JP2012009484A5 - 加熱装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
本発明は、加熱装置、特に、半導体製造における被処理基板を処理室に収容して発熱体により加熱した状態で処理を施す熱処理用の加熱装置及び基板処理方法に関する。さらに詳しくは、筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体を備えた加熱装置及び基板処理方法に関する。
かかる従来の実情に鑑みて、本発明は、加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
上記実施形態において、インナシェル50の裏面には、図3に示すように、水冷管59が螺旋状に巻き付けられて溶着される。しかし、図6に示すように、水冷管59を用いずに、断熱ブランケット50aを挟むように第一フランジ50tを一対対向して設けてもよい。
また、上記実施形態において、第二の空間S2には、側壁中層としてのアウタシェル60と側壁外層としての化粧パネル70との間を連通する第一の領域としてのパイプ61と、断熱材63が封入される第二の領域とが形成される。
本発明に係る基板処理方法として、筒状の側壁内に基板を処理する処理室に基板が装填されたボードを挿入する工程と、側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている、前記処理室の外周に配置された加熱装置で前記基板を加熱して熱処理する工程と、を有する。
上記実施形態において、インナシェル50の裏面には、図3に示すように、水冷管59が螺旋状に巻き付けられて溶着される。しかし、図6に示すように、水冷管59を用いずに、断熱ブランケット50aを挟むように第一フランジ50tを一対対向して設けてもよい。
また、上記実施形態において、第二の空間S2には、側壁中層としてのアウタシェル60と側壁外層としての化粧パネル70との間を連通する第一の領域としてのパイプ61と、断熱材63が封入される第二の領域とが形成される。
本発明に係る基板処理方法として、筒状の側壁内に基板を処理する処理室に基板が装填されたボードを挿入する工程と、側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている、前記処理室の外周に配置された加熱装置で前記基板を加熱して熱処理する工程と、を有する。
Claims (3)
- 筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体を備えた加熱装置であって、
側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、前記発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている加熱装置。 - 筒状の側壁内に基板を処理する処理室に基板が装填されたボードを挿入する工程と、
側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている、前記処理室の外周に配置された加熱装置で前記基板を加熱して熱処理する工程と、
を有する基板処理方法。 - 前記第二の空間には、前記側壁中層と前記側壁外層との間を連通する第一の領域と、前記断熱材が封入される第二の領域とが形成される請求項1記載の加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010141420A JP5568387B2 (ja) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 加熱装置及び基板処理方法並びに基板処理装置 |
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JP2010141420A JP5568387B2 (ja) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 加熱装置及び基板処理方法並びに基板処理装置 |
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