JP2003163201A5 - - Google Patents

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  1. 真空処理室と、プラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室を減圧する真空排気系とを有し、試料のエッチング処理を行うと共に該処理に伴う反応生成物を前記真空排気系で排出するエッチング装置において、
    前記真空処理室内で前記試料載置面に対向する位置に配置され、前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有するプレートと、
    前記真空処理室の内壁の一部を構成する部材を100℃〜250℃の範囲に加熱して前記反応生成物の堆積を抑制する加熱手段と、エッチング処理中にガス伝熱により前記部材を放熱する手段を備えた、
    ことを特徴とするエッチング処理装置。
  2. 真空処理室と、プラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室を減圧し試料のエッチング処理に伴う反応生成物を排出する真空排気系と、前記真空処理室の内壁の一部を構成する部材を100℃〜250℃の範囲に加熱して前記反応生成物の堆積を抑制する加熱手段と、エッチング処理中にガス伝熱により前記部材を放熱する機能を備えたエッチング装置用のプレートであって、
    前記プレートは、前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され、前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有することを特徴とするエッチング処理装置用のプレート。
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