磁性イ
オンを注入する（図１（ｄ））。４はイオン注入された
部分を示す。この後、フォトレジスト層を除去した後、
最後に電極５を形成する（図１（ｅ））。
したように、ガラス，フェライト等の表面の滑らかな絶
縁性基板１上に、ＮｉＦｅ合金やＮｉＣｏ合金等の磁気
抵抗効果の大きい軟磁性材料をスパッタ法や真空蒸着法
で成膜して強磁性磁気抵抗効果層２を形成する（図１（
ａ））。次に、強磁性磁気抵抗効果層２上にスパッタ法
あるいは蒸着法により、ＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材
料またはＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料からな
る縦方向バイアス磁性層３を形成する（図１（ｂ））。 更に、縦方向バイアス磁性層３上にフォトレジスト層を
形成した後に、これらをパターン化する（図１（ｃ））
。次に、これらの積層体にＨ，Ｈｅ，Ａｒ等の非磁性イ
オンを注入する（図１（ｄ））。４はイオン注入された
部分を示す。この後、フォトレジスト層を除去した後、
最後に電極５を形成する（図１（ｅ））。
【００１１】第２の発明では、図１に示したように、ガ
ラス、フェライト等の表面の滑らかな絶縁性基板１上に
、ＮｉＦｅ合金やＮｉＣｏ合金等の磁気抵抗効果の大き
い軟磁性材料をスパッタ法や真空蒸着法で成膜して強磁
性磁気抵抗効果層２を形成する（図１（ａ））。次に、
強磁性磁気抵抗効果層２上にスパッタ法あるいは蒸着法
により、ＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材料またはＴｂＦ
ｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料からなる縦方向バイア
ス磁性層３を形成する（図１（ｂ））。更に、縦方向バ
イアス磁性層３上にフォトレジスト層またはＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３等の酸化物層を形成した後に、これらをパタ
ーン化する（図１（ｃ））。次に、これらの積層体を酸
素を含む雰囲気中で加熱し、縦方向バイアス磁性層の一
部を酸化させる（図１（ｄ））。４は熱酸化された部分
を示す。この後、フォトレジスト層またはＳｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３等の酸化物層を除去した後、最後に電極５を形
成する（図１（ｅ））。
ラス、フェライト等の表面の滑らかな絶縁性基板１上に
、ＮｉＦｅ合金やＮｉＣｏ合金等の磁気抵抗効果の大き
い軟磁性材料をスパッタ法や真空蒸着法で成膜して強磁
性磁気抵抗効果層２を形成する（図１（ａ））。次に、
強磁性磁気抵抗効果層２上にスパッタ法あるいは蒸着法
により、ＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材料またはＴｂＦ
ｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料からなる縦方向バイア
ス磁性層３を形成する（図１（ｂ））。更に、縦方向バ
イアス磁性層３上にフォトレジスト層またはＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３等の酸化物層を形成した後に、これらをパタ
ーン化する（図１（ｃ））。次に、これらの積層体を酸
素を含む雰囲気中で加熱し、縦方向バイアス磁性層の一
部を酸化させる（図１（ｄ））。４は熱酸化された部分
を示す。この後、フォトレジスト層またはＳｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３等の酸化物層を除去した後、最後に電極５を形
成する（図１（ｅ））。
【００１２】
【作用】以下に本発明の作用を簡単に説明する。図２は
本発明のＭＲヘッドの構造を示す斜視図である。
本発明のＭＲヘッドの構造を示す斜視図である。
【００１３】第１の発明のＭＲヘッドでは、縦方向バイ
アス磁性層の材料であるＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材
料またはＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料に非磁
性イオンを注入して構造を乱し、非磁性化またはネール
温度を下げることによりバイアス磁界を発生しないよう
にすることが出来る。この時、イオンが注入される深さ
はイオンの加速電圧で制御し、縦方向バイアス磁性層の
下にあるＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ等の強磁性磁気抵抗効果層
にはイオン注入の影響が及ばないようにすることが出来
る。
アス磁性層の材料であるＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材
料またはＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料に非磁
性イオンを注入して構造を乱し、非磁性化またはネール
温度を下げることによりバイアス磁界を発生しないよう
にすることが出来る。この時、イオンが注入される深さ
はイオンの加速電圧で制御し、縦方向バイアス磁性層の
下にあるＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ等の強磁性磁気抵抗効果層
にはイオン注入の影響が及ばないようにすることが出来
る。
【００１４】第１の発明のＭＲヘッドは、その両端で縦
方向バイアス磁性層からのバイアス磁界を受けるために
単磁区構造が安定化され、バルクハウゼンノイズを生じ
ない。また、ＭＲ素子の中央部では縦方向バイアス磁性
層は非磁性化されてバイアス磁界を生じないので優れた
応答性が得られる。この非磁性層厚はイオン注入の加速
電圧で制御出来るので安定した特性が得られる。さらに
、縦方向バイアス磁性層は非磁性化された中央部を含め
て平坦であるので、ＭＲ素子上部に電極やシールドを形
成する際にも断線や短絡を生じない。
方向バイアス磁性層からのバイアス磁界を受けるために
単磁区構造が安定化され、バルクハウゼンノイズを生じ
ない。また、ＭＲ素子の中央部では縦方向バイアス磁性
層は非磁性化されてバイアス磁界を生じないので優れた
応答性が得られる。この非磁性層厚はイオン注入の加速
電圧で制御出来るので安定した特性が得られる。さらに
、縦方向バイアス磁性層は非磁性化された中央部を含め
て平坦であるので、ＭＲ素子上部に電極やシールドを形
成する際にも断線や短絡を生じない。
【００１５】第２の発明のＭＲヘッドでは、縦方向バイ
アス磁性層の材料であるＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材
料またはＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料は比較
的酸化され易く、酸素を含む雰囲気中で加熱することに
よって容易に酸化物となる。この時生成する酸化物は非
磁性体か室温よりネール温度の低い反強磁性体であり、
室温以上ではバイアス磁界を発生しない。一方、縦方向
バイアス磁性層の下にあるＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ等の強磁
性磁気抵抗効果層は縦方向バイアス磁性層に比較して酸
化しにくいため、縦方向バイアス磁性層の表面から進行
した熱酸化は強磁性磁気抵抗効果層との界面で停止する
。
アス磁性層の材料であるＦｅＭｎ，Ｍｎ等の反強磁性材
料またはＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ等のフェリ磁性材料は比較
的酸化され易く、酸素を含む雰囲気中で加熱することに
よって容易に酸化物となる。この時生成する酸化物は非
磁性体か室温よりネール温度の低い反強磁性体であり、
室温以上ではバイアス磁界を発生しない。一方、縦方向
バイアス磁性層の下にあるＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ等の強磁
性磁気抵抗効果層は縦方向バイアス磁性層に比較して酸
化しにくいため、縦方向バイアス磁性層の表面から進行
した熱酸化は強磁性磁気抵抗効果層との界面で停止する
。
【００１６】第２の発明のＭＲヘッドは、その両端で縦
方向バイアス磁性層からのバイアス磁界を受けるために
単磁区構造が安定化され、バルクハウゼンノイズを生じ
ない。また、ＭＲ素子の中央部では縦方向バイアス磁性
層は酸化されてバイアス磁界を生じないので優れた応答
性が得られる。この熱酸化は強磁性磁気抵抗効果層と縦
方向バイアス磁性層の界面で停止するので安定した特性
が得られる。さらに、縦方向バイアス磁性層は熱酸化さ
れた中央部を含めて平坦であるので、ＭＲ素子上部に電
極やシールドを形成する際にも断線や短絡を生じない。
方向バイアス磁性層からのバイアス磁界を受けるために
単磁区構造が安定化され、バルクハウゼンノイズを生じ
ない。また、ＭＲ素子の中央部では縦方向バイアス磁性
層は酸化されてバイアス磁界を生じないので優れた応答
性が得られる。この熱酸化は強磁性磁気抵抗効果層と縦
方向バイアス磁性層の界面で停止するので安定した特性
が得られる。さらに、縦方向バイアス磁性層は熱酸化さ
れた中央部を含めて平坦であるので、ＭＲ素子上部に電
極やシールドを形成する際にも断線や短絡を生じない。
【００１７】
【実施例】まず、第１の発明の一実施例を説明する。
【００１８】ガラス基板上に、真空蒸着法を用いてＭＲ
素子となる膜厚４００オングストロームのパーマロイ（
Ｎｉ８２％−Ｆｅ１８％ 重量％）層を成膜した。次
に、同じく真空蒸着法を用いて、縦方向バイアス磁性層
となる膜厚５００オングストロームのＦｅＭｎ膜をパー
マロイ層上に成膜した。その後、この積層体上に所定の
フォトレジストパターンを形成しイオンエッチングを行
い、長さ５０μｍ，幅５μｍの矩形上のパターンに加工
した。この矩形パターンの両端からそれぞれ１５μｍを
フォトレジストで覆った後Ａｒイオンを注入し、フォト
レジストに覆われていないＦｅＭｎ層を非磁性化した。 注入量は約１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２、加速電圧は５０
ｋＶとした。次いで、前述の積層体にセンス電流を供給
する電極をＴｉとＡｕの積層膜を用いて形成し、実施例
１とした。この時、電極の位置は矩形パターンの中心か
ら両側５μｍとし、電極の間隔は１０μｍとした。また
、ＦｅＭｎ層の全面にイオン注入を行い、それ以外は実
施例１とまったく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較
例１とした。イオン注入化工程を省略し、それ以外は実
施例１とまったく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較
例２とした。またイオン注入工程の代わりにイオンエッ
チングによってＦｅＭｎ層の一部を除去した他は実施例
１とまったく同様の工程でＭＲヘッドを試作し比較例３
とした。いずれのヘッドについても２０個のヘッドを作
製した。
素子となる膜厚４００オングストロームのパーマロイ（
Ｎｉ８２％−Ｆｅ１８％ 重量％）層を成膜した。次
に、同じく真空蒸着法を用いて、縦方向バイアス磁性層
となる膜厚５００オングストロームのＦｅＭｎ膜をパー
マロイ層上に成膜した。その後、この積層体上に所定の
フォトレジストパターンを形成しイオンエッチングを行
い、長さ５０μｍ，幅５μｍの矩形上のパターンに加工
した。この矩形パターンの両端からそれぞれ１５μｍを
フォトレジストで覆った後Ａｒイオンを注入し、フォト
レジストに覆われていないＦｅＭｎ層を非磁性化した。 注入量は約１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２、加速電圧は５０
ｋＶとした。次いで、前述の積層体にセンス電流を供給
する電極をＴｉとＡｕの積層膜を用いて形成し、実施例
１とした。この時、電極の位置は矩形パターンの中心か
ら両側５μｍとし、電極の間隔は１０μｍとした。また
、ＦｅＭｎ層の全面にイオン注入を行い、それ以外は実
施例１とまったく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較
例１とした。イオン注入化工程を省略し、それ以外は実
施例１とまったく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較
例２とした。またイオン注入工程の代わりにイオンエッ
チングによってＦｅＭｎ層の一部を除去した他は実施例
１とまったく同様の工程でＭＲヘッドを試作し比較例３
とした。いずれのヘッドについても２０個のヘッドを作
製した。
【００１９】以上のようなＭＲヘッドにセンス電流１０
ｍＡを流して外部磁界を印加し、電気抵抗−磁界曲線を
測定し、結果を表１にまとめた。
ｍＡを流して外部磁界を印加し、電気抵抗−磁界曲線を
測定し、結果を表１にまとめた。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【００２２】表１から明らかなように、第１の発明の製
造方法を用いることによりバルクハウゼンノイズが無く
出力の大きいＭＲヘッドを安定して製造することが出来
る。
造方法を用いることによりバルクハウゼンノイズが無く
出力の大きいＭＲヘッドを安定して製造することが出来
る。
【００２３】次に、第２の発明の一実施例を説明する。
【００２４】ガラス基板上に、真空蒸着法を用いてＭＲ
素子となる膜厚４００オングストロームのパーマロイ（
Ｎｉ８２％−Ｆｅ１８％ 重量％）層を成膜した。次
に、同じく真空蒸着法を用いて、縦方向バイアス磁性層
となる膜厚５００オングストロームのＦｅＭｎ膜をパー
マロイ層上に成膜した。その後、この積層体上に所定の
フォトレジストパターンを形成しイオンエッチングを行
い、長さ５０μｍ，幅５μｍの矩形上のパターンに加工
した。この矩形パターンの両端からそれぞれ１５μｍを
フォトレジストで覆った後、空気中で８０℃に加熱し１
時間保持し、フォトレジストに覆われていないＦｅＭｎ
層を熱酸化した。次いで、前述の積層体にセンス電流を
供給する電極をＴｉとＡｕの積層膜を用いて形成し、実
施例１とした。この時、電極の位置は矩形パターンの中
心から両側５μｍとし、電極の間隔は１０μｍとした。 また、ＦｅＭｎ層全面を熱酸化し、それ以外は実施例１
とまったく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較例１と
した。熱酸化工程を省略し、それ以外は実施例１とまっ
たく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較例２とした。 また熱酸化工程の代わりにイオンエッチングによってＦ
ｅＭｎ層の一部を除去した他は実施例１とまったく同様
の工程でＭＲヘッドを試作し、比較例３とした。いずれ
のヘッドについても２０個のヘッドを作製した。
素子となる膜厚４００オングストロームのパーマロイ（
Ｎｉ８２％−Ｆｅ１８％ 重量％）層を成膜した。次
に、同じく真空蒸着法を用いて、縦方向バイアス磁性層
となる膜厚５００オングストロームのＦｅＭｎ膜をパー
マロイ層上に成膜した。その後、この積層体上に所定の
フォトレジストパターンを形成しイオンエッチングを行
い、長さ５０μｍ，幅５μｍの矩形上のパターンに加工
した。この矩形パターンの両端からそれぞれ１５μｍを
フォトレジストで覆った後、空気中で８０℃に加熱し１
時間保持し、フォトレジストに覆われていないＦｅＭｎ
層を熱酸化した。次いで、前述の積層体にセンス電流を
供給する電極をＴｉとＡｕの積層膜を用いて形成し、実
施例１とした。この時、電極の位置は矩形パターンの中
心から両側５μｍとし、電極の間隔は１０μｍとした。 また、ＦｅＭｎ層全面を熱酸化し、それ以外は実施例１
とまったく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較例１と
した。熱酸化工程を省略し、それ以外は実施例１とまっ
たく同様の工程でＭＲヘッドを作製し比較例２とした。 また熱酸化工程の代わりにイオンエッチングによってＦ
ｅＭｎ層の一部を除去した他は実施例１とまったく同様
の工程でＭＲヘッドを試作し、比較例３とした。いずれ
のヘッドについても２０個のヘッドを作製した。
【００２５】以上のようなＭＲヘッドにセンス電流１０
ｍＡを流して外部磁界を印加し、電気抵抗−磁界曲線を
測定し、結果を表２にまとめた。
ｍＡを流して外部磁界を印加し、電気抵抗−磁界曲線を
測定し、結果を表２にまとめた。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【００２８】表２から明らかなように、第２の発明の製
造方法を用いることによりバルクハウゼンノイズが無く
出力の大きいＭＲヘッドを安定して製造することが出来
る。
造方法を用いることによりバルクハウゼンノイズが無く
出力の大きいＭＲヘッドを安定して製造することが出来
る。
【００２９】
【発明の効果】第１の発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法は、強磁性磁気抵抗効果層と、強磁性磁気抵抗効果
層との間の交換力によって縦方向バイアス磁界を生じさ
せるため、強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設け
た反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁気抵抗
効果ヘッドの製造方法において、反強磁性体層またはフ
ェリ磁性体層の一部にイオン注入を行う工程を含むこと
により、バルクハウゼンノイズの無い磁気抵抗効果ヘッ
ドを簡単な工程で得られるという効果がある。
方法は、強磁性磁気抵抗効果層と、強磁性磁気抵抗効果
層との間の交換力によって縦方向バイアス磁界を生じさ
せるため、強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設け
た反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁気抵抗
効果ヘッドの製造方法において、反強磁性体層またはフ
ェリ磁性体層の一部にイオン注入を行う工程を含むこと
により、バルクハウゼンノイズの無い磁気抵抗効果ヘッ
ドを簡単な工程で得られるという効果がある。
【００３０】また第２の発明の磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法は、強磁性磁気抵抗効果層と、強磁性磁気抵抗効
果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界を生じ
させるため、強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設
けた反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法において、反強磁性体層または
フェリ磁性体層の一部を熱酸化する工程を含むことによ
り、バルクハウゼンノイズの無い磁気抵抗効果ヘッドを
簡単な工程で得られるという効果がある。
造方法は、強磁性磁気抵抗効果層と、強磁性磁気抵抗効
果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界を生じ
させるため、強磁性磁気抵抗効果層と直接的に接して設
けた反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有する磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法において、反強磁性体層または
フェリ磁性体層の一部を熱酸化する工程を含むことによ
り、バルクハウゼンノイズの無い磁気抵抗効果ヘッドを
簡単な工程で得られるという効果がある。
【図１】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの構造を示す斜視
図である。
図である。
１ 非磁性基板
２ 磁気抵抗効果素子層
３ 縦方向バイアス磁性層
４ イオン注入によって非磁性化した部分または熱酸
化によって酸化した部分 ５ 電極
化によって酸化した部分 ５ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気
抵抗効果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界
を生じさせるため、前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的
に接して設けた反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有
する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、前記反強
磁性体層またはフェリ磁性体層の一部にイオン注入する
工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法。 - 【請求項２】強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気
抵抗効果層との間に交換力によって縦方向バイアス磁界
を生じさせるため、前記強磁性磁気抵抗効果層と直接的
に接して設けた反強磁性体層またはフェリ磁性体層を有
する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、前記反強
磁性体層またはフェリ磁性体層の一部を熱酸化する工程
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6078991A JP2513085B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6078991A JP2513085B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255905A true JPH04255905A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2513085B2 JP2513085B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=13152422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6078991A Expired - Fee Related JP2513085B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513085B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068536B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-06-27 | Nec Corporation | Magnetic random access memory, and production method therefor |
| US7238540B2 (en) | 2003-06-23 | 2007-07-03 | Nec Corporation | Magnetic random access memory and method of manufacturing the same |
| US7242047B2 (en) | 2004-08-19 | 2007-07-10 | Nec Corporation | Magnetic memory adopting synthetic antiferromagnet as free magnetic layer |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP6078991A patent/JP2513085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068536B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-06-27 | Nec Corporation | Magnetic random access memory, and production method therefor |
| US7238540B2 (en) | 2003-06-23 | 2007-07-03 | Nec Corporation | Magnetic random access memory and method of manufacturing the same |
| US7242047B2 (en) | 2004-08-19 | 2007-07-10 | Nec Corporation | Magnetic memory adopting synthetic antiferromagnet as free magnetic layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513085B2 (ja) | 1996-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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