JP2011176178A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 基板を処理する反応管と、
   前記反応管を支持するマニホールドと、
   前記反応管の周囲に設けられ前記反応管内を加熱するヒータと、
   前記ヒータより下方の前記反応管の側方を囲うように設けられる囲い部と、
   前記囲い部と前記反応管との間の間隙を強制排気する排気装置と、
   前記反応管と前記マニホールドとの間の当接部に設けられる密閉部材と、を有し、
   前記囲い部には、前記排気装置が前記囲い部の外側の雰囲気を前記間隙へ吸気する吸気口が設けられる熱処理装置。
2. 前記囲い部は、前記囲い部の側壁の周方向に複数設けられる吸気口を有する、請求項１に記載の熱処理装置。
3. 前記吸気口は、前記排気口の下方側よりも前記排気口の上方側の数の方が多くなるように設けられた請求項１または２に記載の熱処理装置。
4. 前記吸気口の総開口面積は、前記囲い部の側壁の総面積より小さく形成される、請求項１または２に記載の熱処理装置。
5. 前記囲い部は、前記間隙の長手方向の長さが幅方向の長さよりも大きくなるように構成される、請求項１または２に記載の熱処理装置。
6. 前記囲い部の外径は、前記ヒータの外径よりも小さくし、前記囲い部の内径は前記ヒータの内径以下の大きさとなるように構成される、請求項１または２に記載の熱処理装置。
7. マニホールドに支持された反応管内に基板を搬入する工程と、
   前記反応管内で基板を熱処理する工程と、
   熱処理後の基板を前記反応管より搬出する工程と、を有し、
   前記反応管と前記マニホールドとの間の当接部が密閉部材で密閉され、前記反応管の側方を囲う囲い部が設けられ、該囲い部には吸気口が設けられ、少なくとも前記熱処理工程では、前記反応管と前記囲い部との間の雰囲気を強制排気し、前記吸気口から前記間隙へ吸気する半導体装置の製造方法。
8. 前記吸気口は、前記囲い部の側壁の周方向に複数設けられて前記囲い部の外側の雰囲気を吸気する、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記吸気口は、前記排気口の下方側よりも前記排気口の上方側の数の方が多くなるように設けられる、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記吸気口の総開口面積は、前記囲い部の側壁の総面積より小さく形成される、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記囲い部は、前記間隙の長手方向の長さが幅方向の長さよりも大きくなるように構成される、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記囲い部の外径は、前記ヒータの外径よりも小さくし、前記囲い部の内径は前記ヒータの内径以下の大きさとなるように構成される、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。