JP2005183823A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 基板を処理する処理室と、該処理室を形成するプロセスチューブと、該プロセスチューブの外側を取り囲むように周方向及び天井に敷設される断熱槽と発熱体とを有するヒータユニットと、該ヒータユニットと前記プロセスチューブとの間に形成される冷却ガスを流通させる冷却ガス通路とを備え、
   前記ヒータユニットは、該冷却ガス通路から前記冷却ガスを排出する前記天井の断熱槽の周縁部に配置される複数の排気口の開口面を有し、前記天井に敷設される発熱体が、前記開口面からの排気される前記冷却ガスの排気流路から退避させるように前記天井の断熱槽の下側における中央部に敷設されることを特徴とする基板処理装置。
2. 基板処理装置の基板を処理する処理室を形成するプロセスチューブの内部を加熱するためのヒータユニットであって、
   円筒形状の周方向及び天井に敷設される断熱槽と発熱体とを有し、
   前記天井に敷設される断熱槽には、前記冷却ガスを排出する前記天井の断熱槽の周縁部に配置される複数の排気口の開口面を有し、前記天井に敷設される発熱体が、前記開口面からの排気される前記冷却ガスの排気流路から退避させるように前記天井の断熱槽の下側における中央部に敷設されることを特徴とするヒータユニット。
3. 請求項１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
   前記ヒータユニットが前記基板を加熱する工程と、
   前記基板を前記処理室にて処理する工程と、
   前記冷却ガス通路に冷却ガスが流通する工程と、
   前記開口面から前記排気口に前記冷却ガスが排気される工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。