JP2011119644A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する基板処理装置であって、
処理炉と、
前記処理炉にモノシランガスを供給するモノシランガス供給部と、
前記アモルファスシリコン膜の第１の成膜段階において前記モノシランガスが第１の流量で供給された後、前記アモルファスシリコン膜の第２の成膜段階において前記モノシランガスが前記第１の流量よりも大きい第２の流量で供給されるように前記モノシランガス供給部を制御する流量制御部と、
を備える基板処理装置。 - 前記処理炉の圧力を調整する圧力調整部と、
前記アモルファスシリコン膜の第１の成膜段階において前記処理炉の圧力が第１の圧力とされた後、前記アモルファスシリコン膜の第２の成膜段階において前記処理炉の圧力が前記第１の圧力よりも低い第２の圧力とされるように前記圧力調整部を制御する圧力制御部と、
を備える請求項１に記載の基板処理装置。 - 基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する基板処理装置であって、
処理炉と、
前記処理炉の圧力を調整する圧力調整部と、
前記アモルファスシリコン膜の第１の成膜段階において前記処理炉の圧力が第１の圧力とされた後、前記アモルファスシリコン膜の第２の成膜段階において前記処理炉の圧力が前記第１の圧力よりも低い第２の圧力とされるように前記圧力調整部を制御する圧力制御部と、
を備える基板処理装置。 - 基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する基板処理方法であって、
処理炉の圧力を第１の圧力とすると共に、前記処理炉にモノシランガスを第１の流量で供給して前記アモルファスシリコン膜を成膜する第１の工程と、
前記処理炉の圧力を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力とすると共に、前記処理炉に前記モノシランガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量で供給して前記アモルファスシリコン膜を成膜する第２の工程と、
を有する基板処理方法。 - 基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する半導体装置の製造方法であって、
処理炉の圧力を第１の圧力とすると共に、前記処理炉にモノシランガスを第１の流量で供給して前記アモルファスシリコン膜を成膜する第１の工程と、
前記処理炉の圧力を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力とすると共に、前記処理炉に前記モノシランガスを前記第１の流量よりも大きい第２の流量で供給して前記アモルファスシリコン膜を成膜する第２の工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010146008A JP2011119644A (ja) | 2009-10-30 | 2010-06-28 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US12/897,037 US20110104879A1 (en) | 2009-10-30 | 2010-10-04 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| TW099136917A TW201133560A (en) | 2009-10-30 | 2010-10-28 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009249628 | 2009-10-30 | ||
| JP2009249628 | 2009-10-30 | ||
| JP2010146008A JP2011119644A (ja) | 2009-10-30 | 2010-06-28 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011119644A JP2011119644A (ja) | 2011-06-16 |
| JP2011119644A5 true JP2011119644A5 (ja) | 2013-08-08 |
Family
ID=43925877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010146008A Pending JP2011119644A (ja) | 2009-10-30 | 2010-06-28 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110104879A1 (ja) |
| JP (1) | JP2011119644A (ja) |
| TW (1) | TW201133560A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103673582B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-03-02 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法 |
| JP6594768B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-10-23 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 |
| JP7227950B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2023-02-22 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US20230062848A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140777A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜光起電力素子の製造方法 |
| JPH08179536A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Canon Inc | 電子写真感光体及び光受容部材の製造方法 |
| JPH09129626A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Sony Corp | 薄膜形成方法 |
| JP2001015708A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001284267A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Canon Inc | 排気処理方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JPWO2004003995A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2005-11-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| TWI232506B (en) * | 2002-12-20 | 2005-05-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method for producing amorphous silicon layer with reduced surface defects |
| JP4456341B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-04-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2008214659A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Canon Inc | 堆積膜の形成方法 |
| US20080299747A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Asm Japan K.K. | Method for forming amorphouse silicon film by plasma cvd |
-
2010
- 2010-06-28 JP JP2010146008A patent/JP2011119644A/ja active Pending
- 2010-10-04 US US12/897,037 patent/US20110104879A1/en not_active Abandoned
- 2010-10-28 TW TW099136917A patent/TW201133560A/zh unknown
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