KR101444039B1 - 기판 처리 장치 및 가열 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 및 가열 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101444039B1 KR101444039B1 KR1020130070999A KR20130070999A KR101444039B1 KR 101444039 B1 KR101444039 B1 KR 101444039B1 KR 1020130070999 A KR1020130070999 A KR 1020130070999A KR 20130070999 A KR20130070999 A KR 20130070999A KR 101444039 B1 KR101444039 B1 KR 101444039B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cooling gas
- heat generating
- heat insulating
- introducing
- heat
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 52
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims abstract description 260
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
Abstract
통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부와, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이에 설치된 냉각 가스 배출부를 갖는다.
Description
본 발명은, 기판 처리 장치 및 가열 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치의 일례로서, 반도체 제조 장치가 있고, 또한 반도체 제조 장치의 일례로서, 종형 확산ㆍCVD(Chemical Vapor Deposition) 장치가 알려져 있다.
이 종형 확산ㆍCVD 장치에서, 반도체, 글래스 등의 기판에 가열 하에서 처리를 실시하는 것이 행해진다. 예를 들면, 종형의 반응로에 기판을 수용하여 반응 가스를 공급하면서 가열하여, 기판의 표면 상에 박막을 기상 성장시킨다. 이러한 종류의 반도체 제조 장치에서, 가열 장치인 발열부를 냉각하고, 열을 장치 본체 밖으로 배출시키기 위해서, 특허 문헌 1은, 가열 수단이 발열부와 그 발열부와의 사이에 공간을 형성하는 외측 단열부를 갖고, 상기 발열부의 하부를 위요하는 냉각 가스 도입 덕트를 상기 공간, 상기 외측 단열부의 하단에 설치하고, 상기 냉각 가스 도입 덕트로부터 상기 공간에 냉각 가스가 도입되도록 구성하는 것을 개시한다.
그러나, 전술한 기판 처리 장치에서는, 가열 장치인 발열부 배면측으로부터의 방열이 많다. 특히, 발열부 하부는 로구부로부터의 방열이 많기 때문에 부하가 크므로, 더욱 큰 부하를 가하게 되어, 가열 장치의 수명을 짧게 한다고 하는 문제가 있었다. 또한, 스루풋의 향상을 위해서, 로 내 온도를 신속하게 저하시키는 것의 요청이 있다.
본 발명의 목적은, 장치의 소형화를 도모하면서 가열 장치의 수명을 길게 하고, 로 내 온도를 신속하게 저하시켜 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가열 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부와, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이에 설치된 냉각 가스 배출부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와, 상기 발열부와 상기 단열부의 상방에 설치된 상부판부와, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부와, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이에 설치된 냉각 가스 배출부와, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와, 상기 냉각 가스 도입부에 도입된 냉각 가스를 외부로 배출시키는 냉각 가스 배출구를 갖고, 상기 냉각 가스 도입구와 상기 냉각 가스 배출구는 상기 상부판부에 설치되는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부와, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이에 설치된 냉각 가스 배출부를 갖는 반도체 장치에 사용되고, 상기 발열부에 의해 가열하여 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부에 의해 기판을 열처리하는 공정과, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 단열부가 설치되고, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부에 냉각 가스가 도입되는 공정과, 상기 원통 공간에 도입된 냉각 가스가, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이의 냉각 가스 배출부로부터 배출되는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부에 의해 기판을 열처리하는 공정과, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 단열부가 설치되고, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부에, 상기 발열부와 상기 단열부의 상방에 설치된 상부판부에 설치된 냉각 가스 도입구로부터 냉각 가스가 도입되는 공정과, 상기 원통 공간에 도입된 냉각 가스가, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입구와 대략 동일한 높이의 상기 상부판부에 설치된 냉각 가스 배출구로부터 배출되는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부와, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이에 설치된 냉각 가스 배출부를 갖는 가열 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와, 상기 발열부와 상기 단열부의 상방에 설치된 상부판부와, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 상방측에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부와, 상기 냉각 가스 도입부의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 상기 냉각 가스 도입부와 대략 동일한 높이에 설치된 냉각 가스 배출부와, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와, 상기 냉각 가스 도입부에 도입된 냉각 가스를 외부로 배출시키는 냉각 가스 배출구를 갖고, 상기 냉각 가스 도입구와 상기 냉각 가스 배출구는 상기 상부판부에 설치되는 가열 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 장치의 소형화를 도모하면서 가열 장치의 수명을 길게 하고, 로 내 온도를 신속하게 저하시켜 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가열 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치의 A-A' 단면도.
도 3은 냉각 가스 도입부 주변을 확대한 단면도.
도 4는 제1 비교예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 5는 제2 비교예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 6은 제3 비교예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치의 A-A' 단면도.
도 3은 냉각 가스 도입부 주변을 확대한 단면도.
도 4는 제1 비교예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 5는 제2 비교예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
도 6은 제3 비교예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 단면도.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)를 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 원통 형상의 가열 장치(12)와, 가열 장치(12)의 내부에 로 내 공간(14)을 두고 수용된 원통 형상의 균열관(16)과, 균열관(16)의 내부에 간극을 두고 수용된 원통 형상의 반응관(18)과, 반응관(18) 내에 처리 대상의 기판(20)을 보유 지지하는 보트(22)를 구비하고 있다. 보트(22)는 복수의 기판(20)을 수평 상태에서 간극을 두고 다단으로 장전할 수 있고, 이 상태에서 복수매의 기판(20)을 반응관(18) 내에서 보유 지지한다. 보트(22)는 보트 캡(24)을 통하여 도시하지 않은 엘리베이터 상에 적재되어 있고, 이 엘리베이터에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 따라서, 기판(20)의 반응관(18) 내에의 장전 및 반응관(18)으로부터의 취출은 엘리베이터의 작동에 의해 행해진다. 또한, 반응관(18)은 기판(20)을 수용하는 반응실을 형성하고 있고, 반응관(18)에는 가스 도입관(26)이 연통되고, 가스 도입관(26)에는 도시하지 않은 반응 가스 공급원이 접속되어 있다. 또한, 반응관(18)의 하단부에는 배기관(28)이 접속되어 있어, 반응실 내의 배기를 행하고 있다.
가열 장치(12)는, 발열부(30), 단열부(32) 및 상부판부(34)로 구성되고, 발열부(30)의 외측에 원통 공간(33)을 두고 단열부(32)가 동심원 형상으로 배설되고, 그들 상단의 개구가 상부판부(34)로 막아져 있다.
발열부(30)는, 통 형상의 단열체(36)와 그 내주면에 배설된 발열선(38)으로 구성되어 있다. 또한, 발열부(30)에는, 가스 분출 구멍(35)이 소정의 분포로 다수 형성되어, 원통 공간(33)과 로 내 공간(14)을 대략 수평으로 연통하고 있다. 즉, 발열부(30)의 내측이 발열 영역으로 되어 있다.
상부판부(34)는, 하층측 단열판(44)과 상층측 단열판(46)을 서로 겹친 구조로 되어 있다. 발열부(30)의 상단에 맞닿아 설치되는 하층측 단열판(44)에는 원형의 통공(通孔)(48)이 형성되어 있고, 이 통공(48)은 하층측 단열판(44)의 중앙(즉, 가열 장치(12)의 중심축 상)에 위치하고 있다. 또한, 하층측 단열판(44) 상에 겹쳐서 설치되는 상층측 단열판(46)에는 홈(50)이 형성되어 있고, 이 홈(50)은 통공(48)에 대응하는 상층측 단열판(46)의 중앙 위치부터 직경 방향으로 측면까지 대략 수평하게 연속하고, 홈(50)의 끝에서 상층측 단열판(46)의 측면을 절결하여, 냉각 가스 배출구(51)(도 2 참조)가 형성되어 있다.
냉각 가스 도입부(40)는, 하층측 단열판(44)의 외주로부터 상층측 단열판(46)의 외주를 연통하여, 발열부(30)의 상부를 위요하도록 단열부(32)의 상방의 상부판부(34)에 설치되어 있다. 냉각 가스 도입부(40)에는, 냉각 가스 도입구(47)가 예를 들면 2개 접속되고, 이 냉각 가스 도입구(47)로부터 냉각 가스가 도입된다. 냉각 가스 도입부(40)의 하면에는, 소정의 간격으로 도통구(42)가 설치되고, 또한 도통구(42)로부터 원주 방향으로 소정의 간격으로 도통 구멍(43)이 형성되어 있다. 도통 구멍(43)은, 하단이 원통 공간(33)에 개구되도록 하방을 향하여 중심측에 형성하고 있다. 즉, 냉각 가스 도입부(40)의 내주면이, 원통 공간(33)의 내주면보다 외측에 설치되어 있다. 이와 같이 도통 구멍(43)을 형성함으로써, 냉각 가스 도입부(40)로부터의 냉각 가스를 원통 공간(33)으로 원활하게 유도할 수 있다. 따라서, 냉각 가스 도입구(47)로부터 도입된 냉각 가스는, 냉각 가스 도입부(40), 도통구(42), 도통 구멍(43), 원통 공간(33), 가스 분출 구멍(35), 로 내 공간(14), 통공(48), 홈(50)을 통하여 냉각 가스 도입구(47)와 대략 동일한 높이에 배치된 냉각 가스 배출구(51)로부터 배출된다.
냉각 가스 배출부(52)는, 전술한 통공(48), 홈(50) 및 냉각 가스 배출구(51)에 의해 구성된다. 이 냉각 가스 배출부(52)는, 상기 냉각 가스 도입부(40)의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 냉각 가스 도입부(40)와 대략 동일한 높이에 배치되어 있다. 냉각 가스 배출구(51)에는, 개폐 가능한 댐퍼(54)를 구비한 방열관(56)이 접속되고, 또한 라디에이터(58) 및 냉각 팬(60)이 접속되어 있고, 이들 방열관(56), 라디에이터(58) 및 냉각 팬(60)을 통하여 가열 장치(12) 내의 뜨거워진 냉각 가스가 배출된다.
여기서, 냉각 가스 도입구(47)와 냉각 가스 배출구(51)는, 발열부(30)와 단열부(32)의 상방으로서 발열 영역 밖에 배치되어 있다. 또한, 냉각 가스 도입구(47)와 냉각 가스 배출구(51)는, 상부판부(34)에 설치되어 있다.
반응관(18)에 장입한 기판(20)에의 박막의 형성은, 가열 장치(12)의 발열부(30)를 발열시켜 균열관(16)을 통하여 반응관(18)을 가열하고, 반응 가스 공급관(26)을 통하여 반응관(18) 내에 반응 가스를 도입함과 함께, 배기관(28)을 통하여 반응관(18) 내를 배기함으로써 행해진다.
상기의 성막 처리가 종료되면, 배기관(28)으로부터의 배기를 속행한 상태에서 가열 장치(12)에 의한 가열을 정지하고, 반응관(18) 내의 뜨거워진 분위기를 외부로 배출함으로써, 반응관(18) 내의 온도를 저하시킨다. 또한 이것과 동시에, 댐퍼(54)를 엶과 함께 냉각 팬(60)을 작동시켜, 냉각 가스가, 냉각 가스 도입구(47)를 통하여 냉각 가스 도입부(40)에 도입되고, 도통구(42), 도통 구멍(43)을 거쳐 원통 공간(33)에 도입된다. 그리고, 원통 공간(33)을 냉각 가스는 하강하여, 가스 분출 구멍(35)을 통하여 로 내 공간(14)에 유입되고, 이 로 내 공간(14)에 유입된 냉각 가스는, 상승하여, 냉각 가스 배출부(52)로부터 배출되어, 발열부(30)를 외면, 내면의 양측으로부터 냉각한다. 즉, 가열 장치(12) 내의 뜨거워진 냉각 가스를 냉각 가스 배출부(52)를 통하여 외부로 방출하여, 가열 장치(12) 내의 온도도 저하시키고, 이에 의해서도, 반응관(18) 내의 온도를 저하시킨다.
그리고, 반응관(18) 내의 온도를 소정의 온도까지 저하시킨 후에, 엘리베이터를 작동시켜 보트(22)를 반응관(18)으로부터 인출하고, 성막된 기판(20)을 반응관(18)으로부터 취출한다.
다음으로, 비교예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다.
[제1 비교예]
도 4에는 제1 비교예에 따른 기판 처리 장치(62)가 도시되어 있다. 또한, 이하, 전술한 실시예와 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.
제1 비교예에 따른 기판 처리 장치(62)는, 냉각 가스 도입부(40)가 가열 장치(12)의 하부에 설치되어 있다. 또한, 가열 장치(12)의 내부에 원통 공간(33)이 형성되어 있지 않다. 즉, 성막 처리가 종료되면, 댐퍼(54)를 엶과 함께 냉각 팬(60)을 작동시켜, 냉각 가스가, 가열 장치(12)의 하부에 설치된 냉각 가스 도입부(40)로부터 공급되고, 가열 장치(12)와 균열관(16)의 사이의 로 내 공간(14)을 상승하여, 내부의 뜨거워진 공기를 냉각 가스 배출부(52)로부터 로 밖으로 방출하여, 가열 장치(12) 내의 온도를 저하시켜, 반응관(18) 내의 온도를 저하시킨다.
전술한 제1 비교예에 따른 기판 처리 장치(62)에서는, 가열 장치(12)의 하부에 냉각 가스 도입부(40)를 설치하므로, 냉각 가스 도입부(40)만큼, 장치 본체의 높이가 높아지게 된다. 또한, 원통 공간(33)을 갖지 않고, 발열부(30)의 편측인 로 내 공간(14)에만 냉각 가스의 유로를 형성하여 냉각한다.
[비교예 2]
도 5에는 제2 비교예에 따른 기판 처리 장치(70)가 도시되어 있다.
제2 비교예에 따른 기판 처리 장치(70)는, 냉각 가스 도입부(40)가 가열 장치(12)의 하방 측면에 설치되어 있다. 즉, 성막 처리가 종료되면, 댐퍼(54)를 엶과 함께 냉각 팬(60)을 작동시켜, 냉각 가스가, 가열 장치(12)의 하방 측면에 설치된 냉각 가스 도입부(40)로부터 공급되고, 원통 공간(33), 가스 분출 구멍(35)을 통하여 로 내 공간(14)을 상승하여, 내부의 뜨거워진 공기를 냉각 가스 배출부(52)로부터 로 밖으로 방출하여, 가열 장치(12) 내의 온도를 저하시켜, 반응관(18) 내의 온도를 저하시킨다.
전술한 제2 비교예에 따른 기판 처리 장치(70)에서는, 높이 방향의 연장(예를 들어, 제1 비교예에 나타낸 바와 같이 냉각 가스 도입부(40)의 높이만큼)은 없어지지만, 발열부(30)의 하부가 상부보다 빨리 냉각되기 때문에 가열 장치(12) 측면의 발열부(30)의 배면측으로부터의 방열이 커진다. 특히, 하방에서는 원래 로구부로부터의 방열이 많아 부하가 크므로, 더욱 가열 장치에 많은 부하를 가하게 되어, 가열 장치의 수명을 짧게 하게 된다.
[비교예 3]
도 6에는 제3 비교예에 따른 기판 처리 장치(80)가 도시되어 있다.
제3 비교예에 따른 기판 처리 장치(80)는, 냉각 가스 도입부(40)가 가열 장치(12)의 상방 측면에 설치되어 있다. 즉, 성막 처리가 종료되면, 댐퍼(54)를 엶과 함께 냉각 팬(60)을 작동시켜, 냉각 가스가, 가열 장치(12)의 상방 측면에 설치된 냉각 가스 도입부(40)로부터 공급되고, 원통 공간(33), 가스 분출 구멍(35)을 통하여 로 내 공간(14)을 주회하여, 내부의 뜨거워진 공기를 냉각 가스 배출부(52)로부터 로 밖으로 방출하여, 가열 장치(12) 내의 온도를 저하시켜, 반응관(18) 내의 온도를 저하시킨다.
전술한 제3 비교예에 따른 기판 처리 장치(80)에서는, 가열 장치(12)의 상방 측면에 냉각 가스 도입부(40)를 설치하므로, 가열 장치의 가로 방향의 치수가 커지게 되고, 이것에 맞추어 가열 장치(12)를 수납하는 장치 본체의 외형 치수도 커지게 된다.
따라서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)에 의하면, 냉각 가스 배출부(52)로부터의 배기에 의한 냉각 시에, 냉각 가스 도입부(40)를 가열 장치(12)의 상방에 배치하고, 발열부(30)를 위요하도록 단열부(32)의 상방에 설치하여 원통 공간(33)에 접속하고, 냉각 가스 배출부(52)를 냉각 가스 도입부(40)의 대략 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 대략 동일 높이에 배치함으로써, 가열 장치(12)의 형상을 콤팩트하게 할 수 있다. 즉, 장치 본체를 소형화할 수 있다. 또한, 냉각 가스 도입부(40)를 발열부(30)의 배면에 배치하고 있지 않기 때문에, 방열량이 적어진다. 이에 의해, 로 내는 균일 또한 효율적으로 냉각되어, 반응관(18)의 온도가 신속하게 저하되고, 기판(20)의 온도를 반응로로부터 취출할 수 있는 소정 온도까지 신속하게 저하시켜, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 가열 장치의 수명 연장을 기대할 수 있다.
또한, 상기한 각 실시예에서는 균열관(16)을 구비한 기판 처리 장치를 나타냈지만, 본 발명은 균열관(16)을 갖지 않는 기판 처리 장치에 적용해도 되고, 상기한 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상기한 실시예에서는 원통 형상의 가열 장치(12)를 나타냈지만, 본 발명에서는, 이에 한하지 않고, 다양한 단면 형상의 통형 히터에 적용할 수 있다. 또한, 하층측 단열판(44) 및 상층측 단열판(46)의 형상도, 원판 형상에 한정되지 않고, 가열 장치(12)의 상단 개구를 막을 수 있도록, 가열 장치(12)의 단면 형상에 따라서 다양하게 설정된다.
또한, 본 발명은 냉각 가스 도입부(40)에, 그 냉각 가스 도입부(40)와 상기 원통 공간(33)을 연통시키는 도통 구멍(43)을 원주 방향으로 소정 간격으로 형성하는 구성을 나타냈지만, 이에 한하지 않고, 도통 구멍(43)을 형성하지 않고, 냉각 가스 도입부(40)로부터 직접 원통 공간(33)에 연통하는 구성에 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은 냉각 가스 도입구(47)를 2개 설치한 예를 나타냈지만, 이에 한하지 않고, 1개이어도 된다.
또한, 본 발명은, 반도체 제조 기술, 특히, 피처리 기판을 처리실에 수용하여 가열 장치에 의해 가열한 상태에서 처리를 실시하는 열처리 기술에 관한 것으로, 예를 들면, 반도체 집적 회로 장치(반도체 디바이스)가 만들어 넣어지는 반도체 웨이퍼에 산화 처리나 확산 처리, 이온 주입 후의 캐리어 활성화나 평탄화를 위한 리플로우나 어닐 및 열CVD 반응에 의한 성막 처리 등에 사용되는 기판 처리 장치에 이용하기에 유효한 것에 적용할 수 있다.
10 : 기판 처리 장치
12 : 가열 장치
14 : 로 내 공간
16 : 균열관
18 : 반응관
20 : 기판(웨이퍼)
22 : 보트
30 : 발열부
32 : 단열부
33 : 원통 공간
34 : 상부판부
35 : 가스 분출 구멍
40 : 냉각 가스 도입부
43 : 도입 구멍
47 : 냉각 가스 도입구
51 : 냉각 가스 배출구
52 : 냉각 가스 배출부
12 : 가열 장치
14 : 로 내 공간
16 : 균열관
18 : 반응관
20 : 기판(웨이퍼)
22 : 보트
30 : 발열부
32 : 단열부
33 : 원통 공간
34 : 상부판부
35 : 가스 분출 구멍
40 : 냉각 가스 도입부
43 : 도입 구멍
47 : 냉각 가스 도입구
51 : 냉각 가스 배출구
52 : 냉각 가스 배출부
Claims (14)
- 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와,
상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 축방향 상방에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열부의 내측의 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
상기 발열부의 내측의 발열 영역에 접속되며, 상기 냉각 가스 도입부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부로부터 도입된 냉각 가스를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출구
를 갖는 기판 처리 장치. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와,
상기 발열부와 상기 단열부의 상방에 설치된 상부판부와,
상기 발열부를 위요하도록 상기 상부판부에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 상부판부에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
상기 상부판부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 단열부의 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 상부판부에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 도입된 냉각 가스를 외부로 배출시키는 냉각 가스 배출구
를 갖는 기판 처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 냉각 가스 도입구가 상기 냉각 가스 배출구와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 배치되는 기판 처리 장치. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와,
상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 축방향 상방에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열부의 내측의 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
상기 발열부의 내측의 발열 영역에 접속되며, 상기 냉각 가스 도입부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부로부터 도입된 냉각 가스를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출구
를 갖는 가열 장치. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와,
상기 발열부와 상기 단열부의 상방에 설치된 상부판부와,
상기 발열부를 위요하도록 상기 상부판부에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 상부판부에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
상기 상부판부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 단열부의 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 상부판부에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 도입된 냉각 가스를 외부로 배출시키는 냉각 가스 배출구
를 갖는 가열 장치. - 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 냉각 가스 도입구가 상기 냉각 가스 배출구와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 배치되는 가열 장치. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부를 갖는 가열 장치에 이용되는 상부판부로서,
상기 발열부를 위요하도록 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 단열부의 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 냉각 가스 도입부에 도입된 냉각 가스를 외부로 배출시키는 냉각 가스 배출구를 갖고,
상기 발열부와 상기 단열부의 상방에 설치되는 상부판부. - 제7항에 있어서,
상기 냉각 가스 도입구가 상기 냉각 가스 배출구와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 배치되는 상부판부. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와,
상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 축방향 상방에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열부의 내측의 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
상기 발열부의 내측의 발열 영역에 접속되며, 상기 냉각 가스 도입부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부로부터 도입된 냉각 가스를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출구
를 갖고,
상기 발열부에 의해 가열하여 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부에 의해 기판을 열처리하는 공정과,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열부의 내측의 발열 영역 밖에 설치된 냉각 가스 도입구로서, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부로부터, 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 축방향 상방에 설치된 냉각 가스 도입부로 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 원통 공간에 상기 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 발열부의 내측의 발열 영역에 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 냉각 가스 도입부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부로 배출되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 냉각 가스 배출부로부터 상기 발열부의 상방으로서 상기 발열 영역 밖에 설치된 냉각 가스 배출구로부터 배출되는 공정
을 갖는 반도체 장치의 제조 방법. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부에 의해 기판을 열처리하는 공정과,
상기 발열부와 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부의 상방에 설치된 상부판부에, 상기 발열부를 위요하도록 설치된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 발열부에 대하여 상기 단열부가 형성하는 원통 공간에 상기 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 발열부의 내측의 발열 영역에 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 상부판부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 단열부의 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부로 배출되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 상부판부에 설치된 상기 냉각 가스 배출부로부터 배출되는 공정
을 갖는 반도체 장치의 제조 방법. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부와,
상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부와,
상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 축방향 상방에 설치되며, 상기 원통 공간에 접속된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열부의 내측의 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입구와,
상기 발열부의 내측의 발열 영역에 접속되며, 상기 냉각 가스 도입부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부와,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열 영역 밖에 설치되며, 상기 냉각 가스 도입부로부터 도입된 냉각 가스를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출구
를 갖고, 상기 발열부에 의해 상기 발열 영역을 가열하는 열처리 방법. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부에 의해 기판을 열처리하는 공정과,
상기 발열부의 상방으로서 상기 발열부의 내측의 발열 영역 밖에 설치된 냉각 가스 도입구로서, 상기 발열부에 대하여 원통 공간을 형성하도록 설치된 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입구로부터 상기 발열부를 위요하도록 상기 단열부의 축방향 상방에 설치된 냉각 가스 도입부로 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 원통 공간에 상기 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 발열부의 내측의 발열 영역에 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 냉각 가스 도입부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부로 배출되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 냉각 가스 배출부로부터 상기 발열부의 상방으로서 상기 발열 영역 밖에 설치된 냉각 가스 배출구로부터 배출되는 공정
을 갖는 열처리 방법. - 통 형상의 단열체와 그 단열체의 내주면에 배설된 발열선으로 구성되는 발열부에 의해 발열 영역을 가열하는 공정과,
상기 발열부와 단열부의 상방에 설치된 상부판부에, 상기 발열부를 위요하도록 설치된 냉각 가스 도입부로서, 상기 냉각 가스 도입부의 내주면이 상기 단열부의 외주면보다도 직경 방향 내측에 설치되는 상기 냉각 가스 도입부로 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 발열부에 대하여 상기 단열부가 형성하는 원통 공간에 상기 냉각 가스가 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 발열부의 내측의 발열 영역에 도입되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 상부판부의 중앙부로부터 직경 방향을 향하여 설치됨과 함께, 상기 냉각 가스 도입부와 상기 단열부의 축방향에 있어서 중첩하는 위치에 설치된 냉각 가스 배출부로 배출되는 공정과,
상기 냉각 가스가 상기 상부판부에 설치된 상기 냉각 가스 배출부로부터 배출되는 공정
을 갖는 열처리 방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010156566 | 2010-07-09 | ||
| JPJP-P-2010-156566 | 2010-07-09 | ||
| JPJP-P-2011-081466 | 2011-04-01 | ||
| JP2011081466A JP5721219B2 (ja) | 2010-07-09 | 2011-04-01 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110067753A Division KR101290943B1 (ko) | 2010-07-09 | 2011-07-08 | 기판 처리 장치 및 가열 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130080465A KR20130080465A (ko) | 2013-07-12 |
| KR101444039B1 true KR101444039B1 (ko) | 2014-09-23 |
Family
ID=45428141
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110067753A KR101290943B1 (ko) | 2010-07-09 | 2011-07-08 | 기판 처리 장치 및 가열 장치 |
| KR1020130070999A KR101444039B1 (ko) | 2010-07-09 | 2013-06-20 | 기판 처리 장치 및 가열 장치 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110067753A KR101290943B1 (ko) | 2010-07-09 | 2011-07-08 | 기판 처리 장치 및 가열 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9460946B2 (ko) |
| JP (1) | JP5721219B2 (ko) |
| KR (2) | KR101290943B1 (ko) |
| CN (1) | CN102315102B (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013141371A1 (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 |
| JP6170847B2 (ja) | 2013-03-25 | 2017-07-26 | 株式会社日立国際電気 | 断熱構造体、加熱装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6306151B2 (ja) | 2014-03-20 | 2018-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、断熱構造体及び半導体装置の製造方法 |
| CN104941957B (zh) * | 2014-03-24 | 2018-01-12 | 睿励科学仪器（上海）有限公司 | 晶圆清洁装置及方法 |
| WO2018105113A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体 |
| JP1605982S (ko) * | 2017-12-27 | 2021-05-31 | ||
| JP7055075B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| USD931823S1 (en) * | 2020-01-29 | 2021-09-28 | Kokusai Electric Corporation | Reaction tube |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050173396A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-08-11 | Tokyo Electron Limited | Heat-treating apparatus and heat-treating method |
| KR20080091423A (ko) * | 2007-02-09 | 2008-10-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 단열 구조체, 가열 장치, 가열 시스템, 기판 처리 장치 및반도체 장치의 제조 방법 |
| US20080296282A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0193130A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kawasaki Steel Corp | 縦型炉 |
| JPH06204155A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Toshiba Corp | 縦型半導体拡散炉 |
| US6059567A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
| JP2000277521A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Kobe Steel Ltd | 半導体ウェーハの高温高圧処理方法及び装置 |
| JP4523225B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP4104070B2 (ja) | 2004-02-02 | 2008-06-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 |
| JP4495498B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2007221019A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP5153614B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2013-02-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体基板の処理方法、制御プログラム、制御プログラムが記録された記録媒体および基板処理方法 |
| US7727780B2 (en) * | 2007-01-26 | 2010-06-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP4490492B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2010-06-23 | 株式会社日立国際電気 | 加熱装置及びこれを用いた基板処理装置並びに半導体装置の製造方法並びに絶縁体 |
-
2011
- 2011-04-01 JP JP2011081466A patent/JP5721219B2/ja active Active
- 2011-07-06 US US13/177,306 patent/US9460946B2/en active Active
- 2011-07-07 CN CN201110195218.3A patent/CN102315102B/zh active Active
- 2011-07-08 KR KR1020110067753A patent/KR101290943B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-06-20 KR KR1020130070999A patent/KR101444039B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050173396A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-08-11 | Tokyo Electron Limited | Heat-treating apparatus and heat-treating method |
| KR20080091423A (ko) * | 2007-02-09 | 2008-10-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 단열 구조체, 가열 장치, 가열 시스템, 기판 처리 장치 및반도체 장치의 제조 방법 |
| US20080296282A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9460946B2 (en) | 2016-10-04 |
| CN102315102B (zh) | 2014-08-13 |
| CN102315102A (zh) | 2012-01-11 |
| KR20130080465A (ko) | 2013-07-12 |
| JP2012033871A (ja) | 2012-02-16 |
| US20120006506A1 (en) | 2012-01-12 |
| JP5721219B2 (ja) | 2015-05-20 |
| KR20120005977A (ko) | 2012-01-17 |
| KR101290943B1 (ko) | 2013-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101444039B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 가열 장치 | |
| US9099507B2 (en) | Vertical heat treatment apparatus and method for cooling the apparatus | |
| JP4739057B2 (ja) | 熱処理装置、ヒータ及びその製造方法 | |
| KR101629366B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 | |
| KR20080091423A (ko) | 단열 구조체, 가열 장치, 가열 시스템, 기판 처리 장치 및반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN105870039B (zh) | 用于等离子体处理的双区式加热器 | |
| US20110220089A1 (en) | Vertical heat treatment apparatus and assembly of pressure detection system and temperature sensor | |
| US20190180983A1 (en) | Plasma source and semiconductor processing apparatus | |
| KR20130007462A (ko) | 열처리로 및 열처리 장치 | |
| WO2006134862A1 (ja) | 熱処理装置 | |
| CN105009260A (zh) | 热耦合的石英圆顶热沉 | |
| JP4669465B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
| JP2005286051A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4104070B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
| KR100942067B1 (ko) | 고온 퍼니스 | |
| JP2004311648A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2011103469A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
| US11127607B2 (en) | Heat processing system | |
| JP2004327528A (ja) | 半導体処理装置 | |
| KR100337108B1 (ko) | 웨이퍼 냉각 장치 | |
| KR101814985B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| JP2007081428A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5274696B2 (ja) | 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR101573522B1 (ko) | 유기금속 화학기상 증착장치의 노즐 유닛 | |
| KR20130014335A (ko) | 열처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170823 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180904 Year of fee payment: 5 |