JP2009076586A5 - - Google Patents

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好ましくは、第１又は第６の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記ヒータの加熱温度を第１の温度とするよう前記ヒータを制御し、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは前記ヒータの加熱温度を前記第１の温度より高い第２の温度とするように前記ヒータを制御する第７の基板処理装置が提供される。
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