CN103673582B - 立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法 - Google Patents

立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法，立式炉用于对晶舟中的晶圆进行半导体工艺，其包括反应腔和炉门，装载区位于立式炉下方，其包括一冷却区，晶舟下方设有一保温桶用于防止工艺中的热量流失，该方法包括如下步骤：将晶舟与保温桶以第M降舟速度从立式炉中降低第M降舟距离，以使刚卸载出反应腔的晶舟部分和/或保温桶部分处于炉门附近的冷却区，并保持第M时长；其中，M为大于等于1的正整数；M递增1，重复进行上一步骤；直至晶舟与保温桶降低至工艺原点。该方法有效减少了颗粒粘附、防止了对晶圆的污染，实施简单、成本低，便于在半导体行业领域内推广应用。

Description

立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法
技术领域
本发明涉及半导体加工制造领域，更具体地说，涉及一种立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法。
背景技术
随着集成电路加工制造业的蓬勃发展，在集成电路制造工艺方面，特征尺寸不断缩小、芯片的集成度越来越高，引发了一系列工艺技术障碍和工艺问题。新技术、新材料的出现也同时对集成电路制造装备及工艺设备提出了更高的要求，最新的工艺发展越来越受到工艺设备的制约。以立式氧化炉来讲，为了保证上述工艺、材料性能的实现，热处理工艺对立式氧化炉的指标，如颗粒控制、氧含量控制、升降温速率、稳定性等，提出了更高的要求。
氧化工艺过程中颗粒沾污，主要包括工艺气体带入的颗粒和机械动作引入的颗粒，以及在硅片装载过程中硅片的颗粒沾污。查找出颗粒来源并采取相应的措施来减少颗粒对工艺片的沾污，提高工艺片的质量，才能满足集成电路的要求。
对于工艺片的沾污，有一个很重要的影响来源，即降舟过程中来自装载区(LoadingArea)的颗粒粘附。在立式炉降舟过程中来自工艺片、晶舟和保温桶的热辐射对装载区各设备部件会造成一定影响，温度过高即可能使部件材料释放出颗粒，颗粒在风循环作用下粘附到工艺片上，就影响到工艺片的质量，例如，以过滤器为例，如果温度过高，超过部件材质的耐温点，会导致过滤孔变形，过滤功能降低，造成大的颗粒源，在气流的带动下粘附到工艺片上，从而恶化工艺结果；另一方面，降舟过程中温度过高，也对装载区的材料提出了较高的性能要求(尤其是耐热性能)。
现有技术中，晶舟以一恒定速度自立式炉中逐渐下降至装载区中，以便卸载晶舟中的晶圆，即使降舟速度较慢，并且在装载区中持续通风冷却，但由于晶舟以及晶舟下方的保温桶上的热量分布并不均匀，匀速的降舟过程并不能使晶舟以及保温桶上的热量得到充分释放，因此，为减少热辐射对设备部件造成的影响，一种方案是选用耐温点高的装载区材料，另一种方案是在线缆等重要部件上增加护罩，该两种方案都会明显增加工艺或设备成本。
因此，业界期望同时获得其他有效、可靠、并易于实施的在立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法，立式炉用于对晶舟中的晶圆进行氧化工艺，其包括反应腔和炉门，装载区位于立式炉下方，其包括一冷却区，晶舟下方设有一保温桶用于防止氧化工艺中的热量流失，该方法包括如下步骤：S1、将晶舟与保温桶以第M降舟速度从立式炉中降低第M降舟距离，以使刚卸载出反应腔的晶舟部分和/或保温桶部分处于炉门附近的冷却区，并保持第M时长；其中，M为大于等于1的正整数；S2、M递增1，重复进行步骤S1；直至晶舟与保温桶降低至工艺原点。
优选地，冷却区至少包括第一冷却区，第一冷却区的冷却效果高于冷却区中其余区域，该方法具体包括如下步骤：a)、将晶舟与保温桶以第一降舟速度从立式炉中降低第一降舟距离，并停留第一时长，第一时长为0；b)、将晶舟与保温桶以第二降舟速度降低第二降舟距离，并使保温桶于第一冷却区中停留第二时长；c)、将晶舟与保温桶以第三降舟速度降低第三降舟距离，并使晶舟于第一冷却区中停留第三时长；d)、将晶舟与保温桶以第四降舟速度降低至工艺原点。
优选地，装载区中设有一风机用于通入循环气体以冷却晶舟与保温桶，第一冷却区为位于装载区顶部的高风速区，步骤b)中，晶舟与保温桶降低第二降舟距离以使保温桶于高风速区中停留第二时长。
优选地，步骤c)中，晶舟与保温桶降低第三降舟距离以使晶舟中部于高风速区中停留第三时长。
优选地，步骤a)之前还包括步骤：将立式炉内温度降低至第一温度；开启装载区风机；向装载区通入N2。
优选地，步骤d)之后还包括步骤：关闭立式炉的炉门；使晶舟中的晶圆在装载区中继续冷却第一冷却时间。
本发明提供的立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法，对刚卸载出立式炉的晶舟部分或保温桶部分进行重点冷却，克服了现有技术中匀速降舟过程带来的热量未充分释放的弊端，使降舟过程中装载区的温度明显降低，有效减少了颗粒粘附、防止了对晶圆的污染；其也可与现有技术中的选用耐温点高的装载区材料以及增加护罩等手段结合使用。该方法有效、可靠，实施简单、成本低，并可根据具体应用场合调整工艺参数，从而便于在半导体行业领域内推广应用。
附图说明
图1示出本发明第一实施例的立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
需要说明的是，本发明的实施例中，立式炉用于对晶舟中的晶圆进行氧化工艺，其包括反应腔和炉门，装载区位于立式炉下方，其包括一冷却区，晶舟下方设有一保温桶用于防止氧化工艺中的热量流失。装载区中设有一风机用于在降舟过程中持续吹喷冷却气流，从而在装载区中形成一冷却区，根据装载区中冷却气流的流速，冷却区可以分为一高风速区和一低风速区。
如图1所示，本发明第一实施例提供的立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法包括如下工艺步骤：
步骤S10、将晶舟与保温桶以第一降舟速度从立式炉中降低第一降舟距离。
该步骤S10主用作用就是在将氧化工艺反应腔体的密闭空间缓慢打开的同时，不至于造成很大的气流对冲，从而不会影响工艺片在晶舟上的稳定性。
具体地，该第一实施例中，第一降舟距离为10mm，第一降舟速度为10mm/min，第一降舟距离完成后，晶舟和保温桶不作停留，直接进行后续步骤S11。
进一步地，在该步骤S10之前还包括如下步骤：
将立式炉内温度降低至第一温度；
开启装载区风机；
向装载区通入大量高纯度N2。
具体地，晶舟上放置有满舟的工艺片125～150片，舟下部的保温桶和晶舟总高度达到1440～1500mm，在降舟之前保证保温桶和舟上硅片的温度降低至设定目标值600℃；风机在整个降舟工艺过程中要一直开启，风速太低则不能达到快速降温效果，风速太高则容易产生噪音，故风速设定值要控制在一个适当的范围内，形成相对稳定的气流，优选为0.3-0.5m/s，例如使装载区顶部空间风速达到0.3m/s，形成高风速区。在降舟过程中，使工艺片处于N2环境下，这样既可保证工艺片的膜厚，也防止了空气中的杂质颗粒进入到装载区中造成颗粒污染，优选情况下，N2流量为500SLM。
步骤S11、将晶舟与保温桶以第二降舟速度降低第二降舟距离，并停留第二时长以加快冷却保温桶。
具体地，第二降舟距离为700mm，第二降舟速度为100mm/min，降至指定高度后，停留5min35sec，这一降舟距离刚好使刚卸载出反应腔的保温桶部分处于高风速区中加快冷却，以有效带走保温桶上的热量，使热辐射明显降低。
其中，高风速区位于装载区顶部、靠近炉门附近，低风速区位于装载区底部、远离炉门位置。高风速区冷却效果更好，定义为本发明所指的第一冷却区。
步骤S12、将晶舟与保温桶以第三降舟速度降低第三降舟距离，并停留第三时长以加快冷却晶舟。
具体地，第三降舟距离为250mm，第三降舟速度为100mm/min，降至指定高度后，停留7min10sec，这一降舟距离刚好使刚卸载出反应腔的晶舟中部处于高风速区中加快冷却，充分地将晶舟下部工艺片(晶圆)上的热量带走，使热辐射进一步降低。
步骤S13、将晶舟与保温桶以第四降舟速度降低至工艺原点。
具体地，该步骤S13中降舟距离为650mm，第四降舟速度为50mm/min，降至原点后，在电机的作用下，各部件旋转回原位。
进一步地，在步骤S13之后还包括步骤：
关闭立式炉的炉门，防止来自立式炉内的热辐射对炉门附件的线缆等部件的影响；以及，
使晶舟中的晶圆在装载区中继续冷却20-35min，从而进一步降低各工艺片的温度，减少热辐射。
本发明第二实施例提供的立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法，与上述第一实施例中的流程相同，其中，风机风速为0.4m/s；第一降舟距离为10mm，第一降舟速度为15mm/min；第二降舟距离为650mm，第二降舟速度为100mm/min，降至指定高度后，晶舟及保温桶停留3min15sec，以使刚卸载出反应腔的保温桶部分于高风速区中重点冷却；第三降舟距离为200mm，第三降舟速度为100mm/min，降至指定高度后，晶舟及保温桶停留5min25sec，以使刚卸载出反应腔的晶舟中部于高风速区中重点冷却；下一步的降舟距离为650mm直至工艺原点，第四降舟速度为100mm/min。
在工艺环境、设备尺寸有所变化的其他实施例中，上述各工艺参数可能会有变化，但其可能范围为，第一降舟速度为10-15mm/min，第一降舟距离为10-20mm；第二降舟速度为100-200mm/min，第二降舟距离为650-700mm，第二时长为3-6分钟；第三降舟速度为100-200mm/min，第三降舟距离为200-250mm，第三时长为4-8分钟；第四降舟速度为50-100mm/min。
可以理解的是，根据本发明的思想，在不同的工艺场合、操作环境中，上述降舟过程中的工艺参数允许有合理范围的变化，但只要将降舟过程分成多个阶段进行，以在降舟过程中分别对刚卸载出反应腔的保温桶部分或晶舟部分进行重点降温，均可视为本发明的简单变形设计。
本发明提供的实施例，可替换现有技术降舟过程中控制装载区温度的方案，或作为现有技术的有益补充；上述采用多步式降舟以控制装载区温度的方法，与同等条件下的匀速降舟过程相比，可使得装载区平均温度降低10-20℃；进而，由于克服了现有技术中匀速降舟过程带来的热量未充分释放的弊端，本发明提供的方法在降舟过程中有效减少了颗粒粘附、防止了对晶舟上晶圆的污染；其有效、可靠，实施简单、成本低，并可根据具体应用场合调整工艺参数，从而便于在半导体行业领域内推广应用。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (14)

1.一种立式炉设备降舟过程中控制装载区温度的方法，所述立式炉用于对晶舟中的晶圆进行氧化工艺，其包括反应腔和炉门，所述装载区位于所述立式炉下方，其包括一冷却区，所述晶舟下方设有一保温桶用于防止所述氧化工艺中的热量流失，该方法包括如下步骤：
S1、将所述晶舟与保温桶以第M降舟速度从所述立式炉中降低第M降舟距离，以使刚卸载出所述反应腔的晶舟部分和/或保温桶部分处于所述炉门附近的冷却区，并保持第M时长；其中，M为大于等于1的正整数；
S2、M递增1，重复进行所述步骤S1；直至所述晶舟与保温桶降低至工艺原点。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冷却区至少包括第一冷却区，所述第一冷却区的冷却效果高于所述冷却区中其余区域，该方法具体包括如下步骤：
a)、将所述晶舟与保温桶以第一降舟速度从所述立式炉中降低第一降舟距离，并停留第一时长，所述第一时长为0；
b)、将所述晶舟与保温桶以第二降舟速度降低第二降舟距离，并使所述保温桶于所述第一冷却区中停留第二时长；
c)、将所述晶舟与保温桶以第三降舟速度降低第三降舟距离，并使所述晶舟于所述第一冷却区中停留第三时长；
d)、将所述晶舟与保温桶以第四降舟速度降低至工艺原点。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述装载区中设有一风机用于通入循环气体以冷却所述晶舟与保温桶，所述第一冷却区为位于所述装载区顶部的高风速区，所述步骤b)中，所述晶舟与保温桶降低所述第二降舟距离以使所述保温桶于所述高风速区中停留所述第二时间。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤c)中，所述晶舟与保温桶降低所述第三降舟距离以使所述晶舟中部于所述高风速区中停留所述第三时间。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a)之前还包括步骤：
将所述立式炉内温度降低至第一温度；
开启所述装载区风机；
向所述装载区通入N2。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一温度为600-700℃，所述风机的风速为0.3-0.5m/s，所述N2流量为500～1000SLM。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤d)之后还包括步骤：
关闭所述立式炉的炉门；
使所述晶舟中的晶圆在所述装载区中继续冷却第一冷却时间。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一冷却时间为20-35分钟。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤a)中所述第一降舟速度为10-15mm/min，所述第一降舟距离为10-20mm。
10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤b)中所述第二降舟速度为100-200mm/min，所述第二降舟距离为650～700mm。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二时长为3-6分钟。
12.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤c)中所述第三降舟速度为100-200mm/min，所述第三降舟距离为200-250mm。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第三时长为4-8分钟。
14.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤d)中所述第四降舟速度为50-100mm/min。
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