JP2011139068A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011139068A5
JP2011139068A5 JP2010292775A JP2010292775A JP2011139068A5 JP 2011139068 A5 JP2011139068 A5 JP 2011139068A5 JP 2010292775 A JP2010292775 A JP 2010292775A JP 2010292775 A JP2010292775 A JP 2010292775A JP 2011139068 A5 JP2011139068 A5 JP 2011139068A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermocouple
susceptor
current
temperature reading
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010292775A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011139068A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/938,435 external-priority patent/US6962732B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2011139068A publication Critical patent/JP2011139068A/ja
Publication of JP2011139068A5 publication Critical patent/JP2011139068A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. 基板を加熱する為の装置であって、
    基板を支持するように適合されたサセプタと、
    前記サセプタの第1部分及び第2部分を加熱するように、それぞれ配置された第1加熱素子及び第2加熱素子であって、前記サセプタの前記第2部分は、前記サセプタの前記第1部分より放射状に外側にある、前記第1加熱素子及び第2加熱素子と、
    前記サセプタの前記第1部分と前記第2部分にそれぞれ結合される第1熱電対及び第2熱電対であって、各熱電対は、温度読みを生み出す、前記第1熱電対及び第2熱電対と、
    前記第1加熱素子に第1電流を供給し、前記第2加熱素子に第2電流を供給するように接続されたヒータ制御器であって、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みより高くなるように前記第1電流と前記第2電流を制御する、前記ヒータ制御器と、を備える、前記装置。
  2. 基板を加熱する為の装置であって、
    基板を支持するように適合されたサセプタと、
    前記サセプタの第1部分及び第2部分を加熱するように、それぞれ配置された第1加熱素子及び第2加熱素子であって、前記サセプタの前記第2部分は、前記サセプタの前記第1部分より放射状に外側にある、前記第1加熱素子及び第2加熱素子と、
    前記サセプタの第3部分と第4部分にそれぞれ結合される第1熱電対及び第2熱電対であって、各熱電対は、温度読みを生み出す、前記第1熱電対及び第2熱電対と、
    前記第1加熱素子に第1電流を供給し、前記第2加熱素子に第2電流を供給するように接続されたヒータ制御器と、を備え、
    前記ヒータ制御器は、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みより高くなるように前記第1電流と前記第2電流を制御し、
    前記サセプタの前記第4部分は、前記サセプタの前記第1部分と前記第2部分の間にあり、
    前記サセプタの前記第3部分は、前記サセプタの前記第4部分より放射状に内側にある、前記装置。
  3. 前記サセプタの前記第2部分は、前記サセプタの周囲付近にある、請求項1または2に記載の装置。
  4. 前記ヒータ制御器は、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みより10から20℃だけ高くなるように、前記第1電流及び前記第2電流を制御する、請求項1または2記載の装置。
  5. 前記ヒータ制御器は、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みより少なくとも10℃だけ高くなるように前記第1電流と前記第2電流を制御する、請求項1または2記載の装置。
  6. 前記サセプタを包囲する処理チャンバと、
    前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と、を更に備え、
    前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が10%以下の厚みの均一性を有するのに十分に大きな量だけ、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みを越えるように前記第1電流及び前記第2電流を制御する、請求項1または2記載の装置。
  7. 前記サセプタを包囲する処理チャンバと、
    前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と、を更に備え、
    前記ヒータ制御器は、前記基板上に形成される前記膜が6.7%以下の厚みの均一性を有するのに十分に大きな量だけ、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みを越えるように前記第1電流及び前記第2電流を制御する、請求項1または2記載の装置。
  8. 前記サセプタを包囲する処理チャンバと、
    前記基板上に膜を形成するように前記処理チャンバ内に前駆体材料を投与する手段と、を更に備え、
    前記ヒータ制御器は、前記第1熱電対と前記第2熱電対が等しい場合に生み出される膜の厚みの均一性に対し前記膜の厚みの均一性を改善する量だけ、前記第2熱電対の温度読みが前記第1熱電対の温度読みを越えるように前記第1電流及び前記第2電流を制御する、請求項1または2記載の装置。
  9. 前記第1熱電対及び前記第2熱電対は、前記ヒータ制御器にフィードバックを与えるように接続されている、請求項1または2記載の装置。
  10. 前記サセプタは、少なくとも550mm×650mmの寸法を有する基板を支持する為に十分に大きい、請求項1または2記載の装置。
JP2010292775A 2001-08-23 2010-12-28 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品 Withdrawn JP2011139068A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/938,435 US6962732B2 (en) 2001-08-23 2001-08-23 Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby
US09/938,435 2001-08-23

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003532725A Division JP2005509279A (ja) 2001-08-23 2002-08-19 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014121476A Division JP5917607B2 (ja) 2001-08-23 2014-06-12 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011139068A JP2011139068A (ja) 2011-07-14
JP2011139068A5 true JP2011139068A5 (ja) 2011-08-25

Family

ID=25471441

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003532725A Withdrawn JP2005509279A (ja) 2001-08-23 2002-08-19 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品
JP2010292775A Withdrawn JP2011139068A (ja) 2001-08-23 2010-12-28 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品
JP2014121476A Expired - Fee Related JP5917607B2 (ja) 2001-08-23 2014-06-12 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003532725A Withdrawn JP2005509279A (ja) 2001-08-23 2002-08-19 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014121476A Expired - Fee Related JP5917607B2 (ja) 2001-08-23 2014-06-12 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6962732B2 (ja)
EP (1) EP1419287A1 (ja)
JP (3) JP2005509279A (ja)
KR (2) KR20070116186A (ja)
CN (2) CN1555424B (ja)
TW (1) TWI223837B (ja)
WO (1) WO2003029517A1 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6962732B2 (en) 2001-08-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby
US7127367B2 (en) 2003-10-27 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Tailored temperature uniformity
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US7611758B2 (en) * 2003-11-06 2009-11-03 Tokyo Electron Limited Method of improving post-develop photoresist profile on a deposited dielectric film
US20050100682A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Tokyo Electron Limited Method for depositing materials on a substrate
EP1738251A2 (en) * 2004-04-16 2007-01-03 Cascade Basic Research Corp. Modelling relationships within an on-line connectivity universe
US7712434B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-11 Lam Research Corporation Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
US7429718B2 (en) * 2005-08-02 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Heating and cooling of substrate support
TWM292242U (en) * 2005-11-23 2006-06-11 Celetech Semiconductor Inc Radio frequency grounding rod
US8222574B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
CN101903996B (zh) * 2007-12-21 2013-04-03 应用材料公司 用于控制衬底温度的方法和设备
US8097082B2 (en) * 2008-04-28 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber
US8111978B2 (en) * 2008-07-11 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with shower head
JP2013538455A (ja) 2010-09-03 2013-10-10 テーエーエル・ソーラー・アーゲー 基板加熱装置
JP5254308B2 (ja) * 2010-12-27 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
TWI505400B (zh) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc 基座
US8734903B2 (en) 2011-09-19 2014-05-27 Pilkington Group Limited Process for forming a silica coating on a glass substrate
CN103094155A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 无锡华润上华科技有限公司 一种半导体器件加工设备
CN102443786A (zh) * 2011-11-08 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种改进等离子体增强化学汽相沉积薄膜均匀度的方法
KR101376956B1 (ko) 2012-05-16 2014-03-21 주식회사 유니텍스 기상 증착용 반응로 및 유기 박막의 제조 방법
US9157730B2 (en) * 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
USD717113S1 (en) 2013-03-13 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Susceptor with heater
US9543171B2 (en) * 2014-06-17 2017-01-10 Lam Research Corporation Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element
US9869017B2 (en) * 2014-07-10 2018-01-16 Applied Materials, Inc. H2/O2 side inject to improve process uniformity for low temperature oxidation process
US10460932B2 (en) * 2017-03-31 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor device with amorphous silicon filled gaps and methods for forming
CN108728828A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 中微半导体设备(上海)有限公司 Cvd设备及其温度控制方法与发热体
CN110331386A (zh) * 2019-07-09 2019-10-15 长江存储科技有限责任公司 在半导体晶圆上形成薄膜的方法
CN113151785B (zh) * 2020-01-22 2022-02-08 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种薄膜制备组件、薄膜制备方法及其应用
CN114517290A (zh) * 2022-01-21 2022-05-20 中环领先半导体材料有限公司 一种提高lto膜厚均匀性的apcvd成膜加工工艺

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0227715A (ja) * 1988-07-15 1990-01-30 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置用加熱ステージ
US5156820A (en) * 1989-05-15 1992-10-20 Rapro Technology, Inc. Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow
EP0412644A3 (en) 1989-08-08 1991-03-20 Applied Materials, Inc. Low temperature low pressure thermal cvd process for forming conformal group iii and/or group v-doped silicate glass coating of uniform thickness on integrated structure
JPH0737359B2 (ja) * 1989-08-24 1995-04-26 三菱電機株式会社 気相成長装置
US5059770A (en) 1989-09-19 1991-10-22 Watkins-Johnson Company Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US5098865A (en) * 1989-11-02 1992-03-24 Machado Jose R High step coverage silicon oxide thin films
JPH04142742A (ja) * 1990-10-03 1992-05-15 Fujitsu Ltd 温度分布制御方法
JP3068914B2 (ja) * 1991-09-30 2000-07-24 株式会社東芝 気相成長装置
JP2579809Y2 (ja) * 1991-10-04 1998-09-03 国際電気株式会社 枚葉式cvd装置
JPH05259086A (ja) * 1992-03-10 1993-10-08 Nec Kagoshima Ltd 薄膜トランジスタアレイの製造装置
US5534072A (en) 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
JP3103227B2 (ja) * 1992-12-09 2000-10-30 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH06204143A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Hitachi Ltd Cvd装置
JPH0945624A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の熱処理装置
US5844205A (en) 1996-04-19 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated substrate support structure
US5795833A (en) 1996-08-01 1998-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method for fabricating passivation layers over metal lines
JP3473297B2 (ja) 1996-11-14 2003-12-02 セイコーエプソン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、および薄膜トランジスタの製造方法
US5763021A (en) * 1996-12-13 1998-06-09 Cypress Semiconductor Corporation Method of forming a dielectric film
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US5977519A (en) 1997-02-28 1999-11-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Heating element with a diamond sealing material
US6352594B2 (en) * 1997-08-11 2002-03-05 Torrex Method and apparatus for improved chemical vapor deposition processes using tunable temperature controlled gas injectors
US6143666A (en) * 1998-03-30 2000-11-07 Vanguard International Seminconductor Company Plasma surface treatment method for forming patterned TEOS based silicon oxide layer with reliable via and interconnection formed therethrough
US6225601B1 (en) 1998-07-13 2001-05-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heating a substrate support in a substrate handling chamber
JP2002530847A (ja) 1998-11-13 2002-09-17 マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド 半導体基板を処理する熱処理装置、システム及び方法
JP4353601B2 (ja) * 2000-01-04 2009-10-28 株式会社アルバック プラズマcvd装置
US6451390B1 (en) * 2000-04-06 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Deposition of TEOS oxide using pulsed RF plasma
US6427623B2 (en) * 2000-06-23 2002-08-06 Anelva Corporation Chemical vapor deposition system
US6962732B2 (en) 2001-08-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011139068A5 (ja)
JP2005509279A5 (ja)
JP2018032854A5 (ja)
WO2012021215A3 (en) Apparatus and method for temperature control during polishing
JP2012109520A5 (ja)
RU2018103201A (ru) Способ, устройство и система, генерирующие аэрозоль, с датчиком нагретого газа
JP2008182228A5 (ja)
WO2010024943A3 (en) Wafer carrier with varying thermal resistance
JP2013123028A5 (ja)
WO2012058005A3 (en) Apparatus having improved substrate temperature uniformity using direct heating methods
MX2019014154A (es) Aparatos y metodos de secado.
JP2017010940A5 (ja) グラフェン化合物シートの形成方法
JP2012104720A5 (ja)
WO2011081645A3 (en) Adjusting substrate temperature to improve cd uniformity
JP2009076586A5 (ja)
JP2014082318A5 (ja)
WO2011094142A3 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a substrate
SG195143A1 (en) System for and method of changing temperatures of substances
WO2009099284A3 (en) Substrate supporting unit, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate supporting unit
MX2018012389A (es) Dispositivo generador de aerosol que comprende calentadores semiconductores.
JP2018004940A5 (ja)
WO2012021321A3 (en) Composite substrates for direct heating and increased temperature uniformity
JP2014220468A5 (ja)
JP2012190865A5 (ja)
TWI595562B (zh) 適應性烘烤系統、其使用方法與用於其的控制器