JPH0247030U - - Google Patents

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JPH0247030U
JPH0247030U JP12585888U JP12585888U JPH0247030U JP H0247030 U JPH0247030 U JP H0247030U JP 12585888 U JP12585888 U JP 12585888U JP 12585888 U JP12585888 U JP 12585888U JP H0247030 U JPH0247030 U JP H0247030U
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cylindrical
electrode
processing apparatus
plasma processing
chamber
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JP12585888U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案装置の第１実施例の構成を示す
説明図、第２図ａ，ｂはそれぞれ本考案における
円筒状ホロカソード電極の一例を示す斜視図及び
その縦断面図、第３図は本考案装置の第２実施例
の構成を示す説明図である。 １……円筒型チヤンバ、２……リング状溝（穴
）、３……円筒状ホロカソード電極、４……高周
波電源、５……ガス導入口、６……排気口、７…
…円筒状コイル電極（円筒状網型電極）、８……
基板（ウエーハ）、９……支持部（基板載置用電
極、（多角柱体）基板支持台）、１０……高周波
電源、１１……直流電源、２０……ヒータ用電源
。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 円筒型チヤンバ１内に、内面に多数のリン
    グ状溝または穴２を有する円筒状ホロカソード電
    極３を設け、この電極３とアース間に高周波電源
    ４を接続し、円筒型チヤンバ１には、内部に反応
    ガスを導入するガス導入口５及び排気口６を設け
    、円筒状ホロカソード電極３内にはアースされた
    円筒状コイル電極または円筒状網型電極７を設け
    ると共に、円筒型チヤンバ１内に、基板８を支持
    した支持部９を設けてなるプラズマプロセス装置
    。 (2) 支持部９は円筒型チヤンバ１の内部底面に
    絶縁して設けられた基板載置用電極とし、この電
    極９とアース間に高周波電界または負の直流電界
    が印加されるように高周波電源１０または直流電
    源１１を接続してなる実用新案登録請求の範囲第
    １項記載のプラズマプロセス装置。 (3) 支持部９は円筒状コイル電極または円筒状
    網型電極７の中心部に設けられた基板支持台とし
    、この基板支持台９内に設けられたヒータをヒー
    タ用電源２０により加熱するように構成した実用
    新案登録請求の範囲第１項記載のプラズマプロセ
    ス装置。 (4) 基板支持台９をアースに接続し、円筒状コ
    イル電極または円筒状網型電極７を除去した実用
    新案登録請求の範囲第３項記載のプラズマプロセ
    ス装置。
JP12585888U 1988-09-26 1988-09-26 Pending JPH0247030U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181704A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 高密度プラズマ処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58200538A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS6063919A (ja) * 1983-09-17 1985-04-12 Anelva Corp 表面処理装置
JPS60195939A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS61226925A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Anelva Corp 放電反応装置

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