KR101241933B1 - 열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 고정도의 프로세스 처리 및 높은 안전성을 실현할 수 있는 열처리 장치 및 기판의 제조 방법을 제공한다. 열처리 장치(10)는, 기판을 처리하는 반응관(42)과, 반응관(42)을 지지하는 매니폴드(44)와, 반응관(42)의 주위에 설치되어 반응관(42) 내를 가열하는 히터(46)와, 히터(46)보다 하방의 반응관(42)의 측방을 감싸도록 설치되는 둘레부(500)와, 둘레부(500)와 반응관(42) 사이의 간극(506)을 강제 배기하는 배기 장치(301)와, 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부에 설치되는 밀폐 부재(150)를 포함하고, 둘레부(500)에는, 배기 장치가 둘레부(500)의 외측의 분위기를 간극(506)에 흡기하는 흡기구(501)가 설치된다.

Description

열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 {HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICUNDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 기판을 제조하는 열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 기판을 열처리하기 위한 열처리 장치로서, 종형(縱型) 열처리 장치가 널리 이용되고 있다. 이 종래의 종형 열처리 장치는, 반응로(反應爐)를 포함한다. 반응로 내에서 웨이퍼를 처리하는 때는, 밀봉된 반응로 내에 도입된 가스 환경하에서 소정의 온도로 가열되는 것에 의해, 소정의 프로세스가 실시된다.
이 때의 반응로의 환경(가스의 순도)은 중요하다. 통상, 반응로(반응관 내)는, 노외[爐外, 대기(大氣)]에 대하여 음압(陰壓)이 되도록 제어되어 있다. 이 경우, 예컨대 반응관과 매니폴드와의 씰부[당접부(當接部)]에 리크(누설)가 있으면, 반응로 외로부터 노내(爐內)에 대기가 유입한다. 이와 같이, 노내의 가스 환경에 대기나 불순물이 혼입하면, 원하는 프로세스를 실시할 수 없고, 처리된 웨이퍼는, 원하는 성능을 얻을 수 없다.
또한, 장치 트러블 등에 의해, 일시적으로 반응로 내에 대량의 가스 등이 유입한 경우나, 가스 배기구 등이 폐쇄한 경우, 반응로 내는 반응로 외(대기압)에 대하여 양압(陽壓)이 된다. 이 경우, 반응관과 매니폴드의 사이에 리크(누설)가 있으면, 반응로 내로부터 반응로 외로 처리 가스가 누설된다. 이 프로세스 처리에 이용하는 처리 가스는, 독성이나 폭발의 위험성을 갖는 것을 이용하는 경우도 있어서, 반응로 외(대기)로의 누설이 있어서는 안 된다. 즉, 반응로 외로부터 반응로 내 및 반응로 내로부터 반응로 외로의 가스 리크가 있어서는 안 된다.
거기에서, 상술한 반응관과 매니폴드의 사이를 밀봉(씰링)하기 위해서 당접부에는 링 형상의 홈에 불활성 가스를 공급하고, 그 홈 내를 반응실, 반응실 외보다도 압력을 높게[정압(正壓)]하여, 반응로 내로부터의 가스 누설, 반응로외로의 외부 가스의 침입을 억제하고 있었다.
1. 일본 공개 특허 공보 제2009-16532호
그러나, 이러한 씰링이라도 불완전한 씰링이었기 때문에, 적지 않게, 반응로 내로부터의 가스 누설, 반응로 외로의 외부 가스의 침입이 발생해버린다. 그 때문에, 원하는 프로세스를 실시할 수 없거나, 위험도가 높아지는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 상기 종래의 문제점을 해소하고, 고정도(高精度)의 프로세스 처리 및 높은 안전성을 실현할 수 있는 열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 기판을 처리하는 반응관; 상기 반응관을 지지하는 매니폴드; 상기 반응관의 주위에 설치되어 상기 반응관 내를 가열하는 히터; 상기 히터보다 하방(下方)의 상기 반응관의 측방(側方)을 감싸도록 설치되는 둘레부; 상기 둘레부와 상기 반응관 사이의 간극(間隙)을 강제 배기하는 배기 장치; 및 상기 반응관과 상기 매니폴드 사이의 당접부(當接部)에 설치되는 밀폐 부재;를 포함하고, 상기 둘레부는, 상기 둘레부의 측벽에 설치된 배기구와 주방향(周方向)에 복수 설치된 흡기구를 포함하는 것이고, 상기 배기 장치는 상기 둘레부의 외측의 분위기를 상기 흡기구를 통하여 상기 간극으로 흡기하고, 상기 흡기구는 상기 배기구의 하방측보다도 상기 배기구의 상방측 수가 많아지도록 설치된 것인 열처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 매니폴드에 지지된 반응관 내에 기판을 반입하는 공정; 상기 반응관 내에서 기판을 열처리하는 공정; 및 열처리 후의 기판을 상기 반응관으로부터 반출하는 공정;을 포함하고, 상기 반응관과 상기 매니폴드 사이의 당접부가 밀폐 부재로 밀폐되고, 상기 반응관의 측방을 둘러싸는 둘레부가 설치되고, 상기 둘레부에는 상기 둘레부의 측벽에 설치된 배기구와 상기 둘레부의 측벽의 주방향(周方向)에 복수 설치되어 상기 둘레부의 외측의 분위기를 흡기하는 흡기구가 설치되고, 적어도 상기 기판을 열처리하는 공정에서는, 상기 반응관과 상기 둘레부 사이의 간극의 분위기를 강제 배기하고, 상기 흡기구로부터 상기 간극으로 상기 외측의 분위기를 흡기하고, 상기 흡기구는 상기 배기구의 하방측보다도 상기 배기구의 상방측 수가 많아지도록 설치된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 고정도의 프로세스 처리 및 높은 안전성을 실현할 수 있는 열처리 장치를 제공하며 반도체 장치의 제조 방법을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 이용한 열처리 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 이용한 반응로를 도시하는 종(縱)단면도이다.
도 3은 강제 냉각부(600) 주변 각 부에 이용되는 부품의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 이용한 반응로를 도시하는 종단면도이다.
다음으로, 본 발명의 제1 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
도 1에, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 열처리 장치(10)의 일 예를 도시한다. 이 열처리 장치(10)는, 뱃치(batch)식 종형 열처리 장치이며, 주요부가 배치되는 광체(筐體, 12)를 포함한다. 이 광체(12)의 정면측에는, 포드 스테이지(14)가 접속되어 있고, 이 포드 스테이지(14)에 포드(16)가 반송된다. 포드(16)에는, 예컨대 25매의 기판이 수납되어, 미도시의 덮개가 닫힌 상태로 포드 스테이지(14)에 셋팅된다.
광체(12) 내의 정면측으로서, 포드 스테이지(14)에 대향하는 위치에는, 포드 반송 장치(18)가 배치되어 있다. 또한, 이 포드 반송 장치(18)의 근방에는, 포드 선반(20), 포드 오프너(22) 및 기판 매수(枚數) 검지기(24)가 배치되어 있다. 포드 선반(20)은 포드 오프너(22)의 상방(上方)에 배치되고, 기판 매수 검지기(24)는 포드 오프너(22)에 인접해서 배치된다. 포드 반송 장치(18)는, 포드 스테이지(14)와 포드 선반(20)과 포드 오프너(22) 사이에 포드(16)를 반송한다. 포드 오프너(22)는, 포드(16)의 덮개를 여는 것이며, 이 덮개가 열린 포드(16) 내의 기판 매수가 기판 매수 검지기(24)에 의해 검지된다.
또한, 광체(12) 내에는, 기판 이재기(移載機)(26), 노치(notch) 얼라이너(28) 및 지지구(支持具, 30, 보트)가 배치되어 있다. 기판 이재기(26)는, 예컨대 5매의 기판을 취출(取出)할 수 있는 암(32, 트위저)을 포함하고, 이 암(32)을 움직이는 것에 의해, 포드 오프너(22)의 위치에 놓여진 포드(16), 노치 얼라이너(28) 및 지지구(30) 사이에서 기판을 반송한다. 노치 얼라이너(28)는, 기판에 형성된 노치 또는 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 검출해서 기판의 노치 또는 오리엔테이션 플랫을 일정한 위치에 정렬하는 것이다.
또한, 광체(12) 내의 배면(背面)측 상부에는 반응로(40)가 배치되어 있다. 또한, 반응로(40)의 하부에는 지지구(30)를 반응로(40) 내에 반입(삽입) 및 반출[반응관(42) 내로부터 인출(引出)]하는 보트 승강 제어 장치(미도시)가 배설(配設)된다. 이 보트 승강 제어 장치에 의해, 반응로(40) 내에 복수 매의 기판을 장전한 지지구(30)가 반입되고, 열처리가 수행된다.
도 2에 제1 실시 형태에 따른 반응로(40)의 일 예를 도시한다. 이 반응로(40)는, 탄화규소(SiC)제(製)의 반응관(42)을 포함한다. 이 반응관(42)은, 상단부가 폐색(閉塞)되고 하단부가 개방된 원통 형상을 하고 있고, 개방된 하단부는 플랜지 형상으로 형성되어 있다. 이 반응관(42) 등에 이용되는 SiC제의 부재는, 강도와 치수적인 제약으로부터, 홈을 자르는 등의 가공을 실시하는 것은 어렵고, 이 반응관(42)에 있어서도 홈 가공 등은 이루어지지 않고 있다. 반응관(42)의 하단부는 플랜지 형상으로 형성되어 있다.
또한, 이 반응관(42)의 하방으로는 반응관(42)을 지지하는 금속제의 매니폴드[44, 노구(爐口) 매니폴드]가 배치된다. 또한, 이 매니폴드(44)는, 석영제로 구성되어도 좋다. 이 매니폴드(44)는, 상단부와 하단부가 개방된 원통 형상을 하고 있고, 개방된 상단부와 하단부는 플랜지 형상으로 형성되어 있다. 매니폴드(44)의 상단부 플랜지의 상면과 반응관(42)의 하단부 플랜지의 하면(下面)과의 사이에 밀폐 부재로서의 O링(150)이 개재되어 설치되어 있다. 반응관(42)과 매니폴드(44)에 의해 처리실(201)이 형성된다. 또한, 반응관(42)의 상방 주위에는, 히터(46)가 배치되어 있다. 이 히터(46)는, 반응관(42) 내를 가열한다. 이 히터(46)는 히터 베이스(460)에 지지되고 있다.
히터(46)에는, 히터(46)의 내부의 온도를 검출하는 온도 검출기로서의 온도 센서(263)가 복수 설치되어 있다. 온도 센서(263)로서는, 예컨대, 방사 온도계나 R형, B형 열전대 등이 이용된다. 히터(46)와 온도 센서(263)에는, 전기적으로 온도 제어부(238)가 접속되어 있고, 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(46)로의 통전 상태를 조정하는 것에 의해 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록 원하는 타이밍으로 제어하도록 구성되어 있다.
반응로(40)의 하부는, 지지구(30)를 삽입하기 위해서 개방되고, 이 개방 부분(노구부, 爐口部)은 노구 씰 캡(48)이 밀폐 부재로서의 O링(50)을 개재하여 매니폴드(44)의 하단부 플랜지의 하면에 당접하는 것에 의해 밀폐되도록 되어 있다. 노구 씰 캡(48)은, 예컨대 석영으로 구성되는 석영 베이스(68)와, 이 석영 베이스(68)를 받는 금속제의 베이스 받이(70)를 포함한다. 노구 씰 캡(48)은, 석영 베이스(68)에 의해 지지구(30)를 지지하고, 지지구(30)와 함께 승강 가능하도록 설치되어 있다. 노구 씰 캡(48)의 석영 베이스(68)와 지지구(30)의 사이에는, 단열통(52)과, 복수 매의 단열판과 그들 단열판을 지지하는 단열판 홀더로 구성되는 단열 부재(152)가 설치되어 있다. 또한, 단열통(52)과 단열 부재(152)는, 단열통(52)을 설치하지 않고, 단열 부재(152)만으로 구성되어도 좋고, 단열 부재(152)를 설치하지 않고 단열통(52)만으로 구성되어도 좋다. 지지구(30)는, 반응관(42) 내로부터 복수 매의 기판(54)을 수평 자세에서 극간(隙間)을 가지고 다단으로 적층 지지하고 있다.
매니폴드(44)에는, 매니폴드(44)와 일체로 가스 공급구(56)와 가스 배기구(59)가 설치되어 있다. 가스 공급구(56)에는 가스 도입관(60)이, 가스 배기구(59)에는 배기관(62)이 각각 접속되어 있다. 매니폴드(44)의 내벽은, 반응관(42)의 내벽보다도 내측에 있고(돌출되어 있고), 매니폴드(44)의 측벽부(두께부)에는, 가스 공급구(56)와 연통하고, 수직 방향을 향하는 가스 도입 경로(64)가 설치되고, 그 상부에는 노즐 설치공(設置孔)이 상방으로 개구하도록 설치되어 있다. 이 노즐 설치공은, 반응관(42)의 내부에 있어서의 매니폴드(44)의 상단부 플랜지측의 상면으로 개구하고 있고, 가스 공급구(56) 및 가스 도입 경로(64)와 연통하고 있다. 이 노즐 설치공에는 노즐(66)이 삽입되어 고정되어 있다. 즉, 반응관(42) 내부에 있어서의 매니폴드(44)의 반응관(42)의 내벽보다도 내측으로 돌출한 부분의 상면에 노즐(66)이 접속되는 것이 된다. 이 구성에 의해, 노즐 접속부는 열에 변형되기 어렵고 파손되기 어렵다. 또한, 노즐(66)과 매니폴드(44)의 조립, 해체가 용이해지는 메리트도 있다. 가스 도입관(60)으로부터 가스 공급구(56)에 도입된 처리 가스는, 매니폴드(44)의 측벽부에 설치된 가스 도입 경로(64), 노즐(66)을 개재해서 반응관(42) 내에 공급된다. 또한, 노즐(66)은, 반응관(42)의 내벽을 따라 기판 배열 영역의 상방[지지구(30)의 상방]까지 연장되도록 구성된다. 또한, 가스 도입 경로(64), 노즐(66)은 복수 설치되도록 구성되어도 좋다. 또한, 노즐 설치공을 상방에 개구하지 않고, 노즐 설치공을 매니폴드(44)의 측방으로 개구하고, 별체(別體)에 앵글 형상의 노즐 서포트를 설치해서 이 노즐 서포트에 노즐 설치공을 상방으로 개구하도록 구성하여도 좋다.
가스 도입관(60)에는, 가스 공급관(232)이 접속되어 있다. 가스 공급관(232)의 가스 도입관(60)과의 접속측과 반대측인 상류측에는, 가스 유량 제어기로서의 MFC(매스 플로우 컨트롤러, 241)를 개재해서 미도시의 처리 가스 공급원이나 불활성 가스 공급원이 접속되어 있다. MFC(241)에는, 가스 유량 제어부(235)가 전기적으로 접속되어 있고, 공급하는 가스의 유량이 원하는 양이 되도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성되어 있다.
또한, 배기관(62)의 매니폴드(44)와의 접속측과 반대측인 하류측에는 압력 검출기로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정 장치(242)를 개재해서 진공 펌프 등의 진공 배기 장치(246)가 접속되어 있고, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성되어 있다. 압력 조정 장치(242) 및 압력 센서(245)에는, 압력 제어부(236)가 전기적으로 접속되어 있고, 압력 제어부(236)는 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력에 기초하여 압력 조정 장치(242)에 의해 처리실(201) 내의 압력이 원하는 압력이 되도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성되어 있다.
그 다음에, 상술한 반응관(42)의 측벽을 냉각하는 강제 냉각부(600)에 대해서 설명한다.
도 3에 강제 냉각부(600)의 주변 각 부에 이용되는 부품의 사시도를 도시한다.
도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 히터 베이스(460)의 하면(下面)에는, 제1 차열(遮熱) 부재(503)를 보지(保持)하는 보지부(507)가 설치되어 있다. 보지부(507)는, 제1 보지부(5071)와 제2 보지부(5072)로 원호(圓弧) 형상으로 2개로 분리되어 있고, 제1 보지부(5071)와 제2 보지부(5072)를 접합시키는 것으로 전체(全體)로서 링 형상으로 형성되어 있다. 제1 보지부(5071) 및 제2 보지부(5072)는, 상면이 플랜지부에 형성된 측벽과 이 측벽의 하단 내경(內徑)측으로 돌출한 재치부(載置部)로, 단면(斷面) Z형으로 형성되어 있다. 플랜지부에는, 주방향(周方向, 둘레 방향) 등간격(等間隔)으로 설치공이 형성되어 있고, 이 설치공을 볼트나 나사 등의 설치재(設置材)에 의해 관통하고, 히터 베이스(460)의 하면에 고정하는 것으로, 제1 보지부(5071) 및 제2 보지부(5072)가 지지된다.
보지부(507)의 재치면에는, 제1 차열 부재(503)가 보지된다. 제1 차열 부재(503)는, 원통 형상으로 형성되어 있다. 제1 차열 부재(503)의 내경은, 반응관(42)의 외경보다 약간 큰 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 반응관(42)의 외경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다. 또한, 제1 차열 부재(503)의 외경은, 보지부(507)의 측벽의 내경보다 약간 작은 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 보지부(507)의 측벽의 내경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다.
제1 차열 부재(503)의 상면에는, 제2 차열 부재(504)가 설치되어 있다. 제2 차열 부재(504)는, 원통 형상으로 형성되어 있다. 제1 차열 부재(503)와 내경이 동일한 사이즈로 형성되어 있다. 즉, 제2 차열 부재(504)의 내경은, 반응관(42)의 외경보다 약간 큰 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 반응관(42)의 외경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다. 또한, 제2 차열 부재(504)의 외경은, 제1 차열 부재(503)보다 외경이 작고, 히터(46)의 측벽의 내경보다 약간 작은 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 히터(46)의 측벽의 내경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다. 제1 차열 부재(503) 및 제2 차열 부재(504)의 재질로서는, 알루미나, 실리카 등이 선택된다.
또한, 제1 차열 부재(503)의 상단은, 적어도 지지구(30)에 지지되는 최하단의 기판보다도 하방에 위치되어 있고, 제1 차열 부재(503) 및 제2 차열 부재(504)와 대향하는 위치에는, 단열 부재(152)가 배치되어 있다. 제1 차열 부재(503) 및 제2 차열 부재(504)를 구비하는 것으로, 히터(46)의 가열 영역 내, 즉, 기판 처리 영역에서의 방열(放熱)을 억제하는 동시에 열처리에의 악영향을 억제할 수 있다.
보지부(507)의 하방측에는, 둘레부(500)가 설치되어 있다. 둘레부(500)는, 제1 둘레부(5001)와 제2 둘레부(5002)로 거의 원호 형상으로 2개로 분리되어 있고, 제1 둘레부(5001)와 제2 둘레부(5002)를 접합시키는 것으로 전체로서 링 형상 또는 원통 형상으로 형성되어 있다. 제1 둘레부(5001)는, 중앙이 외측으로 돌출한 원호 형상으로 형성된 측벽과 이 측벽의 하단 외경측으로 돌출한 플랜지 형상의 재치부와, 측벽의 측방 양단(兩端)에 외경측으로 돌출한 플랜지 형상의 당접부로 형성되어 있다. 제1 둘레부(5001) 및 제2 둘레부(5002) 각각의 측벽의 내경은, 보지부(507)의 측벽의 외경보다도 크게 형성되어 있다. 제1 둘레부(5001) 및 제2 둘레부(5002) 각각의 측벽의 상단에는, 주방향 등간격으로 설치공이 형성되어 있고, 이 설치공을 볼트나 나사 등의 설치재에 의해서 관통하고, 보지부(507)의 측벽에 고정되어 있다. 바람직하게는, 둘레부(500)는, 금속 재료, 예컨대, 스텐레스 재(材)로 구성되고 있다. 이에 의해, 둘레부(500)로부터의 방열을 촉진할 수 있다.
제1 둘레부(5001) 및 제2 둘레부(5002)의 재치부에는, 주방향 등간격으로 설치공이 형성되어 있고, 이 설치공을 볼트나 나사 등의 설치재에 의해서 관통하고, 보지 베이스(5013)의 상면에 고정되어 있다. 또한, 제1 둘레부(5001) 및 제2 둘레부(5002)의 당접부에는, 상하 방향 등간격으로 설치공이 형성되어 있고, 이 설치공을 볼트나 나사 등의 설치재에서 관통하고, 서로 당접부끼리가 고정되어 있다. 제1 둘레부(5001) 및 제2 둘레부(5002)가 보지 베이스(5013)에 설치되어, 서로의 당접부끼리가 고정되어, 보지부(507)에 고정되는 것으로, 반응관(42)과 둘레부(500) 사이에 공간으로서의 간극(506)이 형성된다.
제1 둘레부(5001)의 측벽에는 흡기구(501)가 설치되어 있다. 바람직하게는, 흡기구(501)가 제1 둘레부(5001)의 측벽의 주방향 등간격으로 복수 설치되면 좋다. 또한, 바람직하게는, 흡기구(501)가 제1 둘레부(5001)의 측벽의 상하 방향 등간격으로 복수 설치되면 좋다. 더욱 바람직하게는, 복수의 흡기구(501)의 총 개구 면적이 측벽의 총 면적(흡기구의 개구 면적을 제외한 총 면적)보다 작게 형성되면 좋다. 이에 의해, 각 흡기구(501)로부터 균등한 가스 유속으로 제1 둘레부(5001)의 외측의 분위기(외기)를 흡기할 수 있고, 더욱 반응관(42)을 균일하게 냉각할 수 있다.
제2 둘레부(5002)의 측벽에는, 흡기구(501)가 설치되어 있다. 바람직하게는, 흡기구(501)가, 제2 둘레부(5002)의 측벽의 주방향 등간격으로 복수 설치되면 좋다. 또한, 바람직하게는, 흡기구(501)가 제2 둘레부(5002)의 측벽의 상하 방향 등간격으로 복수 설치되면 좋다. 또한, 바람직하게는, 복수의 흡기구(501)의 총 개구 면적이, 측벽의 총 면적(흡기구의 개구 면적을 제외한 총 면적)보다 작게 형성되면 좋다. 이에 의해, 각 흡기구(501)로부터 균등한 가스 유속으로 제2 둘레부(5002)의 외측의 분위기(외기)를 흡기할 수 있고, 더욱 반응관(42)을 균일하게 냉각할 수 있다. 바람직하게는, 둘레부(500)는 간극(506)의 길이 방향(도 2 상의 상하 방향)의 길이가 폭 방향(도 2 상의 좌우 방향)의 폭보다도 커지도록 구성되면 좋다. 이에 의해, 흡기구(501)로부터 흡기된 분위기가 반응관(42)의 측벽으로 충돌하기 쉬워져, 더욱 반응관(42)의 측벽을 냉각하기 쉽게 할 수 있다.
또한, 바람직하게는, 둘레부(500)의 외경은, 히터(46)의 외경보다도 작아지도록 구성되면 좋다. 이에 의해, 흡기구(501)로부터 흡기된 분위기가 반응관(42)의 측벽에 충돌되기 쉬워져, 반응관(42)의 측벽을 냉각하기 더욱 쉽게 할 수 있다. 또한, 둘레부(500)의 설치 스페이스가 커지고, 데드 스페이스가 많아지거나, 열처리 장치(10)의 사이즈가 커지거나 하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 바람직하게는, 둘레부(500)의 내경은, 히터(46)의 내경 이하의 크기가 되도록 구성되면 좋다. 이에 의해, 흡기구(501)로부터 흡기된 분위기가 반응관(42)의 측벽에 충돌되기 쉬워져, 반응관(42)의 측벽을 냉각하기 더욱 쉽게 할 수 있다. 또한, 둘레부(500)의 설치 스페이스가 커지고, 데드 스페이스가 많아지거나, 열처리 장치(10)의 사이즈가 커지거나 하는 것을 억제할 수 있다.
제2 둘레부(5002)의 측벽에는, 배기구(5021)가 설치되어 있고, 이 배기구(5021)에는, 배기관(502)이 접속되어 있다. 바람직하게는, 배기구(5021)는, 제2 둘레부(5012)의 측벽의 하방측에 설치하고, 상기 배기구(5021)보다도 상방측에 흡기구(501)를 마련하도록 구성되면 좋다. 이에 의해, 배기구(5021) 주변은, 가스 유속이 크기 때문에 차가워지기 쉽지만, 배기구(5021)는, 제2 둘레부(5012)의 측벽의 하방측에 설치되는 것으로, 히터(46)의 가열 영역에서 가열된 반응관(42)을 급격하게 냉각하는 것으로 일어나는 온도차에 의한 반응관(42)으로의 과도한 응력의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 간극(506)에 흐르는 분위기를 히터(46)로부터 멀리하는 방향으로 할 수 있으므로, 히터(46)의 가열 영역 내, 즉, 기판 처리 영역으로부터의 방열을 억제하는 동시에 열처리에의 악영향을 억제할 수 있다. 배기구(5021)에, 더욱 바람직하게는, 제2 둘레부(5012)의 측벽에 있어서의 배기구(5021)의 하방측보다도 상방측의 흡기구(501)의 수가 많게 하면 좋다. 이에 의해, 더욱, 히터(46)의 가열 영역에서 가열된 반응관(42)을 급격하게 냉각하는 것으로 일어나는 온도차에 의한 반응관(42)으로의 과도한 응력의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 배기구(5021)가 제2 둘레부(5012)에 설치되어 있으므로, 제1 둘레부(5001)에 흡기구(501)가 설치되어 있으면, 제2 둘레부(5002)의 측벽(5002)에는, 흡기구(501)를 설치하지 않아도, 간극(506)에 일정한 가스(분위기) 흐름을 확보할 수 있으므로 일정한 효과를 가질 수 있다.
배기관(502)에는, 배기 덕트(5022)가 접속되어 있다. 배기 덕트(5022)에는, 가스를 냉각하는 냉각 장치(300)와, 간극(506)을 강제 배기하는 동시에 배기구(5021)로부터 배기되는 배기량을 조정하는 배기 장치(301)가 설치되어 있다. 배기관(502), 배기 덕트(5022) 등에 의해, 배기 라인이 구성된다.
배기 장치(301)로서는, 예컨대, 배기 블로워 등이 이용된다. 배기 장치(301)는, 전기적으로 배기량 제어부(237)가 접속되어 있고, 미리 설정된 원하는 타이밍 또는, 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 배기 장치(301)로의 통전 상태나 주파수를 조정하는 것에 의해 반응관(42)의 하방의 온도가 원하는 온도분포가 되도록 원하는 타이밍에 제어하도록 구성되어 있다.
바람직하게는, 적어도 히터(46)가 반응관(42) 내의 온도를 기판의 열처리 온도 이상으로 가열하고 있는 사이, 간극(506)을 강제 배기하기 위해 배기 장치(301)를 제어하도록 배기량 제어부(237)를 구성하면 좋다. 또한, 바람직하게는, 적어도 히터(46)가 반응관(42) 내의 온도를 기판의 열처리 온도 이상으로 가열하고 있는 사이, 간극(506)을 강제 배기하고, 반응관(42)의 히터(46) 하부의 온도가 소정 온도 이하로 하기 위해 배기 장치(301)를 제어하도록 배기량 제어부(237)를 구성하면 좋다.
가스 유량 제어부(235), 압력 제어부(236), 배기량 제어부(237), 온도 제어부(238)는, 조작부, 입출력부도 구비하며, 열처리 장치 전체를 제어하는 주(主) 제어부(239)에 전기적으로 접속되어 있다. 이들, 가스 유량 제어부(235), 압력 제어부(236), 배기량 제어부(237), 온도 제어부(238), 주 제어부(239)는 컨트롤러(240)로서 구성되어 있다.
다음으로 상술하는 바와 같이 구성된 열처리 장치(10)의 작용에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(240)에 의해 제어된다.
우선, 포드 스테이지(14)에 복수 매의 기판을 수용한 포드(16)가 세팅되면, 포드 반송 장치(18)에 의해 포드(16)를 포드 스테이지(14)로부터 포드 선반(20)으로 반송하고, 이 포드 선반(20)에 저장한다. 그 다음, 포드 반송 장치(18)에 의해, 이 포드 선반(20)에 저장된 포드(16)를 포드 오프너(22)에 반송해서 세팅하고, 이 포드 오프너(22)에 의해 포드(16)의 덮개를 열고, 기판 매수 검지기(24)에 의해 포드(16)에 수용되고 있는 기판의 매수를 검지한다.
그 다음, 기판 이재기(26)에 의해, 포드 오프너(22)의 위치에 있는 포드(16)로부터 기판을 취출하고, 노치 얼라이너(28)에 이재(移載)한다. 이 노치 얼라이너(28)에 있어서는, 기판을 회전시키면서, 노치를 검출하고, 검출한 정보에 기초해서 복수 매의 기판의 노치를 동일한 위치에 정렬시킨다. 그 다음, 기판 이재기(26)에 의해, 노치 얼라이너(28)로부터 기판을 취출하여, 지지구(30)에 이재한다.
이와 같이 하여, 1 뱃치만큼의 기판을 지지구(30)에 이재하면, 예컨대 600℃정도의 온도로 설정된 반응로(40) 내에 복수 매의 기판을 장전한 지지구(30)를 장입(裝入, 반입)하고, 노구 씰 캡(48)에 의해 반응로(40) 내를 밀폐한다(기판 반입 공정). 그 다음에, 노내 온도를 열처리 온도까지 승온시켜서, 가스 도입관(60)으로부터 가스 도입구(56), 매니폴드(44) 측벽부에 설치된 가스 도입 경로(64) 및 노즐(66)을 개재해서 반응관(42) 내에 처리 가스를 도입하여, 반응로(40) 내의 기판을 열처리한다(열처리 공정). 처리 가스에는, 질소(N2), 아르곤(Ar), 수소(H2), 산소(O2), 염화수소(HCl), 디클로로에틸렌(C2H2Cl2, 약칭 DCE) 등이 포함된다. 기판을 열처리할 때, 기판은 예컨대 1100℃정도 이상의 온도로 가열된다.
기판의 열처리가 종료하면, 예컨대 노내 온도를 600℃ 정도의 온도로 강온(降溫)한 후, 열처리 후의 기판을 지지한 지지구(30)를 반응로(40)로부터 언로딩(반출)하고, 지지구(30)에 지지된 모든 기판이 식을 때까지, 지지구(30)를 소정 위치에서 대기시킨다(기판 반출 공정). 그 다음에, 대기시킨 지지구(30)의 기판이 소정 온도까지 냉각되면, 기판 이재기(26)에 의해, 지지구(30)로부터 기판을 취출하고, 포드 오프너(22)에 세팅되어 있는 비어있는 포드(16)로 반송하여 수용한다. 그 다음, 포드 반송 장치(18)에 의해, 기판이 수용된 포드(16)를 포드 선반(20) 또는 포드 스테이지(14)에 반송하여 완료한다.
그러나, 처리실(201)내에서 1100℃ 이상의 고온에서의 처리를 가능하게 하기 위해서는, 사용 빈도, 시간에 따라서는, 반응관(42)을 석영제로 해도 좋은 경우도 있지만, 탄화규소(SiC)제로 하여 내열성을 향상시키는 것이 바람직하다. 예컨대, SiC제의 반응관(42)으로 하면, SiC재(材) 자체의 열전도율이 높기 때문에, O링(150)을 개재하여 매니폴드(44)로 씰링하는 구조로 하면, SiC제의 반응관을 개재해서 전달된 열에 의해 O링(150)까지 고온이 되어, 씰링 재료인 O링(150)을 녹여버릴 우려가 있다. 또한, O링(150)을 녹이지 않도록 SiC제의 반응관(42)의 씰링부 만을 급격하게 냉각하면, SiC제의 반응관(42)이 온도차에 기인하여 생기는 열팽창 차에 의해 파손되어 버린다. 그 때문에, 본 실시 형태에서는, 적어도 1100℃ 이상의 고온에서의 처리를 수행할 때에, 배기 장치(301)가 기동되어, 배기 덕트(5022) 및 배기관(502)을 개재해서 배기구(5021)로부터 간극(506)을 강제 배기하고, 배기된 간극(506)에는 복수의 흡기구(501)로부터 둘레부(500)의 외측의 분위기가 흡기된다. 이에 의해, 반응관(42)의 씰링부 뿐만 아니라, 히터(46)보다 하방측의 반응관(42)의 측벽을 냉각할 수 있고, 히터(46)로 가열된 반응관(42)의 부위로부터의 열의 전달을 완화하고, O링(150)을 녹이지 않으면서 반응관(42)을 파손하지 않고 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이 등의 씰링이 가능해진다. 그 다음, 제1 차열 부재(503) 및 제2 차열 부재(504)가 설치되어 있기 때문에, 히터(46)의 가열 영역 내, 즉, 기판 처리 영역에서의 방열을 억제하는 동시에 열처리에의 악영향을 억제할 수 있다.
본 실시의 형태에 의하면, 이하에 기재의 효과 가운데 적어도 1개 이상의 효과를 달성한다.
1) 1100℃ 이상의 고온 영역에서의 기판의 처리가 가능해진다. 특히 1400℃ 이상에서의 고온 하에서의 열처리를 실현하는 것이 가능해진다. 또한, 반응관을 포러스(porous) 형상의 탄화규소 재(材)로 하는 것으로, 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
2) 고온에서 기판을 처리할 때, 배기 장치에 의해 강제 배기하는 것으로 반응관의 하방을 신속하게 냉각할 수 있다.
3) 기판을 처리하는 반응관과, 상기 반응관을 지지하는 매니폴드와, 상기 반응관 주위에 설치되어 상기 반응관 내를 가열하는 히터보다 하방의 반응관의 측방을 감싸도록 설치되는 둘레부와, 둘레부와 반응관 사이의 간극을 강제 배기하는 배기 장치와, 반응관과 매니폴드 사이의 당접부에 설치되는 밀폐 부재를 포함하고, 둘레부에는, 배기 장치가 둘레부의 외측의 분위기를 간극으로 흡기하는 흡기구가 설치되어 있으므로, 히터 하방의 영역을 짧게 할 수 있게 된다. 즉, 열처리 장치의 장치 높이를 억제하는 동시에, 기판 처리 영역을 증대시킬 수 있고, 한번에 처리 가능한 기판 매수도 증대시키는 것이 가능해진다.
4) 냉각 가스를 반응관에 분사하거나 하는 경우에는, 공급 율속(律速)이 되기 때문에, 반응관의 주 방향에서 균일하게 냉각하는 것이 어려우나, 배기구로부터 간극을 배기하는 동시에 흡기구로부터 간극으로 흡기하는 것으로, 배기 율속으로 할 수 있고, 공급 율속에 비해, 반응관의 주방향에서 더욱 균일하게 냉각할 수 있다.
5) 기판을 고온에서 처리할 때, 기판을 처리하는 영역 이외의 부분도 고온이되어버린다. 이 때, 처리실을 구성하는 부재는 내열 온도 이하로 해야 하기 때문에, 단열 영역을 설치할 필요가 생긴다. 그러나, 처리실을 부재의 내열 온도 이하까지 온도를 저하시키기 위해서는, 단열 영역을 길게 취할 필요가 있다. 그 경우, 장치의 높이에 제한이 있는 이상, 필연적으로 처리 영역이 짧아지고, 처리 매수가 적어진다. 거기서, 처리 영역과 단열 영역을 구분하고, 가열 영역의 하부의 단열 영역을 감싸고, 상기 감싼 배기 라인으로부터 그 내부를 블로워 등에서 강제적으로 공기의 흐름을 만들고, 그 공기에서 단열 영역의 열을 빼앗고, 단열 영역의 열을 외기에서 제거하는 것으로, 단열 영역을 짧게 하고 처리 영역을 길게 하는 것이 가능하도록 할 수 있다.
6) 기판 가열 영역에서 기판을 가열할 때, 가열한 열이 처리 장치의 하부까지 전해지고, 단열 영역을 고온화하고 있다. 단열 영역이 고온화함에 따라, 단열 영역을 구성하는 부재가 고온화되어, 내열 온도를 넘어버리는 것이 발생해버리지만, 이를 억제하기 위해서, 예컨대 금속제의 둘레를 단열 영역에 설치하고, 상기 둘레 내를 블로워 등에서 분위기를 배기하는 것으로, 둘레에 축적된 열 에너지도 동시에 빼앗아 갈 수 있고, 저온화가 더욱 가능해진다.
7) 둘레부에 설치되는 배기구는, 둘레부의 측벽의 하방측에 설치하고, 배기구보다도 상방측에 흡기구를 마련하도록 구성하는 것으로, 배기구 주변은, 가스 유속이 크기 때문에 차가워지기 쉽지만, 배기구는 둘레부의 측벽의 하방측에 설치되는 것으로, 히터의 가열 영역에서 가열된 반응관을 급격하게 냉각하는 것으로 일어나는 온도차에 의한 반응관으로의 과도한 응력의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 간극에 흐르는 분위기를 히터로부터 멀리하는 방향으로 할 수 있으므로, 히터의 가열 영역 내, 즉, 기판 처리 영역으로부터의 방열을 억제하는 동시에 열처리에의 악영향을 억제할 수 있다.
(실시예 1)
상술한 실시 형태에 따른 열처리 장치를 이용하여, 배기 장치(301)에 의한 배기 스피드를 일정하게 해서 처리실(201) 온도를 변화시키는 이하와 같은 처리 조건 하에서 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 열 영향 상태를 측정하였다. 그 결과, 이하와 같은 온도 측정 결과를 얻었다.
처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1000℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 30Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정치, 124℃
처리 조건: 처리실(201)내 온도(기판 처리 온도) 1100℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 30Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정치, 151℃
처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1200℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 30Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정치, 182℃
처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1300℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 30Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정치, 200℃
이 결과에서, 예상이지만 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 30Hz로 해서 배기 장치(301)에서 간극(506)을 강제 배기하면, 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도)가 1400℃이여도 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도치는 260℃정도가 되고, 내열 300℃정도의 밀폐 부재, 예컨대, O링을 이용하면, O링의 열화를 억제 가능한 것을 알 수 있다.
(실시예 2)
상술한 실시 형태에 따른 열처리 장치를 이용하여, 처리실(201)의 온도를 일정하게 해서 배기 장치(301)에 의한 배기 스피드를 변화시키는 이하와 같은 처리 조건 하에서 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 열 영향 상태를 측정했더니, 이하와 같은 온도 측정 결과를 얻었다.
1)처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1250℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 20Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정치, 237℃
처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1250℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 30Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정치, 200℃
처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1250℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 40Hz
반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도 측정값, 165℃
이 결과에서, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수를 증가시키면, 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부 주변의 온도를 저하시킬 수 있는 것을 알 수 있다.
(실시예 3)
상술한 실시 형태에 따른 열처리 장치를 이용하여, 처리실(201)의 온도를 일정하게 해서 배기 장치(301)에 의한 배기 스피드를 변화시키는 이하와 같은 처리 조건 하에서 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 간극(506) 중복(中腹) 높이 주변이며, 반응관(42)의 주방향에 있어서의 배기구(5021)와의 복수 위치의 열 영향 상태를 측정했더니 이하와 같은 온도 측정 결과를 얻었다.
1)처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1200℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 20Hz
반응관(42)의 주방향에 있어서의 배기구(5021)로부터 약 90° 이간(離間)된 위치의 온도 측정치, 450℃
반응관(42)의 주방향에 있어서의 배기구(5021)로부터 약 180° 이간된 위치의 온도 측정치, 438℃
처리 조건: 처리실(201) 내 온도(기판 처리 온도) 1200℃, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수 40Hz
반응관(42)의 주방향에 있어서의 배기구(5021)로부터 약 90°이간된 위치의 온도 측정치, 374℃
반응관(42)의 주방향에 있어서의 배기구(5021)로부터 약 180°이간된 위치의 온도 측정치,373℃
이 결과에서, 배기 장치(301, 블로워)의 설정 주파수를 증가시키면, 간극(506)에 있어서의 반응관(42)의 주방향의 온도 균일성을 향상시킬 수 있는 것을 알수 있다.
본 발명의 제2 실시 형태를 이하에 설명한다.
도 4에 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반응로(4001)의 일 예를 제시한다. 도 4에 도시되는 바와 같이, 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와 지지구(3001), 단열 부재(1521), 히터(4601), 강제 냉각부(6001)로서, 둘레부(5001), 간극(5061)의 길이 방향의 길이가 다른 것과, 새로이 제3 차열 부재(505)가 설치되어 있는 점에서 다르지만, 그 외에는 제1 실시 형태와 동일하다.
기판(54)을 한번에 열처리하는 매수는, 많으면 많을 수록 좋지만, 본 실시 형태에서는, 반응로(4001)의 전체 길이는 제1 실시 형태와 동일하게 하여, 기판을 한번에 열처리하는 매수를 더욱 많이 할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 히터(4601) 및 지지구(3001)의 길이 방향이 길게 구성되고, 지지구(3001)에 지지되는 기판(54)의 매수가 많아지도록 구성되어 있다. 또한, 단열 부재(1521)의 길이 방향이 짧게 구성되고, 강제 냉각부(6001)로서 둘레부(5001), 간극(5061)의 길이 방향이 짧게 구성되어 있다. 이러한 형태에 있어서는, 간극(5061)의 용적이 작아지거나, 둘레부(5001)의 흡기구(501)의 수가 적어지거나 해버리기 때문에, 강제 냉각력이 제1 실시 형태보다도 떨아지게 되고, O링(150)이 열화(劣化)할 가능성이 높아진다. 그 때문에, 본 실시 형태에서는, 이 O링(150)의 열화의 가능성을 억제하기 위해 반응관(42)과 매니폴드(44)의 당접부의 바로 위에 제3 단열 부재(505)가 배치되어 있다.
제3 차열 부재(505)는 원통 형상으로 형성되어 있다. 제3 차열 부재(503)의 내경은, 반응관(42)의 외경보다 약간 큰 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 반응관(42)의 외경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다. 또한, 제3 차열 부재(505)의 외경은, 둘레부(5001)의 측벽의 내경보다 약간 작은 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 둘레부(5001)의 측벽의 내경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다.
이에 의해, 반응관(42)의 씰링부 뿐만 아니라, 히터(46)보다 하방측의 반응관(42)의 측벽을 냉각할 수 있고, 히터(46)로 가열된 반응관(42)의 부위로부터의 열의 전달을 완화하고, O링(150)을 녹이지 않으면서 반응관(42)을 파손하지 않고,반응관(42)과 매니폴드(44) 사이 등의 씰링이 가능해진다.
본 발명의 다른 실시 형태를 이하에 설명한다.
보지부(507)의 재치면에는, 제1 차열 부재(503)가 보지된다. 제1 차열 부재(503)는, 원통 형상으로 형성되어 있다. 제1 차열 부재(503)의 내경은, 반응관(42)의 외경보다 약간 큰 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 반응관(42)의 외경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다. 또한, 제1 차열 부재(503)의 외경은, 보지부(507)의 측벽의 내경보다 약간 작은 사이즈로 형성되어 있다. 바람직하게는, 보지부(507)의 측벽의 내경과 거의 동일한 사이즈로 형성되면 좋다.
상술한 본 발명의 실시 형태로서, 보지부(507), 제1 차열 부재(503) 및 제2차열 부재(504)를 설치하도록 설명했으나, 이들을 설치하지 않아도 본 발명의 효과와 동일한 일정 효과를 가질 수 있다. 이 경우, 둘레부(500)의 상단을, 히터 베이스(460)의 하면에 직접 고정하도록 구성하면 좋다. 또한, 보지부(507), 제1 차열 부재(503) 및 제2 차열 부재(504)로 교체하고, 히터(46)의 하단에서 단열 부재를 반응관(42) 측으로 돌출되도록 구성해도 좋다. 이 경우에는, 히터(46)의 하단 단열 부재와 반응관(42) 사이의 간극이 없어져버리기 때문에, 이들의 교체 작업 등을 하기 어려워지거나, 또는 히터(46)의 하단 단열 부재와 반응관(42) 사이에 약간의 간극을 남기게 되므로, 차열력이 떨어질 가능성이 있지만, 적어도 본 발명과 동일한 효과에 있어서의 일정 효과를 가질 수 있다.
상술한 본 발명의 실시 형태로서, 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부에는, 밀폐 부재로서 O링(150)을 설치하도록 설명했지만, 특히, 처리실(201)의 압력을 진공 상태로 하는 공정을 포함하거나, 10Pa이상 1000Pa이하 정도의 감압 상태로 하는 공정을 포함하는 경우에는, 반응관(42)과 매니폴드(44) 사이의 당접부에는, 밀폐 부재로서 고분자 재료로 구성되는 O링을 설치하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명은, 이에 한하지 않고, 예컨대, 밀폐 부재로서, 고분자 재료로 형성된 평판 링 등으로 구성해도 좋고, 금속재로 밀폐해도 좋다.
상술한 실시 형태에서는, 배기 장치(301)는, 냉각 장치(300)를 개재해서 접속한다고 설명했으나, 이에 한하지 않고, 배기 장치(301)가 열(熱) 열화할 우려가 그다지 없거나, 열 열화가 걱정되지 않는 정도라면, 냉각 장치(300)는 설치하지 않아도 좋다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 둘레부(500)는, 상술한 바와 같이 제1 둘레부(5001) 및 제2 둘레부(5002)로서 2분할된 형태로서 설명했지만 이에 한하지 않고, 예컨대, 제1 둘레부(5001)와 제2 둘레부(5002)를 일체로 구성하여도 좋고, 3분할 이상의 형태로 구성하여도 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 실시 형태에 있어서는, 반응관(42)은 탄화규소제로 설명했지만, 탄화규소제로서는, 고체 형상의 탄화규소여도 좋고, 포러스 형상의 탄화규소여도 좋고, 실리콘 함침(含浸), 소결체(燒結體) 또는 이들을 조합시킨 것이나 이들에 CVD 코팅 등의 코팅을 실시한 것을 포함한다. 또한, 반응관(42)은, 실리콘제이어도 좋고, 석영제이어도 좋다.
본 발명은, SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼의 일종인 SIMOX(Separation by Implanted Oxygen) 웨이퍼의 제조 공정의 일 공정에 적용할 수 있다.
즉, SIMOX에 있어서는, 우선 이온 주입 장치 등에 의해 단결정 실리콘 웨이퍼 내에 산소 이온을 이온 주입한다. 그 후, 산소 이온이 주입된 웨이퍼를 상기 실시 형태의 열처리 장치를 이용하여, 예컨대 Ar, O2분위기의 하, 1300℃∼1400℃, 예컨대 1350℃이상의 고온에서 어닐링한다. 이들의 처리에 의해, 웨이퍼 내부에 SiO2층이 형성된(SiO2층이 매립된) SIMOX 웨이퍼가 제작된다.
또한, SIMOX 웨이퍼의 외외에, 수소 어닐링 웨이퍼의 제조 공정의 일 공정에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다. 이 경우, 웨이퍼를 본 발명의 열처리 장치를 이용하여, 수소 분위기 중에서 1200℃정도 이상의 고온에서 어닐링하는 것이 된다. 이에 의해 IC(집적 회로)가 만들어지는 웨이퍼 표면층의 결정 결함을 저감할 수 있고, 결정의 완전성을 높일 수 있다.
또한, 이 외에, 에피텍셜 웨이퍼의 제조 공정의 일 공정에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.
기판으로서는, 탄화규소제, 실리콘제, 사파이어제, 석영제에 제한되지 않는다. 또한, 기판은, 웨이퍼에 한하지 않고, 포토 마스크나 프린트 배선 기판, 액정 패널, 컴팩트 디스크 및 자기 디스크 등이여도 좋다.
반도체 제조 장치는 성막 처리에 사용하는 CVD 장치에 한하지 않고, 산화막 형성 처리나 확산 처리 등의 열처리에도 사용할 수 있다.
이상과 같은 기판의 제조 공정의 일 공정으로서 수행하는 고온 어닐링 처리를 수행하는 경우라도, 본 발명을 이용하는 것에 의해, 고정도의 프로세스 처리 및 높은 안전성을 실현할 수 있다.
본 발명은, 반도체 장치의 제조 공정에 적용하는 것도 가능하다. 특히, 비교적 높은 온도로 수행하는 열처리 공정, 예컨대, 웨트(wet) 산화, 드라이 산화, 수소 연소 산화(파이로제닉 산화), HCl 산화, 일산화질소(NO) 산화, 이산화질소(N2O) 산화, 감압 산화 등의 열산화 공정이나, 붕소(B), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등의 불순물(도펀트)을 반도체 박막에 확산시키는 열확산 공정 등에 적용하는 것이 바람직하다.
이러한 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정으로서의 열처리 공정을 수행할 경우에 있어서도, 본 발명을 이용하는 것에 의해, 고정도의 프로세스 처리 및 높은 안전성을 실현할 수 있다.
이하에, 본 발명이 바람직한 형태에 대해서, 부기(付記)한다.
본 발명의 제1 형태는,
기판을 처리하는 반응관과, 상기 반응관을 지지하는 매니폴드와, 상기 반응관의 주위에 설치되어 상기 반응관 내를 가열하는 히터와, 상기 히터보다 하방의 상기 반응관의 측방을 감싸도록 설치되는 둘레부와, 상기 둘레부와 상기 반응관 사이의 간극을 강제 배기하는 배기 장치와, 상기 반응관과 상기 매니폴드 사이의 당접부에 설치되는 밀폐 부재를 포함하고, 상기 둘레부에는, 상기 배기 장치가 상기 둘레부의 외측의 분위기를 상기 간극에 흡기하는 흡기구가 설치되는 기판 처리 장치이다.
바람직하게는, 적어도 상기 히터가 상기 반응관 내의 온도를 상기 기판의 열처리 온도 이상으로 가열하고 있는 사이, 상기 간극을 강제 배기하도록 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 적어도 상기 히터가 상기 반응관 내의 온도를 상기 기판의 열처리 온도 이상으로 가열하고 있는 사이, 상기 간극을 강제 배기하여 상기 반응관의 하부의 온도가 소정 온도 이하가 되도록 상기 배기 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
또한, 바람직하게는, 상기 기판의 열처리 온도는 1200℃이상이다.
또한, 바람직하게는, 상기 반응관 내를 배기하는 제2 배기 장치를 포함하고, 상기 컨트롤러는, 상기 반응관 내에서 기판을 처리할 때에 상기 반응관 내를 감압 상태로 유지하도록 상기 제2 배기 장치를 제어한다.
또한, 바람직하게는, 상기 반응관의 재질이 탄화규소재로 구성된다.
또한, 바람직하게는, 상기 둘레부는, 금속제로 형성되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 흡기구는, 상기 배기 장치가, 상기 둘레부가 접속되어 있는 배기구보다 하방측보다도 상방측에 많이 설치되어 있다.
본 발명의 제2 형태는,
기판을 처리하는 반응관과, 상기 반응관을 지지하는 매니폴드와, 상기 반응관의 주위에 설치되어 상기 반응관 내를 가열하는 히터와, 상기 반응관과의 사이에 제1 간극을 이루어서 상기 히터를 지지하는 지지부와, 상기 제1 간극에 설치되는 차열 부재와, 상기 차열 부재보다 하방의 상기 반응관의 측방을 감싸도록 설치되는 둘레부와, 상기 둘레부와 상기 반응관 사이의 제2 간극을 강제 배기하는 배기 장치와, 상기 반응관과 상기 매니폴드 사이의 당접부에 설치되는 밀폐 부재를 포함하고, 상기 둘레부에는, 상기 둘레부의 외측의 분위기를 흡기하는 흡기구가 설치되는 열처리 장치이다.
본 발명은, 열처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 고 정도의 프로세스 처리 및 높은 안전성을 실현할 필요가 있는 것에 이용할 수 있다.
10…열처리 장치 12…케이스
14…포드 스테이지 16…포드
18…포드 반송 장치 20…포드 선반
22…포드 오프너 24…기판 매수 검지기
26…기판 이재기 28…노치 얼라이너
30…지지구(보트) 32…암(트위저)
40…반응로 42…반응관
44…매니폴드 46…히터
48…노구 씰 캡 50…O링
52…단열통 54…기판
56…가스 공급구 59…가스 배기구
60…가스 도입관 62…배기관
64…가스 도입 경로 66…노즐
68…석영 베이스 70…베이스 받이
152…단열 부재 301…배기 장치
500…둘레부 501…흡기구
506…간극 600…강제 냉각부

Claims (8)

  1. 기판을 처리하는 반응관;
    상기 반응관을 지지하는 매니폴드;
    상기 반응관의 주위에 설치되어 상기 반응관 내를 가열하는 히터;
    상기 히터보다 하방(下方)의 상기 반응관의 측방(側方)을 감싸도록 설치되는 둘레부;
    상기 둘레부와 상기 반응관 사이의 간극(間隙)을 강제 배기하는 배기 장치; 및
    상기 반응관과 상기 매니폴드 사이의 당접부(當接部)에 설치되는 밀폐 부재;를 포함하고,
    상기 둘레부는, 상기 둘레부의 측벽에 설치된 배기구와 주방향(周方向)에 복수 설치된 흡기구를 포함하는 것이고,
    상기 배기 장치는 상기 둘레부의 외측의 분위기를 상기 흡기구를 통하여 상기 간극으로 흡기하고,
    상기 흡기구는 상기 배기구의 하방측보다도 상기 배기구의 상방측 수가 많아지도록 설치된 열처리 장치.
  2. 매니폴드에 지지된 반응관 내에 기판을 반입하는 공정;
    상기 반응관 내에서 기판을 열처리하는 공정; 및
    열처리 후의 기판을 상기 반응관으로부터 반출하는 공정;을 포함하고,
    상기 반응관과 상기 매니폴드 사이의 당접부가 밀폐 부재로 밀폐되고, 상기 반응관의 측방을 둘러싸는 둘레부가 설치되고, 상기 둘레부에는 상기 둘레부의 측벽에 설치된 배기구와 상기 둘레부의 측벽의 주방향(周方向)에 복수 설치되어 상기 둘레부의 외측의 분위기를 흡기하는 흡기구가 설치되고,
    적어도 상기 기판을 열처리하는 공정에서는, 상기 반응관과 상기 둘레부 사이의 간극의 분위기를 강제 배기하고, 상기 흡기구로부터 상기 간극으로 상기 외측의 분위기를 흡기하고, 상기 흡기구는 상기 배기구의 하방측보다도 상기 배기구의 상방측 수가 많아지도록 설치된 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 흡기구의 총 개구 면적이 상기 측벽의 총 면적보다도 작게 형성되는 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 흡기구의 총 개구 면적이 상기 측벽의 총 면적보다도 작게 형성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 둘레부는 상기 간극의 길이 방향의 길이가 폭 방향의 폭보다도 커지도록 구성되는 열처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 둘레부는 상기 간극의 길이 방향의 길이가 폭 방향의 폭보다도 커지도록 구성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 둘레부의 외경은 상기 히터의 외경보다도 작고, 상기 둘레부의 내경은 상기 히터의 내경 이하의 크기인 열처리 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 기판을 열처리하는 공정은 상기 반응관의 주위에 설치된 히터에 의해서 상기 반응관 내를 가열하여 상기 기판을 열처리하고,
    상기 둘레부의 외경은 상기 히터의 외경보다도 작고, 상기 둘레부의 내경은 상기 히터의 내경 이하의 크기인 반도체 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101750633B1 (ko) * 2012-07-30 2017-06-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP6385257B2 (ja) * 2014-11-27 2018-09-05 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
US10375901B2 (en) 2014-12-09 2019-08-13 Mtd Products Inc Blower/vacuum
KR101895404B1 (ko) 2015-12-29 2018-09-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN107740191A (zh) * 2017-12-01 2018-02-27 浙江海洋大学 一种热处理装置
JP6918211B2 (ja) * 2018-03-27 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN110736345B (zh) * 2018-07-18 2021-01-29 北京北方华创微电子装备有限公司 用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303099A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20090059539A (ko) * 2007-12-06 2009-06-11 주식회사 테라세미콘 고온 퍼니스

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2650908B2 (ja) * 1987-04-17 1997-09-10 株式会社日立製作所 熱処理方法
JPH0287618A (ja) * 1988-09-26 1990-03-28 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JP4070832B2 (ja) * 1996-02-13 2008-04-02 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
US5848889A (en) * 1996-07-24 1998-12-15 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support with graded thermal mass
US5846073A (en) * 1997-03-07 1998-12-08 Semitool, Inc. Semiconductor furnace processing vessel base
JP2000243747A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
KR100745867B1 (ko) 2000-08-23 2007-08-02 동경 엘렉트론 주식회사 수직열처리장치 및 피처리체를 운송하는 방법
US7534977B2 (en) * 2000-12-28 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
JP4523225B2 (ja) 2002-09-24 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5157100B2 (ja) * 2006-08-04 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP4167280B2 (ja) * 2006-08-25 2008-10-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造方法
JP5176771B2 (ja) * 2008-08-14 2013-04-03 信越半導体株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
JP5751549B2 (ja) * 2010-03-15 2015-07-22 株式会社日立国際電気 熱処理装置及び半導体の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303099A (ja) * 1997-04-24 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20090059539A (ko) * 2007-12-06 2009-06-11 주식회사 테라세미콘 고온 퍼니스

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Publication number Publication date
CN102194661B (zh) 2013-11-27
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JP2011176178A (ja) 2011-09-08
TWI437641B (zh) 2014-05-11
KR20130009938A (ko) 2013-01-24
KR20110097606A (ko) 2011-08-31
US20110207339A1 (en) 2011-08-25
US8734148B2 (en) 2014-05-27

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