JPH0247030U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0247030U
JPH0247030U JP12585888U JP12585888U JPH0247030U JP H0247030 U JPH0247030 U JP H0247030U JP 12585888 U JP12585888 U JP 12585888U JP 12585888 U JP12585888 U JP 12585888U JP H0247030 U JPH0247030 U JP H0247030U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cylindrical
electrode
processing apparatus
plasma processing
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12585888U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP12585888U priority Critical patent/JPH0247030U/ja
Publication of JPH0247030U publication Critical patent/JPH0247030U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案装置の第１実施例の構成を示す
説明図、第２図ａ，ｂはそれぞれ本考案における
円筒状ホロカソード電極の一例を示す斜視図及び
その縦断面図、第３図は本考案装置の第２実施例
の構成を示す説明図である。 １……円筒型チヤンバ、２……リング状溝（穴
）、３……円筒状ホロカソード電極、４……高周
波電源、５……ガス導入口、６……排気口、７…
…円筒状コイル電極（円筒状網型電極）、８……
基板（ウエーハ）、９……支持部（基板載置用電
極、（多角柱体）基板支持台）、１０……高周波
電源、１１……直流電源、２０……ヒータ用電源
。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 円筒型チヤンバ１内に、内面に多数のリン
    グ状溝または穴２を有する円筒状ホロカソード電
    極３を設け、この電極３とアース間に高周波電源
    ４を接続し、円筒型チヤンバ１には、内部に反応
    ガスを導入するガス導入口５及び排気口６を設け
    、円筒状ホロカソード電極３内にはアースされた
    円筒状コイル電極または円筒状網型電極７を設け
    ると共に、円筒型チヤンバ１内に、基板８を支持
    した支持部９を設けてなるプラズマプロセス装置
    。 (2) 支持部９は円筒型チヤンバ１の内部底面に
    絶縁して設けられた基板載置用電極とし、この電
    極９とアース間に高周波電界または負の直流電界
    が印加されるように高周波電源１０または直流電
    源１１を接続してなる実用新案登録請求の範囲第
    １項記載のプラズマプロセス装置。 (3) 支持部９は円筒状コイル電極または円筒状
    網型電極７の中心部に設けられた基板支持台とし
    、この基板支持台９内に設けられたヒータをヒー
    タ用電源２０により加熱するように構成した実用
    新案登録請求の範囲第１項記載のプラズマプロセ
    ス装置。 (4) 基板支持台９をアースに接続し、円筒状コ
    イル電極または円筒状網型電極７を除去した実用
    新案登録請求の範囲第３項記載のプラズマプロセ
    ス装置。
JP12585888U 1988-09-26 1988-09-26 Pending JPH0247030U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12585888U JPH0247030U (ja) 1988-09-26 1988-09-26

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12585888U JPH0247030U (ja) 1988-09-26 1988-09-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0247030U true JPH0247030U (ja) 1990-03-30

Family

ID=31376835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12585888U Pending JPH0247030U (ja) 1988-09-26 1988-09-26

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0247030U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181704A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 高密度プラズマ処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58200538A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS6063919A (ja) * 1983-09-17 1985-04-12 Anelva Corp 表面処理装置
JPS60195939A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS61226925A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Anelva Corp 放電反応装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58200538A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS6063919A (ja) * 1983-09-17 1985-04-12 Anelva Corp 表面処理装置
JPS60195939A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS61226925A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Anelva Corp 放電反応装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181704A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 高密度プラズマ処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0247030U (ja)
JPS6210687B2 (ja)
JP2002319577A5 (ja) プラズマ処理装置用のプレート
JPH0235438U (ja)
JPS62148570U (ja)
JPH02294029A (ja) ドライエッチング装置
JPS63153525U (ja)
JPS6255564U (ja)
JPH0176033U (ja)
JPH02127030U (ja)
JPH0577261U (ja) ドライエッチング装置
JPS63142830U (ja)
JPH02119124A (ja) プラズマ処理装置
JPS6346839U (ja)
JPS62126362U (ja)
JPS637160U (ja)
JPH0374663U (ja)
JPH0430728U (ja)
JPH024237U (ja)
JPS63170937U (ja)
JPS62107439U (ja)
JPH0254228U (ja)
JPH0211327U (ja)
JPH0719772B2 (ja) 反応性イオンエツチング装置
JPH0797580B2 (ja) ドライエッチング装置