JP2005327815A - 収納容器のガス置換装置およびそれを用いたガス置換方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウエハー等の収納容器内のガスを短時間に置換するとともに、半導体ウエハー等の表面を清浄化する。
【解決手段】ガス導入孔を有すると共に内部を清浄に保つ必要のある容器本体2と、容器本体2内を密封する蓋体3とを備えてなる収納容器1内のガスを、ガス置換流路を通して置換するガス置換装置である。容器本体2を取り付けてガス置換流路の一部を形成すると共に蓋体3を内部に完全に収納する収納容器取付け手段8と、上記ガス導入孔から容器本体2内にガスを導入するガス導入手段5と、収納容器取付け手段8を介して容器本体2内のガスを排気する排気手段4とを備えた。
【選択図】 図3
【解決手段】ガス導入孔を有すると共に内部を清浄に保つ必要のある容器本体2と、容器本体2内を密封する蓋体3とを備えてなる収納容器1内のガスを、ガス置換流路を通して置換するガス置換装置である。容器本体2を取り付けてガス置換流路の一部を形成すると共に蓋体3を内部に完全に収納する収納容器取付け手段8と、上記ガス導入孔から容器本体2内にガスを導入するガス導入手段5と、収納容器取付け手段8を介して容器本体2内のガスを排気する排気手段4とを備えた。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体ウエハー等の異物の付着を防止する必要のある材料を収納した状態で収納容器内部のガスを不活性ガス等に置換するとともに容器内に収納されている半導体ウエハー等の表面の清浄化を行う収納容器のガス置換装置、およびそれを用いた収納容器のガス置換方法に関するものである。
半導体ウエハーの大口径化が進むと共に、半導体に形成される加工パターンの微細化が急激に進展している。これに伴って、半導体ウエハーの汚染防止と表面の清浄化に関する技術的要求はますます高まってきている。
このような背景の中で、半導体ウエハーを収納して保管する半導体ウエハー収納容器中においてウエハー表面を清浄に保つと同時に、表面に不純物元素が吸着したり、保管容器中の水分が吸着したりすることによる劣化を防止するための技術が開発されてきている。
また、近年における半導体ウエハー収納容器は、無人で製造可能な高クリーン度の処理室に半導体ウエハーを自動でロード/アンロードできるように、収納容器の蓋が機械的に開閉可能な構造となっている。
さらに、半導体ウエハー収納容器内部に不活性ガスを充填して、内部の半導体ウエハー表面に形成した電極の腐食を防止できるようにした収納容器も用いられるようになってきた。例えば、特許文献1に示すように、半導体ウエハー収納容器に対して、ガス設定装置に接続可能な気密維持型カプラを取り付け、このカプラを介して乾燥した清浄な空気、窒素ガス、不活性ガス等の充填を可能とする収納容器内のガス置換に関する技術が開示されている。
特開平5−74921号公報(第4−5頁、第2図)
しかしながら、特許文献1に示される従来のガス置換装置や方法は、収納容器内部の空気を排気してからガス置換を行なわなければならず、置換後のガス純度を高めるためには排気後の容器内到達真空度を十分高くする必要があり、一般に多用されているプラスティック製収納容器に対しては耐圧強度に課題を有していた。
さらに、ガス置換前の容器内真空度を減圧程度に低くした場合は、収納容器を気密状態で純度の高いガス置換を行なうためには十分長い時間ガスを置換しなければならないという課題を有していた。
また、半導体ウエハー上に既に吸着されている水分や不純物を取り除くためには、収納容器内に設けられた加熱装置で収納容器内部を加熱しなければならないために、プラスティック製容器が使用できなくなる上に処理時間が長くかかるという課題を有していた。
本発明の収納容器のガス置換装置は、内部を清浄に保つ必要のある容器本体及び当該容器本体内を密封する蓋体からなる収納容器に接続されて、その内部に不活性ガス等の機能性ガスを導入するガス導入手段と、上記収納容器に接続されて上記収納容器内のガスを外部に排気するガス排気手段と、上記収納容器に接続され内部のガスを循環させて当該ガス中の異物を除去するガス循環手段とからなることを特徴とする。
このような構成とすることによって開放系のガス置換装置とすることができ、その結果、半導体ウエハー収納容器内のガスの排気と導入を同時に行なうことによって短時間で高純度のガス置換が可能となり上記課題を解決することができた。
また、化学吸着フィルターを介して、半導体ウエハー収納容器内のガスを循環させることによって常温で短時間に表面の清浄化を可能とし上記課題を解決することができた。特に、この循環ガスとして、窒素ガスまたは5%程度以下の反応性ガスを含む窒素ガスを用いることによって、ウエハー表面に吸着した不純物元素や官能基を短時間で効率良く除去することが可能となった。
また、上記蓋体がガス置換流路内部に全て収納されるように上記収納容器本体を取り付けることが可能な半導体ウエハー収納容器取付け手段を設け、上記半導体ウエハー収納容器取付け手段を介して上記収納容器本体のガスを排気する排気手段を取り付け、上記収納容器本体と上記半導体ウエハー収納容器取付け手段と上記ガス導入孔との間で順にガスを循環させることができるガス循環手段を取り付けることによって、導入ガスまたは循環ガスの逆流を防ぎ、上記蓋体に付着したマイクロダストを除去して短時間で清浄度の高いガス置換を実現することができ、上記課題を解決することができた。
また、上記半導体ウエハー収納容器取付け手段を、少なくとも集塵壁によって囲まれてなる集塵室により構成されガス置換工程で発生するマイクロダストを隔離する集塵手段と、上記蓋体が上記集塵室の内部に全て含まれるようにするとともに、気密性を保って上記半導体ウエハー収納容器を上記半導体ウエハー収納容器取付け手段に取り付ける収納容器本体取付け手段とから構成した。
さらに、上記収納容器本体から上記蓋体を上記集塵手段の内部で脱着する蓋体脱着手段を構成し、上記蓋体脱着手段の構成を、上記蓋体を保持する蓋体保持機構と、上記収納容器本体と蓋体とを結合する蓋体留め構造を脱着する蓋体留め構造脱着機構と、上記蓋体と所定の間隙を有して接するガス流路形成機構と、上記蓋体と上記蓋体保持機構と上記蓋体留め構造脱着機構と上記ガス流路形成機構とを同時に移動させて上記収納容器と上記蓋体との間に所定の間隙を形成する脱着移動機構と、上記蓋体保持機構と上記蓋体留め構造脱着機構と上記脱着移動機構を各々駆動させる脱着駆動機構からなる構成とした。
このような構成とすることで、半導体ウエハー収納装置のガス置換を機械的に自動化でき、クリーンルーム内の汚染を最小にすると共に、半導体処理工程におけるロード/アンロードの処理にも対応できるようになり上記課題を解決することができた。
さらに、上記収納容器本体と上記半導体ウエハー収納容器取付け手段との合せ面に、気密維持用のシールを設け、ガスが外部環境に漏れ出すことを防ぎ、純度の高いガス置換を可能とした。
また、上記蓋体と所定の間隙を有して接する上記ガス流路形成機構を、上記蓋体周縁部で形成される間隙の体積が、上記蓋体中央部で形成される間隙の体積に比べて十分大きな体積を有するポンプ室を構成するように形成し、上記蓋体で形成される間隙であって上記ポンプ室を除く間隙と上記集塵室とを連通し、上記間隙側から上記集塵室側に向かうに従って径が大きくなるように形成された連通孔を少なくとも1つ形成することによって、蓋体に付着したマイクロダストを効率良く除去することが可能となった。
そして、上記蓋体留め構造脱着機構と上記脱着移動機構とを、回転自在かつ平行移動可能な同一の回転移動軸で構成し、上記回転移動軸を抜け留を有するフッ素含有高分子軸受けで上記ガス流路形成機構に回転自在に結合し、他のフッ素含有高分子軸受けで上記集塵壁と気密を保って回転自在かつ平行移動可能に結合することによって、装置構成を簡素化すると同時にマイクロダストが発生しない装置構成とすることができ、ガス置換純度を向上させることができた。
一方、本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換装置を用いて行なうガス置換方法として、以下の(ア)〜(オ)の工程からなることを特徴とする半導体ウエハー収納容器のガス置換方法を実現した。
(ア)上記半導体ウエハー収納容器を上記ガス置換装置に取り付ける工程。
(イ)上記ガス排気手段によって上記収納容器本体の空気を排気する工程。
(ウ)上記ガス排気手段によって上記収納容器本体のガスを排気しながら、上記ガス導入手段によって上記収納容器本体にガスを導入する工程。
(エ)上記収納容器本体へのガスの導入と排気を停止して、上記ガス循環手段によって、上記化学吸着フィルターを介して上記収納容器本体のガスを循環させる工程。
(オ)上記半導体ウエハー収納容器を上記ガス置換装置から取り外す工程。
このようなガス置換方法を用いることによって、短時間でガス置換と半導体ウエハーの清浄化が可能となり、上記課題を解決することができた。
また、上記置換に用いるガスとして、窒素ガスを95%以上含む乾燥ガスを用いることによって、半導体ウエハーの清浄化の効果を高めることができた。
さらに、本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換装置を用いて行なうガス置換方法として、以下の(カ)〜(ソ)の工程からなるガス置換方法を開示した。
(カ)上記蓋体が上記集塵室内に入るようにして、半導体ウエハー収納容器を上記半導体ウエハー収納容器取付け手段に気密に取り付ける容器取付け工程。
(キ)上記収納容器本体のガス導入孔と上記ガス導入手段とを結合するガス導入手段結合工程。
(ク)上記ガス流路形成機構と上記蓋体留め構造脱着機構とを一緒に移動させて上記蓋体に近接させ、上記蓋体保持機構で上記蓋体を結合して保持する蓋体保持工程。
(ケ)上記蓋体留め構造脱着機構によって上記収納容器本体と上記蓋体とを結合している蓋体留め構造を作動させ、上記収納容器本体と上記蓋体とを分離する蓋体取外し工程。
(コ)上記排気手段によって上記集塵室内を排気して減圧する減圧工程。
(サ)上記排気手段によって上記集塵室内の排気を行ないながら、上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を用いて上記収納容器本体にガスを導入するガス置換工程。
(シ)上記収納容器本体と上記集塵手段、および上記収納容器のガス導入孔に順にガスを循環させるガス循環工程。
(ス)上記ガス流路形成機構と上記蓋体留め構造脱着機構および上記蓋体とを一緒に移動させて上記蓋体を上記収納容器本体に挿入し、上記蓋体留め構造脱着機構によって上記蓋体留め構造を作動させ、上記収納容器本体と上記蓋体とを結合させる蓋体取付け工程。
(セ)上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を取外すガス導入手段取外し工程。
(ソ)半導体ウエハー収納容器を上記集塵手段から取り外す容器取外し工程。
このようなガス置換方法を用いることによって、自動的または半自動的に半導体ウエハー収納容器のガス置換を可能とし、短時間で純度の高いガス置換と半導体ウエハーの清浄化を行なうことができるようになり上記課題を解決することができた。
さらに、上記工程(サ)の前に、以下の(ナ)および(ニ)工程を付け加えることによって、半導体ウエハーの清浄化をより短時間で効果的に行なうことができるようになった。
(ナ)上記排気手段によって上記集塵室内の排気を行ないながら、上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を用いて上記収納容器本体に乾燥窒素ガスに約5%以下の反応性ガスを混合したクリーニングガスを導入するクリーニングガス置換工程。
(ニ)上記収納容器本体と上記集塵手段、および上記収納容器本体のガス導入孔に順にクリーニングガスを循環させるクリーニングガス循環工程。
そして、上記反応性ガスとして、少なくともオゾンガスまたは水素ガスまたはアンモニアガスのいずれか1つのガス成分を含む乾燥窒素ガスを用いた。
本発明の半導体ウエハー等の収納容器のガス置換装置およびそれを用いたガス置換方法は、短時間で収納容器内部を目的とするガスに置換することが可能となるために、半導体ウエハー等の汚染や腐食を防止するためのガス置換工程の短縮化を図ることができ、安価で高品質な半導体部品等の製造を可能ならしめる効果を有する。
また、本発明の半導体ウエハー等の収納容器のガス置換装置およびそれを用いたガス置換方法は、常温で短時間に半導体ウエハー等の表面の清浄化を実現できるために、微細な加工を施した高品質の半導体部品等の製造時間を短縮化できるという効果を有する。
さらに、収納容器の蓋やその周辺に付着しているマイクロダストを同時に除去することができるために、半導体製造プロセス等のクリーン化を極限化できるという効果を有する。
さらにまた、本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換装置およびそれを用いたガス置換方法は、自動化されたロードおよびアンロードに対応したガス置換をも可能とし、クリーンルームの汚染を最小限に抑えることができるという効果を有する。
以下に本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。本実施形態では、内部を清浄に保つ必要のある収納容器として、半導体ウエハーを収納する半導体ウエハー収納容器を例に説明する。なお、本発明は、半導体ウエハーに限らず、保管空間内を清浄に保つ必要のあるICや表示素子等の精密部品等の収納容器に対しても用いることができる。
[第1実施形態]
以下に、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明による半導体ウエハー収納容器のガス置換装置に関する実施形態の基本構成を示す構成図である。半導体ウエハー収納容器1は、内部を清浄に保つ必要のある収納容器本体2と、収納容器本体2内を密封する蓋体3とで構成され、容器内に大気中の水分や塵埃などが入らないようにシールによって密閉された密閉構造となっている。そして、この密閉された半導体ウエハー収納容器1中には、溝板(図示せず)によって半導体ウエハーが互いに離間した一定の距離を保って平行に収納されている。この半導体ウエハー収納容器1に、後述するガス排気手段4、ガス導入手段5、ガス循環手段6及び化学吸着フィルター7からなるガス置換装置が接続される。
以下に、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明による半導体ウエハー収納容器のガス置換装置に関する実施形態の基本構成を示す構成図である。半導体ウエハー収納容器1は、内部を清浄に保つ必要のある収納容器本体2と、収納容器本体2内を密封する蓋体3とで構成され、容器内に大気中の水分や塵埃などが入らないようにシールによって密閉された密閉構造となっている。そして、この密閉された半導体ウエハー収納容器1中には、溝板(図示せず)によって半導体ウエハーが互いに離間した一定の距離を保って平行に収納されている。この半導体ウエハー収納容器1に、後述するガス排気手段4、ガス導入手段5、ガス循環手段6及び化学吸着フィルター7からなるガス置換装置が接続される。
図1に示す半導体ウエハー収納容器1においては、収納容器本体2にガス導入手段5から供給される置換ガスを導入するための置換ガス導入孔(図示せず)が、蓋体3に収納容器本体2内のガスを外部に排出する置換ガス排出孔(図示せず)が設けられている。また、収納容器本体2には、ガス循環手段6で循環されるガスを収納容器本体2内に導入する循環ガス導入孔(図示せず)と、収納容器本体2内のガスを循環させるためにガス循環手段6側へ排出する循環ガス排出孔(図示せず)とが設けられている。上記置換ガス導入孔及び置換ガス排出孔は、収納容器本体2と蓋体3にそれぞれ設けたが、両方とも収納容器本体2に設けても良いし、両方とも蓋体3に設けても良い。収納容器本体2内のガスを効率的に置換できる位置であればどの位置に設けても良い。また、循環ガス導入孔及び循環ガス排出孔の場合も、両方とも収納容器本体2に設けたが、両方とも蓋体3に設けても良く、収納容器本体2と蓋体3にそれぞれ設けもよい。この場合も同様に、収納容器本体2内のガスを効率的に循環できる位置であればどの位置に設けても良い。
ガス排気手段4は、蓋体3に接続されて収納容器本体2内のガスを外部に排気するための装置である。ガス排気手段4と上記置換ガス排出孔とは、当該置換ガス排出孔に着脱可能に接続されたガス排出管で結合されている。このガス排気手段4によって半導体ウエハー収納容器1内の空気またはガスが外部に排気されるようになっている。
ガス導入手段5は、半導体ウエハー収納容器1内にガス(収納容器内に収納される収納物に対して何らかの働きをさせたりさせなかったりするために、収納物に応じて適宜選択される機能性ガス、本実施形態においては半導体ウエハー表面の変質や汚染を防止するための不活性ガス)を導入するための装置である。ガス導入手段5と上記置換ガス導入孔とは、当該置換ガス導入孔に着脱可能に接続されたガス導入管で結合されている。このガス導入管を介してガス導入手段5から半導体ウエハー収納容器1内に不活性ガスが導入される。
ガス循環手段6は、収納容器本体2に接続されて内部のガスを循環させてガス中の異物を除去するための装置である。ガス循環手段6は、上記循環ガス導入孔及び循環ガス排出孔に、これらの孔に着脱可能に接続された循環ガス管を介して結合されて、ガス循環経路を構成している。このガス循環経路には、化学吸着フィルター7が挿入されている。この化学吸着フィルター7は、循環ガス中に含まれている不純物ガス成分等の異物を吸着濾過する作用をしている。この化学吸着フィルター7は、ステンレス鋼製の容器内に封入した化学吸着剤を充填して構成され、その化学吸着剤にガスを通すことによってガス中の水分や不純物等の異物の除去を行なう。この化学吸着剤としては、表面を活性化させたステンレスやニッケルなどの金属材料メッシュや、多孔質ガラス繊維や、多孔質アルミナなどのセラミック材料を用いる。
そして、上記ガス排気手段4、ガス導入手段5、ガス循環手段6及び化学吸着フィルター7でガス置換装置が構成されている。
次に、上記構成のガス置換装置を用いたガス置換方法について説明する。
まず、第一工程として、半導体ウエハー収納容器1を上記ガス置換装置に接続する。即ち、上記置換ガス排出孔にガス排出管を接続し、上記置換ガス導入孔にガス導入管を接続し、さらに上記循環ガス導入孔及び循環ガス排出孔に循環ガス管を接続して、半導体ウエハー収納容器1をガス排気手段4、ガス導入手段5及びガス循環手段6にそれぞれ接続する。
その後、第二工程として、ガス排気手段4を動作させて半導体ウエハー収納容器1の内部にある空気等のガスの排気を開始する。
その後、第三工程として、半導体ウエハー収納容器1内に不活性ガスを導入する。即ち、ガス排気手段4でガスを排気しながら、ガス導入手段5を作動させて当該ガス導入手段5から半導体ウエハー収納容器1の内部に不活性ガスを導入して、半導体ウエハー収納容器1内のガスを不活性ガスに置き換える。第三工程で用いる不活性ガスとしては、高純度の乾燥窒素ガスを用いる。また、半導体ウエハー収納容器1内の半導体ウエハーの処理状態によっては、乾燥アルゴンガスなどを用いる場合もある。また、低コスト化を図って高純度乾燥窒素ガスに乾燥空気などを混合させたものを用いる場合もあるが、窒素ガスは95%以上含まれていることが望ましい。
上記第三工程を開始する時点で、半導体ウエハー収納容器1の内部は高真空になっている必要はなく、減圧状態で十分である。従来のガス置換装置の多くはガス導入孔とガス排出孔とが共通になった閉鎖系の構造となっており、上記第三工程前に半導体ウエハー収納容器1内部のガスが残存しているとそれが置換ガス純度に影響を与えた。そのため、ガス置換に対しては、少なくとも30〜60分以上の時間を必要とした。これに対して、本発明によるガス置換装置は開放系の構造を持っており、ガス導入とガス排気を同時に行なうことによって効率良く半導体ウエハー収納容器1内部のガスが置換される。
第三工程で所定時間に渡って上記ガス導入とガス排気を行なった後、第四工程として、ガス導入手段5からの半導体ウエハー収納容器1へのガス導入と、半導体ウエハー収納容器からのガス排気手段4によるガスの排気を停止する。第三工程に要する時間は、半導体ウエハー収納容器1の容積とガス排気手段4及びガス導入手段5の能力や、半導体ウエハーの処理状態に依存するが、60リットル程度の容器であれば少なくとも10〜30分程度必要である。
次に、第五工程として、ガス循環手段6を用いて半導体ウエハー収納容器1内部のガスを循環させる。このとき、循環ガスは半導体ウエハー表面の不純物や官能基を取り除く作用を行なう。即ち、循環ガスが半導体ウエハーに吸着した不純物や官能基などの不純物を除去すると共に、半導体ウエハー収納容器1内部の循環ガスが不純物や官能基等を含んだ状態でガス循環手段6を循環する際に不純物や官能基等が除去される。この循環ガスは、ガス循環手段6を循環する際に化学吸着フィルター7に通され、この化学吸着フィルター7によって循環ガス中の水分や不純物元素等が吸着されて清浄化される。このガス循環の時間は5〜30分程度必要である。
上記第三工程において導入するガスとして、純度99.5〜99.999%程度の高純度乾燥窒素ガスを用いることによって、この第五工程によって半導体ウエハー表面に吸着している水分や不純物を効果的に除去することができる。
さらにまた、第三工程において導入するガスとして、純度99%以上の高純度乾燥窒素ガスに、純度99%以上のオゾンガス、水素ガス若しくはアンモニアガス、またはこれらの混合ガスからなる反応性ガスをおよそ5%以下混合してもよい。これによって、第五工程による半導体ウエハー表面に吸着している水分や不純物の除去効果が高くなり、5〜10分程度で表面清浄化の効果が得られる。
このように第三工程で反応性ガスを混合した乾燥窒素ガスを用いる場合は、その反応性ガスが半導体ウエハー収納容器1内部に残留するのを防ぐために、反応性ガスが含まれていない高純度乾燥窒素ガスを用いて上記第三工程から第五工程までの工程を繰り返す。
第五工程が終了すると、第六工程として、半導体ウエハー収納容器1のガス導入孔、ガス排出孔、循環ガス導入孔、および循環ガス排出孔を密閉した後、半導体ウエハー収納容器1からガス排気手段4とガス導入手段5とガス循環手段6を取り外し、ガス置換工程を終了する。
以上により、半導体ウエハー収納容器1内を目的とする不活性ガスに短時間で置換することが可能となる。この結果、半導体ウエハー100の汚染や腐食を防止するためのガス置換工程の短縮化を図ることができ、全体としてコストの低減を図ることができる。これにより、安価で高品質な半導体部品等の製造を可能にすることができる。
また、上述したガス置換装置およびガス置換方法では、ガス排気手段4、ガス導入手段5、ガス循環手段6及び化学吸着フィルター7によって、常温で短時間に半導体ウエハー表面の清浄化を実現することができる。この結果、微細な加工を施した高品質の半導体部品等の製造時間を短縮化させることができる。
さらに、収納容器の蓋やその周辺に付着しているマイクロダストを同時に除去することができるために、半導体製造プロセス等のクリーン化を極限化できるという効果を有する。
さらにまた、上記構成のガス置換装置では、ガス排出管、ガス導入管及び循環ガス管の着脱を自動化することで、ガス置換方法全体を容易に自動化することができる。この結果、自動化されたロードおよびアンロードに対応したガス置換が可能となり、クリーンルームの汚染を最小限に抑えることができる。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図2に本実施形態のガス置換装置の構成図を示す。本実施形態においては、図1に示した第1実施形態に係るガス置換装置と同じ構成要素には同じ符号を付してその説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図2に本実施形態のガス置換装置の構成図を示す。本実施形態においては、図1に示した第1実施形態に係るガス置換装置と同じ構成要素には同じ符号を付してその説明を省略する。
本実施形態においては、第1実施形態のガス置換装置に半導体ウエハー収納容器取付け手段8を設けた。この半導体ウエハー収納容器取付け手段8は、蓋体3に直接接続されることなく、収納容器本体2内のガスの排気を行うための装置である。半導体ウエハー収納容器取付け手段8は、蓋体3全体を覆って収納容器本体2に取り付けられた状態で、蓋体3を取り外してガスの出し入れを可能とする。
半導体ウエハー収納容器1の蓋体3は半導体ウエハー収納容器取付け手段8のガス置換流路内部に全て収納されるように取り付けられる。半導体ウエハー収納容器取付け手段8は、半導体ウエハー収納容器1の収納容器本体2に密閉して取り付けられるようになっている。このため、収納容器本体2と半導体ウエハー収納容器取付け手段8との合わせ面には気密維持用のためのシール部材が設けられ、これらを機械的に押し付けて、気密に取り付けられている。
半導体ウエハー収納容器取付け手段8は、容器状の部材であり、収納容器本体2と気密に連結した状態で、蓋体3を開閉できる空間を有している。さらに、この空間は外部環境から密閉されたガス流路の一部を構成している。
収納容器本体2と蓋体3とは、蓋体留め構造で結合されている。この蓋体留め構造は、出没する部材が受け側と結合する等の機構(図4のスライド板108及びガス流路形成機構111参照)によって構成されている。蓋体留め構造を人の手または機械で解除することによって、収納容器本体2と蓋体3とを分離することができるようになっている。
図2においては、ガス導入孔は収納容器本体2に設けられており、ガス導入手段5とガス導入管で連結されている。一方、ガス排出孔は半導体ウエハー収納容器1には設けられていない。ガス排出孔は半導体ウエハー収納容器取付け手段8に設けられており、この半導体ウエハー収納容器取付け手段8のガス排気手段4とがガス排出管で連結されている。また、ガス循環手段6の循環ガス管の一方は収納容器本体2に設けられているガス導入孔と連結しており、循環ガス排出孔は半導体ウエハー収納容器取付け手段8に設けられている。そして、これらガス導入孔と循環ガス排出孔はガス循環手段6と結合されており、ガス循環経路を構成している。このガス循環経路の中には、第1実施形態で説明した化学吸着フィルター7が取り付けられている。
次に、上述した図2のガス置換装置を用いた半導体ウエハー収納容器1のガス置換方法について説明する。このガス置換方法で、図1に基づいて説明した第1実施形態と異なる点は、第一工程として、半導体ウエハー収納容器1を半導体ウエハー収納容器取付け手段8に取り付けることである。半導体ウエハー収納容器1の収納容器本体2と半導体ウエハー収納容器取付け手段8とが、シール部材を介して気密に取り付けられる。
そして、第二工程として、半導体ウエハー収納容器1の収納容器本体2をガス導入手段5に接続する。一方、ガス排気手段4は半導体ウエハー収納容器取付け手段8に、ガス循環手段6は半導体ウエハー収納容器取付け手段8とガス導入手段5のガス導入管に予め取り付けられているため、あらためて取り付ける必要はない。
次に、第三工程として、半導体ウエハー収納容器取付け手段8のガス流路内部で蓋体3を収納容器本体2から取り外す。すなわち、半導体ウエハー収納容器取付け手段8によって密封された状態で、収納容器本体2と蓋体3とを結合している蓋体留め構造を人の手または機械で解除することによって、収納容器本体2と蓋体3とを分離する。蓋体留め構造を人の手で解除する場合は、半導体ウエハー収納容器取付け手段8はグローブボックスの機能を有しており、蓋体留め構造の解除と、収納容器本体2と蓋体3との分離をガス流路の気密性を破らずに行なうことができるようになっている。そして、収納容器本体2内からガス排気手段4へ排出される排出ガス及びガス循環手段6へ循環される循環ガスは、分離された収納容器本体2と蓋体3との隙間を通って排出及び循環される。
ガス置換後の工程は、図1を用いて説明した第1実施形態の第二工程から第五工程までと同様であるため説明を省略する。
そして、第六工程として、半導体ウエハー収納容器取付け手段8の内部で、ガス流路の気密性を破らずに人の手または機械的に収納容器本体2と蓋体3とを密着し、蓋体留め構造をロックして結合する。
第七工程として、収納容器本体2のガス導入孔を密閉してから、ガス導入手段5を収納容器本体2から取外し、半導体ウエハー収納容器1を半導体ウエハー収納容器取付け手段8から取り外してガス置換工程を終了する。ガス排気手段4及びガス循環手段6の取り外しは必要ない。
以上により、上記第1実施形態と同様の効果を有すると共に、本実施形態ではさらに、ガス排気手段4、ガス導入手段5及びガス循環手段6の着脱が容易になり、ガス置換作業の効率化を図ることができる。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図3は本実施形態に係る半導体ウエハー収納容器のガス置換装置を示す構成図である。本実施形態のガス置換装置では、特に半導体ウエハー収納容器1の収納容器本体2から蓋体3を機械的に脱着する蓋体脱着手段12と、それを制御するための蓋体脱着制御手段13とを有している。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図3は本実施形態に係る半導体ウエハー収納容器のガス置換装置を示す構成図である。本実施形態のガス置換装置では、特に半導体ウエハー収納容器1の収納容器本体2から蓋体3を機械的に脱着する蓋体脱着手段12と、それを制御するための蓋体脱着制御手段13とを有している。
収納容器本体2と蓋体3とは上述した蓋体留め構造で固定されている。半導体ウエハー収納容器1内に収納されている半導体ウエハーを処理室(図示せず)に自動的にロードまたはアンロードできるように、蓋体留め構造は外部から機械的に脱着できるようになっている。
蓋体留め構造の1例を図10に示す。図10(a)に示すように、蓋体留め構造は、平行移動して収納容器本体2に設けられた結合孔(図4中の117)に挿入されるスライド板133と、このスライド板133に係止してスライド板133を出没動させる回転板131と、全体を覆って上記スライド板133の平行移動をガイドするガイド板128とから構成されている。スライド板133には、回転板131に係止するための円弧状の長穴134が設けられている。この長穴134は、回転板131によってスライド板133を往復動させることができる形状であればよく、円弧状以外の形状でもよい。
回転板131は、ガイド板128によって回転可能に支持されている。この回転板131の一側面(スライド板133側面)の外周部には、長穴134に嵌合するピン132が設けられている。回転板131の他側面の回転中心には、蓋体留め脱着機構123の嵌合片125が嵌合して一体的に回転する連結溝130が設けられている。ガイド板128のうち、回転板131の連結溝130に対応する位置には、ガイド穴129が設けられている。
蓋体留め構造脱着機構123は、蓋体3を収納容器本体2に対して固定し又は固定解除するための装置である。蓋体留め構造脱着機構123は、駆動モータ(図示せず)に回転可能に支持され、その先端に嵌合片125が取り付けられている。この嵌合片125は、直方体形状に形成され、ガイド板128のガイド穴129を通して回転板131の連結溝130に差し込まれるようになっている。さらに、蓋体留め構造脱着機構123は、その軸方向に移動できるように構成されている。
これにより、嵌合片125を回転板131の連結溝130に挿入した後、図10(b)の矢印135で示す方向に蓋体留め構造脱着機構123を回転させると、それに伴って回転板131が回転する。この回転板131の回転に伴って、長穴134に差し込まれたピン132が同時に回転して、スライド板133を矢印136の方向に平行移動させる。その結果、スライド板133の先端が結合孔117に挿入されて、収納容器本体2と蓋体3とが結合する。このとき、嵌合片125はガイド穴129と整合した状態となり、蓋体留め構造脱着機構123を引いて嵌合片125を連結溝130及びガイド穴129から引き抜く。
収納容器本体2と蓋体3とを分離するときは、嵌合片125が連結溝130に嵌合した状態で、蓋体留め構造脱着機構123を上記と逆方向に回転させる。これにより、回転板131が回転してスライド板133が引き込まれて、蓋体3が収納容器本体2に対して固定解除される。これと同時に、嵌合片125が連結溝130とガイド板128との間に支持され、蓋体留め脱着機構123と蓋体3とが結合されて保持される。この状態で、蓋体留め脱着機構123を引いて、蓋体3を収納容器本体2から離す。
この蓋体脱着手段12の制御は蓋体脱着制御手段13によって行なわれる。
一方、半導体ウエハー収納容器取付け手段8は、図3に示すように、収納容器本体取付け手段9と集塵手段10とから構成されている。集塵手段10は、集塵壁で取り囲まれた容器状に形成されてその内部に蓋体3を全てそっくり収納する空間からなる集塵室を備えて構成されている。集塵手段10の収納容器本体2との当接面には、集塵手段10と収納容器本体2との間を気密に接着するためのシール(図示せず)が設けられている。これにより、収納容器本体2は気密維持用のシールを介して集塵壁に密着して取り付けられる。
収納容器本体取付け手段9は、断面鉤状に形成されて集塵手段10にスライド可能に設けられ、バネ構造(図示せず)で集塵手段10の集塵壁側へ付勢されている。これにより、収納容器本体取付け手段9は、収納容器本体2を引っかけた状態で、上記バネ構造によって収納容器本体2を集塵手段10の集塵壁に押し付けることで、集塵手段10と収納容器本体2との間を気密に保って固定する。
蓋体脱着手段12は、集塵手段10で形成された密封空間内で蓋体3を脱着させるための機構である。蓋体脱着手段12は、集塵手段10内へ延出された蓋体留め構造脱着機構114と、この蓋体留め構造脱着機構114を回転駆動させる駆動モータ(図示せず)とを備えて構成されている。この蓋体脱着手段12によって、上記したように蓋体3に設けられている蓋体留め構造の脱着を機械的に行なう。
図3に示す半導体ウエハー収納容器1のガス置換装置は、図2に示した実施形態と同様に、ガス排気手段4が集塵手段10に連結されており、ガス導入手段5が収納容器本体2に連結されている。また、ガス循環手段6は集塵手段4とガス導入手段5に連結されており、ガス循環手段6を通して半導体ウエハー収納容器1内部のガスを循環させるようになっている。
ガス排気手段4は、集塵フィルター14と排気ポンプ15と第三バルブ19と第四バルブ20、および第五バルブ21とから構成されている。これらの要素は、ガス流路を形成するガス管で結合されている。排気ポンプ15は、通常の油回転ポンプを用いることができる。図では示されていないが、油回転ポンプを用いる場合は、オイルミストによってクリーンルーム内を汚染しないように、油回転ポンプからの排気は排気ダクトに密閉されて排出される。また、集塵フィルター14は、上記した化学吸着フィルター7と同様に、サブミクロンのメッシュまたは多孔質構造を持ったフィルターによって排気ガスに含まれるマイクロダストを濾過・吸着して取り除くが、化学吸着フィルターに要求されるような水分や不純物に対する吸着活性は要求しなくても良い。
第三バルブ19、第四バルブ20、および第五バルブ21は、これらを開閉することによって、ガス流路のつながりパターンを切り替える。すなわち、第四バルブ20を閉じて、第五バルブ21を開くことによってガス排気手段4と集塵手段10のガス流路が連結される。また、第五バルブ21と第三バルブ19を閉じた状態で排気ポンプ15を作動することによって、第五バルブ21から排気ポンプ15との間のガス流路内の大気を除去できる。その後、第五バルブ21を開くことによって、ガス排気手段4内に大気が混入することを防ぐことができる。また、排気ポンプを止める場合は、第五バルブ21を閉じてから第三バルブ19を開いて排気ポンプ15直前のガス流路を大気圧に戻してから停止する。このようにすることで、排気ポンプ内のオイルやダストをガス流路内に逆流させて汚染することなく排気ポンプ15を停止させることができる。各バルブは電磁ソレノイド等によって電気的に開閉できるようになっており、排気ポンプ15と共に蓋体脱着制御手段13によって自動的に制御されるようになっている。なお、手動でバルブの開閉及びポンプのオンオフを切り替えるようにしてもよい。
ガス導入手段5は、第一バルブ17と第二バルブ18とガス管から構成される。これらのバルブも、自動制御の場合は、電磁ソレノイド等を含んで構成されて、蓋体脱着制御手段13に接続されている。手動の場合は、開閉するための取っ手(図示せず)が設けられる。
ガス導入手段5には、ガス供給手段11が接続されている。ガス供給装置11は高圧ガスボンベやクリーンルームに設けられたガス供給管などである。第一バルブ17と第二バルブ18とを開状態にすることによって、ガス供給手段11と収納容器本体2とのガス流路がつながる。複数の種類のガスをガス導入手段5に供給する場合は、ガス供給手段11は複数の高圧ガスボンベまたはガス供給管から構成される。
ガス循環手段6は、循環ポンプ16と化学吸着フィルター7と集塵フィルター14と第二バルブ18および第四バルブ20で構成されている。これらの要素はガス流路を形成するガス管で結合されている。図3に示す実施形態では、ガス循環手段6はガス排気手段4およびガス導入手段5と結合され、これらと集塵フィルター14、第二バルブ18、第四バルブ20を共有している。第一バルブ17と第五バルブ21を閉じ、第四バルブ20を開くことによって、収納容器本体2と集塵手段10に対してガス循環経路を形成する。すなわち、第四バルブ20と第五バルブ21とは、これらを開閉することによって排気手段とガス循環手段とのガス流を切り替えるガス流切り替え手段22となっている。これらは、上記の場合と同様に、自動制御または手動の態様に応じた構成になっている。
図3に示した半導体ウエハーのガス循環装置に関する集塵手段近傍の詳細な構成断面図を図4に示す。図4(a)は、収納容器本体と蓋体とが蓋体留め構造で結合されている状態を示す部分断面図である。収納容器本体101(2)と蓋体102(3)とからなる半導体ウエハー収納容器は、気密維持用シール103で密着して取り付けられており、その中には半導体ウエハー100が収納されている。この気密維持用シール103としては、いわゆるOリングと呼ばれるゴム系樹脂やシリコン系樹脂で形成された弾性構造体が一般に用いられている。
蓋体102には、スライド板108と円板構造109とからなる蓋体留め構造が設けられている。また、円板構造109の回転中心には蓋体保持機構110が設けられている。上述したように、このスライド板108は、円板構造109の外周に設けられたピンに回転自在な穴を介して取り付けられており、円板構造109の回転に伴って平行移動して、結合孔117に対して着脱するようになっている。円板構造109の回転中心近傍に設けられた蓋体保持機構110は、蓋体留め構造脱着機構114の先端の嵌合片が挿入される穴または溝構造となっている。この蓋体保持機構110に対して、蓋体留め構造脱着機構114の先端に加工された嵌合片を挿入して回転させることで、蓋体102を保持又は保持の解除ができるようになっている。また、スライド板108の端部は収納容器本体101に形成された結合孔117に挿入されて、収納容器本体101と蓋体102とを結合して固定する。
蓋体脱着機構は、ガス流路形成機構111と蓋体留め構造脱着機構114と脱着移動機構112とから構成されている。図4に示す例では、ガス流路形成機構111と脱着移動機構112とは一体に作られている。蓋体留め構造脱着機構114はガス流路形成機構111と脱着移動機構112の内部で回転自在に取り付けられている。さらに、蓋体留め構造脱着機構114は、ガス流路形成機構111及び脱着移動機構112を貫通して設けられ、その先端の嵌合片が蓋体保持機構110に向けて延出されている。
また、脱着移動機構112は、集塵壁104に開口されたポートを通して、集塵室107内部で平行移動が可能となっている。このポートには、脱着移動機構112と集塵壁104との間を気密に維持するためのシール115が取り付けられている。このシール115で、脱着移動機構112の移動によって集塵室107内部のガスが外に漏れるのを防止している。
集塵壁104と収納容器本体101とは、収納容器本体取付け手段106(9)で密着して取り付けられる。このとき、収納容器本体取付け手段106は、鉤状の先端で収納容器本体101を引っかけて上述したバネ構造で集塵壁104側へ付勢する。
集塵壁104には、収納容器本体101に面する位置に気密維持用のシール105が取り付けられている。このシール105は、取付け部からガスが漏れることを防ぐ役割を果たしている。収納容器本体取付け手段106によって収納容器本体101が集塵壁104側へ付勢された状態で、収納容器本体101がシール105に圧接されて、シールされる。
収納容器本体101が集塵壁104に取り付けられると、蓋体脱着機構が移動してガス流路形成機構111が蓋体102に近づき、蓋体留め構造脱着機構114の直方体状の先端が蓋体保持機構110に挿入されて停止するが、このとき、ガス流路形成機構111と蓋体102との間に所定の間隙が形成されるようになっている。この間隙はガス流路形成機構111の周縁部分では広く、それ以外の部分では狭くなるように形成されている。このガス流路形成機構111の周縁部で形成される間隙をポンプ室116、それ以外の中央部分の間隙を通風間隙117と呼ぶことにする。具体的には、ポンプ室116の間隙は10〜20mm程度であり、それ以外の部分の間隙は1mm程度あるいはそれ以下になっている。ポンプ室116の体積がそれ以外の間隙空間の体積に比べて十分大きくなるように、これらの間隙が形成されていれば良い。
一方、ガス流路形成機構111の中心近傍には、通風間隙117と集塵室107とに連通した連通孔113が形成されている。この連通孔113の径は、通風間隙117側から集塵室107側に向かうに従って大きくなるように形成されている。図4では連通孔113の数が1つの場合を示してあるが、連通孔113を複数設けても良い。
図4(b)は、収納容器本体2と蓋体3とが分離している状態を示した部分断面図である。蓋体保持機構110に挿入された蓋体留め構造脱着機構114を矢印118で示すように回転させると、それに伴って円板構造109も回転し、円板構造109の外周に設けられたピンに回転自在の穴を介して取り付けられたスライド板108が平行移動して、図に示すように結合孔117から抜ける。これで収納容器本体101と蓋体102とが分離される。
それから、脱着移動機構112が、蓋体102と蓋体留め構造脱着機構114とガス流路形成機構111とを一緒に矢印119の方向に平行移動させることによって、収納容器本体101と蓋体102との間のシールを破り、それらの間に間隙を形成する。この間隙がガス置換時またはガス循環時のガス流路を形成する。
また、図4(b)から分かるように、この蓋体102が移動してもポンプ室116および通風間隙133の間隙寸法は変化することはない。
なおここでは、脱着移動機構112と蓋体留め構造脱着機構114とを別部材として構成したが、一体にしても良い。具体的には図5に示すように、蓋体脱着機構の一部を構成する蓋体留め構造脱着機構と脱着移動機構とが1本の回転移動軸114で兼用されている。このような構造とすることによって、蓋体脱着機構の構造を著しく簡単にすることができる。この回転移動軸114は軸受け120と121とで支持されている。軸受け120としては、通常の玉軸受けなどを用いても良いが、ダストやオイルミストなどが発生してガス流路内を汚染する恐れがある。そこで、軸受け120および121としては、摺動性が良くダストやオイルミストの発生のないフッ素含有高分子軸受けを用いるのが好ましい。その具体的な材料としては、テフロン(商品名:デュポン社製)が良く知られている。
軸受け120はガス流路形成機構111に取り付けられており回転移動軸114を回転自在に支持するが、抜けを防ぐために抜け留122が形成されている。一方、軸受け121は集塵壁104に取り付けられ、回転移動軸114を回転自在であり、かつ平行移動可能に支持している。この回転移動軸114をガス流路形成機構111の2箇所以上の場所に設けることによって、ガス流路形成機構111を回転させることなく回転移動軸114のみを矢印118に示すように回転させることが可能となる。また、回転移動軸114を矢印119の方向に移動させることによって、回転移動軸114とガス流路形成機構111とを集塵室107内部で移動させることが可能となる。
次に、図3に示した本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換装置を用いたガス置換方法について説明する。図8は、図3に示す本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換方法を示した工程図である。この工程を説明するため、図3に示した本発明のガス置換装置の詳細な断面図を用いてガス流路を示した図6と図7を同時に図8と合わせて参照しながら説明する。
まず、最初の工程は、蓋体が集塵室内に入るようにして、半導体ウエハー収納容器を半導体ウエハー収納容器取付け手段に気密に取り付ける容器取付け工程201である。このとき図6に示すように、収納容器本体101と蓋体102とは気密維持用シール103で密閉されている。収納容器内部には半導体ウエハー100が平行に並べて通常25枚収納されている。この容器取付け工程201では、収納容器本体取付け手段106を用いて収納容器本体101を集塵壁104に設けられた気密維持用シール105に機械的に押し付けることによって密着固定する工程である。
次に、収納容器本体のガス導入孔とガス導入手段とを結合するガス導入手段結合工程202を行なう。これは、図6において、収納容器本体101に設けられているガス導入孔126に、第一バルブ131と第二バルブ132およびガス導入管137とからなるガス導入手段を結合する工程である。収納容器本体101に設けられているガス導入孔126と、ガス導入手段とは気密維持型カプラ125によって結合されている。この気密維持型カプラ125は、雄型と雌型とから構成されており、ガス導入孔126には気密維持カプラの雄型が、ガス導入手段には雌型が前もって取り付けられている。従って、収納容器本体101とガス導入手段との結合は、この雄型に雌型を挿入するだけでよい。挿入前は気密維持型カプラの雄型は半導体ウエハー収納容器の気密を保っているが、この挿入によって収納容器本体101とガス導入手段との間にガス流路を形成する。
次の工程は、ガス流路形成機構と蓋体留め構造脱着機構とを一緒に移動させて上記蓋体に近接させ、上記蓋体保持機構で蓋体を結合して保持する蓋体保持工程203である。具体的には図6において、ガス流路形成機構111と蓋体留め構造脱着機構114を脱着移動機構112によって一緒に蓋体102に近接して移動し、蓋体留め構造脱着機構114の先端を蓋体保持機構110に挿入して蓋体を保持する。この脱着移動機構114は、集塵壁104の外部に設けられた脱着駆動機構140内部にあるモータなどの駆動源からの力を伝達して駆動される。この脱着駆動機構140内部の駆動源は、脱着駆動制御機構141内部の制御回路によって制御される。
次に、蓋体留め構造脱着機構によって、収納容器本体と蓋体とを結合している蓋体留め構造を作動し、収納容器本体と蓋体とを分離する蓋体取外し工程204を行なう。具体的には図6において、脱着駆動機構140によって蓋体留め構造脱着機構114を回転させて蓋体留め構造を取り外した後、再び脱着駆動機構140を用いて脱着移動機構112を移動させて、蓋体留め構造脱着機構114とガス流路形成機構111と蓋体保持機構110によって保持されている蓋体102とを同時に移動させて収納容器本体101と蓋体102を分離する工程である。この収納容器本体101と蓋体102との分離によって、気密維持用シール103と蓋体102との間に間隙ができ、収納容器本体101と集塵室107との間がガス流路によって結合される。
次に、排気手段によって集塵室内を排気して減圧する減圧工程205を行なう。具体的には図6において、まず第五バルブ135と第三バルブ133を閉じて、排気ポンプ127によって排気管138内部を脱気する。このとき、第四バルブ134は閉じた状態になっている。その後、第五バルブ135を開いて集塵室107の空気を排気する。このとき、収納容器本体101と蓋体102とは分離されているために、収納容器本体101内部の空気も同時に排気されることになる。
次に、排気手段によって集塵室内の排気を行ないながら、収納容器本体のガス導入孔からガス導入手段を用いて収納容器本体にガスを導入するガス置換工程206を行なう。ガス置換工程206を、具体的に図6を用いて説明する。ガス導入手段には、ガス供給源123と減圧バルブ124とガス供給管136とならなるガス供給手段が結合されている。ガス供給源である高圧ガスボンベやクリーンルーム内のガス配管は、およそ7kg/cm2の高圧状態になっている。これを減圧バルブ124によって適切な供給ガス圧である、例えば1.2〜1.5kg/cm2、に調節した後、第一バルブ131と第二バルブ132を開くことによって、収納容器本体101にガスを導入する。このガス置換工程206は減圧工程205が始まってから直ちに開始する。減圧工程205によって収納容器本体101と集塵室107の内部を高真空状態まで減圧してから、このガス置換工程206を行なうことが望ましいが、そのためには耐圧特性に優れた半導体ウエハー収納容器を用いる必要がある。一般の半導体ウエハー収納容器はプラスティック材料で形成されているため、減圧工程205で高真空状態にすることは容器の耐圧特性上好ましくない。
この導入するガスは、95%以上の純度を持った乾燥窒素ガス、望むならば純度99.9〜99.999%以上の乾燥窒素ガスを供給する。この供給された乾燥ガスは、収納容器本体101に収納された半導体ウエハー100の間を層流(流速等の条件によっては乱流)となって流れ、収納容器本体101と蓋体102との間隙を通って図4(a)と(b)に既示したポンプ室内に流入する。このポンプ室116を形成することによって、収納容器本体101と蓋体102とで形成される間隙の流路抵抗を減ずると同時に、収納容器本体101内部に比較してポンプ室116が減圧状態になっているために、この間隙を流れるガスは勢い良くポンプ室116に流入する。そのため、収納容器本体101と蓋体102との間隙に付着していたマイクロダストが吹き飛ばされて除去され表面が清浄化される。また、この過程が進行すると、今度はポンプ室116のガス圧が次第に高くなってくる。集塵室107の容積はポンプ室116に比べて十分大きいために、集塵室107内部の圧力はポンプ室116に比べて十分低くなっている。そのため、ポンプ室116のガスとマイクロダストは、図4(a)と(b)に示すガス流路形成機構111と集塵壁104との間隙および通風間隙から集塵室107内部に排出される。通風間隙を通るガスは、ガス流路形成機構111に開口された連通孔113を通って集塵室107に排気される。この連通孔113は、通風間隙から集塵室107に向かって径が大きくなるように形成されており、その結果流路抵抗を減じ、通風間隙を通るガスは減速されることなく流れる。その結果、この通風間隙を流れるガス流は蓋体102の表面に付着していたマイクロダストを除去して清浄化する作用をする。
集塵室107に流入したガスとマイクロダストは、集塵フィルター130で濾過され、第五バルブ135と排気管138を通って排気ポンプ127によって装置外に排気される。このガス置換工程206におけるガスの流れを図6に矢印で示してある。
このガス置換工程206は、置換ガス流路内のガス純度が十分高くなり、また、集塵室107内のマイクロダストが集塵フィルター130で十分吸着濾過されるまで行なう。十分な時間ガス置換を行なった後、第一バルブ131と第五バルブ135とを続けて閉じ、第三バルブ133を開いて排気口123から排気管に大気を取り込みながら、排気ポンプ127を停止させてガス置換工程206を終了する。
半導体ウエハー収納容器内部を減圧にして保管したい場合は第一バルブ131を先に閉じ、半導体ウエハー収納容器内部を加圧状態にして保管したい場合は、第五バルブ135を先に閉じれば良い。また、保管ガス圧を制御したい場合は、ガス流路の適切な場所、例えば集塵壁104に真空ゲージを設置し、ガス流路内部のガス圧を計測しながらバルブの開閉を行なうことができる。このようなバルブの開閉操作の自動化は、図中のバルブとして電気的に開閉動作が可能な電磁バルブなどを用いて、図示していない制御回路によってそれらの電磁バルブの開閉を制御することによって行なうことができる。
次に、収納容器本体と集塵手段、および収納容器のガス導入孔に順にガスを循環させるガス循環工程を行なう。この工程は、図7の第四バルブ134を開き、循環ポンプ128を作動させてガスを循環させる工程である。この工程によって、ガス置換工程206で置換された乾燥ガスは、循環ポンプ128、ガス導入管137、第二バルブ132、ガス導入孔126、収納容器本体102、集塵室107、集塵フィルター130、第四バルブ134、化学吸着フィルター129、循環ガス管139を順に流れるガス循環経路を形成する。このガス循環工程207によって、半導体ウエハー100の表面に吸着されていた不純物や水分が循環ガスによって除去され、化学吸着フィルター129で濾過されるために、半導体ウエハー100表面のクリーニングができる。また、図7に示す構成では、このガス循環経路中に集塵フィルター130が含まれているために、ガス循環中においてもマイクロダストが循環ガス中に含まれていた場合は濾過されて清浄化される。ガス循環工程におけるガスの流れを図7の矢印で示す。このガス循環工程207を所定の時間行なった後、循環ポンプ128を停止し、第四バルブ134を閉じてガス循環工程を終了する。
次に、蓋体留め構造脱着機構とガス流路形成機構とを一緒に移動させて蓋体を収納容器本体に挿入し、蓋体留め構造脱着機構によって蓋体留め構造を作動して収納容器本体と蓋体とを結合させる蓋体取付け工程208を行なう。これは、蓋体取外し工程204および蓋体保持工程203に対する逆の工程である。すなわち、図7において、脱着移動機構112によって蓋体留め構造脱着機構114とガス流路形成機構111および蓋体102とを移動させて、蓋体102を収納容器本体101に密着させ、蓋体留め構造脱着機構112を回転させて蓋体留め構造を結合孔に挿入し、収納容器本体101と蓋体102とを気密に結合する。その後、脱着移動機構112によって蓋体留め構造脱着機構114とガス流路形成機構111とを移動させて蓋体保持機構から蓋体留め構造脱着機構を取り外す工程である。
次に、収納容器本体のガス導入孔からガス導入手段を取外すガス導入手段取外し工程を行なう。これは気密維持型カプラ125の雄型と雌型とを取り外すことによって容易に行なうことができる。このカプラ125の雄型と雌型との着脱は、通常ロボットアーム等によって自動的に行う。必要に応じて手動で行う構成にしてもよい。
最後に、半導体ウエハー収納容器を集塵手段から取り外す容器取外し工程210を行い本発明のガス置換方法を終了する。
また、半導体ウエハー表面の清浄度をより短時間で向上させるために、図8における減圧工程205とガス循環工程206との間に、クリーニングガス置換工程とクリーニングガス循環工程を入れることができる。その場合における本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換方法の工程図を図9に示す。この工程は既述したように、置換ガスとして乾燥窒素ガス中におよそ5%以下の反応性ガスを混合したものを用いて、図8に示したガス置換工程206とガス循環工程207を行なう工程である。この工程を入れることによって、この工程を入れない場合に比べてより短時間で半導体ウエハー表面の清浄化効果が得られる。
なお、図9に示すように、クリーニングガス置換工程211とクリーニングガス循環工程212を行なうことによって、半導体ウエハー収納容器内部に反応性ガスが残留し、経時的にウエハー表面を損傷する場合があるため、それに続いて窒素ガス置換工程213と窒素ガス循環工程214とを行なう。これは、クリーニングガス置換工程211とクリーニングガス循環工程212と同様の工程であって、使用するガスが反応性ガスを含まない純度95%以上の乾燥窒素ガスを用いる工程である。この窒素ガス置換工程213と窒素ガス循環工程214を行なうことによって、クリーニングガスの残留を防ぎ、ウエハー表面を損傷させることなく半導体ウエハー収納容器内に長時間ウエハー保管をすることができる。
図9に示した本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換方法を行なう場合は、ガス供給手段は反応性ガスを供給する第一ガス供給手段と窒素ガスを供給する第二ガス供給手段を用いる。第一ガス供給手段から供給される反応性ガスは、少なくともオゾンガスまたは水素ガスまたはアンモニアガスのいずれか1つのガス成分を含む反応性ガスを約5%以下の割合で窒素ガスに混合したものを用いることができる。また、第一ガス供給手段は少なくともオゾンガスまたは水素ガスまたはアンモニアガスのいずれか1つのガス成分からなる反応性ガスであって、この反応性ガスを第二ガス供給手段からの窒素ガスに所定の割合で混合させて用いても良い。第一ガス供給手段と第二ガス供給手段とを用いてガスを混合する場合は、ガス流量計を用いてガス混合比率を調節して行なう。
また、クリーニングガス置換工程211とクリーニングガス循環工程212で用いる反応性ガスが微量であったり、反応性の低いものであったりする場合は、窒素ガス循環工程214は省略することができる。
以上説明したように、本発明の半導体ウエハー収納容器のガス置換装置およびそれを用いたガス置換方法は、短時間で半導体ウエハー収納容器内の雰囲気を目的のガスに置換することができると共に、置換ガスを循環させることによって半導体ウエハー表面を清浄にすることができるために、高集積化に適した半導体ウエハーの加工プロセスを実現することができる。また、ガス置換を自動化できるために、自動化されたロード/アンロードシステムにも対応でき、処理室内の汚染をも最小限に抑えることができる。
なお、上記実施形態において、半導体ウエハー収納容器をガス置換装置に対して着脱するための構成は具体的に図示していないが、全体を自動化する場合は、ロボットアーム等の既存の装置を周囲に配設することになる。手動の場合は、カプラ等を手動に応じた構成にする。
1:半導体ウエハー収納容器
2:収納容器本体
3:蓋体
4:排気手段
5:ガス導入手段
6:ガス循環手段
7:化学吸着フィルター
8:収納容器取付け手段
9:収納容器本体取付け手段
10:蓋体脱着手段
14:集塵フィルター
2:収納容器本体
3:蓋体
4:排気手段
5:ガス導入手段
6:ガス循環手段
7:化学吸着フィルター
8:収納容器取付け手段
9:収納容器本体取付け手段
10:蓋体脱着手段
14:集塵フィルター
Claims (16)
- 内部を清浄に保つ必要のある容器本体及び当該容器本体内を密封する蓋体からなる収納容器に接続されて、その内部に不活性ガスを導入するガス導入手段と、
上記収納容器に接続されて上記収納容器内のガスを外部に排気するガス排気手段と、
上記収納容器に接続され内部のガスを循環させて当該ガス中の異物を除去するガス循環手段とからなることを特徴とする収納容器のガス置換装置。 - ガス導入孔を有すると共に内部を清浄に保つ必要のある容器本体と、当該容器本体内を密封する蓋体とを備えてなる収納容器内のガスを、ガス置換流路を通して置換するガス置換装置であって、
上記容器本体を取り付けて上記ガス置換流路の一部を形成すると共に上記蓋体を内部に完全に収納する収納容器取付け手段と、
上記ガス導入孔から上記容器本体内にガスを導入するガス導入手段と、
上記収納容器取付け手段を介して上記容器本体内のガスを排気する排気手段と
を備えたことを特徴とする収納容器のガス置換装置。 - 請求項2に記載の収納容器のガス置換装置において、
上記収納容器取付け手段が、集塵壁によって囲まれてその内部に上記蓋体が完全に収納される集塵室を備えた集塵手段と、気密性を保って上記収納容器を上記集塵手段に取り付ける収納容器本体取付け手段とからなると共に、上記集塵手段に上記収納容器本体から上記蓋体を脱着する蓋体脱着手段を備えたことを特徴とする収納容器のガス置換装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の収納容器のガス置換装置において、
上記導入または循環されるガス中から異物を除去する化学吸着フィルターを備えたことを特徴とする収納容器のガス置換装置。 - ガス導入孔を有すると共に内部を清浄に保つ必要のある容器本体と、当該容器本体内を密封する蓋体と、上記容器本体及び上記蓋体を結合する蓋体留め構造とを備えてなる収納容器内のガスを、ガス置換流路を通して置換するガス置換装置であって、
上記容器本体を取り付けて上記ガス置換流路の一部を形成すると共に上記蓋体を内部に完全に収納する収納容器取付け手段と、
上記ガス導入孔から上記容器本体内にガスを導入するガス導入手段と、
上記収納容器取付け手段を介して上記容器本体内のガスを排気する排気手段と、
上記容器本体と上記収納容器取付け手段と上記ガス導入孔との間で順にガスを循環させるガス循環手段とを少なくとも有し、
上記ガス循環手段のうち上記収納容器取付け手段と上記ガス導入孔との間に上記容器本体の外側を通して形成されるガス循環経路の途中に設けられた化学吸着フィルターを備えたことを特徴とする収納容器のガス置換装置。 - ガス導入孔を有すると共に内部を清浄に保つ必要のある容器本体と、当該容器本体内を密封する蓋体と、上記容器本体及び上記蓋体を結合する蓋体留め構造とを備えてなる収納容器内のガスを、ガス置換流路を通して置換するガス置換装置であって、
上記容器本体を取り付けて上記ガス置換流路の一部を形成すると共に上記蓋体を内部に完全に収納する収納容器取付け手段と、
上記ガス導入孔から上記容器本体内にガスを導入するガス導入手段と、
上記収納容器取付け手段を介して上記容器本体内のガスを排気する排気手段と、
上記容器本体と上記収納容器取付け手段と上記ガス導入孔との間で順にガスを循環させるガス循環手段とを少なくとも有し、
上記ガス循環手段のうち上記収納容器取付け手段と上記ガス導入孔との間に上記容器本体の外側を通して形成されるガス循環経路の途中に設けられた化学吸着フィルターを備え、
上記収納容器取付け手段は、集塵壁によって囲まれてその内部に上記蓋体が完全に収納される集塵室を備えガス置換工程で発生するマイクロダストを隔離する集塵手段と、気密性を保って上記収納容器を上記集塵手段に取り付ける収納容器本体取付け手段とからなると共に、上記集塵手段に上記収納容器本体から上記蓋体を脱着する蓋体脱着手段を備え、
上記ガス導入手段は、1または複数種類のガスを供給するガス供給手段を備え、
上記集塵室のガスを排気する排気手段と、
上記蓋体脱着手段の動作を制御する蓋体脱着制御手段と、
上記集塵室の排気手段と上記ガス循環手段との間でガス流を切り替えるガス流切り替え手段とを備え、
上記排気手段は少なくとも排気ポンプおよび上記集塵手段で隔離したマイクロダストを捕獲収集する集塵フィルターを含んでおり、
上記ガス循環手段は少なくとも循環ポンプを含んでいることを特徴とする収納容器のガス置換装置。 - 上記蓋体脱着手段は上記集塵室内外に分離して配置され、
上記集塵室内においては、
上記収納容器本体と蓋体とを結合する蓋体留め構造を脱着する蓋体留め構造脱着機構と、
上記蓋体と所定の間隙を有するように接してガス流路を形成するガス流路形成機構と、
上記蓋体、上記蓋体留め構造脱着機構及び上記ガス流路形成機構を同時に移動させて、上記収納容器と上記蓋体との間に所定の間隙を形成する脱着移動機構と、
上記蓋体と上記脱着移動機構とを結合して保持する蓋体保持機構とで構成されており、
上記集塵室外においては、上記蓋体保持機構と上記蓋体留め構造脱着機構と上記脱着移動機構を各々駆動させる脱着駆動機構で構成されていることを特徴とする請求項6に記載の収納容器のガス置換装置。 - 上記収納容器本体と上記収納容器取付け手段との合せ面は、気密維持用のシールが設けられていることを特徴とする請求項5から7のいずれか1項に記載の収納容器のガス置換装置。
- 上記蓋体と所定の間隙を有して接する上記ガス流路形成機構は、上記蓋体周縁部で形成される間隙の体積が、上記蓋体中央部で形成される間隙の体積に比べて十分大きな体積を有するポンプ室を構成するように形成されていることを特徴とする請求項5から8のいずれか1項に記載収納容器のガス置換装置。
- 上記蓋体と所定の間隙を有して接する上記ガス流路形成機構は、上記蓋体で形成される間隙であって上記ポンプ室を除く間隙と上記集塵室とを連通し、上記間隙側から上記集塵室側に向かうに従って径が大きくなるように形成された連通孔を少なくとも1つ有していることを特徴とする請求項5から9のいずれか1項に記載の収納容器のガス置換装置。
- 上記蓋体留め構造脱着機構と上記脱着移動機構とは、回転自在かつ平行移動可能な同一の回転移動軸で構成され、
上記回転移動軸は、抜け留を有するフッ素含有高分子軸受けで上記ガス流路形成機構に回転自在に結合され、他のフッ素含有高分子軸受けで上記集塵壁と気密を保って回転自在かつ平行移動可能に結合されていることを特徴とする請求項5から10のいずれか1項に記載の収納容器のガス置換装置。 - 収納容器の内部に不活性ガスを導入すると共に収納容器内のガスを外部に排気し、収納容器内のガスを循環させて当該ガス中の異物を除去するガス置換方法であって、以下の(ア)〜(オ)の工程からなることを特徴とする収納容器のガス置換方法。
(ア)上記収納容器を上記ガス置換装置に取り付ける工程。
(イ)上記ガス排気手段によって上記収納容器本体の空気を排気する工程。
(ウ)上記ガス排気手段によって上記収納容器本体のガスを排気しながら、上記ガス導入手段によって上記収納容器本体にガスを導入する工程。
(エ)上記収納容器本体へのガスの導入と排気を停止して、上記ガス循環手段によって、上記化学吸着フィルターを介して上記収納容器本体のガスを循環させる工程。
(オ)上記収納容器を上記ガス置換装置から取り外す工程。 - 上記収納容器本体への導入ガスは、窒素ガスを95%以上含む乾燥ガスであることを特徴とする請求項12に記載の収納容器のガス置換方法。
- 収納容器の内部に不活性ガスを導入すると共に収納容器内のガスを外部に排気し、収納容器内のガスを循環させて当該ガス中の異物を除去するガス置換方法であって、以下の(カ)〜(ソ)の工程からなることを特徴とする請求項12または13に記載の収納容器のガス置換方法。
(カ)上記蓋体が上記集塵室内に入るようにして、収納容器を上記収納容器取付け手段に気密に取り付ける容器取付け工程。
(キ)上記収納容器本体のガス導入孔と上記ガス導入手段とを結合するガス導入手段結合工程。
(ク)上記ガス流路形成機構と上記蓋体留め構造脱着機構とを一緒に移動させて上記蓋体に近接させ、上記蓋体保持機構で上記蓋体を結合して保持する蓋体保持工程。
(ケ)上記蓋体留め構造脱着機構によって上記収納容器本体と上記蓋体とを結合している蓋体留め構造を作動させ、上記収納容器本体と上記蓋体とを分離する蓋体取外し工程。
(コ)上記排気手段によって上記集塵室内を排気して減圧する減圧工程。
(サ)上記排気手段によって上記集塵室内の排気を行ないながら、上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を用いて上記収納容器本体にガスを導入するガス置換工程。
(シ)上記収納容器本体と上記集塵手段、および上記収納容器のガス導入孔に順にガスを循環させるガス循環工程。
(ス)上記ガス流路形成機構と上記蓋体留め構造脱着機構および上記蓋体とを一緒に移動させて上記蓋体を上記収納容器本体に挿入し、上記蓋体留め構造脱着機構によって上記蓋体留め構造を作動させ、上記収納容器本体と上記蓋体とを結合させる蓋体取付け工程。
(セ)上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を取外すガス導入手段取外し工程。
(ソ)収納容器を上記集塵手段から取り外す容器取外し工程。 - 収納容器の内部に不活性ガスを導入すると共に収納容器内のガスを外部に排気し、収納容器内のガスを循環させて当該ガス中の異物を除去するガス置換方法であって、以下の(タ)〜(ヒ)の工程からなることを特徴とする請求項12または13に記載の収納容器のガス置換方法。
(タ)上記蓋体が上記集塵室内に入るようにして、収納容器を上記収納容器取付け手段に気密に取り付ける容器取付け工程。
(チ)上記収納容器本体のガス導入孔と上記ガス導入手段とを結合するガス導入手段結合工程。
(ツ)上記ガス流路形成機構と上記蓋体留め構造脱着機構とを一緒に移動させて上記蓋体に近接させ、上記蓋体保持機構で上記蓋体を結合して保持する蓋体保持工程。
(テ)上記蓋体留め構造脱着機構によって、上記収納容器本体と上記蓋体とを結合している蓋体留め構造を作動させ、上記収納容器本体と上記蓋体とを分離する蓋体取外し工程。
(ト)上記排気手段によって上記集塵室内を排気して減圧する減圧工程。
(ナ)上記排気手段によって上記集塵室内の排気を行ないながら、上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を用いて上記収納容器本体に乾燥窒素ガスに約5%以下の反応性ガスを混合したクリーニングガスを導入するクリーニングガス置換工程。
(ニ)上記収納容器本体と上記集塵手段、および上記収納容器本体のガス導入孔に順にクリーニングガスを循環させるクリーニングガス循環工程。
(ヌ)上記排気手段によって上記集塵室内の排気を行ないながら、上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を用いて上記収納容器本体に乾燥窒素ガスを導入する窒素ガス置換工程。
(ネ)上記収納容器本体と上記集塵手段、および上記収納容器本体のガス導入孔に順に乾燥窒素ガスを循環させる窒素ガス循環工程。
(ノ)上記蓋体保持機構と上記蓋体留め構造脱着機構と上記ガス流路形成機構および上記蓋体とを一緒に移動させて上記蓋体を上記収納容器本体に挿入し、上記蓋体留め構造脱着機構によって上記蓋体留め構造を作動させ、上記収納容器本体と上記蓋体とを結合させる蓋体取付け工程。
(ハ)上記収納容器本体のガス導入孔から上記ガス導入手段を取外すガス導入手段取外し工程。
(ヒ)収納容器を上記集塵手段から取り外す容器取外し工程。 - 上記反応性ガスは、少なくともオゾンガスまたは水素ガスまたはアンモニアガスのいずれか1つのガス成分を含む乾燥窒素ガスであることを特徴とする請求項15に記載の収納容器のガス置換方法。
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