JP2013115275A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 基板を収容する処理容器と、
   前記基板に対して、前記処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
   前記処理容器を排気する排気手段と、
   を有し、
   前記排気手段は、前記処理容器と真空ポンプとを接続する排気配管を備え、前記排気配管の少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する配管で構成される基板処理装置。
2. 前記排気配管の排気方向と垂直な方向の断面が長方形の部分では、前記長方形の断面の縦横比が８：１以下である請求項１に記載の基板処理装置。
3. 処理容器に収容された基板に対して、処理ガスを供給する工程と、
   前記処理容器に接続され、少なくとも一部がリブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する排気配管から前記処理ガスを排気する工程と、
   を行う工程を有する半導体装置の製造方法。
4. 前記処理ガスを供給する工程では、前記基板に対して前記処理ガスを供給することにより、高誘電率膜を形成する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。