JP2010199160A5 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法に関する。
本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、前記ガス導入手段は、前記処理室内に配設されるガス導入ノズルと、
前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、前記処理ガスは、前記ガス導入ノズルから前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入され、前記ガス導入口から前記処理室内に導入されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室から基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
さらに、本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室から基板を搬出する工程と、を有する基板処理方法が提供される。

Claims (3)

  1. 基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、
    前記ガス導入手段は、
    前記処理室内に配設されるガス導入ノズルと、
    前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、
    前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、
    前記処理ガスは、前記ガス導入ノズルから前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入され、前記ガス導入口から前記処理室内に導入される
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 処理室内に基板を搬入する工程と、
    内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
    前記処理室から基板を搬出する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  3. 処理室内に基板を搬入する工程と、
    内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
    前記処理室から基板を搬出する工程と、
    を有する基板処理方法。
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