JP2002319577A5 - プラズマ処理装置用のプレート - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
真空処理室と、第一の電源が印加される円板状導電体を有するプラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され前記プラズマに面しない側に前記円板状導電体が接して配置されるプレートと、前記円板状導電体を介して前記プレートの温度を所定の値に制御する温度制御手段と、前記円板状導電体を介して前記プレートに高周波のバイアス電力を印加する第二の電源と、前記真空処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマ処理装置用のプレートであって、
前記プラズマ処理装置は、CF系のガスを用いた酸化膜エッチングを行うものであり、
前記プレートは、
高純度のシリコンまたはカーボンからなり、
前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項2】
真空処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電源およびバイアス用の第二の高周波電源が印加される円板状導電体を有するプラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され前記プラズマに面しない側に前記円板状導電体が接して配置されるプレートと、前記円板状導電体を介して前記プレートの温度を所定の値に制御する温度制御手段とを備え、前記バイアス用の第二の高周波電源が前記円板状導電体を介して前記プレートに印加されるプラズマ処理装置用のプレートであって、
前記プラズマ処理装置は、CF系のガスを用いた酸化膜エッチングを行うものであり、
前記プレートは、
高純度のシリコンまたはカーボンからなり、
前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項3】
請求項1または2において、前記プレートの下面と前記試料載置面上の試料との距離が30mm〜150mmであることを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項4】
請求項1または2において、前記プレートの温度を所定の値に制御する手段は、前記円板状導電体内を循環する熱媒体を有することを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項1】
真空処理室と、第一の電源が印加される円板状導電体を有するプラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され前記プラズマに面しない側に前記円板状導電体が接して配置されるプレートと、前記円板状導電体を介して前記プレートの温度を所定の値に制御する温度制御手段と、前記円板状導電体を介して前記プレートに高周波のバイアス電力を印加する第二の電源と、前記真空処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマ処理装置用のプレートであって、
前記プラズマ処理装置は、CF系のガスを用いた酸化膜エッチングを行うものであり、
前記プレートは、
高純度のシリコンまたはカーボンからなり、
前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項2】
真空処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電源およびバイアス用の第二の高周波電源が印加される円板状導電体を有するプラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され前記プラズマに面しない側に前記円板状導電体が接して配置されるプレートと、前記円板状導電体を介して前記プレートの温度を所定の値に制御する温度制御手段とを備え、前記バイアス用の第二の高周波電源が前記円板状導電体を介して前記プレートに印加されるプラズマ処理装置用のプレートであって、
前記プラズマ処理装置は、CF系のガスを用いた酸化膜エッチングを行うものであり、
前記プレートは、
高純度のシリコンまたはカーボンからなり、
前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項3】
請求項1または2において、前記プレートの下面と前記試料載置面上の試料との距離が30mm〜150mmであることを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
【請求項4】
請求項1または2において、前記プレートの温度を所定の値に制御する手段は、前記円板状導電体内を循環する熱媒体を有することを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
Claims (4)
- 真空処理室と、第一の電源を有するプラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、
前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置されたプレートと、
前記プレートの前記プラズマに面しない側に接して配置された円板状導電体と、
前記円板状導電体に高周波のバイアス電力を印加する第二の電源とを備え、
前記プレートが高純度のシリコンまたはカーボンからなり、
前記プレートの温度を所定の値に制御する手段を有し、
前記円板状導電体および前記プレートは、前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔をそれぞれ有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1において、前記プレートの下面と前記試料載置面上の試料との距離が30mm〜150mmであることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1において、前記プレートの温度を所定の値に制御する手段は、前記円板状導電体内を循環する熱媒体を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 真空処理室と、第一の電源が印加される円板状導電体を有するプラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマ処理装置用のプレートであって、
前記プレートは、
高純度のシリコンまたはカーボンからなり、
前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され、前記プラズマに面しない側に前記円板状導電体が接して配置され、
前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有し、
前記円板状導電体を介して第二の電源から高周波のバイアス電力が印加され、
温度を所定の値に制御する手段を有する、ことを特徴とするプラズマ処理装置用のプレート。
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JP2002099058A JP4073235B2 (ja) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | プラズマ処理装置用のプレート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002099058A JP4073235B2 (ja) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | プラズマ処理装置用のプレート |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002319577A JP2002319577A (ja) | 2002-10-31 |
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP2018107433A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板処理装置 |
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