JP2011166060A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

Claims (5)

1. 基板に対してホウ素含有ガスを供給する工程と、
   前記基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、
   を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記周期はさらに、前記基板に対してアルミニウム含有ガスを供給する工程を含み、
   前記窒化ホウ素膜を形成する工程では、アルミニウムがドーピングされた窒化ホウ素膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 基板に対してホウ素含有ガスを供給する工程と、
   前記基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、
   を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程を有する基板処理方法。
4. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内にホウ素含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
   前記処理室内に窒素含有ガスを供給する第２のガス供給系と、
   前記第１のガス供給系から前記処理室内の基板に対して前記ホウ素含有ガスを供給する処理と、前記第２のガス供給系から前記処理室内の前記基板に対して前記窒素含有ガスを供給する処理と、を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する処理を行うよう制御する制御部と、
   を有する基板処理装置。
5. 基板処理装置の処理室内の基板に対してホウ素含有ガスを供給する手順と、
   前記処理室内の前記基板に対して窒素含有ガスを供給する手順と、
   を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する手順を制御部に実行させるプログラム。