JP2009076586A - 基板処理装置及びそのコーティング方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板が汚染されるのを防止又は抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、内部空間が隔壁２３６により成膜空間とプラズマ生成空間２３７とに区画される反応管２０３を有している。反応管２０３に収容される基板に所望の膜を形成するときは、ノズル２３３，２４９から第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応管２０３内に供給する。他方、反応管２０３のプラズマ生成空間２３７を構成する部位を所望の膜５００でコーティングするときは、ノズル２３３から第２の処理ガスと第３の処理ガスとをプラズマ生成空間２３７に供給する。
【選択図】図３

Description

本発明は基板処理装置及びそのコーティング方法に関し、特に基板が収容される反応管の内部に基板の汚染源が侵入するのを防止又は抑制することができる技術に関する。
基板が収容される反応管の内部で基板処理を行う基板処理装置では、複数種類の処理ガスを反応管の内部に供給することがあるが、反応管の内部空間を成膜空間とプラズマ生成空間とに区画し、それら処理ガスのうち、一方を成膜空間に直接的に供給し、他方をプラズマ生成空間でプラズマ励起させてから成膜空間に供給する場合がある。この場合、プラズマの生成に伴い、反応管を構成する石英中でイオンが発生し、そのイオン化した汚染物質が反応管を透過して成膜空間に侵入し、基板を汚染するときがある。そのため、反応管の内壁を事前に膜でコーティングし、イオン化した汚染物質の成膜空間への侵入を抑制している（例えば特許文献１参照）。
国際公開第２００４／０４４９７０号パンフレット
しかしながら、反応管の内壁を膜でコーティングしたとしても、反応管の内部空間は通常、隔壁により成膜空間とプラズマ生成空間とに区画されているため、主に反応管の成膜空間を構成する部位のみがコーティングされ、反応管のプラズマ生成空間を構成する部位が十分にコーティングされないことがある。この場合、成膜処理におけるプラズマの生成に伴い、汚染物質のイオンが反応管のプラズマ生成空間を構成する部位を透過してプラズマ生成空間に侵入し、そこから成膜空間に侵入して基板を汚染するときがある。
本発明の主な目的は、基板の汚染源が反応管を透過して基板を汚染するのを防止又は抑制することができる基板処理装置及びそのコーティング方法を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
基板が収容される反応管であって、内部空間が、基板に所望の膜が形成される成膜空間とプラズマが生成されるプラズマ生成空間とに区画される前記反応管と、
前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記プラズマ生成空間に配置された少なくとも１対の電極と、
前記反応管内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
少なくとも前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、
を有し、
前記ガス供給ユニットは、
前記成膜空間に、第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
前記プラズマ生成空間に、第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
前記プラズマ生成空間に、前記第１の処理ガスと同じ種類の第３の処理ガスを供給する第３のガス供給ラインと、
を含み、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは、少なくとも前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記ガス供給ユニットを制御し、
少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは、少なくとも前記第２の処理ガスと前記第３の処理ガスとを供給するように前記ガス供給ユニットを制御することを特徴とする第１の基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する反応管と、
前記反応管に収容される基板を加熱するヒータと、
前記反応管内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
前記反応管内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記反応管内に供給された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させるための少なくとも１対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
少なくとも前記ヒータ、前記第１のガス供給ライン及び前記第２のガス供給ラインを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記第１のガス供給ラインと前記第２のガス供給ラインとを制御するとともに、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記ヒータの加熱温度を異なる温度とするように前記ヒータを制御することを特徴とする第２の基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する反応管と、
前記反応管に収容される基板を加熱するヒータと、
前記反応管内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
前記反応管内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記反応管内に供給された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させるための少なくとも１対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
少なくとも前記第１のガス供給ライン、前記第２のガス供給ライン及び前記高周波電力供給ユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記第１のガス供給ラインと前記第２のガス供給ラインとを制御するとともに、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記電極に高周波電力を供給するように前記高周波電力供給ユニットを制御し、少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を膜でコーティングするときは前記電極に高周波電力を供給しないように前記高周波電力供給ユニットを制御することを特徴とする第３の基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板が収容される反応管であって、内部空間が、基板に所望の膜が形成される成膜空間とプラズマが生成されるプラズマ生成空間とに区画される前記反応管と、
前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記プラズマ生成空間に配置された少なくとも１対の電極と、
前記反応管内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
を有する基板処理装置において、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするコーティング方法であって、
前記プラズマ生成空間に第１の処理ガスを供給する工程と、
前記反応管内の雰囲気を排気する工程と、
前記プラズマ生成空間に第２の処理ガスを供給する工程と、
前記反応管内の雰囲気を排気する工程と、
を有することを特徴とする基板処理装置のコーティング方法が提供される。
本発明の一態様に係る第１の基板処理装置によれば、反応管の一定部位を膜でコーティングするときにプラズマ生成空間に第２の処理ガスと第３の処理ガスとを供給するから、少なくとも反応管のプラズマ生成空間を構成する部位が膜でコーティングされる。そのため、実際に基板に膜を形成するときにプラズマ生成空間にプラズマを生成させたとしても、基板の汚染源が反応管のプラズマ生成空間を構成する部位を透過するのを阻止することができる。以上から、基板の汚染源が反応管を透過して基板を汚染するのを防止又は抑制することができる。
本発明の他の態様に係る第２の基板処理装置によれば、基板に膜を形成するときと反応管の電極近傍部位を膜でコーティングするときとで、ヒータの加熱温度を異ならせるから、例えば、反応管のコーティング時の加熱温度を基板への膜形成時の加熱温度より高くすれば、反応管内でプラズマを生成させなくても反応管の電極近傍部位を膜でコーティングすることができる。そのため、実際に基板に膜を形成するときに反応管内でプラズマを生成させたとしても、基板の汚染源が反応管の電極近傍部位を透過するのを阻止することができる。以上から、基板の汚染源が反応管を透過して基板を汚染するのを防止又は抑制することができる。
本発明の他の態様に係る第３の基板処理装置によれば、反応管の電極近傍部位を膜でコーティングするときは電極に高周波電力を供給しないから、そのコーティング時に基板の汚染源が反応管の電極近傍部位を透過するのを抑制することができる。また、例えば、ヒータの加熱温度を高温にすれば、反応管内でプラズマを生成させなくても反応管の電極近傍部位を膜でコーティングすることができる。そのため、実際に基板に膜を形成するときに電極に高周波電力を供給して反応管内でプラズマを生成させたとしても、基板の汚染源が反応管の電極近傍部位を透過するのを阻止することができる。以上から、基板の汚染源が反応管を透過して基板を汚染するのを防止又は抑制することができる。
本発明の他の態様に係るコーティング方法によれば、プラズマ生成空間に第１の処理ガスと第２の処理ガスとを供給するから、少なくとも反応管のプラズマ生成空間を構成する部位が膜でコーティングされる。そのため、実際に基板に膜を形成するときにプラズマ生成空間にプラズマを生成させたとしても、基板の汚染源が反応管のプラズマ生成空間を構成する部位を透過するのを阻止することができる。以上から、基板の汚染源が反応管を透過して基板を汚染するのを防止又は抑制することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態を説明する。
［第１の実施形態］
本実施形態に係る基板処理装置は、半導体装置集積回路（ＩＣ（Integrated Circuits））の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し熱処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
図１に示す通り、基板処理装置１０１では、基板の一例となるウエハ２００を収納したカセット１１０が使用されており、ウエハ２００はシリコン等の材料から構成されている。基板処理装置１０１は筐体１１１を備えており、筐体１１１の内部にはカセットステージ１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工場内搬送装置（図示略）によって搬入されたり、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。
カセットステージ１１４は、工場内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢を保持しかつカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部にはカセット棚１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。
カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構１１８ｂとで構成されている。カセット搬送装置１１８はカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセットステージ１１４とカセット棚１０５と予備カセット棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成されている。ウエハ移載装置１２５ａにはウエハ２００をピックアップするためのツイーザ１２５ｃが設けられている。ウエハ移載装置１２５はウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作により、ツイーザ１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ウエハ２００をボート２１７に対して装填（チャージング）したり、ボート２１７から脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
筐体１１１の後部上方には、ウエハ２００を熱処理する処理炉２０２が設けられており、処理炉２０２の下端部が炉口シャッタ１４７により開閉されるように構成されている。
処理炉２０２の下方には処理炉２０２に対しボート２１７を昇降させるボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台にはアーム１２８が連結されており、アーム１２８にはシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持するとともに、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数の保持部材を備えており、複数枚（例えば５０〜１５０枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
カセット棚１０５の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ａが設置されている。クリーンユニット１３４ａは供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ｂが設置されている。クリーンユニット１３４ｂも供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアをウエハ移載装置１２５ａやボート２１７等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａやボート２１７等の近傍を流通した後に、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
次に、基板処理装置１０１の主な動作について説明する。
工場内搬送装置（図示略）によってカセット１１０がカセットステージ１１４上に搬入されると、カセット１１０は、ウエハ２００がカセットステージ１１４の上で垂直姿勢を保持し、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、筐体１１１の後方に右周り縦方向９０°回転させられる。
その後、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、後続のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、処理炉２０２の下端部を閉じていた炉口シャッタが開き、処理炉２０２の下端部が開放される。その後、ウエハ２００群を保持したボート２１７がボートエレベータ１１５の上昇動作により処理炉２０２内に搬入（ローディング）され、処理炉２０２の下部がシールキャップ２１９により閉塞される。
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に対し任意の熱処理が実施される。その熱処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ２００およびカセット１１０が筐体１１１の外部に搬出される。
図２に示す通り、処理炉２０２には加熱装置であるヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は断熱材とヒータ素線とを有し、断熱材をヒータ素線で取り巻いた構成を有している（図示略）。ヒータ２０７の内側には、基板の一例であるウエハ２００が収容される反応管２０３が設けられている。反応管２０３は石英で構成されている。反応管２０３の下端開口はＯリング２２０を介して蓋体であるシールキャップ２１９により気密に閉塞されている。本実施形態では、少なくとも、反応管２０３及びシールキャップ２１９により処理室２０１が形成されている。
シールキャップ２１９にはボート支持台２１８を介して基板保持部材であるボート２１７が立設されている。ボート支持台２１８はボートを保持する保持体となっている。ボート２１７は処理室２０１に挿入されている。ボート２１７にはバッチ処理される複数枚のウエハ２００が水平姿勢を保持した状態で図２中上下方向に多段に積載されている。ヒータ２０７は処理室２０１に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
処理室２０１の下部には複数種類の処理ガスを供給する３本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂ，３００が接続されている。
ガス供給管２３２ａには、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。ガス供給管２３２ａにはＮＨ３ガス等の処理ガスが流入され、その処理ガスが反応管２０３内に形成されたバッファ室２３７（後述参照）を介して処理室２０１に供給される。
ガス供給管２３２ｂには、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、ガス溜め部２４７及び開閉弁であるバルブ２４３ｃが設けられている。ガス供給管２３２ｂにはＤＣＳガス等の処理ガスが流入され、その処理ガスがガス供給部２４９（後述参照）を介して処理室２０１に供給される。
ガス供給管３００には、流量制御装置であるマスフローコントローラ３０２及び開閉弁であるバルブ３０４が設けられている。ガス供給管３００にはＤＣＳガス等の処理ガスが流入され、その処理ガスが反応管２０３内に形成されたバッファ室２３７（後述参照）を介して処理室２０１に供給される。
以上のガス供給管２３２ａ，２３２ｂ，３００にはガス供給管３１０，３２０，３３０がそれぞれ接続されている。ガス供給管３１０，３２０，３３０には流量制御装置であるマスフローコントローラ３１２，３２２，３３２及び開閉弁であるバルブ３１４，３２４，３３４がそれぞれ設けられている。ガス供給管３１０，３２０，３３０にはＮ２等の不活性ガスが流入される。
処理室２０１には処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気管２３１の一端部が接続されている。ガス排気管２３１にはバルブ２４３ｄが設けられている。ガス排気管２３１の他端部は排気装置である真空ポンプ２４６に接続されており、処理室２０１内が真空排気されるようになっている。バルブ２４３ｄは弁を開閉して処理室２０１の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
図３に示す通り、処理室２０１を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間には石英製の隔壁２３６が設けられている。隔壁２３６は端部が反応管２０３の内壁に密着した状態で図３中の紙面の裏側から表側に向けて（図２中上下方向）に延在している。図２に示す通り隔壁２３６の上下端も反応管２０３の内壁に密着しており、隔壁２３６の内部には隔壁２３６と反応管２０３の一部とで囲まれたバッファ室２３７が形成されている。すなわち、反応管２０３の内部空間が隔壁２３６で区画されている。
隔壁２３６のウエハ２００に対向配置された部位には複数のガス供給孔２４８ａが設けられている。ガス供給孔２４８ａは反応管２０３の中心へ向けて開口している。ガス供給孔２４８ａは、図２中下方から上方にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
バッファ室２３７のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル２３３が設けられている。ノズル２３３にはガス供給管２３２ａが接続されており、ガス供給管２３２ａの中途部にはガス供給管３００が接続されている。ノズル２３３は、反応管２０３の下部より上部にわたり図２中上下方向に沿って延在している。
ノズル２３３には複数のガス供給孔２４８ｂが設けられている。ガス供給孔２４８ｂは、バッファ室２３７内と処理室２０１内との差圧が小さい場合には、ガスの上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチで設けられ、逆に差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積が大きいか、又は開口ピッチが小さくなっている。
本実施形態においては、ガス供給孔２４８ｂの開口面積は上流側から下流側にかけて徐々に大きくなっている。このように構成することで、ガスが各ガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７に噴出される際には、そのガスは流速に差はあるが流量はほぼ同量となり、その後当該ガスはバッファ室２３７内において粒子速度差が緩和され、ガス供給孔２４８ａから処理室２０１に噴出される。よって、ガス供給孔２４８ｂから噴出されたガスは、ガス供給孔２４８ａから噴出される際には均一な流量と流速とを有する。
バッファ室２３７には、細長い構造を有する１対の棒状電極２６９，２７０が設けられている。棒状電極２６９，２７０は図２中上方から下方に向けて延在しており、棒状電極２６９，２７０は電極保護管２７５に被覆され保護されている。棒状電極２６９，２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。棒状電極２６９，２７０に高周波電力が供給されると、その棒状電極２６９，２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。本実施形態では、少なくとも整合器２７２及び高周波電源２７３で高周波電力供給ユニットが形成されている。
電極保護管２７５は、棒状電極２６９，２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７に挿入できる構造となっている。電極保護管２７５の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された棒状電極２６９，２７０はヒータ２０７の加熱で酸化されてしまう。そこで本実施形態では、棒状電極２６９，２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられており（図示略）、電極保護管２７５の内部は窒素などの不活性ガスで充填あるいはパージされ、酸素濃度が充分低く抑えられている。
図３に示す通り、反応管２０３の内部にはガス供給部２４９（ノズル）が設けられている。ガス供給部２４９にはガス供給管２３２ｂが接続されている。ガス供給部２４９は、反応管２０３の中央部を中心としてガス供給孔２４８ａの位置から約６０°程度ずれた位置に設けられている。ガス供給部２４９は、ＡＬＤ法による成膜においてウエハ２００へ、複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室２３７とガス供給種を分担する供給部である。
ガス供給部２４９には、ウエハ２００と対向する位置に複数のガス供給孔２４８ｃが設けられている。ガス供給孔２４８ｃは図２中上下方向に延在している。
ガス供給孔２４８ｃの開口面積は、ガス供給部２４９内と処理室２０１内との差圧が小さい場合には、ガスの上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくすると良い。本実施形態においては、ガス供給孔２４８ｃの開口面積は上流側から下流側にかけて徐々に大きくなっている。
図２に示す通り、反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられている。ボート２１７はボートエレベータ１１５（図１参照）により反応管２０３に出入りできるようになっている。ボート２１７の下方には、処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転させるための回転装置であるボート回転機構２６７が設けられている。ボート回転機構２６７を回転させることにより、ボート支持台２１８に保持されたボート２１７を回転させるようになっている。
制御手段であるコントローラ２８０は、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，３０２，３１２，３２２，３３２、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，３０４，３１４，３２４，３３４、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、高周波電源２７３、整合器２７２等に接続されている。
本実施形態では、コントローラ２８０により、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，３０２，３１２，３２２，３３２の流量調整、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，３０４，３１４，３２４，３３４の開閉動作、バルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作制御、高周波電源２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御等が行われる。
次に、ＡＬＤ法による成膜例について、半導体デバイスの製造工程の一つである、ＤＣＳガス及びＮＨ３ガスを用いてＳｉＮ膜を成膜する例を説明する。
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法の中の１つであるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となる処理ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
利用する化学反応は、例えばＳｉＮ（窒化珪素）膜形成の場合ＡＬＤ法ではＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）とＮＨ３（アンモニア）を用いて３００〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の処理ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、処理ガス供給のサイクル数で制御する。（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。）
後述の成膜処理に先立ち、始めに下記のコーティング処理を行う。なお、下記のコーティング処理ではウエハ２００を反応管２０３に収容しない状態で行う。
［コーティング処理］
ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ａに流入させた状態でバルブ２４３ａ，２４３ｄを開ける。ＮＨ３ガスをマスフローコントローラ２４１ａで流量調整しながらノズル２３３のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７に噴出させ、ＮＨ３ガスをガス供給孔２４８ａから処理室２０１に供給しつつガス排気管２３１から排気する。このとき、棒状電極２６９，２７０には高周波電力を供給せず、ＮＨ３ガスをプラズマ励起させない。またヒータ２０７を制御してバッファ室２３７の温度を５８０〜６３０℃の範囲に設定する。一定時間経過したら、バルブ２４３ａを閉じてＮＨ３ガスの供給を停止するとともに、Ｎ２ガスをガス供給管３１０に流入させた状態でバルブ３１４を開いてＮ２ガスで処理室２０１等のＮＨ３ガスをパージする。
その後、ＤＣＳガスをガス供給管３００に流入させた状態でバルブ３０４を開ける。ＤＣＳガスをマスフローコントローラ３０２で流量調整しながらノズル２３３のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７に噴出させ、ＤＣＳガスをガス供給孔２４８ａから処理室２０１に供給しつつガス排気管２３１から排気する。その結果、主に、反応管２０３のバッファ室２３７を構成する部位の内壁と隔壁２３６の内壁とにＳｉＮ膜５００が形成される。また、上記の処理では、ＮＨ３ガスとＤＣＳガスとがバッファ室２３７を通過してガス供給孔２４８ａから処理室２０１にも供給されるから、ＳｉＮ膜５００の形成と併せて、反応管２０３の成膜空間を構成する部位の内壁と隔壁２３６の外壁とにＳｉＮ膜５１０も形成される。
一定時間経過したら、バルブ３０４を閉じてＤＣＳガスの供給を停止するとともに、Ｎ２ガスをガス供給管３３０に流入させた状態でバルブ３３４を開いてＮ２ガスで処理室２０１等のＤＣＳガスをパージする。
以上の処理を複数回繰り返し、主に、バッファ室２３７の内部を所定膜厚のＳｉＮ膜５００でコーティングする。後述の成膜処理で電極２６９，２７０に５０Ｗの高周波電力を供給する場合には、コーティングはＳｉＮ膜５００の膜厚が１５０Å以上に達するまで続ける。ＳｉＮ膜５００の膜厚を１５０Å以上とすれば、電極２６９，２７０に５０Ｗの高周波電力を供給しても、ウエハ２００の汚染源であるＮａのバッファ室２３７への侵入を１×１０１０atoms/cm2以下に抑制することができる。汚染源のＮａの侵入量は電極２６９，２７０への高周波電力量（放電パワー）に比例して増大すると考えられている。
なお、上記のコーティング処理では、ＤＣＳガスに代えてこれと同種のガス（Ｓｉを含むガス）を用いてもよい。
更に、上記のコーティング処理では、バッファ室２３７の内部のＳｉＮ膜５００でのコーティングに伴い、結果的にバッファ室２３７の外部を同時にＳｉＮ膜５１０でコーティングするような構成となっているが、バッファ室２３７の内部のＳｉＮ膜５００でのコーティング処理とは別個に、バッファ室２３７の外部をＳｉＮ膜５１０でコーティングするような構成としてもよい。
バッファ室２３７の外部をコーティングする場合は、下記のような処理を行う。
ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ａに流入させた状態でバルブ２４３ａ，２４３ｄを開ける。ＮＨ３ガスをマスフローコントローラ２４１ａで流量調整しながらノズル２３３のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７に噴出させ、ガス供給孔２４８ａから処理室２０１に供給しつつガス排気管２３１から排気する。このとき、棒状電極２６９，２７０には高周波電力を供給せず、ＮＨ３ガスをプラズマ励起させない。またヒータ２０７を制御してバッファ室２３７の温度を５８０〜６３０℃の範囲に設定する。一定時間経過したら、バルブ２４３ａを閉じてＮＨ３ガスの供給を停止するとともに、Ｎ２ガスをガス供給管３１０に流入させた状態でバルブ３１４を開いてＮ２ガスで処理室２０１等のＮＨ３ガスをパージする。
その後、ＤＣＳガスをガス供給管２３２ｂに流入させた状態でバルブ２４３ｂ，２４３ｃを開ける。ＤＣＳガスをマスフローコントローラ２４１ｂで流量調整しながらガス供給部２４９のガス供給孔２４８ｃから処理室２０１に噴出させ、ＤＣＳガスを処理室２０１に供給しつつガス排気管２３１から排気する。その結果、主に、反応管２０３の内壁と隔壁２３６の外壁とにＳｉＮ膜５１０が形成される。一定時間経過したら、バルブ２４３ｂ，２４３ｃを閉じてＤＣＳガスの供給を停止するとともに、Ｎ２ガスをガス供給管３２０に流入させた状態でバルブ３２４を開いてＮ２ガスで処理室２０１等のＤＣＳガスをパージする。
以上の処理を複数回繰り返し、主に、処理室２０１の内部であってバッファ室２３７の外部を所定膜厚のＳｉＮ膜５１０でコーティングする。
［成膜処理］
次に、ウエハ２００への成膜処理を行う。
成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理室２０１に搬入する。搬入後は次の４つのステップの処理を順次実行する。
（ステップ１）
ステップ１では、プラズマ励起の必要なＮＨ３ガスと、プラズマ励起の必要のないＤＣＳガスとを並行して流す。
始めに、ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ａに流入させた状態で、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａとガス排気管２３１のバルブ２４３ｄとを共に開ける。ＮＨ３ガスをマスフローコントローラ２４１ａにより流量調整しながらノズル２３３のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７へ噴出させる。この状態で、棒状電極２６９，２７０に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を供給し、ＮＨ３ガスをプラズマ励起させ活性種として処理室２０１に供給しつつガス排気管２３１から排気する。
ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、バルブ２４３ｄを適正に調整して処理室２０１内圧力を１０〜１００Ｐａの範囲であって、例えば５０Ｐａに維持する。マスフローコントローラ２４１ａを制御して、ＮＨ３ガスの供給流量を１〜１０ｓｌｍの範囲であって、例えば５ｓｌｍとする。ＮＨ３ガスをプラズマ励起させることにより得られた活性種をウエハ２００に晒す時間を２〜１２０秒間とする。このとき、ヒータ２０７を制御してウエハ２００の温度を３００〜６００℃（好ましくは４５０〜５５０℃）の範囲であって、例えば５３０℃に設定する。ＮＨ３ガスは反応温度が高いため、上記ウエハ温度では反応しない。本実施形態では、ＮＨ３ガスをプラズマ励起させ活性種としてから流すようにしており、当該処理はウエハ２００の温度を低い温度範囲に設定したままで行える。
ＮＨ３ガスをプラズマ励起させることにより活性種として供給しているとき、ガス供給管２３２ｂの上流側のバルブ２４３ｂを開け、下流側のバルブ２４３ｃを閉めて、ＤＣＳガスも流すようにする。これにより、バルブ２４３ｂ，２４３ｃ間に設けたガス溜め部２４７にＤＣＳガスを溜める。このとき、処理室２０１内に流しているガスはＮＨ３をプラズマ励起させることにより得られた活性種であり、処理室２０１にはＤＣＳガスは存在しない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことなく、プラズマにより励起され活性種となったＮＨ３ガスがウエハ２００上の下地膜などの表面部分と表面反応（化学吸着）する。
（ステップ２）
ステップ２では、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａを閉めてＮＨ３ガスの供給を停止し、その一方で引き続きＤＣＳガスを流し続けてガス溜め部２４７へのＤＣＳガスの供給を継続する。ガス溜め部２４７に所定圧、所定量のＤＣＳガスが溜まったら、上流側のバルブ２４３ｂも閉めて、ガス溜め部２４７にＤＣＳガスを閉じ込めておく。また、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１の雰囲気を２０Ｐａ以下に排気し、処理室２０１に残留したＮＨ３ガスを処理室２０１から排除する。
また、このときには、Ｎ２ガスをガス供給管３１０に流入させた状態でバルブ３１４を開き、Ｎ２ガスを処理室２０１に供給してもよく、この場合には処理室２０１に残留したＮＨ３ガスを排除する効果が更に高まる。ガス溜め部２４７内には、圧力が２００００Ｐａ以上になるようにＤＣＳガスを溜める。ガス溜め部２４７と処理室２０１との間のコンダクタンスが１．５×１０−３ｍ３／ｓ以上になるように装置を構成する。
例えば、反応管２０３の容積とこれに対する必要なガス溜め部２４７の容積との比として考えると、反応管２０３の容積が１００ｌ（リットル）である場合においては、ガス溜め部２４７の容積は１００〜３００ｃｃであることが好ましく、容積比としてはガス溜め部２４７の容積を反応管２０３の容積の１／１０００〜３／１０００倍とすることが好ましい。
（ステップ３）
ステップ３では、処理室２０１の排気が終わったら、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄを閉じて排気を止める。ガス供給管２３２ｂの下流側のバルブ２４３ｃを開く。これにより、ガス溜め部２４７に溜められたＤＣＳガスが、ガス供給部２４９のガス供給孔２４８ｃを通じて処理室２０１に一気に供給される。このとき、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄが閉じられているので、処理室２０１内の圧力は急激に上昇して約９３１Ｐａ（７Ｔｏｒｒ）まで昇圧される。ＤＣＳガスを供給するための時間を２〜４秒と設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を２〜４秒に設定し、合計６秒とする。このとき、ヒータ２０７を制御してウエハ２００の温度をＮＨ３ガスの供給時と同じく、３００〜６００℃（好ましくは４５０〜５５０℃）の範囲内であって例えば５３０℃に維持する。ＤＣＳガスの供給により、ウエハ２００の表面に化学吸着したＮＨ３とＤＣＳとが反応（化学吸着）して、ウエハ２００上にＳｉＮ膜が形成される。
（ステップ４）
成膜後のステップ４では、バルブ２４３ｃを閉じ、バルブ２４３ｄを開けて処理室２０１を真空排気し、処理室２０１に残留したＤＣＳガスであって成膜に寄与した後のＤＣＳガスを排除する。また、このときには、Ｎ２ガスをガス供給管３２０に流入させた状態でバルブ３２４を開き、Ｎ２ガスを処理室２０１に供給してもよく、この場合には処理室２０１に残留したＤＣＳガスであって成膜に寄与した後のＤＣＳガスを処理室２０１から排除する効果が更に高まる。そして、バルブ２４３ｂを開いて、ガス溜め部２４７へのＤＣＳガスの供給を開始する。
上記ステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＮ膜を形成する。
ＡＬＤ装置では、ガスはウエハ２００の表面部分に化学吸着する。このガスの吸着量は、ガスの圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを、短時間で吸着させるためには、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この点で、本実施形態では、バルブ２４３ｄを閉めたうえで、ガス溜め部２４７内に溜めたＤＣＳガスを瞬間的に供給しているので、処理室２０１内のＤＣＳガスの圧力を急激に上げることができ、希望する一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
また、本実施形態では、ガス溜め部２４７にＤＣＳガスを溜めている間に、ＡＬＤ法で必要なステップであるＮＨ３ガスをプラズマ励起させることにより活性種として供給、及び処理室２０１の排気をしているので、ＤＣＳガスを溜めるための特別なステップを必要としない。また、処理室２０１内を排気してＮＨ３ガスを除去してからＤＣＳガスを流すので、両者はウエハ２００に向かう途中で反応しない。供給されたＤＣＳガスは、ウエハ２００に吸着しているＮＨ３とのみ有効に反応させることができる。
以上の実施形態では、ウエハ２００への成膜処理に先立ち上記のコーティング処理を実行するから、反応管２０３のバッファ室２３７を構成する部位を特異的にＳｉＮ膜５００でコーティングすることができる。そのため、実際にウエハ２００にＳｉＮ膜を形成するときにステップ１でバッファ室２３７にプラズマを生成させたとしても、ウエハ２００の汚染源であるＮａイオンが反応管２０３のバッファ室２３７を構成する部位を透過するのを阻止することができ、ひいてはウエハ２００の汚染源が反応管２０３を透過してウエハ２００を汚染するのを防止又は抑制することができる。
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置１０１の比較例として、図４の構成を想定することができる。当該構成では、ＮＨ３ガスをバッファ室２３７に供給する機構（ノズル２３３に接続されるガス供給管２３２ａ等）のみが設けられ、ＤＣＳガスをバッファ室２３７に供給する機構（ノズル２３３に連通するガス供給管３００等）が設けられていない。この場合、バッファ室２３７にはＤＣＳガスを直接的に供給することができず、バッファ室２３７の内部をコーティング処理するための十分なＤＣＳガスを供給することができない。従って、比較例におけるコーティング処理では、基本的にバッファ室２３７の内部のコーティング処理を十分に実行できず、処理室２０１の内部であってバッファ室２３７の外部を所定膜厚のＳｉＮ膜５１０でコーティングするに過ぎない。
そのため、比較例におけるコーティング処理後の成膜処理では、特にＮＨ３ガスのプラズマ励起時において反応管２０３の外部でＮａイオンが発生し、そのＮａイオンが反応管２０３のバッファ室２３７を構成する部位を透過してバッファ室２３７に侵入し、ウエハ２００を汚染する可能性がある（図４参照）。
Ｎａの発生源は解明されていないが、現時点では電極２６９，２７０やヒータ２０７の断熱材等であると考えられている。ヒータ２０７の断熱材がＮａ発生源と考えられているのは、当該断熱材中にはＮａが多く含まれているからである。
更に、上記の通り、ＮＨ３ガスのプラズマ励起時においてバッファ室２３７でプラズマを生成すると、反応管２０３の外部でＮａが吸着し、プラズマ励起時に石英中でＮａイオンの状態となり、そのＮａイオンがバッファ室２３７の内部に侵入する。Ｎａがイオン化される理由については解明されていない。しかし、Ｎａイオンがバッファ室２３７に侵入する経緯は下記のように考えられている。
Ｎａイオンのイオン半径は約１．６Åである。これに対し、反応管２０３を構成する石英は、Ｓｉ−Ｏを構成単位としてその構成単位が鎖状に連結したクリストバライト（cristobalite）といわれる網状構造を有し、その網目の半径（空隙の半径）が約１．７Åである。石英の温度が高くなると、当該網目の半径は大きくなり（空隙は拡がり）、反応管２０３が高温になるほどＮａイオンが石英材料内を自由に動き回ることが可能となる。その結果、Ｎａイオンが反応管２０３を透過してバッファ室２３７に侵入し、最終的にウエハ２００に付着する。
このような現象に対し、本実施形態では、バッファ室２３７の内部に連通するガス供給管３００を設け、上記コーティング処理によりバッファ室２３７の内部をＳｉＮ膜５００でコーティングするから、反応管２０３の外部で発生するＮａイオンが反応管２０３を透過してバッファ室２３７に侵入するのを防止又は抑制することができ、ひいてはウエハ２００の汚染を未然に回避することができる。すなわち、本実施形態では、ＳｉＮ膜５００はその分子間距離がＮａのイオン半径より小さく、ＮａイオンはＳｉＮ膜５００によりバッファ室２３７への侵入が防止又は抑制されると考えられる。
［第２の実施形態］
第２の実施形態は主に下記の点で第１の実施形態と異なっており、それ以外は第１の実施形態と同様となっている。
図３のノズル２３３に加えて、図５に示す通り、バッファ室２３７の内部にはノズル４００が設けられている。ノズル４００にはガス供給管３００が接続されている。ノズル４００は、反応管２０３の下部より上部にわたり図２中上下方向に沿って延在している。ノズル４００にはガス供給孔２４８ｂと同様のガス供給孔４０２が設けられている。
コーティング処理では、バッファ室２３７にＤＣＳガスを供給するときに、ＤＣＳガスをガス供給管３００からノズル４００に流入させ、ノズル４００のガス供給孔４０２からバッファ室２３７に噴出させる。
以上の実施形態でも、ＤＣＳガスを直接的にバッファ室２３７に供給可能であるから、反応管２０３のバッファ室２３７を構成する部位をＳｉＮ膜５００でコーティングすることができ、ひいてはウエハ２００の汚染源が反応管２０３を透過してウエハ２００を汚染するのを防止又は抑制することができる。
［第３の実施形態］
第３の実施形態は主に下記の点で第１の実施形態と異なっており、それ以外は第１の実施形態と同様となっている。
図３のノズル２３３に代えて、図６に示す通り、バッファ室２３７にはノズル４１０が設けられている。ノズル４１０は反応管２０３の外部で２本に分岐しており、その一方にはガス供給管２３２ａが接続され、他方にはガス供給管３００が接続されている。ノズル４１０は反応管２０３の下部より上部にわたり図２中上下方向に沿って延在しており、ノズル４１０には図３のガス供給孔２４８ｂと同様のガス供給孔４１２が設けられている。
コーティング処理では、バッファ室２３７にＮＨ３ガスを供給するときに、ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ａからノズル４１０に流入させ、ノズル４１０のガス供給孔４１２からバッファ室２３７に噴出させる。バッファ室２３７にＤＣＳガスを供給するときは、ＤＣＳガスをガス供給管３００からノズル４１０に流入させ、ノズル４１０のガス供給孔４１２からバッファ室２３７に噴出させる。
ステップ１〜４の成膜処理でも、バッファ室２３７にＮＨ３ガスを供給するときは、ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ａからノズル４１０に流入させ、ノズル４１０のガス供給孔４１２からバッファ室２３７に噴出させる。
以上の実施形態でも、ＤＣＳガスを直接的にバッファ室２３７に供給可能であるから、反応管２０３のバッファ室２３７を構成する部位をＳｉＮ膜５００でコーティングすることができ、ひいてはウエハ２００の汚染源が反応管２０３を透過してウエハ２００を汚染するのを防止又は抑制することができる。
なお、第１〜第３の実施形態では、コーティング処理において、ＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互にバッファ室２３７に供給するＡＬＤ法により、バッファ室２３７の内部をＳｉＮ膜５００でコーティングしたが、特に第２，第３の実施形態では、ＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを同時にバッファ室２３７に供給するＣＶＤ法により、バッファ室２３７の内部をＳｉＮ膜５００でコーティングしてもよい。
他方、第１の実施形態では、ＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互にバッファ室２３７に供給するＡＬＤ法によってのみ、バッファ室２３７の内部をＳｉＮ膜５００でコーティングすることが可能であり、基本的にはＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを同時にバッファ室２３７に供給するＣＶＤ法により、バッファ室２３７の内部をＳｉＮ膜５００でコーティングするのは好ましくない。
ＣＶＤ法によるコーティングが好ましくないのは、ＮＨ３ガスとＤＣＳガスとが混合される場合に、３００℃以下の温度環境下ではＮＨＣｌ４が生成され、当該ＮＨＣｌ４が副生成物としてガス供給管２３２ａ，３００（特にガス供給管２３２ａ，３００の接続部近傍）等に付着するからであり、その副生成物の生成を防止するため３００℃以上の温度環境を整備しようとしても、現実的にはガス供給管２３２ａ，３００を３００℃以上の温度に加熱するのが困難であるからである。そのため、第１の実施形態においては、バッファ室２３７の内部をＳｉＮ膜５００でコーティングするにはＡＬＤ法を用いるのが好適である。
また、第２，第３の実施形態においてＣＶＤ法を用いてバッファ室２３７の内部をコーティングすることが可能といっても、第１〜第３の実施形態では、ＡＬＤ法を用いてバッファ室２３７を含む反応管２０３の内部をコーティングするのが好適である。
下記表１に示す通り、ＡＬＤ法を用いたコーティングではその処理に要する時間が３００分程度であるのに対し、ＣＶＤ法を用いたコーティングではその処理に要する時間が１０分程度と短縮され、ＣＶＤ法を用いたコーティングのほうがスループットに優れているように思われる。
Figure 2009076586
他方、ＡＬＤ法，ＣＶＤ法を用いたコーティング時の温度を比較すると、ＡＬＤ法を用いたコーティングではその温度が６００℃程度であるのに対し、ＣＶＤ法を用いたコーティングではその温度が７８０℃程度と高く、高温での処理が必要となる。しかし、処理室２０１の下部を構成する部材（シールキャップ２１９等）の耐熱温度を考慮すると、反応管２０３の下部の限界温度は６５０℃程度である。そのため、ＣＶＤ法を用いたコーティングではそのような温度で処理を実現することが困難であり、第１〜第３の実施形態ではＡＬＤ法を用いてコーティングするのが好適である。
なお、ステップ１〜４の成膜処理のような通常の成膜処理では処理温度が４５０〜５５０℃であるのに対し、表１に示す通り、ＡＬＤ法を用いたコーティング処理では処理温度が〜６００℃と高いのは、バッファ室２３７でプラズマを生成しないからである。
［実験１］
本実験１では、図１〜図３と同様の基板処理装置を用いて、ウエハ中における同一面内でのＮａ濃度を測定した。
詳しくは、１枚のウエハにおいて同一面内のＮａ濃度を部位ごとに測定することは困難であるため、下記の手順に従い、１枚のウエハの同一面内におけるＮａ濃度を予測した。
大径ウエハ（直径３００ｍｍのウエハ）上に２枚の小径ウエハ（直径２００ｍｍのウエハ）を設置した。２枚の小径ウエハのうち、一方をバッファ室に対向する近位の位置に設置し、他方をバッファ室から最も離れた遠位の位置（バッファ室の反対側の位置）に設置した。この状態でこれらウエハをボートに装填し、処理炉にセットした。
その後、ボート回転機構を作動させずに（ウエハを回転させずに）、ヒータを作動させながらガス供給管から処理室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互に供給し、直径２００ｍｍの２枚のウエハ上にＳｉＮ膜を形成した。その後、ICP-MS（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry；誘導結合プラズマ質量分析計）を用いて、２枚の小径ウエハのＮａ濃度を測定した。その測定結果を下記表２に示す。
Figure 2009076586
表２中、「バッファ室側」のＮａ濃度とは、近位の小径ウエハのＮａ濃度であって、大径ウエハのいずれかの部位のうちバッファ室のガス供給孔に対向した側縁部位でのＮａ濃度を予測した値であり、「バッファ室と反対側」のＮａ濃度とは、遠位の小径ウエハのＮａ濃度であって、大径ウエハの中央部を回転中心としてその側縁部位から１８０°ずれた側縁部位でのＮａ濃度を予測した値である。
表２に示す通り、バッファ室側とその反対側とではバッファ室側のＮａ濃度が１．２５×１０１１atoms/cm2と高く、Ｎａはバッファ室を形成する反応管の壁を透過して処理室に侵入すると考えられる。
［実験２］
本実験２では、図１〜図３と同様の基板処理装置を用いて、バッファ室の内部をコーティングしない場合とコーティングした場合とにおけるウエハのＮａ濃度を測定した。
（１）バッファ室内をコーティングしない場合
１００枚のウエハをボートに装填して処理炉にセットした。その後、ヒータを作動させながらガス供給管から処理室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互に供給し、ウエハ上にＳｉＮ膜を形成した。その後、ICP-MSを用いて、ボートへの装填位置（下記ではボートへのウエハの装填位置を上部，中央部，下部の３等分に区画してそれら各位置をTop，Center，Bottomと表現している。）に応じた各部のウエハのＮａ濃度（平均値）を測定した。その測定結果を下記表３に示す。
（２）バッファ室内をコーティングした場合
１００枚のウエハをボートに装填して処理炉にセットした。その後、バッファ室の内部をPoly Si膜でコーティングした。その後、ヒータを作動させながらガス供給管から処理室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互に供給し、ウエハ上にＳｉＮ膜を形成した。その後、ICP-MSを用いて、ボートへの装填位置（Top，Center，Bottom）に応じた各部のウエハのＮａ濃度（平均値）を測定した。その測定結果を下記表３に示す。
Figure 2009076586
表３に示す通り、バッファ室をPoly Si膜でコーティングしない場合と当該コーティングをした場合とでは、Poly Si膜によるバッファ室のコーティング効果は多少あるものの、コーティングをした場合であってもTop，Center，Bottomのいずれの位置のウエハでも１×１０１０atoms/cm2以下というＮａ濃度低減の目標値は達成されなかった。そのため、Poly Si膜ではグレインとグレインとの間に大きな隙間があり、この隙間をＮａイオンが移動すると推定される。
［実験３］
本実験３では、図１〜図３と同様の基板処理装置を用いて、バッファ室の内部をＣＶＤ法又はＡＬＤ法のいずれかに従いコーティングし、各成膜方法におけるウエハのＮａ濃度を測定した。
（１）ＣＶＤ法によるコーティング
１００枚のウエハをボートに装填して処理炉にセットした。その後、プラズマを発生させない状態でヒータを作動させ、ガス供給管からバッファ室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを同時に供給し、バッファ室の内部をＳｉＮ膜でコーティングした。その後、ヒータを作動させながらガス供給管から処理室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互に供給し、ウエハ上にＳｉＮ膜を形成した。その後、ICP-MSを用いて、ボートへの装填位置（Top，Center，Bottom）に応じた各部のウエハのＮａ濃度（平均値）を測定した。その測定結果を下記表４に示す。
（２）ＡＬＤ法によるコーティング
１００枚のウエハをボートに装填して処理炉にセットした。その後、プラズマを発生させない状態でヒータを作動させ、ガス供給管からバッファ室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互に供給し、バッファ室の内部をＳｉＮ膜でコーティングした。その後、ヒータを作動させながらガス供給管から処理室にＮＨ３ガスとＤＣＳガスとを交互に供給し、ウエハ上にＳｉＮ膜を形成した。その後、ICP-MSを用いて、ボートへの装填位置（Top，Center，Bottom）に応じた各部のウエハのＮａ濃度（平均値）を測定した。その測定結果を下記表４に示す。なお、表４にはバッファ室の内部をＳｉＮ膜でコーティングしない場合の値も併せて記載している。
Figure 2009076586
表４に示す通り、ＣＶＤ法によりバッファ室をコーティングした場合には、Top，CenterのウエハではＮａ濃度が１×１０１０atoms/cm2以下という目標値を達成しているものの、BottomのウエハではＮａ濃度が目標値を達成しなかった。この理由は、Top，Centerの部位は温度が７８０℃程度に達しているのに対してBottomの部位は温度が６００℃程度までしか上昇しなかったため、Bottomでは１５０Åのコーティング膜厚を得ることができないからである。
これに対し、ＡＬＤ法によりバッファ室をコーティングした場合には、Top，Center，BottomのいずれのウエハでもＮａ濃度が１×１０１０atoms/cm2以下という目標値を達成している。以上から、ＡＬＤ法によりバッファ室をコーティングするのがＮａ濃度を低減するのに最も適していると考えられる。
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例を説明したが、本発明の好ましい実施の形態によれば、
基板が収容される反応管であって、内部空間が、基板に所望の膜が形成される成膜空間とプラズマが生成されるプラズマ生成空間とに区画される前記反応管と、
前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記プラズマ生成空間に配置された少なくとも１対の電極と、
前記反応管内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
少なくとも前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、
を有し、
前記ガス供給ユニットは、
前記成膜空間に、第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
前記プラズマ生成空間に、第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
前記プラズマ生成空間に、前記第１の処理ガスと同じ種類の第３の処理ガスを供給する第３のガス供給ラインと、
を含み、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは、少なくとも前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記ガス供給ユニットを制御し、
少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは、少なくとも前記第２の処理ガスと前記第３の処理ガスとを供給するように前記ガス供給ユニットを制御する第１の基板処理装置が提供される。
上記「第１の処理ガス」とは第１の元素（例えばＳｉ）を含むガスである。上記「第２の処理ガス」とは第２の元素（例えばＮ）を含むガスである。上記「第３の処理ガス」とは第１の処理ガスと種類が同じガスであり、詳しくは第１の元素（例えばＳｉ）を含むガスである。すなわち、第１の処理ガスと第３の処理ガスとは、元素組成が互いに同じである場合にも異なっている場合にも、第１の元素（共通の元素）を含む限り、種類は同じである。
好ましくは、第１の基板処理装置において、
前記第２のガス供給ラインは前記第２の処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する第１のノズルを含み、
前記第３のガス供給ラインは前記第３の処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する第２のノズルを含む第２の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１の基板処理装置において、
前記プラズマ生成空間に配置されるノズルを更に有し、
前記第２のガス供給ラインと前記第３のガス供給ラインとは共通の部材として前記ノズルを含み、
前記第２の処理ガスと前記第３の処理ガスとが前記ノズルを通じて前記プラズマ生成空間に供給される第３の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１の基板処理装置において、
前記制御部は、
少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは、前記第２の処理ガスと前記第３の処理ガスとを交互に供給するように前記ガス供給ユニットを制御する第４の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１の基板処理装置において、
少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位をコーティングするときの膜は、分子間距離がＮａイオン半径より小さい第５の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記電極に高周波電力を供給するように前記高周波電力供給ユニットを制御し、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは前記電極に高周波電力を供給しないように前記高周波電力供給ユニットを制御する第６の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１又は第５の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記ヒータの加熱温度を第１の温度とするように前記ヒータを制御し、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは前記ヒータの加熱温度を前記第１の温度より高い第２の温度とするように前記ヒータを制御する第７の基板処理装置が提供される。
更に好ましくは、第７の基板処理装置において、
前記第１の温度が４５０〜５５０℃であり、
前記第２の温度が５８０〜６３０℃である第８の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１の基板処理装置において、
前記電極に供給される高周波電力が５０Ｗである場合、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位をコーティングするときの膜の膜厚は１５０Å以上である第９の基板処理装置が提供される。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、
基板を収容する反応管と、
前記反応管に収容される基板を加熱するヒータと、
前記反応管内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
前記反応管内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記反応管内に供給された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させるための少なくとも１対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
少なくとも前記ヒータ、前記第１のガス供給ライン及び前記第２のガス供給ラインを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記第１のガス供給ラインと前記第２のガス供給ラインとを制御するとともに、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記ヒータの加熱温度を異なる温度とするように前記ヒータを制御する第１０の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１０の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記電極に高周波電力を供給するように前記高周波電力供給ユニットを制御し、少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときは前記電極に高周波電力を供給しないように前記高周波電力供給ユニットを制御する第１１の基板処理装置が提供される。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、
基板を収容する反応管と、
前記反応管に収容される基板を加熱するヒータと、
前記反応管内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
前記反応管内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記反応管内に供給された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させるための少なくとも１対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
少なくとも前記第１のガス供給ライン、前記第２のガス供給ライン及び前記高周波電力供給ユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記第１のガス供給ラインと前記第２のガス供給ラインとを制御するとともに、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記電極に高周波電力を供給するように前記高周波電力供給ユニットを制御し、少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときは前記電極に高周波電力を供給しないように前記高周波電力供給ユニットを制御する第１２の基板処理装置が提供される。
好ましくは、第１２の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記ヒータの加熱温度を第１の温度とするように前記ヒータを制御し、少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときは前記ヒータの加熱温度を前記第１の温度より高い第２の温度とするように前記ヒータを制御する第１３の基板処理装置が提供される。
更に好ましくは、第１３の基板処理装置において、
前記第１の温度が４５０〜５５０℃であり、
前記第２の温度が５８０〜６３０℃である第１４の基板処理装置が提供される。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、
基板が収容される反応管であって、内部空間が、基板に所望の膜が形成される成膜空間とプラズマが生成されるプラズマ生成空間とに区画される前記反応管と、
前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
高周波電力供給ユニットに連結され、前記プラズマ生成空間に配置された少なくとも１対の電極と、
前記反応管内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
を有する基板処理装置において、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするコーティング方法であって、
前記プラズマ生成空間に第１の処理ガスを供給する工程と、
前記反応管内の雰囲気を排気する工程と、
前記プラズマ生成空間に第２の処理ガスを供給する工程と、
前記反応管内の雰囲気を排気する工程と、
を有する基板処理装置のコーティング方法が提供される。
好ましくは、前記基板処理装置のコーティング方法において、
前記第１の処理ガスを供給する工程と前記第２の処理ガスを供給する工程とでは、前記電極に高周波電力を供給せず、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとをプラズマ励起させない。
本発明の好ましい実施形態（第１の実施形態）に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜透視図である。 本発明の好ましい実施形態（第１の実施形態）で使用される縦型の処理炉とそれに付随する部材との概略構成図であり、特に処理炉部分を縦方向に切断した縦断面図である。 本発明の好ましい実施形態（第１の実施形態）で使用される縦型の処理炉とノズルの概略構成図であって、特に処理炉部分を横方向に切断した横断面図である。 図３の処理炉とノズルに対する比較例の概略構成図である。 本発明の好ましい他の実施形態（第２の実施形態）で使用される縦型の処理炉とノズルの概略構成図であって、特に処理炉部分を横方向に切断した横断面図である。 本発明の好ましい他の実施形態（第３の実施形態）で使用される縦型の処理炉とノズルの概略構成図であって、特に処理炉部分を横方向に切断した横断面図である。
符号の説明
１０１ 基板処理装置
１０５ カセット棚
１０７ 予備カセット棚
１１０ カセット
１１１ 筐体
１１４ カセットステージ
１１５ ボートエレベータ
１１８ カセット搬送装置
１１８ａ カセットエレベータ
１１８ｂ カセット搬送機構
１２３ 移載棚
１２５ ウエハ移載機構
１２５ａ ウエハ移載装置
１２５ｂ ウエハ移載装置エレベータ
１２５ｃ ツイーザ
１２８ アーム
１３４ａ，１３４ｂ クリーンユニット
１４７ 炉口シャッタ
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ 反応管
２０７ ヒータ
２１７ ボート
２１８ ボート支持台
２１９ シールキャップ
２２０ Ｏリング
２２４ プラズマ生成領域
２３１ ガス排気管
２３２ａ，２３２ｂ ガス供給管
２３３ ノズル
２３６ 隔壁
２３７ バッファ室
２４１ａ，２４１ｂ マスフローコントローラ
２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ バルブ
２４６ 真空ポンプ
２４７ ガス溜め部
２４８ａ，２４８ｂ，２４８ｃ ガス供給孔
２４９ ガス供給部
２６７ ボート回転機構
２６９，２７０ 棒状電極
２７２ 整合器
２７３ 高周波電源
２７５ 電極保護管
２８０ コントローラ
３００ ガス供給管
３０２ マスフローコントローラ
３０４ バルブ
３１０，３２０，３３０ ガス供給管
３１２，３２２，３３２ マスフローコントローラ
３１４，３２４，３３４ バルブ
４００，４１０ ノズル
４０２，４１２ ガス供給孔
５００，５１０ ＳｉＮ膜

Claims (4)

  1. 基板が収容される反応管であって、内部空間が、基板に所望の膜が形成される成膜空間とプラズマが生成されるプラズマ生成空間とに区画される前記反応管と、
    前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
    高周波電力供給ユニットに連結され、前記プラズマ生成空間に配置された少なくとも１対の電極と、
    前記反応管内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
    少なくとも前記ガス供給ユニットを制御する制御部と、
    を有し、
    前記ガス供給ユニットは、
    前記成膜空間に、第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
    前記プラズマ生成空間に、第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
    前記プラズマ生成空間に、前記第１の処理ガスと同じ種類の第３の処理ガスを供給する第３のガス供給ラインと、
    を含み、
    前記制御部は、
    前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは、少なくとも前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記ガス供給ユニットを制御し、
    少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするときは、少なくとも前記第２の処理ガスと前記第３の処理ガスとを供給するように前記ガス供給ユニットを制御することを特徴とする基板処理装置。
  2. 基板を収容する反応管と、
    前記反応管に収容される基板を加熱するヒータと、
    前記反応管内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
    前記反応管内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
    高周波電力供給ユニットに連結され、前記反応管内に供給された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させるための少なくとも１対の電極と、
    前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
    少なくとも前記ヒータ、前記第１のガス供給ライン及び前記第２のガス供給ラインを制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記第１のガス供給ラインと前記第２のガス供給ラインとを制御するとともに、
    前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記ヒータの加熱温度を異なる温度とするように前記ヒータを制御することを特徴とする基板処理装置。
  3. 基板を収容する反応管と、
    前記反応管に収容される基板を加熱するヒータと、
    前記反応管内に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給ラインと、
    前記反応管内に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給ラインと、
    高周波電力供給ユニットに連結され、前記反応管内に供給された前記第２の処理ガスをプラズマ励起させるための少なくとも１対の電極と、
    前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
    少なくとも前記第１のガス供給ライン、前記第２のガス供給ライン及び前記高周波電力供給ユニットを制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときと少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときとで、前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスとを供給するように前記第１のガス供給ラインと前記第２のガス供給ラインとを制御するとともに、
    前記反応管に収容される基板に所望の膜を形成するときは前記電極に高周波電力を供給するように前記高周波電力供給ユニットを制御し、少なくとも前記反応管の前記電極の近傍部位を所望の膜でコーティングするときは前記電極に高周波電力を供給しないように前記高周波電力供給ユニットを制御することを特徴とする基板処理装置。
  4. 基板が収容される反応管であって、内部空間が、基板に所望の膜が形成される成膜空間とプラズマが生成されるプラズマ生成空間とに区画される前記反応管と、
    前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
    高周波電力供給ユニットに連結され、前記プラズマ生成空間に配置された少なくとも１対の電極と、
    前記反応管内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
    を有する基板処理装置において、少なくとも前記反応管の前記プラズマ生成空間を構成する部位を所望の膜でコーティングするコーティング方法であって、
    前記プラズマ生成空間に第１の処理ガスを供給する工程と、
    前記反応管内の雰囲気を排気する工程と、
    前記プラズマ生成空間に第２の処理ガスを供給する工程と、
    前記反応管内の雰囲気を排気する工程と、
    を有することを特徴とする基板処理装置のコーティング方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011135046A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 縦型成膜装置およびその使用方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070292974A1 (en) * 2005-02-17 2007-12-20 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
KR100909750B1 (ko) * 2005-03-01 2009-07-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP4978355B2 (ja) * 2007-07-19 2012-07-18 富士通セミコンダクター株式会社 成膜装置及びそのコーティング方法
JP2009176982A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5250600B2 (ja) * 2009-11-27 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP5553588B2 (ja) * 2009-12-10 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01306565A (ja) * 1988-06-02 1989-12-11 Canon Inc 堆積膜形成方法
JP2004343017A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2009026934A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Fujitsu Microelectronics Ltd 成膜装置及びそのコーティング方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3644191A (en) * 1968-03-15 1972-02-22 Tokyo Shibaura Electric Co Sputtering apparatus
JPS5242075A (en) * 1975-09-29 1977-04-01 Nippon Denso Co Ltd Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment
US4401689A (en) * 1980-01-31 1983-08-30 Rca Corporation Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates
JPS59207620A (ja) * 1983-05-10 1984-11-24 Zenko Hirose アモルフアスシリコン成膜装置
US4499853A (en) * 1983-12-09 1985-02-19 Rca Corporation Distributor tube for CVD reactor
US4612207A (en) * 1985-01-14 1986-09-16 Xerox Corporation Apparatus and process for the fabrication of large area thin film multilayers
CA1251100A (en) * 1985-05-17 1989-03-14 Richard Cloutier Chemical vapor deposition
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
JP3115015B2 (ja) * 1991-02-19 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 縦型バッチ処理装置
US5383984A (en) * 1992-06-17 1995-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus etching tunnel-type
US5770098A (en) * 1993-03-19 1998-06-23 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Etching process
JP3024449B2 (ja) * 1993-07-24 2000-03-21 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉及び熱処理方法
JP3372647B2 (ja) * 1994-04-18 2003-02-04 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5591268A (en) * 1994-10-14 1997-01-07 Fujitsu Limited Plasma process with radicals
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP2748886B2 (ja) * 1995-03-31 1998-05-13 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
JP3373990B2 (ja) * 1995-10-30 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びその方法
JP3437376B2 (ja) * 1996-05-21 2003-08-18 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
US6140773A (en) * 1996-09-10 2000-10-31 The Regents Of The University Of California Automated control of linear constricted plasma source array
US6388381B2 (en) * 1996-09-10 2002-05-14 The Regents Of The University Of California Constricted glow discharge plasma source
US5950925A (en) * 1996-10-11 1999-09-14 Ebara Corporation Reactant gas ejector head
JP2973971B2 (ja) * 1997-06-05 1999-11-08 日本電気株式会社 熱処理装置及び薄膜の形成方法
US6135053A (en) * 1997-07-16 2000-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
KR100394571B1 (ko) * 1999-09-17 2003-08-14 삼성전자주식회사 화학기상증착용 튜브
JP2001257218A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Sony Corp 微細チップの実装方法
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
US6446572B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Embedded plasma source for plasma density improvement
US6887337B2 (en) * 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
US20020153103A1 (en) * 2001-04-20 2002-10-24 Applied Process Technologies, Inc. Plasma treatment apparatus
US20030164143A1 (en) * 2002-01-10 2003-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Batch-type remote plasma processing apparatus
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US20060124058A1 (en) * 2002-11-11 2006-06-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing device
US20060260544A1 (en) * 2003-03-04 2006-11-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing and method of manufacturing device
JP4396547B2 (ja) * 2004-06-28 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
KR100909750B1 (ko) * 2005-03-01 2009-07-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법
US7387968B2 (en) * 2005-11-08 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP4929811B2 (ja) * 2006-04-05 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4828599B2 (ja) * 2006-05-01 2011-11-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2010129666A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01306565A (ja) * 1988-06-02 1989-12-11 Canon Inc 堆積膜形成方法
JP2004343017A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2009026934A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Fujitsu Microelectronics Ltd 成膜装置及びそのコーティング方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011135046A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 縦型成膜装置およびその使用方法
US8563096B2 (en) 2009-11-27 2013-10-22 Tokyo Electron Limited Vertical film formation apparatus and method for using same
KR101356445B1 (ko) * 2009-11-27 2014-01-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 종형 성막 장치, 그의 사용 방법 및 기억 매체

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